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半导体激光器的设计和工艺 3zD#V3=  
黄永箴 ~io.TS|r  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 pka^7OWyN  
集成光电子国家重点实验室 pF-_yyQ  
0P9\;!Y  
一. 半导体激光器的基本结构 T :d+Qz\  
1.半导体双异质结构 u@#%SX  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) \2 N;VE  
3. 侧模控制(基侧模) 9]oT/ooM  
4.横模控制 h]ae^M  
5. 动态单模半导体激光器 0't)-Pj+,  
6. 波长可调谐半导体激光器 *$fM}6}  
7.长波长VCSEL的进展 }%/mPbd#  
8.微腔激光器和光子晶体 f/UU{vX(  
9.半导体激光器材料的选择 7cGOJA5&  
vHcl7=)Q  
二.半导体光波导 K
{v^Y,B  
1. 平板波导的模式，TE和TM模  t8EI"|  
2. 光限制因子和模式增益 jeRE(3'Q  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 N{HAWB{  
4. 半导体激光器镜面反射系数 t,|Apl]  
5. DFB激光器的藕合模理论 y1%OH#:duD  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 w+ !c9  
7. 等效折射率近似 -(:T&rfTp  
8. 数值模拟 A&t8C8,  
#&Tm%CvB  
三.半导体中的光跃迁和增益 V=8db%^  
1. 费米分布函数及跃迁速率 EtN,  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 81{8F  
3.简约态密度及增益谱 Twa(RjB<  
4.模式的自发辐射速率 %u66H2  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 k4LrUd  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 V4V`0I  
7.增益谱峰值的近似表达式 q=5aHH% |  
5tbCx!tL  
四. 速率方程和动态效应 aj;x:UqpJ  
1．单模速率方程及基本物理量 KMIe%2:b5  
2．稳态输出 u'l4=e  
3. 共振频率和3dB带宽 Az:~|P  
4. 载流子输运效应对带宽影响 %eDSo9Y  
5. 开启延迟时间 7gf(5p5ZV  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 giNXXjl  
7. 自发辐射引起的噪声 azv173XZ  
8. 相对强度噪声 QvZ"{  
9. 模式线宽 f)T\  
10. 多模速率方程 '=E;^'Rl  
I#(lxlp"Ho  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 iRsB|7v[,  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 g,JfT^  
3.激光器寿命 INbV6jZL  
4.激光器阈值电流的温度特性 gdf0  
yor'"6)i  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。