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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 g1&q6wCg|  
    黄永箴 3zzl|+# 6  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 Q: j)F|uhc  
    集成光电子国家重点实验室 >~})O&t  
    @cn8m  
    一. 半导体激光器的基本结构 uYXkD#{  
    1.半导体双异质结构 ]l6niYVB2  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) qb +Gjgp  
    3. 侧模控制(基侧模) Y, {pG]B$w  
    4.横模控制 1B~[L 5p9  
    5. 动态单模半导体激光器 0HDL;XY6  
    6. 波长可调谐半导体激光器 ilwIqj  
    7.长波长VCSEL的进展 _c,{}sn  
    8.微腔激光器和光子晶体 F87c?Vh)K  
    9.半导体激光器材料的选择 PBgU/zVn  
    R,m|+[sl  
    二.半导体光波导 cnj32H^+  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 /#!1  
    2. 光限制因子和模式增益 C wwZ~2  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0}WDB_L  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 r\$`e7d}!  
    5. DFB激光器的藕合模理论 "/d  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 h/..cVD,K  
    7. 等效折射率近似 H.&"~eH  
    8. 数值模拟 U|+ c&TY  
    .Xk#Cwm'  
    三.半导体中的光跃迁和增益 8B3C[?  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 UL`% Xx  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ]4]AcJj  
    3.简约态密度及增益谱 x2tcr+o  
    4.模式的自发辐射速率 kn}bb*eZ  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .yQ<  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 R[}fr36>/  
    7.增益谱峰值的近似表达式 G x{G}9  
    {gI%-  
    四. 速率方程和动态效应 BB.120v&N  
    1.单模速率方程及基本物理量 ^ >#@qMw  
    2.稳态输出 a2B9 .;F  
    3. 共振频率和3dB带宽 ex8}./mjJ  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 GB}!7W"  
    5. 开启延迟时间 pV/5w<_x?  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r}-vOPn`E  
    7. 自发辐射引起的噪声 _Q7]Dw/w\  
    8. 相对强度噪声 H Em XB=  
    9. 模式线宽 ;nKhmcQ4  
    10. 多模速率方程 7towjw r  
    >9t+lr1   
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 4tz@?T Cb  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 fwv.^k x  
    3.激光器寿命 x]vyt}oCmk  
    4.激光器阈值电流的温度特性 %XH%.Ps/  
    S0?e/VWy  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
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