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半导体激光器的设计和工艺 8.S&J6  
黄永箴 o(=\FNe  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1'O++j_%y  
集成光电子国家重点实验室 tnv @`xBn  
osS?SuQTE  
一. 半导体激光器的基本结构 vhA4ol  
1.半导体双异质结构 W$g<nhLK  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) @+OX1-dd/w  
3. 侧模控制(基侧模) n&? --9r  
4.横模控制 yMdE[/+3  
5. 动态单模半导体激光器 73b(A|kQ@  
6. 波长可调谐半导体激光器 >}& :y{z~  
7.长波长VCSEL的进展 IQ$cLr-S  
8.微腔激光器和光子晶体 `Ap<xT0H  
9.半导体激光器材料的选择 YueY
a#7z  
u@V|13p<  
二.半导体光波导 @WmEcX|  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 f-lM[\ma_  
2. 光限制因子和模式增益 ws!pp\F  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |\PI"rW  
4. 半导体激光器镜面反射系数 -@6R`m=>  
5. DFB激光器的藕合模理论 7rF )fKW  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 qD@]FEw!O  
7. 等效折射率近似 k[{h
$  
8. 数值模拟 =UGyZV:z5  
rD"$,-h  
三.半导体中的光跃迁和增益 2pKkg>/S  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Bu[sS
oA  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 avJ%J"j8z  
3.简约态密度及增益谱 it Byw1/  
4.模式的自发辐射速率 g4Y1*`}2f  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 nY]5pOF:  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~F gxhK2+  
7.增益谱峰值的近似表达式 d) i:-#Q  
#qx$ p  
四. 速率方程和动态效应 zEHX:-f8  
1．单模速率方程及基本物理量 :eL{&&6  
2．稳态输出 _h?hFs,N]  
3. 共振频率和3dB带宽 TBAF_$  
4. 载流子输运效应对带宽影响 J>@T'#  
5. 开启延迟时间 zWN<"[agc  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Yo 0wufbfV  
7. 自发辐射引起的噪声 16J"QUuG  
8. 相对强度噪声 mE|?0mRA %  
9. 模式线宽 2.,4b-^  
10. 多模速率方程 A_:CGtv:  
Mj9Mv<io  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 O,a1?_m8  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 `#/0q*$  
3.激光器寿命 ,QB]y|:  
4.激光器阈值电流的温度特性 $(3mpQAg  
n<GTc{>Z  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。