光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 Q&M'=+T  
k:#6^!b1  
mh;X~.98  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： XtBMp=7Oa  
iS@\ =CK  
4(vyp.f  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 5eX59:vtl  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） tL0`Rvl  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） S)%_weLW7  
    高损伤阈值 &B!%fd.'  
    可精确控制相位延迟 v6e%#=  
s>z2  k  
LNQSb4  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 *rqm8z50a  
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jnoL2JR[=-  
!;>(ie\  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ][Y^-Ak1  
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"uu)2Xe  
GoE#Mxhxo  
应用举例： |Vx~fKS\  
4Y tk!oS`  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf 6T^lS^  
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N_C_O$j  
>uHS[ _`nM  
{U <tc4^  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： 6CNS%\A  
NcL =zo<  
8.I9}_  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 zj]b&In6;  
 ~q%  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 B[NJ^b|  
Sb^ b)q"  
|#T
XE|#ux  
=cfm=+  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 ]Sta]}VQ  
$(>f8)Uku(  
PI7IBI  
oA3d^%(c  
TABLE 1 ItK  
   j%M @#  
   dE>v\0 3!8  
Mn"/#tXL-  
SPECTRAL REGION NyJnO
w(  
SERIES @ t@|q  
MATERIAL <`JG>H*B6  
#J+\DhDEPO  
Vacuum UV, UV J1-
):3A  
I X^in};&d  
Lithium Fluoride U5rxt^  
k.Zll,s  
Vacuum UV to mid-IR 8Nvr93T,  
I,II [&n|\!  
Calcium Fluoride K<,Y^3]6?  
< EXWWrm  
Vacuum UV to near-IR Cnur"?w@o  
I,II y@9Y,ZR*  
Fused Silica Kcn\g.  
fjkT5LNxk  
Mid-visible to mid-IR zXgkcq)  
II |p'i,.(c_W  
Zinc Selenide yGV{^?yoP  
,#%SK;1<  
Near- to mid-IR tG 7+7Z=  
II t/Z!O z6ZE  
Silicon <t6d)mJ%  
[i9[Mj  
xL&PJ /'  
~}%&p& p  
,%='>A  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 x=3I)}J(kn  
0HPO"x3-O  
#f9qlM32  
/a%KS3>V*  
M;@Ex`+?i  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 2^bgC~2C1  
F=5kF/}x-z  
aZ/yCS7  
8AX3C s_G  
coO.kTO;  
</hR!Sb]  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） ]84YvpfW  
Gavkil  
4`G=q^GL,  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 a?\ `  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 ~6fRS2u  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 /~"AG l.  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 9>zDJx  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH |Qq+8IeYG  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 j5A\y^Kv  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds Q5T(nEA  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 DUPmq!A  
k^yy$^=<  
Q^kMCrp
 
