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半导体激光器的设计和工艺 eKjmU | H 黄永箴 -&4>>h9_ 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 j8n_:;i* 集成光电子国家重点实验室 O b'B? y4*i
V;" 一. 半导体 激光器的基本结构 ta"uxL\gge 1.半导体双异质结构 /(IV+ 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) uQh dg4 3. 侧模控制(基侧模) Z(DCR/U=(> 4.横模控制 Zjqa n 5. 动态单模半导体激光器 mdjPKrF< 6. 波长可调谐半导体激光器 D. d( D: 7.长波长VCSEL的进展 k(LZ,WSR 8.微腔激光器和光子 晶体 nOq?Q 9.半导体激光器材料的选择 .{+KKa $@G :})(@.H 二.半导体光波导 O/g|E47 1. 平板波导的模式,TE和TM模 sF9{(Us 2. 光限制因子和模式增益 hojP3 [ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 _)|_KQQu 4. 半导体激光器镜面反射系数 l-s%3E3 5. DFB激光器的藕合模理论 8vQGpIa, 6. DFB半导体激光器的一维模拟 8VG6~>ux'> 7. 等效折射率近似 @z
$,KUH 8. 数值模拟 e7e6b-"_2 337y,; 三.半导体中的光跃迁和增益 i%BrnjX 1. 费米分布函数及跃迁速率 k3[rO}>s 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 \s_lB~"P!3 3.简约态密度及增益谱 3OnIAk3 4.模式的自发辐射速率 ;+v5li 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 bVfFhfh* 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 b-*3]gB 7.增益谱峰值的近似表达式 2P\k;T( .CJQ]ECl7p 四. 速率方程和动态效应 EQQ/E!N8l 1.单模速率方程及基本物理量 2n]UNC 2.稳态输出 _#[~?g` 3. 共振频率和3dB带宽 5\\#kjjx 4. 载流子输运效应对带宽影响 Skb,cKU 5. 开启延迟时间
.'`7JU#{ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 `Fn"%P! 7. 自发辐射引起的噪声 FHztF$Z 8. 相对强度噪声 `
=ocr8c 9. 模式线宽 :~uvxiF 10. 多模速率方程 vjo@aY.x :LE0_ . 五.半导体激光器的基本工艺和特性 X;2I'
Kg 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 8H2zMIB 3.激光器寿命 XKp$v']u 4.激光器阈值电流的温度特性 JA]TO(x ^b{ -y 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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