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半导体激光器的设计和工艺 {: /}NpA$ 黄永箴 y29m /i : 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 KlEpzJ98 集成光电子国家重点实验室 *dQSw)R V~GDPJ+ 一. 半导体 激光器的基本结构 )~>YH*g 1.半导体双异质结构 - ). C 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) \bXa&Lq 3. 侧模控制(基侧模) 4W75T2q# 4.横模控制 wY ea\^co 5. 动态单模半导体激光器 43cE`9~ 6. 波长可调谐半导体激光器 }MySaL> 7.长波长VCSEL的进展 5P bW[ 8.微腔激光器和光子 晶体 K/$KI7 P 9.半导体激光器材料的选择 &{:-]g\ +`4A$# $+y 二.半导体光波导 l/D }
X 1. 平板波导的模式，TE和TM模 TeQV?ZQ#} 2. 光限制因子和模式增益 637:
oT_`O 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 6)J#OKZ 4. 半导体激光器镜面反射系数 \V:^h [ad 5. DFB激光器的藕合模理论 l ;U? Z'n 6. DFB半导体激光器的一维模拟 NK+ o1 7. 等效折射率近似 4i bc 8. 数值模拟 7)m9"InDI ICCc./l| 三.半导体中的光跃迁和增益 reVgqYp{{- 1. 费米分布函数及跃迁速率 *hrd5na 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ;S{(]K7i 3.简约态密度及增益谱 & kIFcd@ 4.模式的自发辐射速率 p_ =z# 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0(I j%Wi, 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 J,G
lIv.A 7.增益谱峰值的近似表达式 0x7'^Z>-oe /?!u{(h } 四. 速率方程和动态效应 )"LJ
hLg 1．单模速率方程及基本物理量 NI5``BwpO 2．稳态输出 =;k |*Ny 3. 共振频率和3dB带宽 - di o5a 4. 载流子输运效应对带宽影响 wBzC5T%, 5. 开启延迟时间 Ymgw-NJ;( 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 2:R+tn(F 7. 自发辐射引起的噪声 E4!Fupkpf 8. 相对强度噪声 Bt#N4m[X*| 9. 模式线宽 tgaO!{9I? 10. 多模速率方程 JRFtsio* /=h` L , 五.半导体激光器的基本工艺和特性 Je @v8{][| 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ddo#P%sH ' 3.激光器寿命 n(Uyz`qE 4.激光器阈值电流的温度特性 :EH=_" C?Ucu]cW 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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