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半导体激光器的设计和工艺 2/^3WY1U  
黄永箴 #c!lS<z  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 
U8?mc  
集成光电子国家重点实验室 f$$/H>MJ  
TD0 B%  
一. 半导体激光器的基本结构 ;6$jf:2m  
1.半导体双异质结构 va@Lz&sAE%  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ^yp
{32  
3. 侧模控制(基侧模) v
k^xT  
4.横模控制 SqpaFWr  
5. 动态单模半导体激光器 ZY+qA  
6. 波长可调谐半导体激光器 b4kgFA  
7.长波长VCSEL的进展 CA~-rv  
8.微腔激光器和光子晶体 73;GW4,  
9.半导体激光器材料的选择 *GPiOA a  
}Sv:`9=  
二.半导体光波导 >y3=|  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 TvbE2Q;/UL  
2. 光限制因子和模式增益 kl:Bfs)b  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 gM:".Ee  
4. 半导体激光器镜面反射系数 46h<,na?,  
5. DFB激光器的藕合模理论 wmLs/:~  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Dp9+HA9
t  
7. 等效折射率近似 UCjld  
8. 数值模拟 =7eV/3  
O\r0bUPE  
三.半导体中的光跃迁和增益 z Iu'[U  
1. 费米分布函数及跃迁速率 S,he6zS  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 xy;;zOh`  
3.简约态密度及增益谱 4V`G,W4^J  
4.模式的自发辐射速率 [4f{w%~^  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b>ySv  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ^1];S^nD  
7.增益谱峰值的近似表达式 Gd85kY@w7  
Dlvz)  
四. 速率方程和动态效应 R6->t #n,  
1．单模速率方程及基本物理量 &6VnySE?  
2．稳态输出 :V||c5B+  
3. 共振频率和3dB带宽 6'f;-2  
4. 载流子输运效应对带宽影响 D&y7-/  
5. 开启延迟时间 `ERz\`d~Y;  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 +NUG  
7. 自发辐射引起的噪声 eHUOU>&P]  
8. 相对强度噪声 ~D>p0+-c  
9. 模式线宽 'I;zJ`Trd  
10. 多模速率方程 pQB."[n  
-QNh  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 1'8YkhQ2a  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 [$UI8tV  
3.激光器寿命 qHsA1<wg  
4.激光器阈值电流的温度特性 JBZ@'8eqi]  
-KbYOb  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。