光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 \p.Byso,  
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HH2*12e  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： [cru+c+O:  
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Cfb/f]*M  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 *n2Q_o  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） z(3mhMJY  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） EH]5ZZ[Z  
    高损伤阈值 I [0od+K  
    可精确控制相位延迟 'sY>(D*CQ  
As1Er[>  
l@<^V N@  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 @k,u xe-  
OsAXHjX}  
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Lz=nJn  
需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 oFHVA!lqe  
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7|T5N[3?l,  
d^Ra1@0"q2  
应用举例： &m4 \"X@  
hn.9j"  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf naXo <B  
sxO_K^eD  
o]}b#U8S  
R',|Jf=`  
W2yNEiH  
Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： Q]w;o
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Xe*@`&nv@  
?qw&H /R  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 8b(UqyV  
omECes)  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 W]_+3qvZ  
)wpBxJ;dB}  
8:L%-  
}%y_LcL  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 f&ZxG,]Hi  
1 xiq]~H  
@+Berb  
5 &-fX:/  
TABLE 1 /zuU  
   gJ
c5Y  
   gO4J[_  
1b;Aru~l  
SPECTRAL REGION j"_V+)SD  
SERIES b\][ x6zJp  
MATERIAL .+ai dWd  
Trbgg  
Vacuum UV, UV 6VQ*z8wLw  
I {NKDmeg:D  
Lithium Fluoride /.$n>:XR  
05DK-Wh?  
Vacuum UV to mid-IR MrLDe{^C2  
I,II nrwb6wj  
Calcium Fluoride f&8&UL>e`  
uMP
J  
Vacuum UV to near-IR AvEJX0"\df  
I,II z6|P]u  
Fused Silica
U&wVe$  
\KLWOj%  
Mid-visible to mid-IR #R305  
II }3lM+]pf  
Zinc Selenide H]UM2.  
iIcO_ZyA  
Near- to mid-IR /r[0Dw  
II sUfH1w)0  
Silicon &UbNp8h  
~e~4S~{  
AJ^9[j}  
F{
]dq/{  
ZaH<\`=%  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 "p#mNc  
FFR_1Vf  
GLnj& Ve  
h+,zfVJu  
?%;7k'0"  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。
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46Nl];g1`  
#kA/,qyM  
s7(mNpo  
]*%0CDY6`N  
7$Bq.Lc#z  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） }4#%0x`w  
3)atqM)i  
k/j]*~"
 
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 ~BrERUk  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 $khWu>b  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 HS="t3  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 UXDd
8OJL  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH Rl.3p<sX  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 fg*IHha  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds S,n*1&ogj  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 qI^6}PB  

%^2LTK(P  
*]W{83rXQ  
_j}|R(s*+V  
基本指标 w%S\)wjS  
80![aj}z4G  
BV9B}IV  
Model O<Ht-TN&  
Optical Material [Sg1\UTl  
Nominal ]A5FN4 E  
b5No>U) /  
Frequency pu0IhDMn  
Retardation Range L'H'E,  
Useful ucL}fnY1  
Xb?P'nD  
Aperture1 ^0pd- n@pn  
fp.,MIS  
Quarter Wave ,=Xr'7w,  
Half Wave |k^'}n  
=Qsh3b&<P  
I/FS50 !
X` 5
 
Fused Silica (5cc{zKtR  
50 kHz Rd&2mL  
170nm - 2μm vYKKv%LE  
170nm - 1μm PL@hsZty~c  
16mm ;8'hvc3i$  
!0zbWB9  
I/FS20 GXr9J rs.e  
Fused Silica plh.-"   
20 KHz ?k TVC  
170nm - 2μm z4HIDb  
170nm - 1μm "|{NRIE  
22mm FWq+'GkSV  
/a[i:Oa#  
I/CF50 4`I2tr  
Calcium Fluoride s+#gH@c  
50 kHz Xx~OZ^t&Vn  
130nm - 2μm ONH!ms(kb  
130nm - 1μm yS[:C 2v  
16mm B:\\aOEj  
xdFm-_
\-  
II/FS20A s )POtJ<  
Fused Silica Ynl^Z  
20 kHz ^ |z|kc
 
