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半导体激光器的设计和工艺 no8\Oees 黄永箴 U@q5`4-!8 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 +d#8/ S* 集成光电子国家重点实验室 ]r# b:W\ Ja~8ZrcY 一. 半导体 激光器的基本结构 ho $}#o 1.半导体双异质结构 ogIu\kiZ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 6hj[/O)E 3. 侧模控制(基侧模) +ZbNSN= 4.横模控制 ?;o0~][! 5. 动态单模半导体激光器 8 SU0q9X. 6. 波长可调谐半导体激光器 qR aPh:Q' 7.长波长VCSEL的进展 {XIpH r 8.微腔激光器和光子 晶体 m!KEK\5M? 9.半导体激光器材料的选择 rGQD+ d lD0a<L 3 二.半导体光波导 Gx$m"Jeq\ 1. 平板波导的模式，TE和TM模 .tKBmq0xo" 2. 光限制因子和模式增益 =CO Qv= GT 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 C7F\Y1Wj 4. 半导体激光器镜面反射系数 6~sU[thGW 5. DFB激光器的藕合模理论 |$
^ 3 5F 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ]2l}[
w71| 7. 等效折射率近似 c3GB Y@m 8. 数值模拟
2OpA1 $n6 r-Y J$/J 三.半导体中的光跃迁和增益 OK v2..8 1. 费米分布函数及跃迁速率 f/c&Ya(D~ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 -ysNo4#e& 3.简约态密度及增益谱 Ej)7[ 4.模式的自发辐射速率 3\4e{3$ 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 L+G0/G}O\ 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ^;ZpK@Luk 7.增益谱峰值的近似表达式 z2{y<a9;? SW%}S* h 四. 速率方程和动态效应 kSiyMDY- 1．单模速率方程及基本物理量 $1 B?@~& 2．稳态输出 md<^x(h"< 3. 共振频率和3dB带宽 6O,k! y> 4. 载流子输运效应对带宽影响 eH7x>[lH. 5. 开启延迟时间 bD =H $) 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 0^tY|(b3/M 7. 自发辐射引起的噪声 eCR^$z=c 8. 相对强度噪声 =v^#MU{k? 9. 模式线宽 `Y.~e E 10. 多模速率方程 |pS]zD [K,P)V> K 五.半导体激光器的基本工艺和特性 @5wc 3y 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 )NhC+=N 3.激光器寿命 im9 w|P 5 4.激光器阈值电流的温度特性 LZ_0=Xx% Dqo#+_v 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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