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半导体激光器的设计和工艺 ~K-c-Zs#z  
黄永箴 ?Q]{P]  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 )Uv lEG']  
集成光电子国家重点实验室 lj4D:>Ov  
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一. 半导体激光器的基本结构 1b,,uI_  
1.半导体双异质结构 Wp[R$/uT  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 9{;cp?\)M  
3. 侧模控制(基侧模) $YX\&%N  
4.横模控制 `T gwa  
5. 动态单模半导体激光器 ^" EsBt  
6. 波长可调谐半导体激光器 Sf2pU!5n^  
7.长波长VCSEL的进展 ]}~[2k.  
8.微腔激光器和光子晶体 &GC`4!H  
9.半导体激光器材料的选择 J4-64t nZ  
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A.**  
二.半导体光波导 0?tn.<'B8T  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 8$H_:*A?  
2. 光限制因子和模式增益 FOFZ/q  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 pa6.Tp>  
4. 半导体激光器镜面反射系数 5jTBPct   
5. DFB激光器的藕合模理论 LvsNU0x  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 S-^R
Z"  
7. 等效折射率近似 >>ncq$  
8. 数值模拟 =2 3H/  
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三.半导体中的光跃迁和增益 gRk%ObJGqm  
1. 费米分布函数及跃迁速率 l 4zl|6%  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 J5Nz<  
3.简约态密度及增益谱 i,{'}B  
4.模式的自发辐射速率 "t-u=aDl-.  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 aP%2CP~_P  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [84f[`!Ui  
7.增益谱峰值的近似表达式 H WOl79-  
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H@Sx  
四. 速率方程和动态效应 *vL2n>HH  
1．单模速率方程及基本物理量  Fo=hL  
2．稳态输出 1mLd_]F'F  
3. 共振频率和3dB带宽 Kd?TIeFE  
4. 载流子输运效应对带宽影响 c
K;,=\  
5. 开启延迟时间 oA^aT:o +  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ?Mb
'l4  
7. 自发辐射引起的噪声 x*G-?Xza)  
8. 相对强度噪声 .o(XnY)cgJ  
9. 模式线宽 /.'tfy$  
10. 多模速率方程 jIq@@8@o  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 zHI_U\"8D  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 jm_b3!J  
3.激光器寿命 1keH1[  
4.激光器阈值电流的温度特性 Oie0cz:>:  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。