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半导体激光器的设计和工艺 #$E
vybETx 黄永箴 V y$\.2= 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 50A_+f.7% 集成光电子国家重点实验室 HL]?CWtGP $'Z!Y;Ue 一. 半导体 激光器的基本结构 i`;I"oY4 1.半导体双异质结构 lvlH5Fc 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) nFSa~M 3. 侧模控制(基侧模) :nt%z0_ 4.横模控制 ~MX@-Ff 5. 动态单模半导体激光器 N8TO"`wdbs 6. 波长可调谐半导体激光器 Mv3Ch'X[ 7.长波长VCSEL的进展 zO,sq%vQn' 8.微腔激光器和光子 晶体 xAflcY>Ozs 9.半导体激光器材料的选择 ;z#9>99rH gUcE,L 二.半导体光波导 gMbvHlT 1. 平板波导的模式,TE和TM模 y:L|]p}huE 2. 光限制因子和模式增益 ` {p5SYj 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 t/CNxfY 4. 半导体激光器镜面反射系数 jQhf)B 5. DFB激光器的藕合模理论 <4Fd~ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 x$E
l7=. 7. 等效折射率近似 qCMcN<:> 8. 数值模拟 -h}J%UV JcP'+@X" 三.半导体中的光跃迁和增益 Velmq'n 1. 费米分布函数及跃迁速率 V4>P8cE 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *HRRv.iQ 3.简约态密度及增益谱 [Zf<r1m 4.模式的自发辐射速率 v|xlI4 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ':=C2x1d| 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 T-\,r 7.增益谱峰值的近似表达式 c8u0\X, $lQi0*s 四. 速率方程和动态效应 <KpQu%2( 1.单模速率方程及基本物理量 Z7v~;JzC# 2.稳态输出 2:abe 3. 共振频率和3dB带宽 .&ZVy{uP 4. 载流子输运效应对带宽影响 2a^(8A`7W 5. 开启延迟时间 qz:OnQv! 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8Xr3q eh+ 7. 自发辐射引起的噪声 [|YMnV<B 8. 相对强度噪声 wcOAyo5(n 9. 模式线宽 jy?^an}#h 10. 多模速率方程 "~ /3 Qmrcng}P 五.半导体激光器的基本工艺和特性 _C4^J 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 WXM_H0K 3.激光器寿命 &+
IXDU 4.激光器阈值电流的温度特性 ~^eAS; Pzqgg43Xf 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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