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半导体激光器的设计和工艺 Er)b( Kk 黄永箴 *6L^A`_1] 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 >\ W" 3. 集成光电子国家重点实验室 gK /K Z8 k>"I!&#g 一. 半导体 激光器的基本结构 V]2Q92 1.半导体双异质结构 ?9:\1)] 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ~$B,K] 3. 侧模控制(基侧模) ryN-d%t? 4.横模控制 C;` fOCz^ 5. 动态单模半导体激光器 H UjmJu6f{ 6. 波长可调谐半导体激光器 bHCd|4e,2 7.长波长VCSEL的进展 DWAU8>c+ 8.微腔激光器和光子 晶体 /.r($Sg^ 9.半导体激光器材料的选择 j^gF~Wz^ _~!,x.Dbp 二.半导体光波导 8'y|cF%U 1. 平板波导的模式,TE和TM模 :.<&Y=^ 2. 光限制因子和模式增益 L<:ya 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 kcle|B 4. 半导体激光器镜面反射系数 aozk,{9- 5. DFB激光器的藕合模理论 (&S v$L@ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 kQ + 7. 等效折射率近似 =GF+hM/~ 8. 数值模拟 N|DY)W <:?&}'aA 三.半导体中的光跃迁和增益 tc[PJH&P 1. 费米分布函数及跃迁速率 ]@xc9tlG 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ?NL2|8 3.简约态密度及增益谱 sEoS[t|" 4.模式的自发辐射速率 *)`:Nm~y 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 gVGq 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 |:\h3M 7.增益谱峰值的近似表达式 JOMZ&c^ Z"n]y4h 四. 速率方程和动态效应 "-a>Uj")% 1.单模速率方程及基本物理量 *q^'%' 2.稳态输出 v#~,)-D& 3. 共振频率和3dB带宽 ~Sh}\&3p 4. 载流子输运效应对带宽影响 6c2fqAF>i 5. 开启延迟时间 q+K`+& @\ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 5+U~ZW0|+ 7. 自发辐射引起的噪声 IflpM ] 8. 相对强度噪声 HjK|9 9. 模式线宽 rJAY7/u 10. 多模速率方程 l6i 2!&8P% VR'w$mp 五.半导体激光器的基本工艺和特性 sx22|j`)V 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 U9JqZ! 3.激光器寿命 ag3T[}L
z 4.激光器阈值电流的温度特性 y"2c; *7[{ -/h$Yb 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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