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半导体激光器的设计和工艺 s0SzO,Vi  
黄永箴 ]VI^
hhf  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 }9fa]D-a?  
集成光电子国家重点实验室 .U1wVIM  
Q0U~s\<  
一. 半导体激光器的基本结构 1!#N-^qk  
1.半导体双异质结构 S=UuEmU5N  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &.)=>2  
3. 侧模控制(基侧模) &K^0PzWWof  
4.横模控制 Rlq7.2cP  
5. 动态单模半导体激光器 $RD~,<oEm  
6. 波长可调谐半导体激光器 }icCp)b>v  
7.长波长VCSEL的进展 Blpk n1  
8.微腔激光器和光子晶体 QYH-"-)  
9.半导体激光器材料的选择 .t8)`MU6.  
:/5m D  
二.半导体光波导 vm [lMx  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 <L
}@p8Lq  
2. 光限制因子和模式增益 &G{GLP?H  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ? x)^f+:9|  
4. 半导体激光器镜面反射系数 gQnr.  
5. DFB激光器的藕合模理论 d ^bSV4  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 KOcB#UHJ  
7. 等效折射率近似 \
""^
'pP@  
8. 数值模拟 iN;Pg_Kq  
l<=;IMWd  
三.半导体中的光跃迁和增益 1Bytu >2  
1. 费米分布函数及跃迁速率 z:QDWH  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :'%6
  
3.简约态密度及增益谱 g4?2'G5m?  
4.模式的自发辐射速率 X~{6$J|]#i  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 -U|c~Cqc  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 -cgO]q+Oq  
7.增益谱峰值的近似表达式 ~1G^IZ6  
RXgb/VR  
四. 速率方程和动态效应 LlTD =tJ0  
1．单模速率方程及基本物理量 i ;FKnK  
2．稳态输出 8v$q+Wic  
3. 共振频率和3dB带宽 V DF
gu  
4. 载流子输运效应对带宽影响 i VSNara  
5. 开启延迟时间 {R1]tGOf  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 yV^Yp=f_  
7. 自发辐射引起的噪声 -^p{J TB+  
8. 相对强度噪声 (:oF\  
9. 模式线宽 j7I=2xnTWu  
10. 多模速率方程 >* -IIo  
is.t,&H4P]  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Wf~^,]9N  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 g)hEzL0k  
3.激光器寿命 iOfm:DTPr  
4.激光器阈值电流的温度特性 = 0 ~4k#  
%4~"$kE  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。