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半导体激光器的设计和工艺 nOp\43no 黄永箴 D]Bvjh 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 ^'6!)y# 集成光电子国家重点实验室 I tp 7X l#V"14y 一. 半导体 激光器的基本结构 lUUeM\ 1.半导体双异质结构 $>]7NT P 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) b2r@vZ]D 3. 侧模控制(基侧模) {b= ]JPE 4.横模控制 "4oY F:h 5. 动态单模半导体激光器 0bS\V UB( 6. 波长可调谐半导体激光器 UR:cBr 7.长波长VCSEL的进展 7`| $uIM` 8.微腔激光器和光子 晶体 jrZM 9.半导体激光器材料的选择 u ; f~ a
0Hzf 二.半导体光波导 Q V4{=1A 1. 平板波导的模式，TE和TM模 e>z3 \4 2. 光限制因子和模式增益 _;L9&>!p6 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 W6
f *> 4. 半导体激光器镜面反射系数 +8v^J8q0 5. DFB激光器的藕合模理论 AQQeLdTq 6. DFB半导体激光器的一维模拟 d^!)',` 7. 等效折射率近似 < p-R{}8 8. 数值模拟 =K - B
I ZG H2 三.半导体中的光跃迁和增益 al(t-3`< 1. 费米分布函数及跃迁速率 A"2k,{d 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 o}
YFDYi 3.简约态密度及增益谱 %q`_vtUT 4.模式的自发辐射速率 RxjC sjg 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 O*`] ]w] 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果
sas;<yh 7.增益谱峰值的近似表达式 ^8ZVB.Fv 8^CL:8lI^\ 四. 速率方程和动态效应 ~(~fuDT~O 1．单模速率方程及基本物理量 sFT-aLpL@V 2．稳态输出 :1PT`:Y 3. 共振频率和3dB带宽
Ma2sQW\ 4. 载流子输运效应对带宽影响 vxzh|uF 5. 开启延迟时间 >Ke4lO" 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 am]$`7R5 d 7. 自发辐射引起的噪声 N~=p+Ow[H 8. 相对强度噪声 -WWa`,: 9. 模式线宽 jn&[=Y- 10. 多模速率方程 :-fCyF)EI xrFFmQ<_W 五.半导体激光器的基本工艺和特性 oe=^CeW" 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 N2 wBH+3w 3.激光器寿命 %V %*0S|U 4.激光器阈值电流的温度特性 WV]Si2pOZ vSb$gl5H 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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