光弹调制器

美国Hinds Instruments, Inc公司是世界著名的（同时也是世界唯一的一家）光弹调制器（photoelastic modulators）生产商。Hinds Instruments公司的PEM光弹调制器可以控制光束的偏振状态的改变，调制速率为20~100kHz。光弹调制器（PEM）的作用就像一个“动态的波片”，可以使快轴和慢轴之间产生一个周期变化的折射率差，从而控制透过光束的偏振进行周期性的变化。具体而言即，光弹调制器（photoelastic modulators）通过对线偏振光添一定的相位使输出光在圆偏振、椭圆偏振、线偏振等状态之间井进行变化，同时光弹调制器（PEM）还可以使光在左旋、右旋两种状态之间进行切换。 urB.K<5ZA  
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t;'.D @  
光弹调制器对比声光调制器、电光调制器、液晶调制器的独特之处包括： vrGNiGIi[  
o<4LL7$A!  
<k!G%R<9  
    非常大通光孔径（15到30mm，标准），同时保持很高的调制器频率 n
gjbE+  
    超大接受角度（市场角）范围（+/- 20°） (XH)1 -Z!  
    波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 9[*kpMC  
    高损伤阈值 Jd;1dYkH:  
    可精确控制相位延迟 7>LhXC  
voxlo>:  
 lzuZv$K  
PEM光弹调制器电学和光学头封装在不同的部件中。这样能够最小化光学系统单元的尺寸，同样也使得光学头与磁场或真空兼容（当这些有需要的时候）。 L%"Mp(gZ  
HNPr| (  
~6nQ-  
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需要进一步了解关于光弹调制器原理，请点击这里 ')+EW" e  
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应用举例： oCr
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u$"5SGI6  
光弹调制器在偏振方向调制中的应用介绍.pdf {IVqV6:  
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Hinds Instruments光弹调制器主要分为两个系列： @'<|B. f  

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>XF@=Jp  
Series I 系列光弹调制器使用矩形光学原件，波长覆盖紫外、可见光和红外至1或者2um。 P<hqr;  
~"N]%Cu  
Series II系列光弹调制器使用对称或者八角形的光学原件，波长覆盖可见和红外（到中红外）频谱区域。特殊的型号可用于紫外。 f19 i !  
8/CGg_C1  
+uA<g`4  
KK+Mxoj,  
Hinds Instruments公司光弹调制器的光学头使用不同的光学材料，材料的选取主要取决于仪器频谱透射率的需要。表1列出了通常使用的材料。 Fmu R(f=  
f { ueI<  
2I7P}=  
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TABLE 1 wmIq{CXx,  
   7~',q"4P/_  
   z 4-wvn<*  
5?O"
N  
SPECTRAL REGION 0ePZxOSjD  
SERIES [{ pc1U-  
MATERIAL 4u&doSXR  
P7o6B,9  
Vacuum UV, UV ~(8A&!#,!  
I /vhh2`  
Lithium Fluoride +G~b-}  
Cur)|  
Vacuum UV to mid-IR =p"0G%+%  
I,II iY2bRXA  
Calcium Fluoride uxcj3xE#d  
0kkiS3T  
Vacuum UV to near-IR ~AO0(Lp  
I,II /sai}r1  
Fused Silica ^vPa{+N  
EPI*~=Z.U  
Mid-visible to mid-IR q=bXHtU  
II ";~#epPkX  
Zinc Selenide }S&{ &gh  
E.}Zmr#H  
Near- to mid-IR g41LpplX  
II 0,c z&8  
Silicon VltWY'\Wu;  
j@Dy
Wm/7  
>M!>Hl/  
ofSOy1  
>Cf`F{X'U  
相对于Series II八角形光学元件，Series I矩形的光学元件在相同厚度的情况下，相位延迟量更少。在红外波段，这是一个缺点，但是在紫外波段，尤其是真空紫外，这则变成为了一个很大优点。 %%_90t  
4k#6)e  
|qr[*c3$1  
2Zm*f2$xM  
NOx| #  
八角形（Series II）光学元件在给定的厚度下更加的有效率，因此在红外波段有更多的优势。使用Series II操作低延迟量（例如：深紫外）或许会造成一些问题。 D>mLSh  
p|((r?{  
K.%E=^~q  
2
/~v  
1pn167IQL  
uODsXi{z  
可选选项（规格和价格会因为客户需要而改变，详情询问昊量光电的工程师） y`BLIEI  
iTX.?*  
\yy!?UlaI  
    增透膜，Model ARC。防反射膜可用于任何光学调制器上，窄带宽和宽带宽镀膜都可得。 I;7{b\t Q  
    请联系昊量光电关于频谱范围和透射率要求 zx!1jS  
    无干涉选项，Model NIO。这一项用于偏转光束路径，因此消除了调制器干涉 @6gz)  p  
    特殊频率，Model SFO。标准的调制头配以特殊频率 2vXMrh\  
    特殊光学头/电学头电缆，Model SLHH XBc+_=)$  
    特殊调制头附件，Model SHE。光学头可以根据客户需要提供特殊形状 }YjSv^  
    真空操作。PEM可用于真空环境，详情请询问Hinds ijTtyTC  
           磁场兼容选项，Model MFC。光学头不含任何磁铁材料，用于强磁场中 'Go'87+`  
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 }QI*Ns  
?>&8,p17  
基本指标 1eJ\CdI  
A=])pYE1  
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Model cmI8Xf]"P-  
Optical Material JWBWa-  
Nominal :eO]65N  
MT*b+&1e  
Frequency u Qj#U m8  
Retardation Range )SQ g  
Useful H!A^ MI  
ux }DWrR  
Aperture1 vQh'C.  
M|Se|*w  
Quarter Wave gK>Vm9rO  
Half Wave :Cuae?O,  
qN)cB?+  
I/FS50 LgaJp_d>9*  
Fused Silica *qqFIp^  
50 kHz  WsoB!m  
170nm - 2μm 8]c`n!u=`  
170nm - 1μm #4hP_Vhc  
16mm OY)x Kca  
 2O  
I/FS20 oM VJ+#[x  
Fused Silica lC2xl(#!  
20 KHz 0uvL,hF  
170nm - 2μm zqeU>V~<F  
170nm - 1μm
A~6 Cs
 
