光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 ZJ u\  
^P(HX  
naW}[y*y;  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： %]RzC`NZ  
z_CBOJl#C!  
GXJJOy1"!  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 <d
h7*M  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） 7_n@iUG2n  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） xs+MvXTC  
    高损伤阈值 (T!Q
 
    可精确控制相位延迟 n+j'FfSz  
rEz=\yY^j'  
B
u*ge~  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 &`0heJ 5Yn  
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(Kv[~W7lb  
[P,1UO|$B  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 =M ?  
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<JDkvpckx.  
应用举例： !2$O^ }6"  
w~X1Il7A  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf cPkN)+K  
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x}].lTjD  
NA!;#!  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： mf^(Tq[  
mS0*%[S {  
KKl8tI\u~  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 gfFP-J3cN  
Z,_yE*q  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 %dKUB4  
TBvv(_  
7Oru{BQ">  
mdtq-v  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 9=K=gfZ  
O.
 V!L  
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Oy&Myjny<  
TABLE 1 7P.C~,+D%P  
   jun>(7  
   Ks{^R`Oau  
)1Z*kY?f!  
SPECTRAL REGION q_ykB8Ensa  
SERIES w<tr<Pu'  
MATERIAL yv[s)c}  
vn KKK.E  
Vacuum UV, UV /`Yp]l  
I w f,7  
Lithium Fluoride 3z!\Z[  
ZH~T'Bg  
Vacuum UV to mid-IR ZBB^
?FF  
I,II =pF 6  
Calcium Fluoride 5NZob<<  
k]] (I<2  
Vacuum UV to near-IR '/Hx0]V  
I,II !/BXMj,=  
Fused Silica =O<Ul~JRK  
3<AZ,gF1  
Mid-visible to mid-IR N;9@-Tb  
II d@8=%x:  
Zinc Selenide ?R&,1~h  
>u4%s7v  
Near- to mid-IR <9@I50;  
II 1t WKH  
Silicon +3(1QgYM%  
H B_si  
=P<gZ-Cm  
^^qB=N[';  
,)@Q,EHN;  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 g PU|Gv5  
i<YatW~Pu  
~B'
K_#  
k`F$aQV9`  
S>Z V8  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 Ig-9Y;hdmn  
}:5AB93(  
I!%T!B540  
!=;^Grv>  
)Fe-C  
G,FYj'<!7,  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） hw:zak#j,  
;\DXRKR  
cor?#  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 h3$.` >l  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 t|jX%s=  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 j{?,nJdQ  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 p6$ QTx  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH O['gp~P"  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 6.kX~$K  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds Iw(deD  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 a;|C51GH  
qPK3"fzH  
u.YPb@  
Uc/MPCqZ  
基本指标 lpQsmd#  
^a4y+!  
WBFG_])  
Model rR@ t5  
Optical Material (Hb i+IHV  
Nominal W'hE,  
GJ edW  
Frequency br*L|s\P\9  
Retardation Range vE0Ty9OH"]  
Useful x_CB'Rr6  
-yHVydu=  
Aperture1 TBHIcX
 
