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半导体激光器的设计和工艺 K-*ZS8 黄永箴 g] IPNW^n 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 p|0SA=?k" 集成光电子国家重点实验室 [}Rs 8EiS\$O- 一. 半导体 激光器的基本结构 uW}M1kq?+l 1.半导体双异质结构 2"
v{ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) {Ho _U&< 3. 侧模控制(基侧模) M9VAs~&S 4.横模控制 SJ8
~:"\P 5. 动态单模半导体激光器 [UdJ(cGf 6. 波长可调谐半导体激光器 `tH F} 7.长波长VCSEL的进展 !L|VmLqa 8.微腔激光器和光子 晶体 _q-k1$o$ 9.半导体激光器材料的选择 %dmQmO,
S[8nGH#m 二.半导体光波导 5D^2
+`$/ 1. 平板波导的模式,TE和TM模 QRdtr 2. 光限制因子和模式增益 p*zTuB~e < 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 '|tmmoY6a: 4. 半导体激光器镜面反射系数 i-95>ff 5. DFB激光器的藕合模理论 6]!Jo)BF 6. DFB半导体激光器的一维模拟
y(C',Xn 7. 等效折射率近似 8-L -W[ 8. 数值模拟 (S=CxK ~:0U.v_V 三.半导体中的光跃迁和增益 >"zN` 1. 费米分布函数及跃迁速率 {c
$8?6 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 GIkVU6Q} 3.简约态密度及增益谱 nGJ+.z 4.模式的自发辐射速率 |D;I>O^"R 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 n?^oQX}.\ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 0eA|Uq~ 7.增益谱峰值的近似表达式 ZS&+<kGD \<}e?Yx% 四. 速率方程和动态效应 uqBV KE 1.单模速率方程及基本物理量 2R3)/bz-SV 2.稳态输出 tOQnxKzu 3. 共振频率和3dB带宽 {*F8'6YQ$ 4. 载流子输运效应对带宽影响 k_OzkEM9! 5. 开启延迟时间 zP!j {y4w 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 BQgK<_ 7. 自发辐射引起的噪声 +I.{y 8. 相对强度噪声 r/+~4W5
9. 模式线宽 @C~gU@F 10. 多模速率方程 -?)z@Lc QcdAg%"yy 五.半导体激光器的基本工艺和特性 pe\]}& 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 #("E)P 3.激光器寿命 ,G$<J0R1 4.激光器阈值电流的温度特性 S;!7/z SmP&wNHQf 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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