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半导体激光器的设计和工艺 nYv keT 黄永箴 eE;j#2SE O 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 p u ?CO A 集成光电子国家重点实验室 XgeUS;qtta X%B$*y5 一. 半导体 激光器的基本结构 ?=-/5A4K 1.半导体双异质结构 *1:kIi7_ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) #e@[{s7 3. 侧模控制(基侧模) @$%.iQ7A; 4.横模控制 >f1fvv6 5. 动态单模半导体激光器 %@ q2 6. 波长可调谐半导体激光器 .vi0D uD6 7.长波长VCSEL的进展 fwUF5Y 8.微腔激光器和光子 晶体 F/:%YR; 9.半导体激光器材料的选择 yB{1&S5 C _c:th{* 二.半导体光波导 6O0aGJ,H 1. 平板波导的模式，TE和TM模 G<`(d@g 2. 光限制因子和模式增益 *;F<Q!i&v 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 adgd7JjI* 4. 半导体激光器镜面反射系数 *UG?I|l|I 5. DFB激光器的藕合模理论 FBzsM7]j 6. DFB半导体激光器的一维模拟 pY%KI 7. 等效折射率近似 =n@ \m < 8. 数值模拟 V;Ln|._/t f3.oc9G 三.半导体中的光跃迁和增益
CalW J 1. 费米分布函数及跃迁速率 muFWFq&yP 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 &#.>-D{ 3.简约态密度及增益谱 ]ZI@? H?
O 4.模式的自发辐射速率 EW `WFBjj 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 aJ1{9 5ea 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 KO" +"1 . 7.增益谱峰值的近似表达式 Lso%1M I58$N+ # 四. 速率方程和动态效应 SFFJy RCz 1．单模速率方程及基本物理量 =k1sF3.V'c 2．稳态输出 6 lEv<)cC 3. 共振频率和3dB带宽 :TV`uUE 4. 载流子输运效应对带宽影响 I'2I'x\M 5. 开启延迟时间 #)S&Z><< 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 fZnq5rTk" 7. 自发辐射引起的噪声 U5?QneK 8. 相对强度噪声 hx:^xW@r4P 9. 模式线宽 5HY0 *\ 10. 多模速率方程 ?k^m|Z /paZJ}Pr. 五.半导体激光器的基本工艺和特性
q$K}Fm1C 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 V <ilv< 3.激光器寿命 #hXvGon$? 4.激光器阈值电流的温度特性 53bVhPGv axN\ZXU 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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