光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 -;l`hRW  
R'vdk<  
!}iLO0  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： %T3j8fC{s  
"g x5XW&  
6>@(/mh*  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 lf?Z{^  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） :jZ*,d%1={  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） #rh0r`  
    高损伤阈值 j%6|:o3G(  
    可精确控制相位延迟  ~Y1"k]J  
 rE/}hHU  
/IGrp
.}  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 1gF*Mf_7  
VaD:  
({*.!ty  
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"s#+  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 {.s]\C  
0z#l0-NdQ  
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;y:#S^|?-z  
应用举例： 5A0KV7N5  
T+&x{+gZ  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf `77;MGg*  
S#dyRTmI  
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tEi@p;Z>  
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w{T D  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 1G e)p4  
<[ g$N4  
NTpz)R  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 r?Ev.m  
ANA2S*r  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 *X-~TC0 [  
]pM5?^<~  
kw*Cr/'*  
#C;#$|d  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 4aIlzaA  
B`RW-14g  
[#H
8=  
Og&0Z)%  
TABLE 1 b&U5VA0=1  
   4wM$5  
   [T$$od[.  
S2{ ?W  
SPECTRAL REGION EkfGw/WDw  
SERIES _umO)]Si  
MATERIAL 1xFhhncf  
P:zEx]Y%  
Vacuum UV, UV |-cALQ  
I Ggxrj'r  
Lithium Fluoride S7\|/h:4  
f:)K  
Vacuum UV to mid-IR LyCV_6;D  
I,II `Tm8TZd66  
Calcium Fluoride W~W?<%@  
?(`nBlWQ5  
Vacuum UV to near-IR
\nWzn4f  
I,II 6):sO/es  
Fused Silica =8VJ.{xy_e  
RY'\mt"W2  
Mid-visible to mid-IR ]UpHD.Of[t  
II YA8yMh*4D?  
Zinc Selenide U4mh!  
%_i0go,^  
Near- to mid-IR ZQ-z2s9U  
II +Fy-~Mq  
Silicon ;M(ehX   
K{[Fa,]'  
0ghwFo  
!513rNO  
LeRh(a`=$  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 'amex  
5p>]zij>  
=f{Z~`3  
\-`oFe"  
jy)9EU=  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 =tvm=  
^PCL^]W  
@_tA"E  

5kL#V  
enfu%"(K)  
A_4\$NZ^  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） *rMN,B@  
^_#
gIT\  
"~,(
Xa3x  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 #@OKp,LJ  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 Q*{H]  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 FL_ arhrqD  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 14)kKWG  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH ^ 8Nr%NJ  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 A<G ;  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds P$#}-15?|_  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 =<tJAoVV  
ywa.cq  
g5TLX&Bd  
u[% J#S  
基本指标 4dD@lG~  
q~A|R  
0z2R`=)  
Model u+i/CE#w  
Optical Material w `9GygS  
Nominal ;U:o'9^9T  
,;-cz-,  
Frequency cF>;f(X  
Retardation Range xN~<<PIZ  
Useful [}g5Z=l  
nd9-3W  
Aperture1 UqQZ A0e  
7Bb@9M?i  
Quarter Wave uZ{xt6 f  
Half Wave |D_n4#X7u  
7!d<>_oH  
I/FS50 KHC(MdZ  
Fused Silica 0|3B8
m  
50 kHz PYRwcJ$b\d  
170nm - 2μm 4xC6#:8  
170nm - 1μm Fu
=VY{U4  
16mm zqEZ+|c=  
^K@GK  
I/FS20 mgl' d  
Fused Silica FH@e:-*=  
20 KHz kys-~&@+  
170nm - 2μm oFA$X Y  
170nm - 1μm :<|fZa4!"  
22mm ,kuFTWB  
(IWd?,H,n  
I/CF50 Z|7I }i  
Calcium Fluoride 3uiitjA]  
50 kHz =>TtX@Q{  
130nm - 2μm e&I.kC"j6  
130nm - 1μm { l~T~3/i  
16mm '3,JL!  
