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半导体激光器的设计和工艺 ~1g)4g~  
黄永箴 >713H!uj  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1(4}rB3  
集成光电子国家重点实验室 }n;.E&<[  
DFvj  
一. 半导体激光器的基本结构 FC&841F  
1.半导体双异质结构 kWm[Lt  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ~z$+uK  
3. 侧模控制(基侧模) _2Hehw  
4.横模控制 '6zk>rN  
5. 动态单模半导体激光器 47
yzI-1H+  
6. 波长可调谐半导体激光器 ;
]A:(HSZj  
7.长波长VCSEL的进展 ZhnRsn9  
8.微腔激光器和光子晶体 (V:)`A_-  
9.半导体激光器材料的选择 0WO-+eRB/  
%;-r->  
二.半导体光波导 5y8ajae:  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ^>/] Qi  
2. 光限制因子和模式增益 p/4}SU  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 =t!$72g\  
4. 半导体激光器镜面反射系数 c[zaYcbl  
5. DFB激光器的藕合模理论 qV&ai{G:  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 JXKo zy41  
7. 等效折射率近似 :kw14?]_  
8. 数值模拟 'joE-{  
$QC^hC  
三.半导体中的光跃迁和增益 g(-}M`  
1. 费米分布函数及跃迁速率 hutdw>  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 k.K;7GZC  
3.简约态密度及增益谱 5 cz6\A&  
4.模式的自发辐射速率 Y. 1dk  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 &?(472<f**  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 5lYzgt-oP  
7.增益谱峰值的近似表达式 ]<<+#Rg  
N3SB-E+  
四. 速率方程和动态效应 m>8tA+K)+)  
1．单模速率方程及基本物理量 S<=
|i  
2．稳态输出 NWt5)xl  
3. 共振频率和3dB带宽 r]yI5 ;  
4. 载流子输运效应对带宽影响 fF.qQTy;7  
5. 开启延迟时间 v3Xt<I=4y  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 nA 5-P}  
7. 自发辐射引起的噪声 h$#zuqm  
8. 相对强度噪声 qytH<UB  
9. 模式线宽 S/H!a:_5r  
10. 多模速率方程 ?CHFy2%Y  
wW1>#F  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 |p"4cG?)  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 |\] _u 3  
3.激光器寿命 r>.^4Z@  
4.激光器阈值电流的温度特性 6"PwOEt  
u8sK~1CPf  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。