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半导体激光器的设计和工艺 g1&q6wCg| 黄永箴 3zzl|+# 6 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 Q:j)F|uhc 集成光电子国家重点实验室 >~})O&t @cn8 m 一. 半导体 激光器的基本结构 uYXkD#{ 1.半导体双异质结构 ]l6niYVB2 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) qb+Gjgp 3. 侧模控制(基侧模) Y,{pG]B$w 4.横模控制 1B~[L 5p9 5. 动态单模半导体激光器 0HDL;XY6 6. 波长可调谐半导体激光器 ilwI qj 7.长波长VCSEL的进展 _ c,{}sn 8.微腔激光器和光子 晶体 F87c?Vh)K 9.半导体激光器材料的选择 PBgU/zVn R,m|+[sl 二.半导体光波导 cnj32H^+ 1. 平板波导的模式,TE和TM模 /#!1 2. 光限制因子和模式增益 CwwZ~2 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0}WDB_L 4. 半导体激光器镜面反射系数 r\$`e7d}! 5. DFB激光器的藕合模理论 "/d 6. DFB半导体激光器的一维模拟 h/..cVD,K 7. 等效折射率近似 H.&"~eH
8. 数值模拟 U|+c&TY .Xk#Cwm' 三.半导体中的光跃迁和增益 8B3C[? 1. 费米分布函数及跃迁速率 UL`%Xx 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ]4]AcJj 3.简约态密度及增益谱 x2tcr+o 4.模式的自发辐射速率 kn}bb*eZ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .yQ< 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 R[}fr36>/ 7.增益谱峰值的近似表达式 G x{G}9 {gI% - 四. 速率方程和动态效应 BB.120v&N 1.单模速率方程及基本物理量 ^>#@qMw 2.稳态输出 a2B9
.;F 3. 共振频率和3dB带宽 ex8}./mjJ 4. 载流子输运效应对带宽影响 GB}!7W" 5. 开启延迟时间 pV/5w<_x? 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r}-vOPn`E 7. 自发辐射引起的噪声 _Q7]Dw/w\ 8. 相对强度噪声 HEm XB= 9. 模式线宽 ;nKhmcQ4 10. 多模速率方程 7towjwr >9t+lr1 五.半导体激光器的基本工艺和特性 4tz@?TCb 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 fwv.^kx 3.激光器寿命 x]vyt}oCmk 4.激光器阈值电流的温度特性 %XH%.Ps/ S0?e/VWy 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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