[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 w8UUeF  
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一. 半导体激光器的基本结构  !j%  
•1.半导体双异质结构 uHmvHA~/c8  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) q`L)^In"  
•3. 侧模控制(基侧模) ]&D=*:c  
•4.横模控制 b.?;I7r   
•5. 动态单模半导体激光器 2&]LZ:(  
•6. 波长可调谐半导体激光器 $- %um  
•7.长波长VCSEL的进展 ]63! Wc  
•8.微腔激光器和光子晶体 Rcw[`q3/  
•9.半导体激光器材料的选择 HRM-r~2:-]  
2.MUQ;OX  
二.半导体光波导 :X-S&SX0  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 iOb7g@=  
•2. 光限制因子和模式增益 8qw{e`c  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ,~1k:>njY~  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ErJ@$&7  
•5. DFB激光器的藕合模理论 P*|=Z>%[0  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 cqs.[0 z#B  
•7. 等效折射率近似 ao.vB']T  
•8. 数值模拟 P3=#<Q.  
'yA/sZ  
三.半导体中的光跃迁和增益 OUGkam0UK  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 \.H9e/vU`  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 `\;Z&jlpT  
•3.简约态密度及增益谱 VEIct{  
•4.模式的自发辐射速率 >D~8iuy]8.  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ?r8hl.Z>  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 $2i@@#g8  
•7.增益谱峰值的近似表达式 +0Q 
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lic-68T  
四. 速率方程和动态效应 .{`C>/"}  
•1．单模速率方程及基本物理量 LJ@r+|>  
•2．稳态输出 f>ktv76  
•3. 共振频率和3dB带宽 hqjjd-S0  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 n9J{f"`m  
•5. 开启延迟时间 c@}t@k  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 <1>6!`b4  
•7. 自发辐射引起的噪声 3^y<Db  
•8. 相对强度噪声 w4TQ4 Y  
•9. 模式线宽 q6nRk~  
•10. 多模速率方程 0hGmOUO  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 i}v.x  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ZOa|lB (,  
3.激光器寿命 X~"p]V_  
4.激光器阈值电流的温度特性 `Z5dRLrd  
Gs3V]qbEP  
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