漏电定位EMMI

主要用途 !$fF3^8-  
r\m2Oo)]  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 *m`F-J6U  
=${ImMwj  
^\3z$ntF  
性能参数 V#V<Kz  
@|@6
pXR.  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； W! GUA<  
i^V3u  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm JiRfLB  
$H1igYc  
c)像素尺寸：30um x 30um Tnb5tHjnh  
X/23 /_~L`  
d)曝光时间 20ms - 400s &dJ\}O[r  
1f0maN  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x
>@q4Uez  
Z+Ppd=||,  
f)Back side EMMI uar[D|DcD"  
els71t -  
It5n;,n  
应用范围 ilFS9A3P  
T_~xDQ`v  
　1.P-N接面漏电 P.O/ZW>g  
N-}|!pqb  
　2.饱和区晶体管的热电子 Vet<,;Te  
':|?M B  
　3.P-N接面崩溃 J24H}^~na  
!-q)9K?  
　4.闩锁效应 hr/|Fn+kA  
iI!g1  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发