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半导体激光器的设计和工艺 EN^5Hppb  
黄永箴 z#m ~}  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 8u6*;*o  
集成光电子国家重点实验室 yhc}*BMZ  
!cW6dc^  
一. 半导体激光器的基本结构 $i1$nc8  
1.半导体双异质结构 %py3fzg  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 1R-WJph  
3. 侧模控制(基侧模) yw\Q>~$n[=  
4.横模控制 zc K`hS  
5. 动态单模半导体激光器 Zjd9@  
6. 波长可调谐半导体激光器 #Pt_<?JtV  
7.长波长VCSEL的进展 xa8;"Y~"bg  
8.微腔激光器和光子晶体 pLSh +*F  
9.半导体激光器材料的选择 \xG_q>1_  
c^3,e/H  
二.半导体光波导 5If.[j{  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 {>g{+Eq  
2. 光限制因子和模式增益 5:|9pe)  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 tTOBKA89  
4. 半导体激光器镜面反射系数 'hR0JXy  
5. DFB激光器的藕合模理论 ZmI0|r}QbY  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 DQ<4`wEM  
7. 等效折射率近似 zX lcu_rc  
8. 数值模拟 GXG 7P,p,  
0 30LT$&!  
三.半导体中的光跃迁和增益 oz:"w nX  
1. 费米分布函数及跃迁速率 't6l@_x  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 tq}MzKI*  
3.简约态密度及增益谱 x ]">  
4.模式的自发辐射速率 /k8I6  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 {xx}xib3  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 kDol1v`  
7.增益谱峰值的近似表达式 `WIZY33V  
9#TD1B/  
四. 速率方程和动态效应 tn#cVB3  
1．单模速率方程及基本物理量 f0vO(@I  
2．稳态输出 >
$7x]f  
3. 共振频率和3dB带宽 Fei5'  
4. 载流子输运效应对带宽影响 !KMl'kswe:  
5. 开启延迟时间 ( +Sv3h  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 oUwo!n}  
7. 自发辐射引起的噪声 <Y."()}GeH  
8. 相对强度噪声 V:w%5'^3  
9. 模式线宽  V1B!5N<  
10. 多模速率方程 w]t'2p-'  
23P&n(.  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 g'KxjjYT,  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 9j|v D  
3.激光器寿命 a
 M9v  
4.激光器阈值电流的温度特性 %ggf|\-e  
h~7#$i  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。