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半导体激光器的设计和工艺 b~j~  
黄永箴  |#V(p^  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 "c,!vc4  
集成光电子国家重点实验室 WO
@H*  
Jh?z=JY  
一. 半导体激光器的基本结构 6Hwxx5>r  
1.半导体双异质结构 y^G>{?Tha  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) a1|c2kT  
3. 侧模控制(基侧模) xZyeX34{M;  
4.横模控制 XCm\z9F  
5. 动态单模半导体激光器 =53bLzr  
6. 波长可调谐半导体激光器 "<x&pQZ%  
7.长波长VCSEL的进展 Pcdf$a"`  
8.微腔激光器和光子晶体 UWw}!1  
9.半导体激光器材料的选择 <BPRV> 0X  
yb?{LL-uy  
二.半导体光波导 waCboK'  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 -;>#3O-  
2. 光限制因子和模式增益 88g47>{X  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Q&PB]D{  
4. 半导体激光器镜面反射系数 `L\)ahM  
5. DFB激光器的藕合模理论 6-]h5L]  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 uY;R8CiD  
7. 等效折射率近似 h@@d{{IqT  
8. 数值模拟 V&[eSVY?  
qm'b'!gq~  
三.半导体中的光跃迁和增益 z]$>+MH_  
1. 费米分布函数及跃迁速率 l{5O5%\,  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 vbp-`M
(  
3.简约态密度及增益谱 %
`+'v_iu  
4.模式的自发辐射速率 !| xZ6KV  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 .*!#98pT  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 5m7b\Mak  
7.增益谱峰值的近似表达式 DjwQ`MA  
c 0-w6  
四. 速率方程和动态效应 7~b!4x|Z  
1．单模速率方程及基本物理量 2x
n<E>]  
2．稳态输出 Z>2]Xx% \  
3. 共振频率和3dB带宽 aD ESr?  
4. 载流子输运效应对带宽影响 @]=f?+y[ 2  
5. 开启延迟时间 ZXt?[Ll  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ~+HoSXu@E  
7. 自发辐射引起的噪声 ~;unpym'  
8. 相对强度噪声 OJ/SYZ.r  
9. 模式线宽 J?%}=_fsa  
10. 多模速率方程 7tgFDLA  
JMlV@t7y<  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 *vnXlV4L  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 yN\e{;z`  
3.激光器寿命 U-EhPAB@  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?2ItB`<(  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。