[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 {u}Lhv  
T*%Q s&x;  
一. 半导体激光器的基本结构 2Rp5 E^s  
•1.半导体双异质结构 "c6(=FFq  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) j'V# =vH  
•3. 侧模控制(基侧模) iJza zQ  
•4.横模控制 ?{"_9g9  
•5. 动态单模半导体激光器 5mD]uB9  
•6. 波长可调谐半导体激光器 "@JSF  
•7.长波长VCSEL的进展 NiwJ$Ah~X  
•8.微腔激光器和光子晶体 'ju{j`b  
•9.半导体激光器材料的选择 (\ze T5  
.I@jt?6X  
二.半导体光波导 Dwq}O  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 M8 E8r  
•2. 光限制因子和模式增益 l0m\2Ttf  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 |d* K'+  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 z@nJ-*'U8  
•5. DFB激光器的藕合模理论 ]8|cVGMa  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 .cTK\  
•7. 等效折射率近似 g9fS|T  
•8. 数值模拟 7[wHNJ7)r  
*;~*S4/P   
三.半导体中的光跃迁和增益 LV'@JFT-  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 QeYO)sc`  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 w !N;Y0  
•3.简约态密度及增益谱 +`_I!  
•4.模式的自发辐射速率 Y!VYD_'P  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 =|lK
B;  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 _R!KHi  
•7.增益谱峰值的近似表达式 y`?{2#1H  
{ jnQoxN  
四. 速率方程和动态效应 %z6.}4h  
•1．单模速率方程及基本物理量 F)we^'X  
•2．稳态输出 =#@eD
m%  
•3. 共振频率和3dB带宽 E\
V-<]o  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 !%' 1x2?  
•5. 开启延迟时间 WKf->W  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 l[EnFbD6  
•7. 自发辐射引起的噪声 78v4cQ Y  
•8. 相对强度噪声 sN^3bfi!i  
•9. 模式线宽 ceakTAB[  
•10. 多模速率方程 v$R+5_@[l  
-e"~UDq`  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ~+1t3M e  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 2\flTO2Ny  
3.激光器寿命 4J=6A4O5Z  
4.激光器阈值电流的温度特性 =&QC&CqEi  
;$|[z<1RdW  
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