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半导体激光器的设计和工艺 -Z?Ck!00  
黄永箴 >C2HC6O3  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Fd!iQ  
集成光电子国家重点实验室 e(\Q)re5Q  
Yk>8g;<  
一. 半导体激光器的基本结构 ^HFo3V }h  
1.半导体双异质结构 QAaF@Do  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) A +!sD5d  
3. 侧模控制(基侧模) ^]rxhpS  
4.横模控制 !
`C?nY  
5. 动态单模半导体激光器 6D*chvNA;  
6. 波长可调谐半导体激光器 +L6" vkz  
7.长波长VCSEL的进展 a@SUi~+3  
8.微腔激光器和光子晶体 ?Le
yz  
9.半导体激光器材料的选择 rsSue_Q  
RSH/l;ii  
二.半导体光波导 !1-&Y'+  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 [#X|+M&u6  
2. 光限制因子和模式增益 v!!;js^  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 T 'i~_R6  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ;tN4
HiN  
5. DFB激光器的藕合模理论 .v7`$(T  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 o_:Qk;t  
7. 等效折射率近似 Zi3T~:0p:  
8. 数值模拟 ("F)  
& >b+loF  
三.半导体中的光跃迁和增益 :C}Hy  
1. 费米分布函数及跃迁速率 V* Qe5j9  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 104!!m  
3.简约态密度及增益谱 /d]~ly @uI  
4.模式的自发辐射速率 <%rh/r  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 4@~a<P#  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 zW)gC9_|m-  
7.增益谱峰值的近似表达式 a8NVLD>7}  
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ftG  
四. 速率方程和动态效应 5h(jeT8"  
1．单模速率方程及基本物理量 fn?VNZ`J  
2．稳态输出 =WjJN Q  
3. 共振频率和3dB带宽 n>T:
2PQ3  
4. 载流子输运效应对带宽影响 B<C&ay  
5. 开启延迟时间 GMTor  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 i?W]*V~ply  
7. 自发辐射引起的噪声 RK;;b~  
8. 相对强度噪声 xtsL8-u f  
9. 模式线宽 0k.v0a7%  
10. 多模速率方程 <4sj@C  
Ik-oI=>.  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 59K}  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 QD}1?)}  
3.激光器寿命 @4&, #xo  
4.激光器阈值电流的温度特性 (qj,GmcS  
;fkSrdj  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。