芯片焊接的失效机理

发布:探针台 2020-01-17 11:25 阅读:2642
目的:芯片与管座牢固粘结 @[tV_Z%,b  
要求:芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 AAq=,=:R<  
方式:银浆烧结,合金(共晶)粘结,导电胶烧结,环氧树脂粘结,高温聚酰亚胺粘结。 o Xi}@  
U q w}4C/0  
对于银浆烧结: &4&33D  
1,银浆问题 ~+ s*\~  
2,杂质问题 =yX&p:-&  
3,硅的氧化及镀镍,镀银的不良。 )S};k=kG  
4,银浆与基材结合力差引起的问题。 R{uJczu  
#z!Hb&Qi\  
对于合金粘结: kEhm'  
1,金-铅系统 RE $3| z  
2,锡-铅系统 L'XdX\5  
[~c'|E8Q  
引线键合的失效机理: D&l ,SD  
lI_Yb:  
引线键合的主要方法: .um&6Q=2<  
   热压焊,超声焊,面键合。 MiH}VfI  
引线:铝-铝超声焊,金-铝热压焊(包括楔形和球焊) q7f;ZK=f  
DwmU fZp  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 _gm?FxV:  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 ~,*YmB=Z  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 D"XX920$~  
外引线的失效。 ct}%Mdg  
[Z5[~gP3  
开短路的可能原因: "WbVCT'i  
g:DTVq  
封装工艺方面 Np<&#s[dQ  
  表现为断丝,塌丝,碰丝,内引脚相碰,点脱,球脱,球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 h!G^dW.  
VP %i1|XZJ  
芯片表面水汽吸附。 ;=-j;x  
钝化层不良。 6UW:l|}4#2  
芯片氧化层不良。 9#&W!f*qO|  
内应力使芯片产生芯裂,金属化层断裂,或金丝脱落。 /X^3=-{8  
电迁移。 n(1wdlEp  
?QMclzh*-  
铝硅共溶。 )nNCB=YF!  
金属间化合物。 =,4 '"  
芯片焊接疲劳。 r%F(?gKXkd  
热不匹配。 n{^<&GWox  
外来异物。 |O(-CDQe  
氧化层台阶处金属膜断路。
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