漏电定位EMMI

主要用途 ZY{,//  
b`1P%OjC  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 {y :/9  
~uV.jh  
A/GEDG ?  
性能参数 3:S Ex;d+  
g{dyDN$5|w  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； Ff.gRx  
+8v!vuO'  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm #K  ]k  
{GZHD^Ce  
c)像素尺寸：30um x 30um 8_W<BXW  
Z!tt(y\  
d)曝光时间 20ms - 400s
V5M_N;h  
'%)7%O,2  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Rh~<#"G]  
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f)Back side EMMI -<qci3Ba}  
Kh3*\xT  
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应用范围 :h?Zg(l  
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　1.P-N接面漏电 nz+DPk["  
}9{6{TD  
　2.饱和区晶体管的热电子 O+c@B}[!  
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　3.P-N接面崩溃 w0VJt<e*  
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　4.闩锁效应 G{YLyl/9  
YI&7s_% -  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发