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半导体激光器的设计和工艺 BV?N_/DXp  
黄永箴 \'tz|  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 FKnQwX.0  
集成光电子国家重点实验室 4~YQ\4h=  
KVpAV$|e  
一. 半导体激光器的基本结构 Ds,"E#?  
1.半导体双异质结构 {<4?o? 1g  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) l'".}6S  
3. 侧模控制(基侧模) J*KBG2+13  
4.横模控制 =M{CZm  
5. 动态单模半导体激光器 `+BaDns  
6. 波长可调谐半导体激光器 yi-"hT`  
7.长波长VCSEL的进展 rR
rW   
8.微腔激光器和光子晶体 c&?a,fpb  
9.半导体激光器材料的选择 f<4q]HCa  
cW\Y?x   
二.半导体光波导 !XA%[u  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 AnE_<sPA  
2. 光限制因子和模式增益 u+'@>%7  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 }rA+W-7  
4. 半导体激光器镜面反射系数 A+1]Ql)$  
5. DFB激光器的藕合模理论 ;4v}0N~.  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 7a]Zws  
7. 等效折射率近似 #0<y0uJ(y  
8. 数值模拟  [Ro0eH  
r2F  
三.半导体中的光跃迁和增益 /0&:Yp=>  
1. 费米分布函数及跃迁速率 5QFXj)hR+4  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Dw/Gha/  
3.简约态密度及增益谱 <Bb<?7q$ld  
4.模式的自发辐射速率 '[yqi1 &  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b|8>eY  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Q()RO*9  
7.增益谱峰值的近似表达式 m/c&/6nk  
g6/N\[b%  
四. 速率方程和动态效应 MD ?F1l"}%  
1．单模速率方程及基本物理量 cvXI]+`<3\  
2．稳态输出 lPcVhj6No%  
3. 共振频率和3dB带宽 f'`nx;@X  
4. 载流子输运效应对带宽影响 [gh[F  
5. 开启延迟时间 NuS|X   
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 <AAZ8#^
  
7. 自发辐射引起的噪声 -=t3O#  
8. 相对强度噪声 )\D40,
p  
9. 模式线宽 &;h~JS=  
10. 多模速率方程 EfBVu  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 l88a#zUQDN  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 qzlMn)e  
3.激光器寿命 ZH$sMh<xg  
4.激光器阈值电流的温度特性 E4v_2Q -w  
Xlqz8cI  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。