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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 正序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 #$E vybETx  
    黄永箴 Vy $\.2=  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 50A_+f.7%  
    集成光电子国家重点实验室 HL]?CWtGP  
    $'Z!Y;Ue  
    一. 半导体激光器的基本结构 i`;I"oY4  
    1.半导体双异质结构 lvlH5Fc  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) nFSa~M  
    3. 侧模控制(基侧模) :nt%z0_  
    4.横模控制 ~MX@-Ff  
    5. 动态单模半导体激光器 N8TO"`wdbs  
    6. 波长可调谐半导体激光器 Mv3Ch'X[  
    7.长波长VCSEL的进展 zO,sq%vQn'  
    8.微腔激光器和光子晶体 xAflcY>Ozs  
    9.半导体激光器材料的选择 ;z#9>99rH  
    gUcE,L  
    二.半导体光波导 gMbvHlT  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 y:L|]p}huE  
    2. 光限制因子和模式增益 ` {p5SYj  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 t/CNxfY  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 jQhf)B  
    5. DFB激光器的藕合模理论 <4Fd ~  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 x$E l7=.  
    7. 等效折射率近似 qCMcN<:>  
    8. 数值模拟 -h}J%UV  
    JcP'+@X"  
    三.半导体中的光跃迁和增益 Velmq'n  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 V4>P8cE  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *HRRv.iQ  
    3.简约态密度及增益谱 [Zf<r1m  
    4.模式的自发辐射速率 v|xlI4  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ':=C2x1d|  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果  T-\,r  
    7.增益谱峰值的近似表达式 c8u0\X,  
    $lQi0*s  
    四. 速率方程和动态效应  <KpQu%2(  
    1.单模速率方程及基本物理量 Z7v~;JzC#  
    2.稳态输出 2:abe  
    3. 共振频率和3dB带宽 .&Z Vy{uP  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 2a^(8A`7W  
    5. 开启延迟时间 qz:OnQv!  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8Xr3q eh+  
    7. 自发辐射引起的噪声 [|YMnV<B  
    8. 相对强度噪声 wcOAyo5(n  
    9. 模式线宽 jy?^an}#h  
    10. 多模速率方程 "~ /3  
    Qmrcng}P  
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 _C4^J  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 WXM_H0K  
    3.激光器寿命 &+ IXDU  
    4.激光器阈值电流的温度特性 ~^eAS;  
    Pzqgg43Xf  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
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