漏电定位EMMI

主要用途 ,F)9{ <r]  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 V=LJ_T"z0  
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性能参数 /o)o7$6Q  
d#*n@@V4  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； \L@DDK|"`6  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm 0p;pTc  
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c)像素尺寸：30um x 30um %Z#s9
Q
C  
= g[Cs*  
d)曝光时间 20ms - 400s $J
TQA  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x !=w&=O0(  
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f)Back side EMMI K V-}:u(  
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应用范围 
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　1.P-N接面漏电 Xob,jo}a  
Z1t?+v+Ro*  
　2.饱和区晶体管的热电子 DfJHH)Ry}  
H^<LnYZ  
　3.P-N接面崩溃 \&S-lsLY  
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　4.闩锁效应 +"Ui@^  
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　5.氧化层漏电流产生的光子激发