光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 01w=;Q  
 |u$AzI  
}]n&"=Zk-  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： t*D[Q$v  
Cch1"j<k$  
z5{I3 Y!1  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 *#2`b%qh\M  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） qc`_&!*D  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） r!x^P=f,MJ  
    高损伤阈值 4&$G;?#W2  
    可精确控制相位延迟 a7d782~  
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{) .=G  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 2{#quXN9  
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"0/OpT7h7  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 O%+:fJz6wI  
o#+!H!C.O  
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应用举例： }
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[J*)r8ys  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf H$[--_dI{  
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Ot,sMRk'  
T+~~w'v0  
J#X7Ss  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： a}Ov@7  
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 NOQgkN  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 Ri-I+7(n!  
ga,yFw  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 TY88PXW  
o86}NqK  
[S<DdTY9hZ  
APLu?wy7s5  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 Gpgi@ Uf  
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10 p+e_@  
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TABLE 1 {`3;Pd`  
   {?j|]j  
   ;pULJ}rDb  
Ia(A&Za  
SPECTRAL REGION ! 4s$93  
SERIES p(U'Ydl~  
MATERIAL 2>H\arEstR  
ZU:gNO0  
Vacuum UV, UV f?{Y<M~]  
I C&;'Pw9H  
Lithium Fluoride fqr}tvMr=T  
JEP"2MN,  
Vacuum UV to mid-IR N..u<06j/  
I,II yx}:Sgv%  
Calcium Fluoride -(59F  
^%<v| Y(X  
Vacuum UV to near-IR '@:;oe@]  
I,II L@2H>Lh35  
Fused Silica ZPMEN,Dw  
Bf-&[ 5N}  
Mid-visible to mid-IR nY*OD
L  
II *3k~%RM%?  
Zinc Selenide G_o/ lIz"  
B"EMir'  
Near- to mid-IR BHK_=2WYz  
II d+IPa<N  
Silicon V,Gt5lL&/!  
OE[/sv  
 c\x?k<=  
U}5uy9A  
KS|$_-7u  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 6=kd4'yV  
Og&2,`Jb  
HK-?<$Yc  
&=/.$i-w$  
@ J"1!`  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 UtWoSFZ'o!  
m.$Oo Mu'  
[lnN~#(Y  

$:xUXEi{  
+}1]8:>cq  
eR}d"F4W  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） Y Jv{Z^;M  
dE^'URBiA  
Qv?jo(]  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 %|u"0/  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 r>G$u  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉  /!9949XV  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 7'o?'He-.2  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH /|\`NARI  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 d5i/:  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds !sLn;1l  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 S\f^y8*<  
JRNyvG>j  
b&e? 6h^G  
~pw_*AN  
基本指标 ,fNiZ  
rLVAI#ci=  
u )ld  
Model _&:o"""Wf  
Optical Material '6aH*B:}*;  
Nominal dxU[>m;  
"w A8J%:  
Frequency \"lzmxe0p  
Retardation Range l9<+4rK2  
Useful !^N/n5eoz  
>!oN+8[~  
Aperture1 Na`qAj}  
~{N|("nB  
Quarter Wave "W1q}4_
 
