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半导体激光器的设计和工艺  s7o*|Xv  
黄永箴 PAwg&._K  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 xD#I&.  
集成光电子国家重点实验室 f*vk1dS:*3  
X-$td~r  
一. 半导体激光器的基本结构 %GbPrlu  
1.半导体双异质结构 )[sO5X7'^  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) )_e"Nd4  
3. 侧模控制(基侧模) T(UYlLe  
4.横模控制 1K9?a;.  
5. 动态单模半导体激光器 }pnFJ  
6. 波长可调谐半导体激光器 3cO[t\/up  
7.长波长VCSEL的进展 $Q?G
*@y  
8.微腔激光器和光子晶体 M3@fc,Ch  
9.半导体激光器材料的选择 !otq
 X-  
sK-|xU.  
二.半导体光波导 
%]0U60  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 hS{ *l9v7  
2. 光限制因子和模式增益 ""'eT
pe  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 sLa)~To
 
4. 半导体激光器镜面反射系数 Gd6 ;'ZCmY  
5. DFB激光器的藕合模理论 Q(5:~**I  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 sQAc"S  
7. 等效折射率近似 *7;*@H*jd  
8. 数值模拟 $
t# ,'M  
NE2sD  
三.半导体中的光跃迁和增益
il
p;@O6  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Bb[e[,ah  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 a
/<pf\O  
3.简约态密度及增益谱 0 ,Qj:  
4.模式的自发辐射速率 G\>\VA  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 y7)[cvB  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ws2j:B  
7.增益谱峰值的近似表达式 O"qa&3t%  
\1`DaQp7  
四. 速率方程和动态效应 5'c+313 lm  
1．单模速率方程及基本物理量 199hQxib:  
2．稳态输出 QGv:h[b_  
3. 共振频率和3dB带宽 @52=3  
4. 载流子输运效应对带宽影响 4a.e ,gitf  
5. 开启延迟时间 O<Sc.@~  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 CDwIq>0j  
7. 自发辐射引起的噪声 (zJ$oRq  
8. 相对强度噪声 ok%a|Zz+]  
9. 模式线宽 }Q r0T  
10. 多模速率方程
%{
~mk[d3  
9g&)6,<  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 &PBWJ?@O)r  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _h=<_Z  
3.激光器寿命 @7l=+`.i  
4.激光器阈值电流的温度特性 lmtQ
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oF b mz*  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。