半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 :6 Uk)
@kwLBAK}@
一. 半导体激光器的基本结构 lP}o[Rd
•1.半导体双异质结构 Q8 -3RgAw
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) D8k*0ei&
•3. 侧模控制(基侧模) jZa25Z00
•4.横模控制 @ L\-ZWq
•5. 动态单模半导体激光器 ])N|[ |$
•6. 波长可调谐半导体激光器 0FG5_t"",\
•7.长波长VCSEL的进展 l!\1,J:}Z
•8.微腔激光器和光子晶体 `!zQ
•9.半导体激光器材料的选择 w|&,I4["
B`LD7]ew
二.半导体光波导 vz6SCGg,
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 {VBR/M(q
•2. 光限制因子和模式增益 U!x0,sr
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "=9-i-K9B
•4. 半导体激光器镜面反射系数 *]FgfttES
•5. DFB激光器的藕合模理论 n49;Z,[~
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 fG<Dh z@
•7. 等效折射率近似 e%pu.q\gK
•8. 数值模拟 Dz,uS nnm
W|lH
三.半导体中的光跃迁和增益 SrSG{/{
•1. 费米分布函数及跃迁速率 +:}kZDl@ X
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 k - FB
•3.简约态密度及增益谱 "PMO
•4.模式的自发辐射速率 g+igxC}2z
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 +IvNyj|
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 6e*%\2UA
•7.增益谱峰值的近似表达式 JK[T]|G
m[8IEKo
四. 速率方程和动态效应 eUYZxe :6
•1.单模速率方程及基本物理量 dFzYOG1
•2.稳态输出 !zU/Hq{wcK
•3. 共振频率和3dB带宽 HHZ`%
•4. 载流子输运效应对带宽影响 x,w8r+~5
•5. 开启延迟时间 |4=ihB9+
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 SK?I.
•7. 自发辐射引起的噪声 Z?-;.G*
•8. 相对强度噪声 Bu&So|@TL
•9. 模式线宽 3be6p
•10. 多模速率方程 $Ru&>D#stK
qbH%Hx
五.半导体激光器的基本工艺和特性 SBC~QD>L+
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性
l@xWQj9
3.激光器寿命 #kj~G]QA
4.激光器阈值电流的温度特性 en%J!<&W{K
OH>r[,z0
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件,下载以后大家记得回复支持!