切点分析线路修改FIB

主要用途
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wbImE;-Z  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 0YsBAfRG  
HzdyfZ!jR  
Bk44 wz2X  
性能参数 .ey=gI!x0  
KB@F^&L {  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV 1&2
X*$]y  
P-Upv6J3  
                - 离子束：500V~30kV u6#FG9W7  
xtq='s8e  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV 2N/4.  
n`TXmg  
              - 离子束：2.5nm/30kV UB9n7L(@c  
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c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 -F338J+J24  
l!7O2Ai5  
VdC,M;/=Z  
应用范围 #)7THx/=  
"54t7  
1.定点切割 >0c4C<_  
9vL n#_  
2.穿透式电子显微镜试片 .z6"(?~  
~jOn)jBRZ  
3.IC线路修补和布局验证 drkY~!a  
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4.制程上异常观察分析 L0QF(:F5  
a`t<R  
5.晶相特性观察分析 +BaZl<ZP1s  
m]"13E0*x  
6.故障位置定位用被动电压反差分析