光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 {F*N=p
Sq  
aI#4H+/  
ST1Ts5I  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： Mj0Cat=  
c-XLI  
}\v^+scD  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 }wt%1v-10U  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） ZofHic  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） v@ONo?)  
    高损伤阈值 P`s(kIe  
    可精确控制相位延迟 .")b?#K  
2xmk,&s  
j.-VJo)   
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 ;np_%?is  
D#sf i,O  
m^!Sv?hV  
/rF8@l  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 vW.%[]  
GCE!$W  
AvRcS]@=  
rFag@Z"["  
应用举例： d O A%F$Mk  
&R]pw`mTH  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf ;?6>mh(`  
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0*(K DDv  
@vH2Vydu  
*d*oS7  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 2o{@nN8%  

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SR*Gqx  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 okBE|g  
AF#_nK)@  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 +BB0wY  
oXc/#{NC  
%<U{K;  

WEa>)@  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 4UCwT1  
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TABLE 1 {vfq  
   QP\yaPE  
   EODB`$+  
Qyj(L[KJ  
SPECTRAL REGION AUAI3K?  
SERIES CX+9R3pa  
MATERIAL  R<&FhT]  
[,7-w  
Vacuum UV, UV 6+%-GgPf  
I x}"Q8kD  
Lithium Fluoride #\b ;2>  
jfSg){  
Vacuum UV to mid-IR w`#fH  
I,II E/"SU*Co  
Calcium Fluoride rA#s  
p37|zX  
Vacuum UV to near-IR wW()Zy0)  
I,II =h\E<dw  
Fused Silica A70(W{6a9@  
1l]C5P}E  
Mid-visible to mid-IR >ITEd  
II 
.YiaXP  
Zinc Selenide 56ZrC
r  
`cO|RhD@  
Near- to mid-IR [aNhP;<  
II l:z};  
Silicon h2&y<Eg>  
Doj(.wm~  
P!>g7X  
T&4fBMBp,%  
IozNjII$:.  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 CgoXZX  
w-dI<s  
;Xh5oB\)W  
BK*UR+,  
]-EN/V  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 5Jd` ^U  
{_Np<r;j<  
V g6S/-  
C M^r|4K  
t[j9R#02?  
BJIFl!w  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） JilKZQmk  
&z QWIv  
9/Wn!Ld  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 +WdL  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 * 2%oZXF  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 K /ZHJkJ7  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 wK
LN:aRF2  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH /=-h:0{M  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 :P"9;$FY  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds &&*wmnWCS{  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 ,L~snR'w  
_;VYFs  
Uk|9@Auav  
y0y+%H-  
基本指标 _[0I^o  
CL )%p"[x  
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Model W7T"d4  
Optical Material (Y>U6  
Nominal ?qIGQ/af&  
',%5mF3j  
Frequency lkyJ;}_**  
Retardation Range %27G2^1  
Useful <@%ma2  
.;j"+Ef   
Aperture1 zM)M_L  
W >Kp\
tD  
Quarter Wave L% zuI& q  
Half Wave eNivlJ,K|@  
l2r>|CGQ[  
I/FS50 iAg}pwU  
Fused Silica sbpu qOL  
50 kHz U<|B7t4M  
170nm - 2μm br10ptEx  
170nm - 1μm hN!.@L  
16mm lej^gxj/2  
`c>A
>c|  
I/FS20 DU(X,hDBF  
Fused Silica 9.jG\i  
20 KHz sM<:C  
170nm - 2μm aTi0bQW{  
170nm - 1μm mJ/^BT]  
22mm \?[O,A  
%OTQR
e:  
I/CF50 ))$ CEh"X  
Calcium Fluoride  $.=5e3  
50 kHz D_zcOq9  
130nm - 2μm OrzM hQaf  
130nm - 1μm EwC5[bRjUp  
16mm D~XU`;~u  
"hJ7 Vv_  
II/FS20A 0,+EV,  
Fused Silica tvv[$b&  
20 kHz _3*: y/M_  
170nm - 2μm wrhBH;3  
170nm - 1μm T<!\B]  
56mm Ug%
<
b  
nqBG]y aI  
II/FS20B Au~+Zz|mQ  
Fused Silica +0
pgq (  
20 kHz j'#)~>b  
1.6μm - 2.6μm ?L`MFR  
800nm - 2.5μm oD Q9.t  
56mm X^u4%O['  
wV7@D[8  
II/FS42A xzuPie\  
Fused Silica [%HYh7ua<  
42 kHz +qE,<c
}}  
170nm - 2μm 7g{g}  
170nm - 1μm 9(i0"hS^  
27mm B:B0p+$I  
 zjZ;xn  
II/FS42B W9:fKP  
Fused Silica $1:}(nO,  
42 kHz @'6S[zU  
1.6μm - 2.6μm q}wl_ku9+  
800nm - 2.5μm f>.`xC{  
27mm \HBVNBY  
UUt~W  
II/FS47A nL "g23  
Fused Silica ]?v?Q
fh2  
47 kHz HQ ELK  
170nm - 2μm z36brv<_'p  
170nm - 1μm R (+h)#![  
24mm Nv}U/$$S  
Uqb
]e?@  
P]~N-xdV  
Z1XUYe62  
II/FS47B (CKhY~,/u  
Fused Silica * ePDc'   
47 kHz  hg<"Yg=  
1.6μm - 2.6μm `</=AY>  
800nm - 2.5μm ::^qy^n  
24mm 4i ~eTb  
}z9I`6[  
II/FS84 vWPM:1A  
Fused Silica __oY:d(~  
84 kHz LS R_x$G+t  
800nm - 2.5μm %OezaNOtm  
400nm - 2.5μm N2+mN0k;  
13mm Gd]5xl HRU  
U]`'GM/x  
II/IS42B =rf)yp-D  
Fused Silica yBXkN&1=%;  
42 kHz F``EARG)iu  
1.6μm - 3.5μm [RGC!}"mr  
800nm - 2.5μm E< io^  
27mm 0{^l2?mgSb  
<=5,(a5g  
II/IS84 \UkNE5  
Fused Silica e{qp!N1!  
84 kHz y{&{=1#  
800nm - 3.5μm k8S
u/U  
400nm - 1.8μm t wa(M?  
27mm ue^?/{OuT  
F1{?]>G  
II/CF57 &UJTy'  
Calcium Fluoride 14@q$}sf  
57 kHz )e
TnR:=  
2μm - 8.5μm X$j|/))  
1μm - 5.5μm n;S0fg  
23mm Sh~ 8jEk  
S+Yy  
II/ZS37 WNF=NNO-R  
Zinc Selenide )Bm^aMVl3  
37 kHz ?-(w][MT\  
2μm - 18μm wt_?B_n
R  
1μm - 9μm "R\\\I7u  
19mm ^=-*
L 3f  
>ji}j~cH  
II/ZS50 |2+F I<v4  
Zinc Selenide dH2j*G Ij  
50 kHz Z7KB?1{G  
2μm - 18μm V;[__w  
1μm - 10μm gs`27Gih  
14mm 3LmBV\["  
(A
y4B*|!  
II/SI40 g[D,\  
Silicon '%eaK_+7  
40 kHz iBPdCp%]`  
FIR - THz Q%AS;(d  
FIR - THz p[k9C$@e}  
36mm rt\<nwc  
C7fi1~  
II/SI50 n)wpxR  
Silicon Li<266#A!  
50 KHz s6eq?1l3  
FIR - THz 2!~>)N  
FIR - THz k{u%p<  
29mm ?G%, k LJJ  
644hQW&W