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半导体激光器的设计和工艺 v/.'st2%  
黄永箴 y~@zfJ5/^  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 %BP>,E/w  
集成光电子国家重点实验室 ^hmV?a:Y  
r(46jV.sD:  
一. 半导体激光器的基本结构 E)gD"^rex  
1.半导体双异质结构 ,0.kg  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) f7lj,GAZ  
3. 侧模控制(基侧模) _>
Raw  
4.横模控制 Aj4 a-vd.  
5. 动态单模半导体激光器 !S#3mT-  
6. 波长可调谐半导体激光器 hx$61E=  
7.长波长VCSEL的进展 -}|L<~  
8.微腔激光器和光子晶体 ehr-o7](  
9.半导体激光器材料的选择 1 _?8OU  
EIg~^xK  
二.半导体光波导 5mD8$%\8  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 A51 a/p#  
2. 光限制因子和模式增益 v$|~ g'6  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 yu6{6[  
4. 半导体激光器镜面反射系数 <46&R[17M  
5. DFB激光器的藕合模理论 (WyNO QO'  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 (?7=,A7^  
7. 等效折射率近似 3R+%C*7  
8. 数值模拟 5@w6pda  
1 :p'  
三.半导体中的光跃迁和增益 nn_O"fZi  
1. 费米分布函数及跃迁速率 hu
l,Yd) Z  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ` kT\V'  
3.简约态密度及增益谱 #1DEZ4]jjY  
4.模式的自发辐射速率 tDX&~1s  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ayy\7b  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 @M5+12FYt  
7.增益谱峰值的近似表达式 -3{Q`@F  
rx1u*L  
四. 速率方程和动态效应 -G~]e6:zD  
1．单模速率方程及基本物理量 _x,X0ncv]@  
2．稳态输出 b>;?{  
3. 共振频率和3dB带宽 FvpU]
 
4. 载流子输运效应对带宽影响 Q)DEcx-|,  
5. 开启延迟时间 V`^*Z}d9  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 da7"Q{f+  
7. 自发辐射引起的噪声 $[>{s9E  
8. 相对强度噪声 .Vbd-jr'M  
9. 模式线宽 {dpC;jsW1  
10. 多模速率方程 eiKY az  
h0tiWHw  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 
~~W.]>f  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 %Jt35j@Ee  
3.激光器寿命 6]brL.eGj  
4.激光器阈值电流的温度特性 :?6HG_9X  
.xJ54Vz  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。