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半导体激光器的设计和工艺 K=)R!e8  
黄永箴 nE;gM1I  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Hv\*
F51p=  
集成光电子国家重点实验室 QR'g*Bro  
QEKFuY<E+  
一. 半导体激光器的基本结构 Biy 9jIWI  
1.半导体双异质结构 ($
W 5fbu  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) lz 6 Aj  
3. 侧模控制(基侧模) $ZO<8|bW  
4.横模控制 &L]*]Xz;  
5. 动态单模半导体激光器 `.g8JC\_m  
6. 波长可调谐半导体激光器 O;BPd:<  
7.长波长VCSEL的进展 sD+G+  
8.微腔激光器和光子晶体 uyj*v]AE'  
9.半导体激光器材料的选择 |Z
e}bM=N  
R-fjxM*  
二.半导体光波导 1_C6
KS  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 j.}V~Sp*  
2. 光限制因子和模式增益 "r"An"  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 O$/swwB!  
4. 半导体激光器镜面反射系数 5#\p>}[HG  
5. DFB激光器的藕合模理论 ""^BW Re D  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 }8: -I Nj4  
7. 等效折射率近似 y3]"H(  
8. 数值模拟 e~;)-Z  
n
0pe7/Ai  
三.半导体中的光跃迁和增益 Z-a(3&  
1. 费米分布函数及跃迁速率 =_J<thp  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 vP?S0>gh  
3.简约态密度及增益谱 Yj\yO(o/  
4.模式的自发辐射速率 vh8Kd' y  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Xy<f_  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 nF$)F?||  
7.增益谱峰值的近似表达式 OZm[iH  
=Gz>ZWF  
四. 速率方程和动态效应 ss8v4@C  
1．单模速率方程及基本物理量 i6 ?JX@I  
2．稳态输出 7=A9E]:  
3. 共振频率和3dB带宽 >8O=^7  
4. 载流子输运效应对带宽影响 5udoZ>T  
5. 开启延迟时间 NV4W2thYo  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 N|
2  
7. 自发辐射引起的噪声 ldvxYq<:  
8. 相对强度噪声 F)kLlsp  
9. 模式线宽 SfSEA^@|  
10. 多模速率方程 6G$tYfX  
H)aC'M^
 
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ^>{;9lo<  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 g*r;( H>e  
3.激光器寿命 EoR6Rx@Z  
4.激光器阈值电流的温度特性 %E7.$Gj%  
3|r!*+.  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。