漏电定位EMMI

主要用途 Ojq>4=Z\  
vGO-a2Z  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 @Z~lM5n$8  
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Hv(0<k6oH  
性能参数 jZS6f*$  
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； Rtw^ lo  
bgGd  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm $[5ihV$u  
KOGbC`TN<  
c)像素尺寸：30um x 30um 4.7OX&L'G  
"DM$FRI0  
d)曝光时间 20ms - 400s &Qy_= -]  
5Tluxt71  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x :pcKww|V  
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f)Back side EMMI aiGT!2  
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应用范围 6c>t|=Ss(  
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　1.P-N接面漏电 xi8RE
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　2.饱和区晶体管的热电子 9d^o2Yo  
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　3.P-N接面崩溃 DtG><g}[]  
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　4.闩锁效应 Kf2*|ZHj  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发