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半导体激光器的设计和工艺 ?koxt44  
黄永箴 hMeqs+  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 _gm?FxV:  
集成光电子国家重点实验室 )HX:U0
 
D"XX920$~  
一. 半导体激光器的基本结构 ct}%Mdg  
1.半导体双异质结构 [Z5[~gP3  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "WbVCT'i  
3. 侧模控制(基侧模) g:DTVq  
4.横模控制 ,{{#a*nd  
5. 动态单模半导体激光器 !3I(4?G,  
6. 波长可调谐半导体激光器 4[#6<Ixf  
7.长波长VCSEL的进展 ;=-j;x  
8.微腔激光器和光子晶体  /MqXwUbO  
9.半导体激光器材料的选择 f-3'D-{EKt  
jc&/}o$K  
二.半导体光波导 +an^e'  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 %U5P}  
2. 光限制因子和模式增益 J,0pe\5  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 i&pJg1  
4. 半导体激光器镜面反射系数 1<a@p}  
5. DFB激光器的藕合模理论 ;EJPrDHTk  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 _jTwiuMS-  
7. 等效折射率近似 ]A]Ft!`6z  
8. 数值模拟 P}hY{y'  
h;%i/feFg  
三.半导体中的光跃迁和增益 XpgV09.EE  
1. 费米分布函数及跃迁速率 $89ea*k  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 FE+7X=y  
3.简约态密度及增益谱 h41$|lonU%  
4.模式的自发辐射速率 4e+BqCriC*  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 B6ed,($&  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 6h2x
~@  
7.增益谱峰值的近似表达式 ,2,SG/BB  
@P_C%}(<  
四. 速率方程和动态效应 <mZrR3v'D  
1．单模速率方程及基本物理量 *H5PT  
2．稳态输出 t=Z&eKDC  
3. 共振频率和3dB带宽 >+:r'  
4. 载流子输运效应对带宽影响 my ;  
5. 开启延迟时间 \D,M2vC~G  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Ht|",1yr+  
7. 自发辐射引起的噪声 @ /UOSU  
8. 相对强度噪声 \Pl,' 1%  
9. 模式线宽 }X
CR+uAz  
10. 多模速率方程 ]*2EK9<  
9Hh~ nR?  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 MSZ!W(7,<  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 -DP8NTl"  
3.激光器寿命 IXZ(]&we
 
4.激光器阈值电流的温度特性 # 0GGc.  
L$1K7<i.  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。