Half Wave 1'g?B`  
-Rf|p(SJ,E  
I/FS50 5]F9o9]T  
Fused Silica #AY+[+  
50 kHz ~svu0[Vx  
170nm - 2μm 8CYJR/  
170nm - 1μm q=EQDHmh  
16mm ~
#-`Qh  
-OziUM1qs  
I/FS20 u&g} !Smc8  
Fused Silica Ge @d"  
20 KHz !"1bV [^  
170nm - 2μm m4%m0"Z  
170nm - 1μm !<~Ig/  
22mm p;B +g X  
W]R5\G*  
I/CF50 36j
.is  
Calcium Fluoride ^ZV xBQKg  
50 kHz V*/))n?  
130nm - 2μm :b ;5O3:B  
130nm - 1μm 6Qo6T][  
16mm .a^/r'?  
'DIE#l`  
II/FS20A N[mOJa:  
Fused Silica qItI):9U  
20 kHz @hv9=v+  
170nm - 2μm %ZxKN;  
170nm - 1μm w68qyG|wM  
56mm ?Jma^ S  
x^;nfqn|  
II/FS20B o3`Z@-.G  
Fused Silica N1SRnJu<f  
20 kHz w"Z>F]YZ  
1.6μm - 2.6μm 7eq;dNB@gq  
800nm - 2.5μm A+dY~@*a  
56mm Mu:H'$"'H  
B 51LZP  
II/FS42A _}\&;  
Fused Silica T<ua0;7  
42 kHz  ,cB`j7p(  
170nm - 2μm \k* ]w_m-  
170nm - 1μm .3Ap+V8?  
27mm c.XLEjV|  
LRmO6>y  
II/FS42B jG/kT5S  
Fused Silica 00Rk%QV  
42 kHz _%>.t  
1.6μm - 2.6μm mHhm~u  
800nm - 2.5μm v|e\o~2D`  
27mm !P;qc
 
i<T`]g  
II/FS47A xq]&XlA:ug  
Fused Silica 0r@rXwz  
47 kHz zZy>XHR H  
170nm - 2μm FX'W%_f,  
170nm - 1μm Ky=&C8b<  
24mm _,'UP>
Si  
9#agI|d
~  
7z$+ *]9-  
*"4ltWS  
II/FS47B >s>5k O  
Fused Silica }%}eyLm(  
47 kHz HsXFglQ  
1.6μm - 2.6μm  Wi
|.Z/  
800nm - 2.5μm "3v%|  
24mm QR#,n@fE  
:4A^~+J  
II/FS84 k4|YaGhf  
Fused Silica oDRNM^gz  
84 kHz `j2z=5  
800nm - 2.5μm .h6h&[TEU  
400nm - 2.5μm Z# :Ww  
13mm $pD^O!I)?  
fGxa~Unx  
II/IS42B Di L@NU!$q  
Fused Silica F |GWYw'%  
42 kHz t9=rr>8)  
1.6μm - 3.5μm 0lEIj/u  
800nm - 2.5μm rN*4Y  
27mm Z2ZS5a  
`zvYuKQ.}  
II/IS84 xE}q(.]  
Fused Silica e5AiIVlv  
84 kHz $V+ze*ra  
800nm - 3.5μm ._nhW*  
400nm - 1.8μm 1\3n   
27mm cBAA32wf  
4iw+3 Q|  
II/CF57 ?$gEX@5h  
Calcium Fluoride KUp lN1Sy  
57 kHz /!LfEO  
2μm - 8.5μm -W oZwqh  
1μm - 5.5μm >97V2W  
23mm @
hCGV'4  
Ms$kL'/  
II/ZS37 uXp0D$a  
Zinc Selenide +Oxl1fDf  
37 kHz Y`_6Ny="  
2μm - 18μm @Pa ;h  
1μm - 9μm =A,i9Z&  
19mm {>~|xW  
tIRw"sz  
II/ZS50 eHv/3"Og  
Zinc Selenide +`9T?:fu  
50 kHz HWc=.Q
q  
2μm - 18μm wWH5T}\  
1μm - 10μm +DU}f;O8v  
14mm vb$k/8JK  
8J>s|MZ  
II/SI40 m7d? SU  
Silicon e}Db-7B_~  
40 kHz 9 Z4H5!:(  
FIR - THz ?{+}gS^  
FIR - THz \oaO7w,:"  
36mm <8'}H`w%  
,Z3.Le"  
II/SI50 jPFA\$To  
Silicon /Jo*O=Lpo  
50 KHz d#A.A<p*  
FIR - THz Q.!D2RZc  
FIR - THz 7H=/FT?e]  
29mm @Gl=1  
n}YRE`>D