芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 I5'^tBf[{  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 ;1S{xd*^N  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 SZg+5MD;X  
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对于银浆烧结： W()FKP\??!  
1，银浆问题 \s&w0V`Y  
2，杂质问题 QC~B8]  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 gv `jeN  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 <<(~'$~,L  
r&}fn"H!  
对于合金粘结： *Dh.'bB!  
1，金-铅系统 ^]'p927  
2，锡-铅系统 +<:p`%  
51`w.ri  
引线键合的失效机理： S)VuT0  
Ec_ G9&  
引线键合的主要方法： _kH#{4`Hw  
   热压焊，超声焊，面键合。 x0.&fCh%  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） mfG|K@ODM-  
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工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 \#tr4g~u  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 #Vul#JHW  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 |Y(].G,  
外引线的失效。 1>a^Q  
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开短路的可能原因： ?jw)%{iKYV  
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封装工艺方面 wgLS9.  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 7bsW7;C  
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芯片表面水汽吸附。 =Z#tZ{"  
钝化层不良。 !"2OcDFx  
芯片氧化层不良。 TM!R[-\  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 Y141Twjvd  
电迁移。 $ }B"u;:SU  
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铝硅共溶。 1}[\@n+b  
金属间化合物。 @GnsW;$*~.  
芯片焊接疲劳。 I_pA)P*Q(6  
热不匹配。 42z9N\ f  
外来异物。 2d.I3z:[  
氧化层台阶处金属膜断路。