[+2^n7R  
II/FS20A (>% Vj  
Fused Silica 6v#sq  
20 kHz WxI]Fcb<  
170nm - 2μm  )"Yah  
170nm - 1μm "alO"x8t  
56mm H0:6zSsc=|  
&?6~v  
II/FS20B gnK!"!nL  
Fused Silica v*p)"J *  
20 kHz CHSD8D  
1.6μm - 2.6μm 9d|7#)a;  
800nm - 2.5μm iONql7S @  
56mm YXOD fd%L  
Y\2>y"8>$x  
II/FS42A &l)v'  
Fused Silica (9QRg;   
42 kHz .jU0Hu{F4  
170nm - 2μm
",oUVl  
170nm - 1μm w6Ny>(T/  
27mm ^E,UcK;  
VZl0)YLK  
II/FS42B 7"
U,N;y  
Fused Silica KV(W|~+rM  
42 kHz B_1u<00kg  
1.6μm - 2.6μm un%"
s:  
800nm - 2.5μm lY,1 w
 
27mm iC\=U  
u01^ABn  
II/FS47A atnbM:t  
Fused Silica alD|-{Bf  
47 kHz =?x=CEW  
170nm - 2μm PhdL@Mr  
170nm - 1μm @Kb~!y@G  
24mm -B! TA0=oJ  
qWK7K%-$E  
rI$10R$+H  
X~b+LG/  
II/FS47B uU"s50m  
Fused Silica 7hE=+V8  
47 kHz k}7)pJNj  
1.6μm - 2.6μm kKO]q#9sO  
800nm - 2.5μm J~6*d,Ry`  
24mm e6a8ad  
4H'&5  
II/FS84 P_%l}%   
Fused Silica g#NUo/  
84 kHz x/v+7Pt_  
800nm - 2.5μm =l{KYv  
400nm - 2.5μm @1X1E 2:  
13mm lsf?R'1  
Z k_&Kw|  
II/IS42B a2n#T,kq&  
Fused Silica AX?6Q4Gq1  
42 kHz M6n.uho/  
1.6μm - 3.5μm ~0:c{v;4  
800nm - 2.5μm I>|?B(F  
27mm epe}^Pl  
]>j_ Y,  
II/IS84 g_=ZcGC  
Fused Silica 6FAP *V;  
84 kHz KO7cZME  
800nm - 3.5μm [Y+
bW#'  
400nm - 1.8μm `UPmr50Wq  
27mm HX^ P9jXT  
YzVLa,[  
II/CF57 j$Co-b1  
Calcium Fluoride OW^7aw(N6  
57 kHz gE#,QOy  
2μm - 8.5μm s6IuM )x  
1μm - 5.5μm MR: {Ps&,  
23mm dDn:^)  
,@MPzpH  
II/ZS37 sIe(;%[`  
Zinc Selenide U^I'X7`r  
37 kHz h[?28q$  
2μm - 18μm XFYl[?`G  
1μm - 9μm $cedO']  
19mm S{06bLXU"  
1:8: yFV  
II/ZS50 HF:PF"|3  
Zinc Selenide it@s(1EO#  
50 kHz FB`HwE<  
2μm - 18μm Q2uE_w`B  
1μm - 10μm -fv.ByyA  
14mm h !1c(UR  
7Bn
P,Nd"W  
II/SI40 N4pA3~P  
Silicon 3& $E  
40 kHz ~gD'up@$/  
FIR - THz AseY.0  
FIR - THz cE[
lB08  
36mm 5;*C0m2%i  
"lt[)3*  
II/SI50 iD~s,  
Silicon 2I  
50 KHz {lA@I*_lj  
FIR - THz lHU$A;  
FIR - THz Et(prmH  
29mm @\a- =  
|qD<h