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半导体激光器的设计和工艺 U O YM  
黄永箴 T-xcd  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 kn
5q1^  
集成光电子国家重点实验室 ) 2wof(  
(^ZC8)0i(  
一. 半导体激光器的基本结构 X4!` V?  
1.半导体双异质结构 |fYNkD8z1  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 57
Y(_h:  
3. 侧模控制(基侧模) 8E H#IiP  
4.横模控制 cR
4xy26s  
5. 动态单模半导体激光器 _*0!6?c  
6. 波长可调谐半导体激光器 Vz1ro  
7.长波长VCSEL的进展 NS6#od ZeV  
8.微腔激光器和光子晶体 cR[)[9}  
9.半导体激光器材料的选择  j/TsHJ=  
hzg&OW=:  
二.半导体光波导  gG1%.q  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 x|<rt966A  
2. 光限制因子和模式增益 KV k 36;$  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0t*JP
 
4. 半导体激光器镜面反射系数 "[L[*>[9!  
5. DFB激光器的藕合模理论 ,DqI> vx|  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 68V66:0  
7. 等效折射率近似 T;w%-k\<r  
8. 数值模拟 _}:9ic]e  
/k|y\'<  
三.半导体中的光跃迁和增益 kLU$8L  
1. 费米分布函数及跃迁速率 1@"eeR  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 T3u%V_  
3.简约态密度及增益谱 7FW!3~3A_  
4.模式的自发辐射速率
Ytmt+9  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 5rRYv~+  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 |k$[+53A  
7.增益谱峰值的近似表达式 ..UmbJJ.u  
R!0O[i  
四. 速率方程和动态效应 %k_R;/fjW  
1．单模速率方程及基本物理量 dy-m9fc6%  
2．稳态输出 /zMiy?  
3. 共振频率和3dB带宽 tH,}_Bp  
4. 载流子输运效应对带宽影响 rY4{,4V  
5. 开启延迟时间 B4
bC6$Lg  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8fKt6T  
7. 自发辐射引起的噪声 $`(}ygmP  
8. 相对强度噪声 "X4OUk  
9. 模式线宽 L(XGD  
10. 多模速率方程 'e_^s+l)a  
biKom|<nm  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 xbnx*4o0  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Ac0C
,*|^  
3.激光器寿命 1q0DOf]!T  
4.激光器阈值电流的温度特性 A6v02WG_1T  
}]$%aMxy T  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。