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半导体激光器的设计和工艺 %N|7<n<S  
黄永箴 dZ9[wkn  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 #lM!s  
集成光电子国家重点实验室 U;i:k%Bzy  
t#&^ -;  
一. 半导体激光器的基本结构 t&mw@bj  
1.半导体双异质结构 {O5;V/00}  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) F&lWO!4  
3. 侧模控制(基侧模) 7Nh6 `  
4.横模控制 vs{i2!^  
5. 动态单模半导体激光器 ZWG$MFEjl  
6. 波长可调谐半导体激光器 Y{1IRP?S  
7.长波长VCSEL的进展  %3KWc-  
8.微腔激光器和光子晶体 6f?5/hq  
9.半导体激光器材料的选择 kR%CSLOVy  
&1F)/$,v  
二.半导体光波导 Fb*^GH)J  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 )$P!7$C-  
2. 光限制因子和模式增益 58mzh
82+  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3VCyq7B^  
4. 半导体激光器镜面反射系数 }pu2/44=W  
5. DFB激光器的藕合模理论 |ZJ]`qmZ  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 m qPWCFP  
7. 等效折射率近似 1e'-rm F  
8. 数值模拟 16keCG\  
P{)&#HXUVb  
三.半导体中的光跃迁和增益 /cJ$` pN  
1. 费米分布函数及跃迁速率 j08G-_Gjn  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 bo$xonV@y  
3.简约态密度及增益谱 Z]1~9:7ap  
4.模式的自发辐射速率 2"'0OQN0\  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ykRKZYfsw(  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 b?CmKiM%  
7.增益谱峰值的近似表达式 uCNQ.Nbf C  
mz+>rc  
四. 速率方程和动态效应 Pgr>qcbql  
1．单模速率方程及基本物理量 b^
y#.V.|k  
2．稳态输出 5ii`!y  
3. 共振频率和3dB带宽 NrgN{6u;  
4. 载流子输运效应对带宽影响 AQbbIngo  
5. 开启延迟时间 4L^KR_h/  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 XsQ<yeun  
7. 自发辐射引起的噪声 NqkRR$O  
8. 相对强度噪声 6}L[7~1  
9. 模式线宽 e l'^9K  
10. 多模速率方程 Dd!MG'%hlb  
z/F(z*'v  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 (vz)GrH>  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 L G,XhN  
3.激光器寿命 '|J-8"  
4.激光器阈值电流的温度特性 Z&s+*&TM  
{u9(qd;;  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。