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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 %N|7<n<S  
    黄永箴 dZ9[wkn  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 #lM!s  
    集成光电子国家重点实验室 U;i:k%Bzy  
    t# &^ -;  
    一. 半导体激光器的基本结构 t&mw@bj  
    1.半导体双异质结构 {O5;V/00}  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) F&lWO!4  
    3. 侧模控制(基侧模) 7Nh6 `  
    4.横模控制 vs{i2!^  
    5. 动态单模半导体激光器 ZWG$MFEjl  
    6. 波长可调谐半导体激光器 Y{1IRP?S  
    7.长波长VCSEL的进展  %3KWc-  
    8.微腔激光器和光子晶体 6f?5/hq  
    9.半导体激光器材料的选择 kR%CSLOVy  
    &1F)/$,v  
    二.半导体光波导 Fb*^GH)J  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 )$P!7$C-  
    2. 光限制因子和模式增益 58mzh82+  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3VCyq7 B^  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 }pu2/44=W  
    5. DFB激光器的藕合模理论 |ZJ]`qmZ  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 m qPWCFP  
    7. 等效折射率近似 1e'-rm F  
    8. 数值模拟 16keCG\  
    P{)&#HXUVb  
    三.半导体中的光跃迁和增益 /cJ$` pN  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 j08 G-_Gjn  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 bo$xonV@y  
    3.简约态密度及增益谱 Z]1~9:7ap  
    4.模式的自发辐射速率 2"'0OQN0\  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ykRKZYfsw(  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 b?CmKiM%  
    7.增益谱峰值的近似表达式 uCNQ.Nbf C  
    mz+>rc  
    四. 速率方程和动态效应 Pgr>qcbql  
    1.单模速率方程及基本物理量 b^y#.V.|k  
    2.稳态输出 5ii`!y  
    3. 共振频率和3dB带宽 NrgN{6u;  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 AQbbIngo  
    5. 开启延迟时间 4L^KR_h/  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 XsQ<ye un  
    7. 自发辐射引起的噪声 NqkRR$O  
    8. 相对强度噪声 6}L[7~1  
    9. 模式线宽 e l'^9K  
    10. 多模速率方程 Dd!MG'%hlb  
    z/F(z*'v  
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 (vz)GrH>  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 L G,XhN  
    3.激光器寿命 '|J-8"  
    4.激光器阈值电流的温度特性 Z&s+*& TM  
    {u9(qd;;  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
    光行天下网站、公众号广告投放、企业宣传稿件发布,请联系QQ:9652202,微信号:cyqdesign
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