FEI Scios 2 DualBeam应用介绍

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聚焦离子束显微镜FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技术指标 pa]"iZz  
一、技术指标 nKh&-E  
1、电子束电流范围：1 pA - 400 nA； i%{X9!*%TX  
2、电子束电压：200eV-30 keV，具有减速模式 zY9H%  
3、电子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 15H6:_+=0  
4、大束流Sidewinder离子镜筒； 1cJsj  
5、离子束加速电压500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； P\R27Jd  
6、离子束束流1.5pA-65nA，15孔光阑。 i6PM<X,{;  
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二、配置情况 U8QX46Br  
1、GIS气体注入：Pt沉积 JhK/']R  
2、ETD SE、T1（筒内低位）、T（高位）探头 M:SO2Czz  
3、Nav-camTM：样品室内光学导航相机 |;vi*u  
4、AutoTEM4、Autoslice、Map for3D自动拼图、NanoBuilder纳米加工软件。 2 h|e  
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三、适用样品 )LHj+B  
半导体、金属、陶瓷材料微纳加工及观察分析，成分分析 ">jwh.  
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四、检测内容 Z@rN_WXx  
1、IC芯片电路修改 rjWLMbd.<  
2、Cross-Section 截面分析 wsfd8T4  
3、Probing Pad 4&^9Wklj  
4、FIB微纳加工 QBJ3iQs1  
5、材料鉴定 quu*xJ;Ci  
6、EDX成分分析 e]>ori 8  

图片:北软检测失效分析FIB.png

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五、设备简介 y}2F9=  
FEI Scios 2 DualBeam系统在Scios系统的基础上进行了升级，更加适用于金属、复合材料和涂层，特点是适用磁性样品、借助漂移抑制对不导电的样品可以进行操作、Trinity检测套件可同步检测材料、形态和边缘对比对度，大大提高效率、软件可以实现三维数据立方体分析金属中夹杂物大小和分布、独有的工作流模式，可以设定程序，降低操作员的难度。在超大样品仓中集成了大尺寸的五轴电动样品台，XY轴具有110mm移动范围，Z方向具有85mm升降空间。 C*70;:b