漏电定位EMMI

主要用途 3sl6$NKo  
`yC[Fn"E^  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 #[Rs&$vQm  
MieO1l  
CF:!  
性能参数 G(bl)p^  
nx%eq,Pq  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 7ab'q&Y[  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm u>*q
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n8i: /ypB  
c)像素尺寸：30um x 30um equi26jhr  
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d)曝光时间 20ms - 400s <s$Jj><  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x k+hl6$:Qj%  
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f)Back side EMMI C)QKodI  
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C* 0ZF  
应用范围 7R,;/3wWjG  
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　1.P-N接面漏电 qI<c47d;q  
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　2.饱和区晶体管的热电子 moZeP#Q%  
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　3.P-N接面崩溃
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　4.闩锁效应 ?6h~P:n.  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发