[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ]xCJ3.9  
JC_Y#kN@z  
一. 半导体激光器的基本结构 uv/I`[@HK8  
•1.半导体双异质结构 C*,-lk0b@  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) (UAa  
•3. 侧模控制(基侧模) m5v9:5{  
•4.横模控制 ltO:./6v  
•5. 动态单模半导体激光器 (lTM5qC  
•6. 波长可调谐半导体激光器 O1ofN#u  
•7.长波长VCSEL的进展 R/Mwq#xUb  
•8.微腔激光器和光子晶体 }f+If{  
•9.半导体激光器材料的选择 ]Vln5U   
7*r Q6rAP  
二.半导体光波导 |ITp$_S  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 X2}\i5{  
•2. 光限制因子和模式增益 <IC=x(T  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 \j+O |#`|)  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 _*>bf G  
•5. DFB激光器的藕合模理论 E5~HH($b  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 /!=uM.  
•7. 等效折射率近似 &BY%<h0c  
•8. 数值模拟 aEo!yea  
&na#ES$X,  
三.半导体中的光跃迁和增益 w4Qqo(  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 GvF8S MO[x  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {0nZ;1,m  
•3.简约态密度及增益谱 $3[IlQ?  
•4.模式的自发辐射速率 : ^F+mQN  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 GpMKOjVm|  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 (v6tE[4  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ?l!L )!2  
y>Zvose  
四. 速率方程和动态效应 I= G%r/3  
•1．单模速率方程及基本物理量 vIF=kKl9,  
•2．稳态输出 4v_?i@,L  
•3. 共振频率和3dB带宽 5+vCuVZ  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 %<lfe<;^t  
•5. 开启延迟时间 w<3}(1  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 zlF*F8>m  
•7. 自发辐射引起的噪声 ?&I gD.  
•8. 相对强度噪声 'b:e`2fl  
•9. 模式线宽 }__g\?Yf  
•10. 多模速率方程 G~1#kg  
X,:pT\G  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Gtd!Y x  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 u/Fa+S  
3.激光器寿命 "u~l+aW0  
4.激光器阈值电流的温度特性 F1JSf&8  
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