[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 $zkH|] zZ  
V!|e#}1/  
一. 半导体激光器的基本结构 noA-
)  
•1.半导体双异质结构 _MYx%Z  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 
_zC (J  
•3. 侧模控制(基侧模) @qK<T  
•4.横模控制 ~%y\@x7I  
•5. 动态单模半导体激光器 5)+F(  
•6. 波长可调谐半导体激光器 kI*UkM-  
•7.长波长VCSEL的进展 IlLn4Iw  
•8.微腔激光器和光子晶体 *,#q'!Hq  
•9.半导体激光器材料的选择 D\]&8w6&  
Q!CO0w  
二.半导体光波导 PDw{R]V+  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 `?o=*OS7Y  
•2. 光限制因子和模式增益 IG.f=+<0  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9Z!lmfnJ  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 WPY8C3XO  
•5. DFB激光器的藕合模理论 a&/HSf_G  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 z] @W[MHY  
•7. 等效折射率近似 LXhaD[1Rb  
•8. 数值模拟 PHR#>ZD  
EI`vVI  
三.半导体中的光跃迁和增益 _J"mR]I+  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 sp8[cO=  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {HZS:AV0  
•3.简约态密度及增益谱 F+j O*F2h  
•4.模式的自发辐射速率 (zah890//  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ]G1R0
Q  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 jmW^`%;7  
•7.增益谱峰值的近似表达式 \ sf!  
~%aJFs  
四. 速率方程和动态效应 irFc}.dI  
•1．单模速率方程及基本物理量 I]sqi#h$2W  
•2．稳态输出 _:,.yRez  
•3. 共振频率和3dB带宽 ag]*DsBt  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Pc4R!Tc  
•5. 开启延迟时间 nGZ\<-  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =49oU  
•7. 自发辐射引起的噪声 Ve:&'~F2 s  
•8. 相对强度噪声 ib50LCm  
•9. 模式线宽 !V(`ZH  
•10. 多模速率方程  Rkv  
iwz` x  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 'jbMTI  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4 ?2g&B\  
3.激光器寿命 7x+=7,BZd  
4.激光器阈值电流的温度特性 'oi2Seq  
RdkU2Y}V  
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