(77Dif0)'  
基本指标 TQ2i{e
 
%SFw~%@3&~  
;lkf+,;  
Model :!hk~#yvJ9  
Optical Material '&{(:,!B  
Nominal 9Iy[E,j  
l85CJ+rg  
Frequency b__n~\q_  
Retardation Range ~vkud+r  
Useful 0Mq6yu^  
"vvFq ,c  
Aperture1 tl2Lq0  
IBF.&[[S  
Quarter Wave ~v,!n/('  
Half Wave  aeQ{_SK  
),z,LU Yf  
I/FS50 <6gU2@1  
Fused Silica s>V*=#L  
50 kHz 8Q+TE;  
170nm - 2μm W|FNDP0  
170nm - 1μm *Y^5M"AB_  
16mm CVi<~7Am\  
l!Nvn$hm  
I/FS20 EsS!07fAM:  
Fused Silica Yr Preuh  
20 KHz p$&_fzb  
170nm - 2μm x%Zi
E5#  
170nm - 1μm mfUKHX5  
22mm _6| /P7"  
#`2GAM];7  
I/CF50 fdvi}SS8  
Calcium Fluoride a'c9XG}  
50 kHz s;~J2h[  
130nm - 2μm xXl$Mp7  
130nm - 1μm d8 3+6d  
16mm VK"[=l  
>V3W>5X  
II/FS20A t^dakL  
Fused Silica }P7xdQ6  
20 kHz =#J
9  
170nm - 2μm \=TWYj_Ah  
170nm - 1μm
xy2eJJq  
56mm ,|=iv  
H7 o$O  
II/FS20B
'Sm/t/g"|  
Fused Silica +G>aj'\M|  
20 kHz 2-/YYe;C  
1.6μm - 2.6μm k0Oc,P`'*  
800nm - 2.5μm w4>:uyE  
56mm jCdZ}M($  
GhaAvyN  
II/FS42A e{d_p%(  
Fused Silica X*D5y8<  
42 kHz ~6pCO
S}  
170nm - 2μm 9;'>\ImI  
170nm - 1μm #0#V$AA>  
27mm E}E7VQjM  
4c9-[KKCV  
II/FS42B ZnxOa  
Fused Silica \Mh4X`<e  
42 kHz :zS>^RE  
1.6μm - 2.6μm Ji)a%j1V9  
800nm - 2.5μm %t(, *;  
27mm c>%z)uY>/  
S@l a.0HDA  
II/FS47A f^>lObvd  
Fused Silica rmAP&Gw I  
47 kHz '{1W)X  
170nm - 2μm gGceK^#  
170nm - 1μm mDe+ M{/  
24mm Yn?2,^?N  
a93d'ZE-X  
Qg86XU%l  
8M5!5Jzv  
II/FS47B ()rx>?x5  
Fused Silica n[S41809<  
47 kHz KD<; ?oN<O  
1.6μm - 2.6μm \3@2rW"5  
800nm - 2.5μm Z"PDOwj5  
24mm HtS1N}@  
p'9 V._h  
II/FS84 A,A-5l<h]?  
Fused Silica t8wz'[z  
84 kHz 9x 6ca  
800nm - 2.5μm !ktA"Jx  
400nm - 2.5μm y}H*p  
13mm GurE7J^=  
S{r)/~/  
II/IS42B y("0Xve  
Fused Silica xX=IMM3  
42 kHz xaq=?3QOH  
1.6μm - 3.5μm au9Wo<mR  
800nm - 2.5μm 5)o-]S>  
27mm |rms[1<_  
Duo#WtC  
II/IS84 Qe=Q8c
T  
Fused Silica (B~V:Yt  
84 kHz IbNTdg]/F`  
800nm - 3.5μm 1rzq$,O  
400nm - 1.8μm ."#jN><t  
27mm :4L5@>b-  

)v$Cv|"  
II/CF57 wx?{|  
Calcium Fluoride h"Yqm"U/  
57 kHz +#*z"a`  
2μm - 8.5μm {Z{NH:^  
1μm - 5.5μm Qak@~b  
23mm z$im4'\c  
4Hd@U&E  
II/ZS37 Wx\"wlJ7.3  
Zinc Selenide E0?\DvA  
37 kHz uB)6\fkTB  
2μm - 18μm ?jM7C}  
1μm - 9μm Exo`Z`m`U  
19mm !`S%l1[Z  
F~- S3p  
II/ZS50 J?=Ob?+ _  
Zinc Selenide jKi*3-&  
50 kHz K]]rOF  
2μm - 18μm <OO/Tn'a  
1μm - 10μm 5FR#_}k]_F  
14mm "=RoI  
$T%<'=u|E  
II/SI40 Gw\HL  
Silicon ]j#$.$q  
40 kHz %TggNU,  
FIR - THz dfkTDG+
 
FIR - THz ~q%9zO'  
36mm 7VZ JGRnn  
hO@v\@;r  
II/SI50 T_B.p*\BM  
Silicon z=h5  
50 KHz u9^;~i,  
FIR - THz Xm[r#IA  
FIR - THz =y(YMWGS  
29mm Ch!Q?4  
KI QBY!N+