22mm LY>JE6zTt  
{Xp.}c  
I/CF50 S\,{qhd  
Calcium Fluoride 4S=lO?\"A  
50 kHz 94R+S-|P  
130nm - 2μm {L0w&~$Fy  
130nm - 1μm ,t[D1KZt  
16mm `+6HHtF  
U".-C`4v  
II/FS20A XC$~!  
Fused Silica NanU%#&  
20 kHz ?R+$4;iy  
170nm - 2μm 0eLK9u3<  
170nm - 1μm _PaOw%Y9  
56mm UvI!e4_  
-1o1k-8d  
II/FS20B 5Q88OxH  
Fused Silica o#Y1Uamkf  
20 kHz jQDxbkIuzE  
1.6μm - 2.6μm pg<>Ow5,~l  
800nm - 2.5μm 0(kp>%mbB  
56mm E%e-R6gl  
 l g
C  
II/FS42A ?m!F
M:%  
Fused Silica Nh))U  
42 kHz H~@h #6  
170nm - 2μm NplSkv  
170nm - 1μm 8ah]D  
27mm pGFocw  
a$GKrc,z  
II/FS42B 4D13K.h`O  
Fused Silica kel {9b=i  
42 kHz Ef!F;De)A  
1.6μm - 2.6μm J]UHq$B  
800nm - 2.5μm GyCpGP|AZ  
27mm *O;N"jf  
K+\hv~+@  
II/FS47A p5KNqqZZ  
Fused Silica _=]
FJhO  
47 kHz #59zv=  
170nm - 2μm HL?pnT09  
170nm - 1μm by<2hLB9Q  
24mm $d"+Njd  
fCfY.vd5  
Ua]zTMI  
q~3&f  
II/FS47B -O5m@rwt<  
Fused Silica &<V~s/n=6?  
47 kHz mAzW'Q4D  
1.6μm - 2.6μm { SfU!  
800nm - 2.5μm  b\2"1m0H  
24mm vpDs5tUl  
DkIFvsLK  
II/FS84 JF gN  
Fused Silica A@ME7^w7  
84 kHz 4pqZ!@45|  
800nm - 2.5μm ?KN_J  
400nm - 2.5μm J$;)TI  
13mm |>4{4  
^Ram8fW  
II/IS42B msylb~^  
Fused Silica s,Swlo7D!  
42 kHz 5 %Gf?LyO  
1.6μm - 3.5μm 0YL0Oa+7  
800nm - 2.5μm ~'3% Qr  
27mm `2PT 8UM  
r.^&%D  
II/IS84 ZTZE_[  
Fused Silica n&]w* (,  
84 kHz [_d*J/X  
800nm - 3.5μm %u}sVRJ  
400nm - 1.8μm ;Y\,2b, xh  
27mm 0^[6  
;[9Is\  
II/CF57 m##=iB|
;  
Calcium Fluoride $}$@)!-  
57 kHz |xm|Q(PG  
2μm - 8.5μm iE(g
rI3  
1μm - 5.5μm ([~`{,sv  
23mm t^hkGYj!2  
SO/]d70HG  
II/ZS37 CvJEY  
Zinc Selenide 1tW:(~=a;  
37 kHz IJ;*N  
2μm - 18μm =6&D4~R  
1μm - 9μm S)yV51^B  
19mm &v,p_'k  
7p6J
   
II/ZS50 :8rCCop Uv  
Zinc Selenide _ GSw\r  
50 kHz 3G^Ed)JvE  
2μm - 18μm t;Om9  
1μm - 10μm n~j[Pw  
14mm -::%9D}P|  
"'Uk0>d=_I  
II/SI40 sdQv:nd'R  
Silicon (_ah~VnO  
40 kHz h>0<@UP  
FIR - THz vq1&8=  
FIR - THz ;0}2@Q2@ZK  
36mm u,:`5*al{  
zi .
,?Q  
II/SI50
uW=NH;u  
Silicon o[hP&9>q  
50 KHz R"`{E,yj  
FIR - THz (}1f]$V  
FIR - THz &Q>'U6"%  
29mm yXg1N N  
~e9INZe-j