光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 "ktuq\a@  
NUYKMo1ze  
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光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： \L(cFjLIl  
isL zgN%  
~^' ,4<K-}  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 t<Yi!6  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） GLtd<M"  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） )~wKRyQff  
    高损伤阈值 1OMXg=Y  
    可精确控制相位延迟 =WT$\KYGv  
=|z:wlOs  
T<pG$4_  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 H9(?yI@Zr#  
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Dhn7N8(LF!  
J;>epM;*  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 "iK= 8  
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(0NffM1  
应用举例： Dm)B? H"  
Sk|e#{  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf tRdf:F\X  
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!BDg  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 1p.c6[9-  
eT".psRiC  
GP%V(HhN  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 =o##z5j K  
&!CVF  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 t`H1]`c?  
9S|sTf  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 (kLaXayn  
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@.W;3|~qc  

 B(;MI`  
TABLE 1 $IE}fgA@5  
   uslu-|b!%  
    1c0'i  
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SPECTRAL REGION dxs5woP  
SERIES ez'NHodwk2  
MATERIAL @JbxGi  
d&NnpjH}c  
Vacuum UV, UV <YU?1y?V  
I G JRl{Y  
Lithium Fluoride n=<c_a)Nb  
.]vb\N
BK7  
Vacuum UV to mid-IR 4,sE{%vb  
I,II 0~ho/_  
Calcium Fluoride xvO
z*vM?  
RK!9(^Ja  
Vacuum UV to near-IR '."_TEIF  
I,II xfb .Z(  
Fused Silica TGF$zvd  
0zH-g  
Mid-visible to mid-IR  =1Sny7G  
II *-9i<@|(U^  
Zinc Selenide C.S BJ  
EVqW(|Xg  
Near- to mid-IR z}MxMx c4h  
II sv=U^xI  
Silicon 3lp'U&3`5  
~!Nj DDk  
*K|~]r(F?  
3*h"B$g!  
<,)R`90_X6  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 n*7^lAa2  
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=>;&M)+q  
/"Vd( K2Z  
<r#FI8P;X  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 oy8jc];SO  
v?VDASR2`  
 cHvm
 
@ual+=L  
kGV:=h  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） !.6n=r8d  
<<0sv9qw1  
LaQ7A,]  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 f}bq  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 p]mN)  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 Ey:68yU  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 %V>%AP  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH N9!L8BBaK  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 t+U.4mS-  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds %R>n5m  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 01'>[h#_n  
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u#Ig!7iUu  
Yj@Sy  
基本指标 9O 'j+?(`@  
#s{^fUN6  
+4:eb)e  
Model o-rX4=T  
Optical Material F@?-^ E@  
Nominal qnp}#BZ  
&3t973=  
Frequency >`AK'K8{M  
Retardation Range 8._uwA<[  
Useful Cx2# 0$  
-Rpra0o. C  
Aperture1 LFax$CZ
c  
e{E\YEc  
Quarter Wave UQDAql  
Half Wave nB`|VYmOP1  
q}t]lD %C  
I/FS50 z,aMbgt  
Fused Silica =Ydrct  
50 kHz @/s|<*  
170nm - 2μm r]!#v{#.  
170nm - 1μm B$g\;$G  
16mm @S@VsgQ%3Z  
y^C5_w(^jZ  
I/FS20 ]AYP\\Xi  
Fused Silica 1'o[9-  
20 KHz rn|]-^ku/  
170nm - 2μm !i torSl  
170nm - 1μm +;~N; BT  
22mm 6bPxEILm  
vW
 &G\L  
I/CF50 !`e`4y*N  
Calcium Fluoride W_}j~[&  
50 kHz W4
o8]&A  
130nm - 2μm ;<M}ZL@m  
130nm - 1μm uA#K59E+  
16mm |<u+Xi ~  
m8L *LB  
II/FS20A 0''p29  
Fused Silica Rt?CE jy  
20 kHz ~LuGfPO^  
170nm - 2μm Kzrd<h]`)  
170nm - 1μm SZW_V6\t>  
56mm  g!}]FQBb  
)J[m>tyY5
 
II/FS20B j1;[6XG  
Fused Silica +ALrHFG  
20 kHz Ye3o}G9z  
1.6μm - 2.6μm v/ N[)<  
800nm - 2.5μm v^ ^Ibv  
56mm Es+I]o0K  
+bE{g@%@+  
II/FS42A R$awo/'^  
Fused Silica /F;2wT;  
42 kHz vcFR Td  
170nm - 2μm _p6r5Y  
170nm - 1μm Q2 !GWz$  
27mm ZR\N~.  
3*<@PXpK&  
II/FS42B 3JGrJ!x  
Fused Silica ',R%Q0Q  
42 kHz C$[iduS  
1.6μm - 2.6μm !+eU  
800nm - 2.5μm -|FHv+  
27mm 08xo_Oysq  
q~}oU5  
II/FS47A OdFF)-K>~  
Fused Silica ^W$R{`  
47 kHz z0rYzn?M
R  
170nm - 2μm b,+Sa
\j)(  
170nm - 1μm LL e*|:  
24mm ];k!*l
R)  
a_c(7bQ  
*F%1~  
2VY7?1Ab(@  
II/FS47B mI7lv;oN<5  
Fused Silica hZ1enej)  
47 kHz /''=V.-N  
1.6μm - 2.6μm #A5X,-4G  
800nm - 2.5μm `o#(YEu  
24mm  skl3/!  
}W'j Dz7O  
II/FS84 +UDt2  
Fused Silica 5! );4+  
84 kHz Zy+ERaF|]  
800nm - 2.5μm F{jxs/~  
400nm - 2.5μm y>=YMD  
13mm y!1X3X,V  
b3%x&H<j  
II/IS42B /C8}5)  
Fused Silica ?TpjU*Cxy  
42 kHz }OEL] 5  
1.6μm - 3.5μm )'m;a_r`  
800nm - 2.5μm 0 8)f  
27mm o:{Sws(=  
3*I\#Z4p1  
II/IS84 tF),Sn|*  
Fused Silica w=XIpWl  
84 kHz %JBLp xnq  
800nm - 3.5μm '/<\X{l8  
400nm - 1.8μm {Lal5E4-  
27mm Q`*U U82!  
PR"x&JG@  
II/CF57 sAc1t`  
Calcium Fluoride RVAku  
57 kHz  +#,J`fV%  
2μm - 8.5μm (xW+* %  
1μm - 5.5μm qfXt%6L  
23mm Lan|(!aW  
l8?C[,K%  
II/ZS37 4}DFCF%B  
Zinc Selenide 8;pY-j #  
37 kHz s/hgWW$  
2μm - 18μm R{c~jjd  
1μm - 9μm I8!>7`L  
19mm ,G0"T~  
6MM\nIU)/  
II/ZS50 P@@MQ[u?!.  
Zinc Selenide )!0}<_2  
50 kHz  jfK&CA  
2μm - 18μm y]t19G+  
1μm - 10μm eikZ~!@  
14mm )&T 5/+  
K9ia|2f  
II/SI40 g^ ?G)>  
Silicon d,?D '/  
40 kHz ]*=!lfrV  
FIR - THz HTQTDbhV^  
FIR - THz P Ptmh. }e  
36mm E] g Lwg9K  
Wi=zu[[qc  
II/SI50 fNi&r0/-t  
Silicon 2'=)ese  
50 KHz Vj4 h#NN$  
FIR - THz  d;>G  
FIR - THz Jvc<j:{^w  
29mm b4wT3  
/1Gmga5