漏电定位EMMI

主要用途 i,yK&*>JJ  
ax>c&%vo  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 m_Fw;s/9  
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GF/p|I D  
性能参数 w@%W{aUC  
J$WIF&*0@  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； O&w$  
p-(Z[G*  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm F~l3?3ZV  
y:|7.f  
c)像素尺寸：30um x 30um Cq(Xa-  
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d)曝光时间 20ms - 400s uqO51V~  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x Le3S;SY&  
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f)Back side EMMI "!Qhk3*  
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应用范围 s)M2Z3>+  
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　1.P-N接面漏电 g3Xz-  
wyc,Ir  
　2.饱和区晶体管的热电子 *UyV@  
ToMX7xz6  
　3.P-N接面崩溃 %*19S.=l  
ASYUKh,h  
　4.闩锁效应 Zi[)(agAT  
H|TzD"2N  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发