芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 O e0KAn  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 &Z;Eu'ia  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 Y}eZPG.h  
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对于银浆烧结： *fOS"-CL  
1，银浆问题 $`cy'ZaF  
2，杂质问题 |DdW<IT
`0  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 3JwSgcb  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 3<V.6'*k  
Pl`Bd0  
对于合金粘结： Vs2v j  
1，金-铅系统 pO-)x:Wg  
2，锡-铅系统 [n
i-UNTv  
C.B8 J"T-  
引线键合的失效机理： B8P@D"u  
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引线键合的主要方法： ^hGZVGSv  
   热压焊，超声焊，面键合。 }WBm%f  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） fSgGQ D4  
55u^u F  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 X.r!q1_c  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 7KYF16A4  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 \!? P
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外引线的失效。 AZBY, :>D  
C5W-B8>  
开短路的可能原因： VH$\ a~|  
M[&.kH  
封装工艺方面 O~c+$(  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 am)J'i,  
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芯片表面水汽吸附。 0^|$cvYiL  
钝化层不良。 cqU$gKT  
芯片氧化层不良。 }&'yt97+  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 7D9h;gsP  
电迁移。 tL|L"t_5x  
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铝硅共溶。 *axz
a~d  
金属间化合物。 )2*
|WHO  
芯片焊接疲劳。  t}*
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热不匹配。 )Uoe~\  
外来异物。 >u%[J!Y;;  
氧化层台阶处金属膜断路。