[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Eq^k@  
N-|E^XIV  
一. 半导体激光器的基本结构 ]kq{9b';  
•1.半导体双异质结构 Zws[}G"7h  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) FR9qW$B
  
•3. 侧模控制(基侧模) ;T~]|#T\6  
•4.横模控制 LY2oBX@fC  
•5. 动态单模半导体激光器 %o9@[o .]  
•6. 波长可调谐半导体激光器 j?%^N\9  
•7.长波长VCSEL的进展 0ZPwE
P  
•8.微腔激光器和光子晶体 Xn-GSW3{  
•9.半导体激光器材料的选择 Zpg/T K  
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二.半导体光波导 'Ca6cm3Tg  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 A,i.1U"w8  
•2. 光限制因子和模式增益 ~C=I{qzF+  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 .MkHB0 2N  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 F<
q'ivj:w  
•5. DFB激光器的藕合模理论 yjUZ40Dq  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 PE3FuJGz  
•7. 等效折射率近似 5G=<2;  
•8. 数值模拟 tGnBx)J|  
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三.半导体中的光跃迁和增益 CI"7* z_  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 )&]gX  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 \Km!#:  
•3.简约态密度及增益谱 t!RR5!  
•4.模式的自发辐射速率 CY#|VE M  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 zY~  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 @5N^^B  
•7.增益谱峰值的近似表达式 D7|[:``  
^T@ (`H4@  
四. 速率方程和动态效应 _#@n^c  
•1．单模速率方程及基本物理量 :;W[@DeO[  
•2．稳态输出 O*{<{3  
•3. 共振频率和3dB带宽 `v3WJ>Q!N?  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ifj%!*   
•5. 开启延迟时间 r!SMF]?SJ  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 iSu7K&X9q  
•7. 自发辐射引起的噪声 x8k7y:
 
•8. 相对强度噪声 i'9aQi"G  
•9. 模式线宽 7S$Am84%  
•10. 多模速率方程 xY9#ouF  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 )[RLCZ  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 n%zW6}  
3.激光器寿命 +\g/KbV7  
4.激光器阈值电流的温度特性 0JzH dz  
%@ UH,Ew  
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