170nm - 2μm EcxPbRg  
170nm - 1μm ` .|JTm[  
56mm mKugb_d?  
LBq~?Q.e  
II/FS20B 'Ybd'|t{}  
Fused Silica (dd+wx't  
20 kHz d&BocJ  
1.6μm - 2.6μm `O?Kftv*  
800nm - 2.5μm 4zkn~oy  
56mm >v7fR<(%s  
9t:F![rg  
II/FS42A ;R|i@[(J  
Fused Silica 9UsA>m.  
42 kHz j]U sb
_7  
170nm - 2μm ELfcZfJ  
170nm - 1μm /2N'
SOX  
27mm &_Ze@Ir-  
<o@&I " o  
II/FS42B gHdNqOy c  
Fused Silica x' >Nz{B,P  
42 kHz ~P8 6=Vw  
1.6μm - 2.6μm jd8`D6|Z  
800nm - 2.5μm 7?!A~Seo|  
27mm _0N=~`'  
UF0W%Z  
II/FS47A qB6@OS  
Fused Silica Jmrs@  
47 kHz cyrVz4_a  
170nm - 2μm B~+3<#B  
170nm - 1μm =lT~  
24mm Oxo?\ :T  
~QgyhJM_h=  
R % [ZQK  
7=i8$v&GX  
II/FS47B zx` %)r  
Fused Silica POvxZU  
47 kHz -FQ!  
1.6μm - 2.6μm 'D`O4TsP>  
800nm - 2.5μm Z6s-n$dSm  
24mm .c__<I<G<  
!"1}zeve  
II/FS84 b3R1L|@  
Fused Silica gZA[Sq
 
84 kHz rPhx^ QKH2  
800nm - 2.5μm p]h;M  
400nm - 2.5μm

-#<
6  
13mm }L mhM  
9 5bi W  
II/IS42B Z|3fhaT  
Fused Silica H<_BnT#  
42 kHz x}\x3U  
1.6μm - 3.5μm gJa48 pi  
800nm - 2.5μm %+ln_lgD:  
27mm w`BY>Xft0
 
yP$@~L[!  
II/IS84 xgDd5`W  
Fused Silica +85#`{ D  
84 kHz jfmHc(fX4  
800nm - 3.5μm p7{2/mj  
400nm - 1.8μm o\/&05rp]  
27mm grD[7;1~:)  
h/
oRWl0r  
II/CF57 &10l80vj  
Calcium Fluoride _{j'` #  
57 kHz /ILj}g'  
2μm - 8.5μm w8=&rzr8  
1μm - 5.5μm s!k7Wwj  
23mm x
,wXR=H  
),{v  
II/ZS37 u<L<o2  
Zinc Selenide 0gRj3al(  
37 kHz l7h6R$7; 0  
2μm - 18μm -VZn`6%s  
1μm - 9μm 87!D@X
n  
19mm ^bM\:z"M  
6=cfr; BH2  
II/ZS50 LTZ8Eu  
Zinc Selenide F u>  
50 kHz
(Q5rOrA"  
2μm - 18μm 5!QT }Um  
1μm - 10μm #|PPkg%v
<  
14mm N5PW]  
*wk?{ U  
II/SI40 Sp7VH+  
Silicon ]I,(^Xq3a(  
40 kHz !S.O~Kq  
FIR - THz #B!|sXC  
FIR - THz n;@.eC,T/  
36mm ZLj
EH7  
v)p'0F#6A  
II/SI50 2jf73$F  
Silicon RWg'W,v=!  
50 KHz ?rm3Iac0S  
FIR - THz Ln'y 3~@  
FIR - THz zqHG2:MN"  
29mm  \gsJ1@  
zif&;)wV/