漏电定位EMMI

主要用途 !OcENV  
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当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 Qbeeq6  
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性能参数 kII7z;<^`  
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a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； 4B-yTyO  
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b)侦测波长范围900nm - 1700nm Wv K(G3  
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c)像素尺寸：30um x 30um uCzii o`S  
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d)曝光时间 20ms - 400s rUwE?Ekn/  
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e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x ; !$m1
 
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f)Back side EMMI r
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应用范围 =^h~!ovj:  
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　1.P-N接面漏电 Jp;k+"<q  
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　2.饱和区晶体管的热电子 ARL  
*M~.3$NN  
　3.P-N接面崩溃 fk5XvL  
J(h3]J/Yw  
　4.闩锁效应 uhn%lV]  
MV+i{]  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发