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半导体激光器的设计和工艺 @<vDR">  
黄永箴 /<:9NP'^  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 6}iIK,Om  
集成光电子国家重点实验室 eE7Rd>  
?[!.TU?4N  
一. 半导体激光器的基本结构 >qtB27jV  
1.半导体双异质结构 ItM?nyA  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 2IjqTL  
3. 侧模控制(基侧模) a]X6)6  
4.横模控制 N)poe2[  
5. 动态单模半导体激光器 Jq6p5jr"  
6. 波长可调谐半导体激光器 yWzvE:!)  
7.长波长VCSEL的进展 ;k b^mJE  
8.微腔激光器和光子晶体 oeIB1DaI  
9.半导体激光器材料的选择 [&NF0c[i  
fvit+  
二.半导体光波导 EzNmsbtZ(  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 aF'Ik XG d  
2. 光限制因子和模式增益 J=zZGd%  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 nWXI*%m5  
4. 半导体激光器镜面反射系数 K:'pK1zy  
5. DFB激光器的藕合模理论 |lJXI:GG  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ?'T>/<(  
7. 等效折射率近似 00;=6q]TA  
8. 数值模拟 ?-@hNrx  
;uoH+`pf  
三.半导体中的光跃迁和增益 E/U1g4S  
1. 费米分布函数及跃迁速率 B/5CjHz  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 P:*'x9`  
3.简约态密度及增益谱 f7s]:n*Ih  
4.模式的自发辐射速率 I5x/N.  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Y!POUMA }A  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ?R,^prW{  
7.增益谱峰值的近似表达式 d
Dpe$N  
0*g psS  
四. 速率方程和动态效应 /_}v|E0  
1．单模速率方程及基本物理量 m7M*)N8  
2．稳态输出 8l='Hl  
3. 共振频率和3dB带宽 tAc;O[L  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Q 5@~0  
5. 开启延迟时间 "r"Y9KODm  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 kdmVHiGF  
7. 自发辐射引起的噪声 sXhtn'<v  
8. 相对强度噪声
a3O_8GU  
9. 模式线宽 JpuW !I  
10. 多模速率方程 m%Ef]({I  
Pi8U}lG;  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 iicrRGp3  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ,YkQJ$  
3.激光器寿命 *\joaw  
4.激光器阈值电流的温度特性 ^1Yx'ua'  
<M$hj6.tn  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。