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半导体激光器的设计和工艺 Uoix 黄永箴 UR5`ue ; 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 z([</D? 集成光电子国家重点实验室 9-m=*|p ,"79P/C 一. 半导体 激光器的基本结构 _h1mF<\ X^ 1.半导体双异质结构 ygl0k \ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) [=`q>|;pOv 3. 侧模控制(基侧模) U,1-A=Og{o 4.横模控制 11;zNjD| 5. 动态单模半导体激光器 MnW+25=N 6. 波长可调谐半导体激光器 )}O8?d` 7.长波长VCSEL的进展 +x}<IS8 8.微腔激光器和光子 晶体 sW8dPw
O 9.半导体激光器材料的选择 Yu2Bkq+ "-V"=t' 二.半导体光波导 Nmh*EAJSy 1. 平板波导的模式,TE和TM模 ]')RMg zM* 2. 光限制因子和模式增益 ~4cC/"q$X 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 o*hF<D$Y 4. 半导体激光器镜面反射系数 lsNd_7k 5. DFB激光器的藕合模理论 ;i+#fQO7Q 6. DFB半导体激光器的一维模拟 x'R`.
!g3 7. 等效折射率近似 koi^l`B$ 8. 数值模拟 R@rBEW& 0#^v{DC 三.半导体中的光跃迁和增益 ^_mj 1. 费米分布函数及跃迁速率 U~7c+}:c 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 "g8M0[7e3 3.简约态密度及增益谱 h@@=M 4.模式的自发辐射速率 SByW[JE 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 [}]Q?*_ 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 $ L]lHji 7.增益谱峰值的近似表达式 ;sFF+^~L geCM<] 四. 速率方程和动态效应 l1Fc>:o{ 1.单模速率方程及基本物理量 u,4eCxYE$ 2.稳态输出 k|d+#u[Mj@ 3. 共振频率和3dB带宽 u> 7=AlWF- 4. 载流子输运效应对带宽影响 =odFmF 5. 开启延迟时间 }RqK84K 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $iz|\m 7. 自发辐射引起的噪声 <2qr}K{'A 8. 相对强度噪声 ,zY$8y] 9. 模式线宽 i
K? w6 10. 多模速率方程 W5MTD]J f&
' 五.半导体激光器的基本工艺和特性 4HA<P6L 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 12LL48bi 3.激光器寿命 ?6Y?a2 | 4.激光器阈值电流的温度特性 um0N)&iY '!$Rw"K. 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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