芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 3 v.8  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 84W
caH  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 =l${
p*ABQ  
Q.h.d))  
对于银浆烧结： [6_.Y*}N  
1，银浆问题 $?]`2*i  
2，杂质问题 KRcB_(  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 /`DKX }  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 WVOj;c  
,r]H+vWS  
对于合金粘结： \0_jmX
]p  
1，金-铅系统 n]D io  
2，锡-铅系统 #=33TvprR2  
>P\eHR,{-  
引线键合的失效机理： vf+z0df  
EJb+yy6  
引线键合的主要方法： ABkDOG2br  
   热压焊，超声焊，面键合。 WWZ<[[ >  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） /4c`[  
-1v9  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 x;E/  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 ,Tegrz&G  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 {Q
_GJ  
外引线的失效。 Pc< "qy  
wQjYH!u,YZ  
开短路的可能原因： C7*YZe  
 ^RT_Lky  
封装工艺方面 cRD;a?0/6s  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 ?*+U[*M  
xE^G*<mj:  
芯片表面水汽吸附。 C/qKa[mg  
钝化层不良。 &ZkJ,-  
芯片氧化层不良。 [MwL=9;!H  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 a=A12<  
电迁移。 &B[*L+-E  
b$fmU"%&|  
铝硅共溶。 GIcq|Pe  
金属间化合物。 L8f+uI   
芯片焊接疲劳。 KW[y+c u.#  
热不匹配。 8Q<Nl=g>'  
外来异物。 !&g_hmnIF  
氧化层台阶处金属膜断路。