漏电定位EMMI

主要用途 tQ<2K*3]  
Sgk{NM7|k  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 R$3+ 01j|  
qMj e,Y  
F4l6PGxF&\  
性能参数 X-WvKH(=w  
?UZyu4O%  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； DcM+K@1E4^  
9Qd'=JQl  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm VL1z$<vVXt  
`Wt~6D e  
c)像素尺寸：30um x 30um /]>{"sS(  
cLF>Jvs*J  
d)曝光时间 20ms - 400s I!#^F1p1  
p;01a  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x oW9rl]+  
ZdzGJ[$  
f)Back side EMMI 89dC bF3b  
L(rjjkH  
wBGxJ\+M  
应用范围 AV`7>@  
0]W/88ut*u  
　1.P-N接面漏电 : \`MrI^  
L{Zy7O]"d  
　2.饱和区晶体管的热电子 ?':'zT  
:CHd\."%+1  
　3.P-N接面崩溃 ^(B*AE.  
M_uij$1-  
　4.闩锁效应 :S2MS{>Mo  
\OB3gnR  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发