FEI Scios 2 DualBeam应用介绍

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聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 Z@a9mFI?  
一、技术指标 h4|i%,f  
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA； =GlVccc  
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式 a"N4~?US  
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) _VE^/;$"l  
4、大束流Sidewinder离子镜筒； fhPkEvJ  
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； mw$r$C
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6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。 K6/@]y%Wr  
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二、配置情况 ,DdB^Ig<r  
1、GIS气体注入：Pt沉积 N|N3x7=gs  
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头 zGKyN@o  
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机 c'uhK8|  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 `?T#Hl>j  

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三、适用样品 Od+6 -J  
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析 q<y#pL=k"*  
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四、检测内容 \B F*m"lz  
1、IC芯片电路修改 o#) {1<0vg  
2、Cross-Section 截面分析 'c2W}$q  
3、Probing Pad 6+r$t#  
4、FIB微纳加工 ZkL8
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5、材料鉴定 )?+$x[f!*  
6、EDX成分分析 v+p{|X-  
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五、设备简介 &'cL%.  
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。 X%z }VA