芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 CB1AL]|3  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 $h()%C7s  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 5IsRIz[`TK  
YcQ3:i  
对于银浆烧结： `O'@T
rI  
1，银浆问题 eKT'd#o2R  
2，杂质问题 O6Gg?j  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 1I1Z),  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 ':[:12y[  
* I{)8  
对于合金粘结： Z ^w5x:  
1，金-铅系统 .0eHP  
2，锡-铅系统 {;kH&Pp  
Y unY'xY  
引线键合的失效机理： !6 k{]v  
{Yp;R  
引线键合的主要方法： '~Z#h  P  
   热压焊，超声焊，面键合。 MUs~ZF  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） SjZ?keKZ  
&M6cCT]&M  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 J6s55 v  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 -H;%1y$A-  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 6$l6>A  
外引线的失效。 x9Qa.Jmj  
hny):59f  
开短路的可能原因： 2Y+8!4^L a  
ti)4J2c,8  
封装工艺方面 T5jZd@VT,  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 >UQ`@GdafR  
~5f|L(ODX  
芯片表面水汽吸附。 | gou#zi  
钝化层不良。 P!Mz5QZ+  
芯片氧化层不良。 B3Yj  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 g3i !>  
电迁移。 -c1$>+  
3}}#'5D  
铝硅共溶。
dF-d  
金属间化合物。 qZ:--,9+  
芯片焊接疲劳。 NVFgRJ&  
热不匹配。
ke(LjRS  
外来异物。 E7*z.3
  
氧化层台阶处金属膜断路。