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半导体激光器的设计和工艺 ;/e!!P]jP 黄永箴 $`]<4I9d 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 @$tQz 集成光电子国家重点实验室 'kYV}rq;l ?VReKv1\ 一. 半导体 激光器的基本结构 _}Z*%sT 1.半导体双异质结构 vwP516EM 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) g,Q!F 3. 侧模控制(基侧模) o5zth^p[ 4.横模控制 '+-R 7# 5. 动态单模半导体激光器 N}s[0s 6. 波长可调谐半导体激光器 sPbtv[bC 7.长波长VCSEL的进展 ^DIN(0u) 8.微腔激光器和光子 晶体 (4b&}46 9.半导体激光器材料的选择 vA+ RZ {V:?r 二.半导体光波导 (&X"~:nm2 1. 平板波导的模式,TE和TM模 Lu-owP7nB 2. 光限制因子和模式增益 `[Lap=.'. 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 AKL~F|t 4. 半导体激光器镜面反射系数 s31^9a 5. DFB激光器的藕合模理论 ^3*gf} 6. DFB半导体激光器的一维模拟 b6g,mzqu 7. 等效折射率近似 l`,`N+FG 8. 数值模拟 12cfqIo9 `&0?e- 三.半导体中的光跃迁和增益 ,riwxl5*E/ 1. 费米分布函数及跃迁速率
@| 5B 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 @Z.Ne:*J 3.简约态密度及增益谱 ?J)%.~! 4.模式的自发辐射速率 gR1X@j$_ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `DJIY_{-2 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 R_Eu*Quj 7.增益谱峰值的近似表达式 MRmz/ZmRM a9D5qj 四. 速率方程和动态效应 1eT| 1.单模速率方程及基本物理量 d(fgv 2.稳态输出 S%Ja:0=}? 3. 共振频率和3dB带宽 ")Bf^DV 4. 载流子输运效应对带宽影响 b6]M}ixK 5. 开启延迟时间 c*\^61T 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 i*2z7M Y
7. 自发辐射引起的噪声 PQf FpmG 8. 相对强度噪声 EiT
raWV"O 9. 模式线宽 SxQ|1:i% 10. 多模速率方程 : l]>nF4 >A1Yn]k 五.半导体激光器的基本工艺和特性 hvpn=0@M 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Y*"%;e$tg 3.激光器寿命 +mxs jcq0 4.激光器阈值电流的温度特性 -=g`7^qa> 8V4Qyi|@F 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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