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半导体激光器的设计和工艺 "/Y<G 黄永箴 +J"' 'cZ 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 Kb^>X{ 集成光电子国家重点实验室 ^ Xm/ ETM2p1ru0 一. 半导体 激光器的基本结构 6XdWm 1.半导体双异质结构 2ubmsbt$ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ~V @;(_T 3. 侧模控制(基侧模) ^`tk/#h\9F 4.横模控制 Rb)|66&3& 5. 动态单模半导体激光器 LyGUvi 6. 波长可调谐半导体激光器 As0 B\ 7.长波长VCSEL的进展 DeH0k[o 8.微腔激光器和光子 晶体 ypH8QfxLTr 9.半导体激光器材料的选择 (VR"Mi4 |)9thIQF 二.半导体光波导 '0]r<O 1. 平板波导的模式,TE和TM模 IrJ+Jov 2. 光限制因子和模式增益 +fM&su=wl 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 #;`Oj 4. 半导体激光器镜面反射系数 {{32jU7< 5. DFB激光器的藕合模理论 K]X`sH: 6. DFB半导体激光器的一维模拟 fb23J|" 7. 等效折射率近似 Gu5~DyT`G 8. 数值模拟 /-Wuq`P/ T _l<mu? " 三.半导体中的光跃迁和增益 cA<<&C 1. 费米分布函数及跃迁速率 rOW;yJ[ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 j?xk& 3.简约态密度及增益谱 {-HDkG' 8 4.模式的自发辐射速率 fe|g3>/| 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 $ADPV,*gG 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 w#&z]O9r 7.增益谱峰值的近似表达式 #:#Dz.$L '@bJlJB9> 四. 速率方程和动态效应 dByjcTPA 1.单模速率方程及基本物理量 :s"2Da3B 2.稳态输出 j9:/RJS 3. 共振频率和3dB带宽 bG(x:Py& 4. 载流子输运效应对带宽影响 /YFa
;2 W 5. 开启延迟时间 09d9S`cS\ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 DVh)w}v 7. 自发辐射引起的噪声
:=9< 8. 相对强度噪声 Q ]"jD#F 9. 模式线宽 4d`+CD C 10. 多模速率方程 G6V/S aD 9OyN i 五.半导体激光器的基本工艺和特性 xIL#h@dz 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
Yl~$V( 3.激光器寿命 Jt]&;0zn2 4.激光器阈值电流的温度特性 -w]/7cH @r<b:?u 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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