芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 7>LhXC  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 W8^gPW*c5  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 'Bx7b(xqk  
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对于银浆烧结： AVjtK  
1，银浆问题 Mi/_hzZ\  
2，杂质问题 r.GjM#X  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 #C`!yU6(  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 Yq_zlxd%F  
4\?B,!  
对于合金粘结： QQ9Q[c  
1，金-铅系统 P,wJ@8lv  
2，锡-铅系统 e_TM#J(3  
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引线键合的失效机理： khfE<<$=  
ol\IT9Zb~  
引线键合的主要方法： .H&;pOf  
   热压焊，超声焊，面键合。 L[K_!^MZ  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） <5q
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 i@RjG
 
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 4$^=1ax  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 i469<^A  
外引线的失效。 R&QT  'i  
Tla*V#:Ve  
开短路的可能原因：  P/Zo  
MouYZI)  
封装工艺方面 zM!*r~*k$  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 '54@-}D  
Oq("E(z+f  
芯片表面水汽吸附。 T^'i+>F!w  
钝化层不良。 #/:[ho{JQ  
芯片氧化层不良。 yZ{YIy~  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 Qi%A/~  
电迁移。 JnZxP> 2B  
YpL}R#  
铝硅共溶。 pd6d(  
金属间化合物。 it,%T)2H  
芯片焊接疲劳。 1pK7EK3R  
热不匹配。 (GV6%l#I  
外来异物。 t*x;{{jL#(  
氧化层台阶处金属膜断路。