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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 bMe/jQuL.$  
    黄永箴 D d['e  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 PkM]jbLe8  
    集成光电子国家重点实验室 !1G6ZC:z  
    v@m2c_,  
    一. 半导体激光器的基本结构 HRQ3v`P.  
    1.半导体双异质结构 u!4i+7}  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) CK[w0VCT  
    3. 侧模控制(基侧模) %?<Y&t  
    4.横模控制 `"@Pr,L   
    5. 动态单模半导体激光器 s{g^K#BoFi  
    6. 波长可调谐半导体激光器 B^|^hZZ>  
    7.长波长VCSEL的进展 {`RCh]W  
    8.微腔激光器和光子晶体 KHnq%#  
    9.半导体激光器材料的选择 t`F<lOKj  
    6:\0=k5  
    二.半导体光波导 Fsdp"X.  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 l!S}gbM  
    2. 光限制因子和模式增益 \%],pZsA~  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 =:neGqd\_E  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 %=w@c  
    5. DFB激光器的藕合模理论 "~V|p3  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 <!qN<#$y  
    7. 等效折射率近似 IOL5p*:gz  
    8. 数值模拟 4Ny lc.2mi  
    M~h^~:Lk  
    三.半导体中的光跃迁和增益 +K2p2Dw(k  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 dd?ZQ:n  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `1xJ1 z#  
    3.简约态密度及增益谱 le7!:4/8  
    4.模式的自发辐射速率 +"yt/9AO  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |.]g&m)y^h  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 YRU1^=v  
    7.增益谱峰值的近似表达式 PiL[&_8g  
    PxAUsY  
    四. 速率方程和动态效应 Nbyc,a[o  
    1.单模速率方程及基本物理量 +HAd=DU  
    2.稳态输出 :,8eM{.Q  
    3. 共振频率和3dB带宽 y [jck:  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 NzBX2  
    5. 开启延迟时间 $bo,m2)  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $!LL  
    7. 自发辐射引起的噪声 ]=ubl!0=:  
    8. 相对强度噪声 zWA~0l.2  
    9. 模式线宽 PI-o)U$Ehv  
    10. 多模速率方程  0?80V'  
    1yK=Yf%B  
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 9coN >y  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 sjW;Nsp  
    3.激光器寿命 'uBagd>*  
    4.激光器阈值电流的温度特性 E9N.b.Q)  
    +M s`C)f  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
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