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半导体激光器的设计和工艺 d&PXJ  
黄永箴 G*3O5m  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 G6]M~:<i  
集成光电子国家重点实验室 Uw)?u$+ P  
/{\tkvv-Z  
一. 半导体激光器的基本结构 w}K<,5I>  
1.半导体双异质结构 "ALR)s,1,  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Xu3o,k  
3. 侧模控制(基侧模) vZq7U]R
W  
4.横模控制 CJ%bBL'.  
5. 动态单模半导体激光器 71mdU6Kq  
6. 波长可调谐半导体激光器 cRDjpc]  
7.长波长VCSEL的进展 p&_Kb\}U  
8.微腔激光器和光子晶体 S%R:GZEf_  
9.半导体激光器材料的选择 VSc;}LH  
"=MRzSke3  
二.半导体光波导 .3Jggp  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 r8pTtf#Q  
2. 光限制因子和模式增益 *ukE"Aj  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 kQRNVdiz  
4. 半导体激光器镜面反射系数 m%X~EwFc.  
5. DFB激光器的藕合模理论 F'|D  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 /Uz
2.Ua=  
7. 等效折射率近似 O|O#T.Tg  
8. 数值模拟 8Tyf#`'I  
@=E@ *@g  
三.半导体中的光跃迁和增益 s,\!@[N  
1. 费米分布函数及跃迁速率 dUk^DI,:l  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 aqK<}jy  
3.简约态密度及增益谱 l[fU0;A  
4.模式的自发辐射速率 lGwX.cA!'  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 jt@k<#h~  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 J'sVT{@GS  
7.增益谱峰值的近似表达式 .\7R/cP}{A  
_1VtVfiZ{  
四. 速率方程和动态效应 D[x0sly  
1．单模速率方程及基本物理量 JVD#wwic  
2．稳态输出 & ;ie+/B  
3. 共振频率和3dB带宽 
.36z  
4. 载流子输运效应对带宽影响 
g|a2z_R  
5. 开启延迟时间 .ZJt  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ~3dBt@%0  
7. 自发辐射引起的噪声 ff**)Xdh  
8. 相对强度噪声 Wo<zvut8  
9. 模式线宽 DI'wZy
SS^  
10. 多模速率方程 \SkCsE#H  
-5l74f!i  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ?_3K]i1IS  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 X<9jBj/t  
3.激光器寿命 {a-p/\U  
4.激光器阈值电流的温度特性 P ^R224R  
{e/Qs|a R  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。