切点分析线路修改FIB

主要用途 e+|sSpA  
!IR6 ,A\  
芯片的电路修补、断面切割、透射电镜样品制备。 I+(nu47ZT  
@F>D+=hS  
gDzK{6Z}  
性能参数 )5H?Vh>36  
{{1G`;|v9  
a)着陆电压范围 - 电子束：350V~30kV ?A0)L27UE&  
x~sBzTa  
                - 离子束：500V~30kV E`J@hl$N  
$Kd>:f=A  
b)最小分辨率 - 电子束：0.8nm/30kV 'fW-Y!k%  
^f@=:eWI  
              - 离子束：2.5nm/30kV Bp{Ri_&A  
tX[WH\(xI  
c)全新的差分抽取及TOF校正功能，可实现更高分辨率的离子束成像、磨削和沉积 d_CT$  
H*6W q  
T>>c2$ x  
应用范围 j1Ezf=N6`  
3XKf!P  
1.定点切割 cb bFw  
h`KU\X )A  
2.穿透式电子显微镜试片 9u_Pj2%56.  
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3.IC线路修补和布局验证 /@5YW"1  
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4.制程上异常观察分析  lRQYpc\  
[hsds\  
5.晶相特性观察分析 M%#e1"n  
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6.故障位置定位用被动电压反差分析