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半导体激光器的设计和工艺 TF>F7v(,45  
黄永箴 ?%(*bRV -  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 M;R>]wP"V  
集成光电子国家重点实验室 }=gGs  
}: e9\r)  
一. 半导体激光器的基本结构 3]acfCacC  
1.半导体双异质结构 >B0S5:S$W  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) _1ins;c52  
3. 侧模控制(基侧模) 4p.O<f;A8  
4.横模控制 [Wc 73-  
5. 动态单模半导体激光器 Nsq%b?#  
6. 波长可调谐半导体激光器 4~4Hst#^  
7.长波长VCSEL的进展 *
O~D lf  
8.微腔激光器和光子晶体 _17"T0  
9.半导体激光器材料的选择 "'Ik{wGc  
YQ/*|  
二.半导体光波导 4)_ [)MZ\j  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 H@zpw1fH+  
2. 光限制因子和模式增益 aH_&=/-Tz  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 aO1cd_d6x_  
4. 半导体激光器镜面反射系数 W2RS G~|  
5. DFB激光器的藕合模理论 P\JpE  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 /+u*9ZR&1  
7. 等效折射率近似 @)B_e*6>'  
8. 数值模拟 sdLFBiR  
(c"!0v  
三.半导体中的光跃迁和增益 4.8,&{w<m  
1. 费米分布函数及跃迁速率 `Oi@7/oT  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元  DWI!\lK  
3.简约态密度及增益谱 u8*0r{kOH  
4.模式的自发辐射速率 s=:n<`Z2  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 KGIz)/eSg  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 V47Fp  
7.增益谱峰值的近似表达式 /bWV`*  
IX}l)t[:(  
四. 速率方程和动态效应 E] [DVY  
1．单模速率方程及基本物理量 [kCn6\_<V  
2．稳态输出 x{rt\OT  
3. 共振频率和3dB带宽 04s N4C  
4. 载流子输运效应对带宽影响 *;Vq0a!  
5. 开启延迟时间 m5S/T\,X  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 h
RP0D
jc  
7. 自发辐射引起的噪声 O1z>A  
8. 相对强度噪声 ]n+:lsiV  
9. 模式线宽 *)`:Nm~y  
10. 多模速率方程 o}T]f(>}  
m2;%|QE(  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 fqcyCu7Ep  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 er53?z7zP.  
3.激光器寿命 zVIzrz0  
4.激光器阈值电流的温度特性 ?F-,4Ox{/  
]C!u~A\jq  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。