漏电定位EMMI

主要用途 ZNx{7]=a  
w|M?t{  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 "W1q}4_
 
^*0;Z<_  
aE;!mod  
性能参数 s_kI\w4(x1  
-Rf|p(SJ,E  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； ?,Hk]Rl3  
P@Qo2zTh%  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm Cf+O7Y`^  
c#rbyx?5  
c)像素尺寸：30um x 30um 3Fr}8Dy  
Pq`4Y K  
d)曝光时间 20ms - 400s @ce4sSo  
L%BWrmg  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x jQ[Z*^"}  
iCc\p2p  
f)Back side EMMI fG.w;Aemv5  
ilNm\fQ.  
3$RII-}>  
应用范围 |6uEf/*DX  
-7yX>Hjl  
　1.P-N接面漏电 n_w,Ew,>5  
jRBx7|ON  
　2.饱和区晶体管的热电子 R vY`9D  
co*5NM^  
　3.P-N接面崩溃 9\"
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'fgDe  
　4.闩锁效应 X~R qv5@-  
'}}DPoV  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发