[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 )vB2!H/  
cS.i  
一. 半导体激光器的基本结构 gYop--\14]  
•1.半导体双异质结构 Oc?+M 5  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) L#[]I,  
•3. 侧模控制(基侧模) \$*$='6"  
•4.横模控制 KLQTKMNv  
•5. 动态单模半导体激光器 bF}V4"d,B3  
•6. 波长可调谐半导体激光器 D<{{ :7n  
•7.长波长VCSEL的进展 9 t n!t  
•8.微腔激光器和光子晶体 iX{G]< n  
•9.半导体激光器材料的选择 ]<uQ.~  
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二.半导体光波导 )QiQn=Ce  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 K!AAGj`  
•2. 光限制因子和模式增益 JOnyrks  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 U_yE&6 T  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 vC;]jJb:  
•5. DFB激光器的藕合模理论 8euZTfK9e  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 qAkx<u  
•7. 等效折射率近似 n}-
3o]ku  
•8. 数值模拟 'fwU]Hm  
u0`o A  
三.半导体中的光跃迁和增益 ^D67y%  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 DrW#v-d  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Ft JjY@#  
•3.简约态密度及增益谱 L *[K>iW  
•4.模式的自发辐射速率 #b0{#^S:  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 3B0lb"e  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 bEuaOBc  
•7.增益谱峰值的近似表达式 >"3>s%  
`ejUs]SR  
四. 速率方程和动态效应 xh@-g|+g  
•1．单模速率方程及基本物理量 !7B\Xl'S  
•2．稳态输出 "v*8_El  
•3. 共振频率和3dB带宽 0\{BWNK  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 w]j+9-._  
•5. 开启延迟时间 &.i^dO^}  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 :q##fG'm/  
•7. 自发辐射引起的噪声 JMBK{JK>  
•8. 相对强度噪声 pj|pcv^  
•9. 模式线宽 =wu*D5  
•10. 多模速率方程 R614#yn-+  
:bU(S<%M  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 6`01EIk  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }peBR80
tQ  
3.激光器寿命 Fr?z"  
4.激光器阈值电流的温度特性 iGXI6`F"  
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