[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 \46 'j.  
\'>ZU-V  
一. 半导体激光器的基本结构 =-dg]Ol8  
•1.半导体双异质结构 >"/Sa_w  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) yh'P17N|q  
•3. 侧模控制(基侧模) VUQx"R9-  
•4.横模控制 X$0&tmum  
•5. 动态单模半导体激光器 u$MXO].Q  
•6. 波长可调谐半导体激光器 EyK F5TP0  
•7.长波长VCSEL的进展 ^77Q4"{W  
•8.微腔激光器和光子晶体 NGs@z^&V  
•9.半导体激光器材料的选择 '[zy%<2sL  
A?;KfVq  
二.半导体光波导 6|@\\\l  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 `iQ9
9  
•2. 光限制因子和模式增益 <fm<UO,%  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9l&4mt;+&<  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 1(`UzC=R|  
•5. DFB激光器的藕合模理论 4COo~d  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 \pwg8p[4Q  
•7. 等效折射率近似 1$toowb"Zy  
•8. 数值模拟 IPa)+ ZQ  
T[\?fSP  
三.半导体中的光跃迁和增益 {+N7o7  
•1. 费米分布函数及跃迁速率
%-Oo92tP  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 [IRWmN-  
•3.简约态密度及增益谱 T:|PSJc0  
•4.模式的自发辐射速率 ]N4?*S*jd)  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 wyC1
M  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 `;v5o4.`  
•7.增益谱峰值的近似表达式 B4kJ 7Pdny  
F&6Xo]?  
四. 速率方程和动态效应 H"vy[/UcR  
•1．单模速率方程及基本物理量 KwxO%/-}S  
•2．稳态输出 ELgq#z  
•3. 共振频率和3dB带宽 )oCb9K:km  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ]dU/;8/%  
•5. 开启延迟时间 J5j3#2l  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 h3BDHz,  
•7. 自发辐射引起的噪声 /s|4aro  
•8. 相对强度噪声 %VsIg  
•9. 模式线宽 o4Hp|iK&0  
•10. 多模速率方程 @";zM&  
NB#-W4NA  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 grbUR)f<?-  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 M #)@!  
3.激光器寿命 6Sr}I,DG  
4.激光器阈值电流的温度特性 f~-Ipq;F  
7 yp}  
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