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半导体激光器的设计和工艺 Guk.,}9  
黄永箴 }3v'Cp0L  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 EY+/.=$x  
集成光电子国家重点实验室 TZ?Os4+  
hi!L\yi  
一. 半导体激光器的基本结构 p"Ot5!F>  
1.半导体双异质结构 P^ptsZ%  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Z?m -&%  
3. 侧模控制(基侧模) -O'{:s~  
4.横模控制 5]
jx5!N  
5. 动态单模半导体激光器 16"#i  
6. 波长可调谐半导体激光器 TT'Ofvdc  
7.长波长VCSEL的进展 N>
+P WE$  
8.微腔激光器和光子晶体 Lltc4Mzw  
9.半导体激光器材料的选择 &^V~cJ  
 t?gJ
NOV  
二.半导体光波导 YiD-F7hf.*  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 _p\629`  
2. 光限制因子和模式增益 z0#-)AeS  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 -x{dc7y2  
4. 半导体激光器镜面反射系数 0y)}.'  
5. DFB激光器的藕合模理论 'eDJ@4Xm  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 UQ/qBbn  
7. 等效折射率近似 rkkU"l$v  
8. 数值模拟 94\t1fE  
&~RR&MdZ2  
三.半导体中的光跃迁和增益 BR+nL6sU  
1. 费米分布函数及跃迁速率 z9[[C^C  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 U4Z[!s$  
3.简约态密度及增益谱 pD"YNlB^  
4.模式的自发辐射速率 Rj^7#,993  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 4t04}vp  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 >ajuk  
7.增益谱峰值的近似表达式 MhNFW'_  
q#MM
  
四. 速率方程和动态效应 W4(v6>5l  
1．单模速率方程及基本物理量  >1A*MP4  
2．稳态输出 7KU~(?|:h  
3. 共振频率和3dB带宽 P''X_1oMC  
4. 载流子输运效应对带宽影响 'l~6ErBSg  
5. 开启延迟时间 r!7Y'|  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 cB#nsu>  
7. 自发辐射引起的噪声 \#CM <%  
8. 相对强度噪声 -T7%dLHY  
9. 模式线宽 ;6ky5}z  
10. 多模速率方程 J{`eLmTu  
98fu>>*G{  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ` @8`qXg  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 EM@;3.IO  
3.激光器寿命 '0:i<`qv#g  
4.激光器阈值电流的温度特性 'B_\TU0 O  
7{f_fkbs  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。