切点分析线路修改FIB

主要用途 1J{1>r  
,)svSzR  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 jsp)e=  
isF jJPe  
tJ qd
  
性能参数 :6T8\W  
@nNhW  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV ~ZxFL$<'3  
h=x{ 3P;B  
                - 离子束：500V~30kV S7(Vc H  
!kpnBgmU  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV Qnr7Qnb
 
e5z U`R  
              - 离子束：2.5nm/30kV th4yuDPuA  
>}I BPC  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 [(81-j1v  
8T]x4JQ0  
mh$Nwr/W:  
应用范围 $D%[}[2  
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\5 9  
1.定点切割 WVMkLMg8d  
Nn:>c<[  
2.穿透式电子显微镜试片 {=Y3[  
;ND)h pD+  
3.IC线路修补和布局验证 ~N!-4-~p  
aP`[O]8j  
4.制程上异常观察分析 C)H1<Br7  
",Ge:\TR=  
5.晶相特性观察分析 -~HyzX\cZB  
;zpSyyp@  
6.故障位置定位用被动电压反差分析