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    [广告]芯片制作工艺流程 一 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 08-16
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    芯片制作工艺流程 lq`7$7-4  
    工艺流程 TBF{@{.d  
    1) 表面清洗 " ? V;C  
        晶圆表面附着一层大约2umAl2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 lSd tw b  
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    2) 初次氧化 G$Fo*;Fl  
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        有热氧化法生成SiO2 缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 ab)ckRC  
    km lb,P  
    氧化技术 r<P?F  
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    干法氧化 Si() + O2 à SiO2() vt(n: Xk  
    L-q)48+^k  
    湿法氧化 Si() +2H2O à SiO2() + 2H2 6BQq|:U  
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    干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si 表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出 m#6p=E  
    Xfg?\j/  
    (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。 D`B*+  
    UA0( cK  
    SiO2Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低,约为10E+10 --  10E+11/cm 2 .e V -1 数量级。(100)面时,氧化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 f!GFRMM1  
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    3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVDLPCVD) P$clSJW  
    工艺流程 1O)m(0tb[  
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    1) 表面清洗 dOg c%(kz  
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        晶圆表面附着一层大约2umAl2O3和甘油混合液保护之,在制作前必须进行化学刻蚀和表面清洗。 qCm%};yt  
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    2) 初次氧化 ~1,$  
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        有热氧化法生成SiO2 缓冲层,用来减小后续中Si3N4对晶圆的应力 w>RwEU+w=@  
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    氧化技术 jcxeXp|00  
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    干法氧化 Si() + O2 à SiO2() >DzW  OB  
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    湿法氧化 Si() +2H2O à SiO2() + 2H2 "Q tkNy%E  
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    干法氧化通常用来形成,栅极二氧化硅膜,要求薄,界面能级和固定电荷密度低的薄膜。干法氧化成膜速度慢于湿法。湿法氧化通常用来形成作为器件隔离用的比较厚的二氧化硅膜。当SiO2膜较薄时,膜厚与时间成正比。SiO2膜变厚时,膜厚与时间的平方根成正比。因而,要形成较 厚的SiO2膜,需要较长的氧化时间。SiO2膜形成的速度取决于经扩散穿过SiO2膜到达硅表面的O2OH基等氧化剂的数量的多少。湿法氧化时,因在于OH基在SiO2膜中的扩散系数比O2的大。氧化反应,Si 表面向深层移动,距离为SiO2膜厚的0.44倍。因此,不同厚度的SiO2膜,去除后的Si表面的深度也不同。SiO2膜为透明,通过光干涉来估计膜的厚度。这种干涉色的周期约为200nm,如果预告知道是几次干涉,就能正确估计。对其他的透明薄膜,如知道其折射率,也可用公式计算出 b|@f!lA  
    v}^uN+a5  
    (d SiO2) / (d ox) = (n ox) / (n SiO2)SiO2膜很薄时,看不到干涉色,但可利用Si的疏水性和SiO2的亲水性来判断SiO2膜是否存在。也可用干涉膜计或椭圆仪等测出。  {qH+S/  
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    SiO2Si界面能级密度和固定电荷密度可由MOS二极管的电容特性求得。(100)面的Si的界面能级密度最低,约为10E+10 --  10E+11/cm 2 .e V -1 数量级。(100)面时,氧化膜中固定电荷较多,固定电荷密度的大小成为左右阈值的主要因素。 2)q$HUIX  
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    3) CVD(Chemical Vapor deposition)法沉积一层Si3N4(Hot CVDLPCVD)
     
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