芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 wj 15Og?  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 v(~EO(n.  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 .tA=5QY,  
C"R}_C|r)*  
对于银浆烧结： GxS!Lk  
1，银浆问题 FE3uNfQs|  
2，杂质问题 K96N{"{iI%  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 *QA
{xvT  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 OPJ(ub  
?yKG\tPhM  
对于合金粘结： k%?qN,Cl  
1，金-铅系统 (N?nOOQ  
2，锡-铅系统 79Ur1-]/  
[7h/ 2La#  
引线键合的失效机理： o,[Em<  
9v?rNJs  
引线键合的主要方法： B_S))3   
   热压焊，超声焊，面键合。 Q=t_m(:0  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） Qt.|YB8  
V?"1&m&E  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 9gac7(2`)  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 2)9XTY6$  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 
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外引线的失效。 \]
0+J  
cv-;fd>'  
开短路的可能原因： %|B$y;q^3  
5V8`-yO9  
封装工艺方面 vQ8$C 3  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 z-^/<u1p  
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芯片表面水汽吸附。 bKk7w#y  
钝化层不良。 {hVc,\A  
芯片氧化层不良。 X3HJ3F;==  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 Uj^Y\w-@Z  
电迁移。 %e+{wU}w?2  
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铝硅共溶。 &"DD&87N%  
金属间化合物。 NL&![;  
芯片焊接疲劳。 <vd}oiB
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热不匹配。 00pe4^U  
外来异物。 q@i.4>x  
氧化层台阶处金属膜断路。