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半导体激光器的设计和工艺 Qi=0[  
黄永箴 yt,Ky8y1  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 4s'%BM-r-  
集成光电子国家重点实验室 {(asy}a9K  
n)D  
一. 半导体激光器的基本结构 PBEi"`i  
1.半导体双异质结构 lk81IhI  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) }hm_Ws  
3. 侧模控制(基侧模) ^5?|Dj  
4.横模控制 iPG:w+G  
5. 动态单模半导体激光器 n_Y7*3/b-o  
6. 波长可调谐半导体激光器 uTJz"c`F  
7.长波长VCSEL的进展 Sd.Km a  
8.微腔激光器和光子晶体 gcO$
T`  
9.半导体激光器材料的选择 Slv:CM M  
-k2|`t _  
二.半导体光波导 m#O; 1/P  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 (n2_HePE  
2. 光限制因子和模式增益 %BMlcm7Ec  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 GNB'.tJ:0Y  
4. 半导体激光器镜面反射系数 B`3z(a92S  
5. DFB激光器的藕合模理论 -byaV;T?"  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ]c|JxgU  
7. 等效折射率近似 SfrM|o  
8. 数值模拟 3fZoF`<a  
` l'QAIo  
三.半导体中的光跃迁和增益 O7.eq524  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ~ oq.yn/1  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :M`~9MCRf  
3.简约态密度及增益谱 lg ,%  
4.模式的自发辐射速率 >dw 0@T&p  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 e}7!A  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 eAjR(\f>  
7.增益谱峰值的近似表达式 `C-8zA  
-'WR9M?fq  
四. 速率方程和动态效应 [TqX"@4NS  
1．单模速率方程及基本物理量 []yIz1P=j  
2．稳态输出 KIWHn_ :  
3. 共振频率和3dB带宽 C{G=Y[?oc  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Ad3TD L?  
5. 开启延迟时间 P
%Q'w  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 '0_W<lGB  
7. 自发辐射引起的噪声 Q?([#  
8. 相对强度噪声 Ky8,HdAq  
9. 模式线宽 )S`Yl;oL  
10. 多模速率方程 Rp:I&f$Hk/  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 s,/C^E  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 UMFM.GI  
3.激光器寿命 *r9D+}Y(4  
4.激光器阈值电流的温度特性 Z?9G2<i  
Hl{ul'o  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。