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半导体激光器的设计和工艺 2/^3WY1U 黄永箴 #c!lS<z 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 U8?mc 集成光电子国家重点实验室 f$$ /H>MJ TD0
B% 一. 半导体 激光器的基本结构 ;6$jf:2m 1.半导体双异质结构 va@Lz&sAE% 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ^yp{32 3. 侧模控制(基侧模) vk^xT 4.横模控制 SqpaFWr 5. 动态单模半导体激光器 ZY+qA 6. 波长可调谐半导体激光器
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7.长波长VCSEL的进展 CA~-rv 8.微腔激光器和光子 晶体 73;GW4, 9.半导体激光器材料的选择 *GPiOA
a }Sv:`9= 二.半导体光波导 >y3=| 1. 平板波导的模式,TE和TM模 TvbE2Q;/UL 2. 光限制因子和模式增益 kl:Bfs)b 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 gM:".Ee 4. 半导体激光器镜面反射系数 46h<,na?, 5. DFB激光器的藕合模理论 wmLs/:~ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 Dp9+HA9t 7. 等效折射率近似 UCj ld 8. 数值模拟 =7eV/3 O\r0bUPE 三.半导体中的光跃迁和增益 z
Iu'[U 1. 费米分布函数及跃迁速率 S,he6zS 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 xy;;zOh` 3.简约态密度及增益谱 4V`G,W4^J 4.模式的自发辐射速率 [4f{w%~^ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b>ySv 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ^1];S^nD 7.增益谱峰值的近似表达式 Gd85kY@w7 Dlvz) 四. 速率方程和动态效应 R6->t #n, 1.单模速率方程及基本物理量
&6VnySE? 2.稳态输出 :V||c 5B+ 3. 共振频率和3dB带宽 6'f;-2 4. 载流子输运效应对带宽影响 D&y7-/ 5. 开启延迟时间 `ERz\`d~Y; 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 +NUG 7. 自发辐射引起的噪声 eHUOU>&P] 8. 相对强度噪声 ~D>p0+-c 9. 模式线宽 'I;zJ`Trd 10. 多模速率方程 pQB."[n -QNh 五.半导体激光器的基本工艺和特性 1'8YkhQ2a 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
[$UI8tV 3.激光器寿命 qHsA1<wg 4.激光器阈值电流的温度特性 JBZ@'8eqi] -KbYOb 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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