芯片制作工艺流程 一

发布:探针台 2019-08-16 09:11 阅读:2391
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芯片制作工艺流程 !iu5OX7K|  
工艺流程 $:bih4 @>  
1) 表面清洗 c$H+g,7xQ-  
    晶圆表面附着一层大约2umAl2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 \ v2H^j/  
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2) 初次氧化 hv)8K'u  
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    有热氧化法生成SiO2 缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 *b|NjwmB  
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氧化技术 v/QUjXBr  
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干法氧化 Si() + O2 à SiO2() +]wuJSxc  
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湿法氧化 Si() +2H2O à SiO2() + 2H2 yI;"9G  
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干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si 表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出 @!%n$>p/V  
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(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 L36Yx7gT<  
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SiO2Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低,约为10E+10 --  10E+11/cm 2 .e V -1 数量级。(100)面时,氧化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 K 1#ji*Tp  
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3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVDLPCVD) b$JBL_U5Ch  
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1) 表面清洗 ]N)DS+V/  
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    晶圆表面附着一层大约2umAl2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 q!lP"J  
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2) 初次氧化 c4mh EE-  
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    有热氧化法生成SiO2 缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 p<GR SJIk=  
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氧化技术 uGH?N  
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干法氧化 Si() + O2 à SiO2() @cvP0A  
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湿法氧化 Si() +2H2O à SiO2() + 2H2 1T|$BK@)  
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干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si 表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出 oOU1{[  
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(d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 &%=D \YzG  
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SiO2Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低,约为10E+10 --  10E+11/cm 2 .e V -1 数量级。(100)面时,氧化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 U>qHn'M  
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3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVDLPCVD)
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