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半导体激光器的设计和工艺 pD~."fb 黄永箴 &!'R'{/?X 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 ao(Lv+
集成光电子国家重点实验室 J=O_nup6C JH2-' 一. 半导体 激光器的基本结构 7g o Rj 1.半导体双异质结构 4QiV@#o: 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) |x _jpR 3. 侧模控制(基侧模) _IxYnm`pc 4.横模控制 Ib/e\+H\ 5. 动态单模半导体激光器 {Rxb_9 6. 波长可调谐半导体激光器 rJ6N'vw> 7.长波长VCSEL的进展 PCc{0Rp\vk 8.微腔激光器和光子 晶体 j/ARTaO1]" 9.半导体激光器材料的选择 aE:$ N#|Qa fP( n 3Q 二.半导体光波导 6HVX4Z#VH 1. 平板波导的模式,TE和TM模 H:z<]Rc 2. 光限制因子和模式增益 3Dj>U*fP 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 nx{X^oc8e 4. 半导体激光器镜面反射系数 YXU2UIY<~ 5. DFB激光器的藕合模理论 ^8?px&B y: 6. DFB半导体激光器的一维模拟 o> 1+m 7. 等效折射率近似 =C)2DW J1 8. 数值模拟 +J42pSxzoo )g U#[}6H 三.半导体中的光跃迁和增益 1u }2}c| 1. 费米分布函数及跃迁速率 Gch3|e 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~sWXd~\ 3.简约态密度及增益谱 uCWBM 4.模式的自发辐射速率 9!Fg1h= 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 a72L%oJ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ;_=dB[M 7.增益谱峰值的近似表达式 7$"5qJ{ s h?->A# 四. 速率方程和动态效应 3JF" O+@ 1.单模速率方程及基本物理量 g- INhzMu 2.稳态输出 9m%+ 6#| 3. 共振频率和3dB带宽 6\QsK96_ 4. 载流子输运效应对带宽影响 +' .o 5. 开启延迟时间 2aUE<@RU[ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Z?eedVV@ 7. 自发辐射引起的噪声 B/JMH 1r 8. 相对强度噪声 Y5mk*Q#q 9. 模式线宽 Qb86* 10. 多模速率方程 ?,eq86-M 2kFP;7FO 五.半导体激光器的基本工艺和特性 S'IQbHz* 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ;s$
P?(' 3.激光器寿命 ^|cax|> 4.激光器阈值电流的温度特性 9N<TJp,q I$fm"N 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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