光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 FStE/2?  
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X5wS6v)#(  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： H'I|tPs  
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wRPBJ-C)  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 5HG 7M&_  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） vFb{(gIJ  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） YH<F~F _  
    高损伤阈值 vyV n5s  
    可精确控制相位延迟 (Wq9YDD@  
YO!,m<b^u  
zx-+u7qKH  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 .EloBP  

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5F2+o#*h  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 d(wqKiGwe  
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应用举例： (6+6]`c$  
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光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf _$ixE~w-!  
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#C+Gk4"
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#]lUJ &M}e  
A ws#>l<  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： $:u,6|QsS=  
{'DP/]nK  
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Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 a m<R!(  
6S6nE%.3  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 Ysr{1!K  
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f{AgKW9"  
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Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 VdeK~#k  
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TABLE 1 c4-&I"z  
   J~_p2TZJ\3  
   .qK=lHxT  
xZ@Y`2A':  
SPECTRAL REGION 7Ck;LF}>0  
SERIES Y~vTFOI  
MATERIAL 3$Is==>7  
h.?[1hT4R  
Vacuum UV, UV B4|`Z'U#;  
I EPa3Yb?BGb  
Lithium Fluoride Y43#];  
B8_l+dXO  
Vacuum UV to mid-IR fwq|8^S@  
I,II (|[3/_!;v  
Calcium Fluoride /yykOvUO  
BPG)m,/b  
Vacuum UV to near-IR ("lcL2Bq  
I,II Q?"[zX1  
Fused Silica |iwTzlt*#  
Bw_Ih|y,w  
Mid-visible to mid-IR z!3Z^d`  
II mefmoZ  
Zinc Selenide <`r+l5  
M`>W'<  
Near- to mid-IR <khx%<)P  
II :mJM=FeJ  
Silicon W^Rb~b^?  
YAP
D7hA  
;9I#>u  
iit`'}+U  
X~DXx/9  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 z9+94<J  
&(rd{j/*  
H9>&"=".  
?+|tPjg$  
OK)0no=OAK  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 xg^fM@#m  
-$0S#/)Z  

ZGbZu  
ib&qH_r/  
+[qkG. O  
gK<-*v  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） l3afuD:  
ua[\npz5  
/,>.${,;u  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 ]OrFW4tiE  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 nB]Q^~jX  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 8;'n.SC{  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 ?oJ~3Kg  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH IW1\vfe  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 d5=xOEv; :  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds =B:poh[u  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 4bBxZY  
{S}@P~H=  
Sy'>JHx  
b910Z?B^L  
基本指标 RnrM rOh  
&\H5*A.HkA  
ul%bo%&~  
Model L%0lX$2&\  
Optical Material iN*>Z(b"  
Nominal kW~F*  

X^W> "q  
Frequency 5ZcnZlOOQ  
Retardation Range @Y,F&8a$  
Useful (=/F=,w   
kYs|")isj  
Aperture1 N93E;B  
9y5\4&v  
Quarter Wave U %ESuq#  
Half Wave zoJ;5a.3B  
#'8PFw\zw  
I/FS50 8Vn6* Xn  
Fused Silica (*RybKoaA  
50 kHz @5y(>>C}8%  
170nm - 2μm z~H Gc"~  
170nm - 1μm N>R%0m<e  
16mm )^\='(s  
tTt3D]h(  
I/FS20 3+-(;>>\  
Fused Silica %5G BMMn  
20 KHz 8UIL_nPO  
170nm - 2μm RFJ;hh  
170nm - 1μm MuobMD}jqe  
22mm 5u46Vl{  
j
;v%4G  
I/CF50 E(tBN]W.  
Calcium Fluoride NXBOo  
50 kHz 32iI :u  
130nm - 2μm Nd_@J&  
130nm - 1μm BFOFes`>~  
16mm 6p"c^  
o"FiM5L^.  
II/FS20A #Qr4Ke$g[l  
Fused Silica *d@Hnu"q  
20 kHz DANSexW  
170nm - 2μm U!/nD~A  
170nm - 1μm EKPTDKut  
56mm ~TH5>``;gF  
Qs9U&*L  
II/FS20B jw[
BtRW  
Fused Silica 4w( vR
e  
20 kHz pq3 A%|  
1.6μm - 2.6μm Qcy`O m^2  
800nm - 2.5μm DOVX$N$3  
56mm ~n^G<iXLp  
#( sNk,^Ax  
II/FS42A DME?kh>7  
Fused Silica o0G`Xn  
42 kHz U"+ ry.3`  
170nm - 2μm Zd U{`>v  
170nm - 1μm 51 0XDl~b  
27mm g/,Bx!'8p  
[ 5W#1 &  
II/FS42B pPqN[OJ  
Fused Silica V;-.38py  
42 kHz h.$__Gs  
1.6μm - 2.6μm `b")Bx|  
800nm - 2.5μm p@Y$eZ:O  
27mm 5^K#Tj ;2  
~H|LWCU)K8  
II/FS47A .'b3iG&  
Fused Silica fG2&/42J  
47 kHz "&#WMi  
170nm - 2μm 18"VB50b}  
170nm - 1μm rm=~^eB  
24mm $U1kP?pR  
lF8dRIav  
G;HlII9x[  
46Q;F  
II/FS47B V$<G)dwUG5  
Fused Silica kbYg4t]FH  
47 kHz ]KK ZbEO  
1.6μm - 2.6μm |SP.S 0.y  
800nm - 2.5μm GoSWH2N  
24mm zrU$SWU  
Bdq"6SK>  
II/FS84 Sq|1f?_gU  
Fused Silica _'hCUXeY'  
84 kHz @=0r3  
800nm - 2.5μm VuMDV6^Z  
400nm - 2.5μm Pkx(M E  
13mm cF&h$4-  
U=i8>6V  
II/IS42B qi SEnRG.  
Fused Silica l?JO8^Nn  
42 kHz #1't"R+3M  
1.6μm - 3.5μm :uwRuPI  
800nm - 2.5μm SZ2q}[o`R  
27mm a^XTW7]r  
;WS7.  
II/IS84 OgXZ-<
'  
Fused Silica "T a9  
84 kHz *lerPY3 q  
800nm - 3.5μm 'hlB;z|T  
400nm - 1.8μm 9<A\npD  
27mm ~6:LUM  
e}R2J`7  
II/CF57 L`\`NNQC  
Calcium Fluoride "_1-IE  
57 kHz K_&c5(-
(_  
2μm - 8.5μm ^?6 W<  
1μm - 5.5μm XW~ BEa  
23mm zK>'tFU  
)pS_+ZF  
II/ZS37 nrS[7~  
Zinc Selenide kg?T$}O  
37 kHz iVq#aXN  
2μm - 18μm d
7gH3 l  
1μm - 9μm /h7>Z9T  
19mm T`g?)
/  
D0#T-B\#  
II/ZS50 -yl4tW  
Zinc Selenide :^H9W^2  
50 kHz oBRm\8 2|  
2μm - 18μm k,;lyE  
1μm - 10μm AJ>BF.>  
14mm #0?"J)  
d(X\B{  
II/SI40 #Z|%0r_~  
Silicon d^Zo35X  
40 kHz Q$?7)yyu+  
FIR - THz uG=t?C6  
FIR - THz _Sly7_  
36mm o\@ A2r3  
*or2  
II/SI50 {WYu0J@  
Silicon p|h.@do4  
50 KHz VQy9Y  
FIR - THz ;#Jq$v)D  
FIR - THz Gg=aK~q6  
29mm #MhNdH#  
F@=e2e 4