X[\b!<C
 
Quarter Wave TK<~(Dk  
Half Wave ER~m &JI  
<*E{zr&  
I/FS50 n*(Vf'k  
Fused Silica |v#N  
50 kHz p:U9#(v)  
170nm - 2μm .%j&#(!  
170nm - 1μm }\k"azQ`  
16mm F/sXr(7  
R| [mp%Q  
I/FS20 ; {$9Sc $  
Fused Silica .<}(J#vC  
20 KHz OiH tobM  
170nm - 2μm p1 > D  
170nm - 1μm  m/gl7+  
22mm R}IMX9M=  
u P
OmiF  
I/CF50 t<mT=(zt*  
Calcium Fluoride 4:RL[;  
50 kHz S'#KPzy.  
130nm - 2μm i$gm/ZO  
130nm - 1μm &;S.1tg  
16mm xZZW*d_b  
L!s/0kBg  
II/FS20A -fIX6  
Fused Silica 2mN>7Tj:  
20 kHz 8mI eW  
170nm - 2μm pt.0%3  
170nm - 1μm DP**pf%j  
56mm ;S5*n:d  
n=!]!'h\:  
II/FS20B fYU/Jn#  
Fused Silica 4^vEMq8lB  
20 kHz (oO*|\9u  
1.6μm - 2.6μm U\'.rT[#  
800nm - 2.5μm q'~?azg:  
56mm u~FXO[b  
0PO'9#  
II/FS42A 8##-fv]  
Fused Silica t<s:ut)Q!  
42 kHz t &XH:w&j  
170nm - 2μm HEHTj,T  
170nm - 1μm X-&t!0O4}`  
27mm ZRN*.  
!N:!x[5  
II/FS42B b)RU+9x &  
Fused Silica m`CcU`s  
42 kHz +InAK>NZ'  
1.6μm - 2.6μm l6Wa~E  
800nm - 2.5μm fWiefv[&  
27mm  *X- 6]C  
l]D?S]{a  
II/FS47A !i=LQUi.  
Fused Silica 0; GnR0  
47 kHz
!dQG 5v  
170nm - 2μm \x?q!(;G2  
170nm - 1μm |6/k2d{,(  
24mm )7@f{E#w  
~Z-M?8:  
rmXxid  
)jkX&7x  
II/FS47B 1Q1NircJ  
Fused Silica dU%Q=r
8R  
47 kHz .w=(
 G  
1.6μm - 2.6μm 6vp\~J  
800nm - 2.5μm ^_W+
 
24mm
Ks 8  
6)63Yp(  
II/FS84 >PdYQDyVS  
Fused Silica z%-Yz-G9  
84 kHz P__JN\{9  
800nm - 2.5μm QCB2&lN\&L  
400nm - 2.5μm L1=+x^WQ  
13mm xL8r'gV@  
2z9\p%MX  
II/IS42B |hBX"  
Fused Silica ~/Gx~P]  
42 kHz /
RD@ [ 8  
1.6μm - 3.5μm q SR\=:$  
800nm - 2.5μm C "XvspJ  
27mm F:nh
Sd  
H]&a}WQ_  
II/IS84 G"w ?{W@  
Fused Silica (T;4'c  
84 kHz )p*I(y  
800nm - 3.5μm T"7Ue  
400nm - 1.8μm hTgWqp  
27mm Qvc "?yx8}  
&)jBr^x#>  
II/CF57 a@(4X/|  
Calcium Fluoride 7<{g+Q~7*  
57 kHz X"_,#3Ko!  
2μm - 8.5μm _BGw)Z 6  
1μm - 5.5μm Co[fq3iX#  
23mm *Ju$A  
O.61-rp  
II/ZS37 Gx Z'"x  
Zinc Selenide thG;~W  
37 kHz 69#mj*p@+  
2μm - 18μm y/U(v"'4U  
1μm - 9μm 3ZdheenK9  
19mm lAjP'(  
q@K8,=/.#  
II/ZS50 n^F:p*)Q%  
Zinc Selenide c@H_f  
50 kHz pxm{?eBz  
2μm - 18μm R@*mMWW,  
1μm - 10μm .m--#r  
14mm M"QT(u+  
Vl=!^T}l+  
II/SI40 @JJ,$?  
Silicon Axb,{X[6g  
40 kHz zxN,ys  
FIR - THz BET3tiHV  
FIR - THz Dn{ hU$*  
36mm V>"nAh]}.  
kb"
g  
II/SI50 VI83 3  
Silicon )_[eqr  
50 KHz b6KO_s:'g  
FIR - THz -+1_ 1!  
FIR - THz 5/U|oZM"  
29mm Hn~=O8/2  
%V r vu5