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半导体激光器的设计和工艺 DR yESi  
黄永箴 _95}ifSVm  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 M o"JV  
集成光电子国家重点实验室 W93JY0Ls9|  
{~p7*
j^0  
一. 半导体激光器的基本结构 Ng'Z
AG;O  
1.半导体双异质结构 [cQ<dVaTX  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ',H$
zA?i  
3. 侧模控制(基侧模) 29iIG 'N  
4.横模控制 Z'}(
t,  
5. 动态单模半导体激光器 *bxJ)9B  
6. 波长可调谐半导体激光器 aq0iNbv@  
7.长波长VCSEL的进展 Dz8:;$/  
8.微腔激光器和光子晶体 ~6-"i0k  
9.半导体激光器材料的选择 :e&n.i^  
iIGI=EwZ  
二.半导体光波导 O\4+_y  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 @k+%y'Y?  
2. 光限制因子和模式增益 lLkmcHu  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4P4 Fo1  
4. 半导体激光器镜面反射系数 W%>i$:Qq  
5. DFB激光器的藕合模理论 o4/I1Mq  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Q$3\ /mz  
7. 等效折射率近似 4z9#M;qT  
8. 数值模拟 aVQSN  
0eqi1;$b]  
三.半导体中的光跃迁和增益 aVppOxA  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ]|,q|c,  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 5e#&"sJ.1  
3.简约态密度及增益谱 BSfm?ku"!  
4.模式的自发辐射速率
SLdN.4idK  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 2&.n  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 !EX?m }7  
7.增益谱峰值的近似表达式 qY$*#*Q
  

hgweNRTh!  
四. 速率方程和动态效应 cebs.sF:  
1．单模速率方程及基本物理量 b W=.K>|  
2．稳态输出 X-)RU?  
3. 共振频率和3dB带宽 &2io^AP  
4. 载流子输运效应对带宽影响 >bfYy=/  
5. 开启延迟时间 j{{~ZM  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r zMFof  
7. 自发辐射引起的噪声 "U%n0r2  
8. 相对强度噪声 b^[W_y  
9. 模式线宽 4<G?  
10. 多模速率方程 *xE"8pN/  
<%d51~@={I  
五.半导体激光器的基本工艺和特性
?Oy'awf_  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 bBUbw*DF)  
3.激光器寿命 aho'|%y)  
4.激光器阈值电流的温度特性 Q_&}^  
w]>"'o{{  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。