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半导体激光器的设计和工艺 >*wF~G*k  
黄永箴 |}FK;@'I6  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 o94]:$=~  
集成光电子国家重点实验室 -&7\do<  
un&Z' .   
一. 半导体激光器的基本结构 ZH1W#dt`[  
1.半导体双异质结构 E7CeE6U  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 342m=7l
K  
3. 侧模控制(基侧模) FX yyY-(O  
4.横模控制 34Fc oud);  
5. 动态单模半导体激光器 ]N& Y25oT5  
6. 波长可调谐半导体激光器 76} a  
7.长波长VCSEL的进展 cn3F3@_"\  
8.微腔激光器和光子晶体 rw|;?a0  
9.半导体激光器材料的选择 lMQ_S"  
#s}cK  
二.半导体光波导 ZaZm$.s n  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 cu@i;Hb@  
2. 光限制因子和模式增益 6-+q3#
e  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 )-u0n],  
4. 半导体激光器镜面反射系数 2!Gb
4V  
5. DFB激光器的藕合模理论 M'gL_Xsei  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 k$NNpv&;d  
7. 等效折射率近似 )tD[Ffvr  
8. 数值模拟 J^Mq4&  
drM@6$k  
三.半导体中的光跃迁和增益 JO&~mio  
1. 费米分布函数及跃迁速率 fecV[  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 VJf|r#2  
3.简约态密度及增益谱 f6*6*=  
4.模式的自发辐射速率 e -yL  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 z2 m(<zb  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 p-S&Wq  
7.增益谱峰值的近似表达式 4H]~]?F&  
GdlzpBl  
四. 速率方程和动态效应 -,Oq=w*EV  
1．单模速率方程及基本物理量 j{`C|zg  
2．稳态输出 cU[^[;4J<  
3. 共振频率和3dB带宽 oZ!1^o3V  
4. 载流子输运效应对带宽影响 *^@{LwY\M  
5. 开启延迟时间 RP9jZRDbZ  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 jI;iTKjB(  
7. 自发辐射引起的噪声 dsiQ~ [   
8. 相对强度噪声 h8)m2KrZ!.  
9. 模式线宽 b<]
Ae!I'  
10. 多模速率方程  A|90Ps  
fK?/o]vq  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 YPU*T&~  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Bok
pvd-c7  
3.激光器寿命 Ht,dMt>:  
4.激光器阈值电流的温度特性 V:Lq>rs#  
|({ M8!BS  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。