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半导体激光器的设计和工艺 bMe/jQuL.$ 黄永箴 D d['e 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 PkM]jbLe8 集成光电子国家重点实验室 !1G6ZC:z v@m2c_, 一. 半导体 激光器的基本结构 HRQ3v`P. 1.半导体双异质结构 u!4i+7} 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) CK[w0VCT 3. 侧模控制(基侧模) %?<Y&t 4.横模控制 `"@Pr,L 5. 动态单模半导体激光器 s{g^K#BoFi 6. 波长可调谐半导体激光器 B^|^hZZ> 7.长波长VCSEL的进展 {`RCh]W 8.微腔激光器和光子 晶体 KHnq%# 9.半导体激光器材料的选择 t`F<lOKj 6:\0=k5 二.半导体光波导 Fsdp" X. 1. 平板波导的模式，TE和TM模
l!S}gbM 2. 光限制因子和模式增益 \%],pZsA ~ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 =:neGqd\_E 4. 半导体激光器镜面反射系数 %=w@c 5. DFB激光器的藕合模理论 "~V|p3 6. DFB半导体激光器的一维模拟 <!qN<#$y 7. 等效折射率近似 IOL5p*:gz 8. 数值模拟 4Ny lc.2mi M ~h^~:Lk 三.半导体中的光跃迁和增益 +K2p2Dw(k 1. 费米分布函数及跃迁速率 d d?ZQ:n 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `1xJ1 z# 3.简约态密度及增益谱 le7!:4 /8 4.模式的自发辐射速率 +"yt/9AO 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |.]g&m)y^h 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 YRU1^=v 7.增益谱峰值的近似表达式 PiL[& _8g PxAUsY 四. 速率方程和动态效应 Nbyc,a[o 1．单模速率方程及基本物理量 +HAd=DU 2．稳态输出 :,8eM{.Q 3. 共振频率和3dB带宽 y [jck: 4. 载流子输运效应对带宽影响 NzBX2 5. 开启延迟时间 $bo,m2) 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $! LL 7. 自发辐射引起的噪声 ]=ubl!0=: 8. 相对强度噪声 zWA~0l.2 9. 模式线宽 PI-o)U$Ehv 10. 多模速率方程 0?80V' 1yK= Yf%B 五.半导体激光器的基本工艺和特性 9coN >y 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 sj W;Nsp 3.激光器寿命 'uBa gd>* 4.激光器阈值电流的温度特性 E9N.b.Q) +M s`C)f 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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