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半导体激光器的设计和工艺 6_g6e2F  
黄永箴 l)EtK&er(}  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 'I2[}>mj2  
集成光电子国家重点实验室 2xB
h  
dLR[<@E  
一. 半导体激光器的基本结构 KT*"Sbh  
1.半导体双异质结构 CT<z1)#@^  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Fa#5a'}I  
3. 侧模控制(基侧模) 'Q.
5`o  
4.横模控制 byZj7q5&Q  
5. 动态单模半导体激光器 ,E+\SBQS_  
6. 波长可调谐半导体激光器 q)YHhH\  
7.长波长VCSEL的进展 izu_KBzy  
8.微腔激光器和光子晶体 jHx\YK@e\  
9.半导体激光器材料的选择 `+UBl\j  
Q}g"pl  
二.半导体光波导 f67pvyy -  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 /c7jL4oD  
2. 光限制因子和模式增益 vsYbR3O  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 D8$4PT0u  
4. 半导体激光器镜面反射系数 DKl\N~{F  
5. DFB激光器的藕合模理论 [Qqss8a  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 @%^h|g8>Fu  
7. 等效折射率近似 w`zS`
+4  
8. 数值模拟 yv$hIU2X  
91k-os
(4]  
三.半导体中的光跃迁和增益 v,iq,p)&  
1. 费米分布函数及跃迁速率 EKmn@S-&P  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 #VZ js`d6  
3.简约态密度及增益谱 &m TYMpA  
4.模式的自发辐射速率 .j"@7#
tW  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 A 0;ng2&  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 |"eC0u  
7.增益谱峰值的近似表达式 W4nhPH(  
<anU#bEuQ  
四. 速率方程和动态效应 `t g=__D  
1．单模速率方程及基本物理量 N#X* 0i"  
2．稳态输出 ]BmnE#n&  
3. 共振频率和3dB带宽 DMKtTt[}  
4. 载流子输运效应对带宽影响 >;f
n,9w  
5. 开启延迟时间 Hig.` P  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 J d,9<m$  
7. 自发辐射引起的噪声
RXO5pd  
8. 相对强度噪声 ?H8dyQ5"  
9. 模式线宽 ?MvL}o\|  
10. 多模速率方程 jk%H+<FU`  
VpED9l]y  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ,lb}&uZo  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 L#!m|_Mz  
3.激光器寿命 WkPT6d  
4.激光器阈值电流的温度特性 5wv7]F<  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。