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半导体激光器的设计和工艺 QymD-A"P  
黄永箴 RgGA$HN/  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1nB@zBQu-  
集成光电子国家重点实验室 z%};X$V`J  
xOIg|2^8  
一. 半导体激光器的基本结构 7;xK
y'B\  
1.半导体双异质结构 @L;C_GEa  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) $4Y&j}R  
3. 侧模控制(基侧模) F+*Q <a4  
4.横模控制 "Ot{^_e  
5. 动态单模半导体激光器 7@P656{  
6. 波长可调谐半导体激光器 yW>RRE;  
7.长波长VCSEL的进展 
-f.R#J$2  
8.微腔激光器和光子晶体 |nm2Uy/0  
9.半导体激光器材料的选择 *?N<S$m  
Jvj=I82  
二.半导体光波导 ,n5a])Dg  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 XRa#21
pQ  
2. 光限制因子和模式增益 J wFned#T  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ':sT
d^V  
4. 半导体激光器镜面反射系数 $8@+j[>  
5. DFB激光器的藕合模理论 *w 21U!  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 rIlBH*aT  
7. 等效折射率近似 Tc_do"uU  
8. 数值模拟 sVoR?peQ  
%EoH4LzT  
三.半导体中的光跃迁和增益 s##Ay{  
1. 费米分布函数及跃迁速率 SG`)PW?  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 )* 3bkKVB  
3.简约态密度及增益谱 +2y&B,L_Wh  
4.模式的自发辐射速率 6n-r  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 z1Q2*:)c  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 J)huy\>,  
7.增益谱峰值的近似表达式 jGiw96,Y  
o=mo/N4  
四. 速率方程和动态效应 I>Y{>S  
1．单模速率方程及基本物理量 Bb_Q_<DTs  
2．稳态输出 4d-q!lRpa  
3. 共振频率和3dB带宽 fz8h]PZ  
4. 载流子输运效应对带宽影响 %^!aB  
5. 开启延迟时间 ^S=cNSpC  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 )JX$/- RD-  
7. 自发辐射引起的噪声
B_tQeM  
8. 相对强度噪声 +!xu{2!  
9. 模式线宽 kF2Qv.5!  
10. 多模速率方程 ['t8C  
sMX$Q45e  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]b)!YPo  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 U2UyN9:6F  
3.激光器寿命 o}W;Co  
4.激光器阈值电流的温度特性 .FJj  
AZBC P  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。