光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 #l2wF>0  
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ktU98Bk]  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： ?{\8!_Gvsl  
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s#&jE GBug  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 })T}e7>T  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ($7>\"+Tl  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） RR{]^g51  
    高损伤阈值 pwT|T;j*  
    可精确控制相位延迟 (3 8.s:-  
ymY,*Rb  
8^\DQ&D  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 5b0Ipg  
0?BT*  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 p+snBaAo}  
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BqvOi~l  
应用举例： :(} {uG  
]d_Id]Qa+  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf \! Os!s  
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.(VxeF(v_k  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： ~d/Doi  
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RSG4A>%!mI  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Mto3Ryic!  
pTOS}A[dh  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 "%D+_Yb'X  
(=CV")tF  
_T6WA&;8  
W~.1f1)  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 *1ekw#
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8~ .r/!wfy  
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TABLE 1 R5X<8(4p  
    L/%3_,  
   'dQ2"x?4  
702&E(rx,  
SPECTRAL REGION ul(1)q^  
SERIES 8 fVI33  
MATERIAL `dMOBYV  
\x(J vDt  
Vacuum UV, UV 0jrcXN~  
I 1zGEf&rv:  
Lithium Fluoride l|%7)2TyG)  
bo 
<.7  
Vacuum UV to mid-IR K~
+y<z E  
I,II ?WG9}R[qE/  
Calcium Fluoride }z,4IHNn  
|m"2B]"@  
Vacuum UV to near-IR S!#7]wtbP  
I,II `;(/Wh  
Fused Silica :)q/8 0@  
-tF5$pb'  
Mid-visible to mid-IR D(~6h,=m  
II CP7Zin1S/w  
Zinc Selenide -J:](p  
O2:m)@  
Near- to mid-IR d}>Nl$  
II Zu$f-_"  
Silicon lc>nUhj.  
.',ikez  
qX0IHe
  
\qUmdN{FU  
s+yBxgQ/  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 =5oFutg`  
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{tu* =
"d=  
w]"Y1J(i  
$$A{|4,aI  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 z/F(z*'v  
(vz)GrH>  
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*B)>5r  
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可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） w/d9S(  
GaSk&'n$Y  
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w1,n88  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 WQv~<]1JF  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 cP$b>3O  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 6b-d#H/1Y  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 \&2GLBKpe  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH 5|r3i \  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 "o<:[c9/  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds 3yr{B Xn  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 L;,Nh  
u`gy1t `  
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?lR)Hi  
基本指标 +z>*m`}F  
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EK@yzJ%  
Model z\_q`43U7  
Optical Material KT{<iz_  
Nominal Q7"KgqpQ3  
Tx/  
Frequency ]=WJ%p1l  
Retardation Range 3hO`GM  
Useful ]pB0bJAt  
.DHZs#R  
Aperture1 9s73mu`Twg  
X[j4V<4O  
Quarter Wave e1~C>  
Half Wave Yah3I@xGy  
Y'Wj7P  
I/FS50 1^!=J<`K;  
Fused Silica E2X KhW  
50 kHz wh|[ "U('  
170nm - 2μm L@CN0ezQs  
170nm - 1μm KOhy)h+ h  
16mm -CtA\<7I  
|rW}s+Kcr  
I/FS20 P%'bSx1  
Fused Silica B V+"uF  
20 KHz R!*UU'se  
170nm - 2μm M(b'4  
170nm - 1μm DXSZ#^,S[W  
22mm Q`5jEtu#,  
gWy2$)  
I/CF50 Y8m|f  
Calcium Fluoride U QXT&w  
50 kHz *r:8=^C7S  
130nm - 2μm 4%\L8:  
130nm - 1μm 1'c!9  
16mm T6OIb  
zclt2?  
II/FS20A `9a%}PVQ-  
Fused Silica _m3PAD4  
20 kHz ^CZn<$  
170nm - 2μm Y<w2_+(  
170nm - 1μm }4cLU
.L8O  
56mm B*Hp  
pA(@gisg  
II/FS20B D?@330'P9C  
Fused Silica 0
x[
vB5R  
20 kHz zhHQJcQ.  
1.6μm - 2.6μm g@MTKqs  
800nm - 2.5μm ReZ|q5*  
56mm #96E^%:zL  
E^A9u
|x  
II/FS42A ThJLaNS  
Fused Silica .[= 0(NO  
42 kHz GG(rp]rgl  
170nm - 2μm tz1iabZ{  
170nm - 1μm ?Q9/C|  
27mm 3<m"z9$  
NZ7a^xT_)  
II/FS42B j\@s pbE@  
Fused Silica o2a`4K  
42 kHz D'Byl,W$
 
1.6μm - 2.6μm 9p2"5x  
800nm - 2.5μm {r[*}Bv  
27mm +P}'2tE~'  
JY9Hqf  
II/FS47A Wj.)wr!  
Fused Silica .s7o$u~l  
47 kHz dfc-#I p?  
170nm - 2μm Ug3PZ7lK  
170nm - 1μm H'?Bx>X  
24mm  EvTdwX.H  
fJc,KZy  
s67$tlV  
A){kitx-i)  
II/FS47B
qZ`@Ro  
Fused Silica 6M+~{9(S  
47 kHz lG fO  
1.6μm - 2.6μm '(^p$=3|@D  
800nm - 2.5μm &>L\unS  
24mm !*C^gIQGU  
>hB]T%'  
II/FS84 P1Re7/  
Fused Silica L!mQP  
84 kHz 2$qeNy  
800nm - 2.5μm Q}\,7l  
400nm - 2.5μm dr,j~s  
13mm dL6sb;7R  
<mrLld#_:C  
II/IS42B w V27  
Fused Silica }-: d*YtK  
42 kHz P*I
\FV  
1.6μm - 3.5μm N4)&K[  
800nm - 2.5μm I>L lc Y  
27mm 2rPKZ|  
wpx,~`&  
II/IS84 W=I%3F_C"R  
Fused Silica z7HC6{g%X  
84 kHz /\ ~{  
800nm - 3.5μm -_>c P  
400nm - 1.8μm %b@>riR(y  
27mm 4sNM#]%|  
d 'x;]#S  
II/CF57  78qf  
Calcium Fluoride -s:JD
J*  
57 kHz u`E_Q8  
2μm - 8.5μm KC q3S  
1μm - 5.5μm "i_tO+  
23mm z_A%>E4  
4.H!rkMM  
II/ZS37 OjrQ[`(E  
Zinc Selenide cf0em!  
37 kHz c{||l+B  
2μm - 18μm {'>X6:  
1μm - 9μm 7@+0E2'  
19mm ?em)om  
ZPZ1 7-  
II/ZS50 "=4=Q\0PT  
Zinc Selenide ^Ud`2 OW;2  
50 kHz G!0|ocE}  
2μm - 18μm D=9x/ ) *G  
1μm - 10μm ELY$ ]^T  
14mm P5] cEZ n  
\f /<#'  
II/SI40 r'xa'6&  
Silicon ^B1vvb  
40 kHz nqiy)ZN#R  
FIR - THz BtU,1`El5  
FIR - THz LoBKR c2t  
36mm tC|5;'m.2  
IO v4Zx<)  
II/SI50 b-~`A;pr  
Silicon `pII-dSC%  
50 KHz !B-&I E?  
FIR - THz 2Q1* Xq{  
FIR - THz z^Oiwzo  
29mm _ogT(uYyr  
W=F?+KgL