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半导体激光器的设计和工艺 +^3L~?  
黄永箴 Vm%ux>}  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 :|6D@  
集成光电子国家重点实验室 tFP;CW!E  
{ 'mY>s7  
一. 半导体激光器的基本结构 rgY?X$1q_  
1.半导体双异质结构 w
P *a>a  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) !/q&0a  
3. 侧模控制(基侧模) #z54/T  
4.横模控制 5~rY=0t  
5. 动态单模半导体激光器 M#jeeE-}%  
6. 波长可调谐半导体激光器 _ .  
7.长波长VCSEL的进展 .6-o?=5  
8.微腔激光器和光子晶体 _(A+_|  
9.半导体激光器材料的选择 O%h 97^%k  
$ax%K?MBD  
二.半导体光波导 )( jNd&H  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 aNf3 R;*  
2. 光限制因子和模式增益
sn-+F%
[  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 .Im+()b&&  
4. 半导体激光器镜面反射系数 :s5<AT Q  
5. DFB激光器的藕合模理论 (HD>vNha1  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 6!L*q  
7. 等效折射率近似 ^*~u4
app  
8. 数值模拟 o2UJ*4  
~w}[ ._'#M  
三.半导体中的光跃迁和增益 G Z[5m[  
1. 费米分布函数及跃迁速率 -bX.4+U  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `pS)qx.a  
3.简约态密度及增益谱 ^RDXX+  
4.模式的自发辐射速率 Kpbber  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 p:n^c5  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 R$,iDv.jI  
7.增益谱峰值的近似表达式 &7nfTc  
F[giq1#  
四. 速率方程和动态效应 (ZR"O8  
1．单模速率方程及基本物理量 P VW9iT+c  
2．稳态输出 #AnSjl  
3. 共振频率和3dB带宽 3 AF]en  
4. 载流子输运效应对带宽影响 g\h7`-#t  
5. 开启延迟时间 49kia!FR  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 w)>z3Lm  
7. 自发辐射引起的噪声 G~L#vAY  
8. 相对强度噪声 DG FvRB  
9. 模式线宽 j`pR;XL1[  
10. 多模速率方程 %QZ!Tb  
1VsEic  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 H ?:#Ui(p  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 $?Mz[X  
3.激光器寿命 H%%nB  
4.激光器阈值电流的温度特性 IYC#H}  
$ T_EsnN  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。