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半导体激光器的设计和工艺 x$ z9:'U 黄永箴 rV;X1x}l 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 - "`5r6 集成光电子国家重点实验室 /<ODP6Yy; i8 t% v 一. 半导体 激光器的基本结构 >#~!03 1.半导体双异质结构 3<">1] /, 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) r:.3P 3. 侧模控制(基侧模) 2wCTd:e: 4.横模控制
@Tk5<B3 5. 动态单模半导体激光器 l`"i'P 6. 波长可调谐半导体激光器 2UqLV^ZY 7.长波长VCSEL的进展 %A_h!3f& 8.微腔激光器和光子 晶体 5A^$!q P 9.半导体激光器材料的选择 mY!os91KoO G?Fqm@J{XT 二.半导体光波导 kC:GEY<N:Q 1. 平板波导的模式,TE和TM模 ++{,1wY\ 2. 光限制因子和模式增益 )> >Tj7 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 B'sgCU 4. 半导体激光器镜面反射系数 #Xdj:T<* 5. DFB激光器的藕合模理论 4I&e_b< 30 6. DFB半导体激光器的一维模拟 nKxu8YAJe 7. 等效折射率近似 D3,9X#B= 8. 数值模拟 &USKudXmb Y'n+,g 三.半导体中的光跃迁和增益 W:5,zFW 1. 费米分布函数及跃迁速率 Yu1[`QbB 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 %<[?; 3.简约态密度及增益谱 CG!7BP\ 4.模式的自发辐射速率 V!^5#A< 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 1dsMmD[O 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 |t <Uh,Bt 7.增益谱峰值的近似表达式 C|or2 j_w"HiNBA 四. 速率方程和动态效应 _6O\*|'6 1.单模速率方程及基本物理量 c_p7vvI&c0 2.稳态输出 Cf&.hod 3. 共振频率和3dB带宽 A!xx#+M 4. 载流子输运效应对带宽影响 [yFf(>B 5. 开启延迟时间 Nj~3FL 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 kx3?'=0;5 7. 自发辐射引起的噪声 3y9R1/! 8. 相对强度噪声 g$CWGB*%lm 9. 模式线宽 :9c[J$R4 10. 多模速率方程 XXwe/>J o'#ow(X 五.半导体激光器的基本工艺和特性 CN(}0/ 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Uxll<z, 3.激光器寿命 G&7!3u 4.激光器阈值电流的温度特性 j2dptM3t{ ^*-6PV#Z 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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