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    [广告]芯片制作工艺流程 二 [复制链接]

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    离线探针台
     
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 08-16
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    1 常压CVD (Normal Pressure CVD) `:C1Wo^<  
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        NPCVD为最简单的CVD法,使用于各种领域中。其一般装置是由(1)输送反应气体至反应炉的载气体精密装置;(2)使反应气体原料气化的反应气体气化室;(3)反应炉;(4)反应后的气体回收装置等所构成。其中中心部分为反应炉,炉的形式可分为四个种类,这些装置中重点为如何将反应气体均匀送入,故需在反应气体的流动与基板位置上用心改进。当为水平时,则基板倾斜;当为纵型时,着反应气体由中心吹出,且使基板夹具回转。而汽缸型亦可同时收容多数基板且使夹具旋转。为扩散炉型时,在基板的上游加有混和气体使成乱流的装置。 MD[hqshoh  
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    2 低压CVD (Low Pressure CVD) b~^'P   
    LW<Lg N"L-  
         此方法是以常压CVD 为基本,欲改善膜厚与相对阻抗值及生产所创出的方法。主要特征:(1)由于反应室内压力减少至10-1000Pa而反应气体,载气体的平均自由行程及扩散常数变大,因此,基板上的膜厚及相对阻抗分布可大为改善。反应气体的消耗亦可减少;(2)反应室成扩散炉型,温度控制最为简便,且装置亦被简化,结果可大幅度改善其可靠性与处理能力(因低气压下,基板容易均匀加热),因基可大量装荷而改善其生产性。 ^(;x-d3  
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    3 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) :a*>PMTn  
    XIIq0I  
       此方法生产性高,梯状敷层性佳(不管多凹凸不平,深孔中的表面亦产生反应,及气体可到达表面而附着薄膜)等,故用途极广。膜生成原理,例如由挥发性金属卤化物(MX)及金属有机化合物(MR)等在高温中气相化学反应(热分解,氢还原、氧化、替换反应等)在基板上形成氮化物、氧化物、碳化物、硅化物、硼化物、高熔点金属、金属、半导体等薄膜方法。因只在高温下反应故用途被限制,但由于其可用领域中,则可得致密高纯度物质膜,且附着强度极强,若用心控制,则可得安定薄膜即可轻易制得触须(短纤维)等,故其应用范围极广。热CVD法也可分成常压和低压。低压CVD适用于同时进行多片基片的处理,压力一般控制在0.25-2.0Torr之间。作为栅电极的多晶硅通常利用HCVD法将SiH4Si2H。气体热分解(约650 oC)淀积而成。采用选择氧化进行器件隔离时所使用的氮化硅薄膜也是用低压CVD法,利用氨和SiH4 Si2H6反应面生成的,作为层间绝缘的SiO2薄膜是用SiH4O2400 --4500 oC的温度下形成 u(Mbp$R' ?  
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    SiH4 + O2 -SiO2 + 2H2 ~ikp'5  
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    或是用Si(OC2H5)4 (TEOS: tetra ethoxy silanc )O2750 oC左右的高温下反应生成的,后者即采用TEOS形成的SiO2膜具有台阶侧面部被覆性能好的优点。前者,在淀积的同时导入PH3 气体,就形成 磷硅玻璃PSGphosphor silicate glass)再导入B2H6气体就形成BPSG(borro phosphor silicate glass)膜。这两种薄膜材料,高温下的流动性好,广泛用来作为表面平坦性好的层间绝缘膜。 >M5}L<  
    RC7F/|w.z  
    4 电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD) f,ro1Nke  
    C@-Hm  
        NPCVD 法及LPCVD 法等皆是被加热或高温的表面上产生化学反应而形成薄膜。PECVD是在常压CVDLPCVD的反应空间中导入电浆(等离子体),而使存在于空间中的气体被活化而可以在更低的温度下制成薄膜。激发活性物及由电浆中低速电子与气体撞击而产生。 .w4|$.H  
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    CVD (Photo CVD) Ny"9!3V   
    Sj ovL@X  
    PECVD 使薄膜低温化,且又产生如A-Si般的半导体元件。但由于薄膜制作中需考虑:(1)在除去高温(HCVD)PECVD时掺入元件中的各种缺陷(PECVD中带电粒子撞击而造成的损伤)(2)不易制作的元件(不纯物剖面),不希望在后面受到工程高温处理被破坏,因此希望可于低温中被覆薄膜。PCVD是解决这此问题的方法之一。 遇热分解时,因加热使一般分子的并进运动与内部自由度被激发(激发了分解时不需要的自由度),相对的,在PCVD 中,只直接激发分解必须的内部自由度,并提供活化物促使分解反应。故可望在低温下制成几无损伤的薄膜且因光的聚焦及扫描可直接描绘细线或蚀刻。 8ve-g\C8 H  
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    5 MOCVD (l Organic  CVD) &分子磊晶成长(Molecular Beam Epitaxy) 'wPX.h?  
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        CVD 技术另一重要的应用为MOCVD,此技术与MBE(Molecular Beam Epitaxy) 同为:(1)成长极薄的结晶;(2)做多层构造;(3)多元混晶的组成控制;(4)目标为化合物半导体的量产。此有装置有下列特征:(1)只需有一处加热,装置构造简单,量产装置容易设计;(2)膜成长速度因气体流量而定,容易控制;(3)成长结晶特性可由阀的开头与流量控制而定;(4)氧化铝等绝缘物上可有磊晶成长;(5)磊晶成长可有选择,不会被刻蚀。相反地亦有:(1)残留不纯物虽已改善,但其残留程度极高;(2)更希望再进一步改良对结晶厚度的控制;(3)所用反应气体中具有引火性、发水性,且毒性强的气体极多;(4)原料价格昂贵等缺点。 ]:f.="  
    $@VJ@JAe  
    多层布线间的层间绝缘膜的沉积,以及最后一道工序的芯片保护膜的沉积必须在低温下(450 C 以下)下进行,以免损伤铝布线。等离子CVD 法就是为此而发明的一种方法。 OXLB{|hH80  
       cs2-jbRn  
    6 外延生长法(LPE) `6rLd>=R  
    7O)ATb#up  
       外延生长法(epitaxial growth)能生长出和单晶衬底的原子排列同样的单晶薄膜。在双极型集成电路中,为了将衬底和器件区域隔离(电绝缘),在P型衬底上外延生长N型单晶硅层。在MOS集成电路中也广泛使用外延生长法,以便容易地控制器件的尺寸,达到器件的精细化。此时,用外延生长法外延一层杂质浓度低(10 15 cm-3)的供形成的单晶层、衬底则为高浓度的基片,以降低电阻,达到基极电位稳定的目的。LPE可以在平面或非平面衬底生长、能获得十分完善的结构LPE可以进行掺杂,形成n-p-型层,设备为通用外延生长设备,生长温度为300 oC-900 oC,生长速率为0.2um-2um/min,厚度0.5um-100um,外延层的外貌决定于结晶条件,并直接获得具有绒面结构表面外延层。
     
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