芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 C^)
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要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 46k?b|Q  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 {%#)5l
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对于银浆烧结： M,5"b+mX[~  
1，银浆问题 b2@VxdFN  
2，杂质问题 nW|w
Y.  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 VS&TA>  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 KeNL0_Pw  
o:6@Kw^  
对于合金粘结： !!o8N<NU  
1，金-铅系统 #b7$TV  
2，锡-铅系统 07Edfe  
FaBqj1O1  
引线键合的失效机理： U8(Nk\"X\  
c`fG1s  
引线键合的主要方法： .] `f,^v<c  
   热压焊，超声焊，面键合。 fQP{|+4  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） J6<rX[ yZe  
Z;h<6[(  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 s{w[b\rA  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 {vo +gRYYv  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 i>[_r,-\[  
外引线的失效。 mE^o-9/  
F_bF  
开短路的可能原因： HV/cc"  
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封装工艺方面 VACiVKk  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 fo4.JyBk  
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芯片表面水汽吸附。 DD44"w_9  
钝化层不良。 ;=? ~ -_  
芯片氧化层不良。 KLX/O1B  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 V)P&Zw  
电迁移。 /CTc7.OYt  
(5Sivw*mP  
铝硅共溶。 ,E|m.  
金属间化合物。 $'pNp B#vH  
芯片焊接疲劳。 kPjd_8z2n  
热不匹配。 p!/[K6u  
外来异物。 pZyQY+O  
氧化层台阶处金属膜断路。