[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ~FCSq:_  
2Q'XB  
一. 半导体激光器的基本结构 8JOht(
m  
•1.半导体双异质结构 eYX_V6c
 
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) wj:3  
•3. 侧模控制(基侧模) <{xAvN(:  
•4.横模控制 :AcNb  
•5. 动态单模半导体激光器 po
$ynp756  
•6. 波长可调谐半导体激光器 gwB>oi*OE  
•7.长波长VCSEL的进展 W;}u 2GH  
•8.微腔激光器和光子晶体 1*,~1!>  
•9.半导体激光器材料的选择 sluZ-,zE  
.yh2ttf<gB  
二.半导体光波导 8sjHQ)<  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 >@89k^#Vc  
•2. 光限制因子和模式增益 P;
o>~Y>x  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布  Dmv  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 a.U:B [v`  
•5. DFB激光器的藕合模理论 3!w>"h0(  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 f<Um2YGW  
•7. 等效折射率近似 BG?
2PO{  
•8. 数值模拟 |b@A:8ss  
y!c7y]9__2  
三.半导体中的光跃迁和增益 @DC2ci
>  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 7<'i#E~  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 1YD.jU^;HD  
•3.简约态密度及增益谱 xjk|O;ak  
•4.模式的自发辐射速率 86 /i~s  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 xr3PO?:  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 0BP~0z  
•7.增益谱峰值的近似表达式 N4(VRA  
x4A~MuGU  
四. 速率方程和动态效应 ./*,Thc  
•1．单模速率方程及基本物理量 !J(,M)p!  
•2．稳态输出 tsC|R~wW  
•3. 共振频率和3dB带宽 U*U)l
$!  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 )w?$~q  
•5. 开启延迟时间 f#Oz("d  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Y+yvv{01  
•7. 自发辐射引起的噪声 !4cdP2^P  
•8. 相对强度噪声 @z JZoJL]J  
•9. 模式线宽 ;9 n8on\  
•10. 多模速率方程 `a-T95IFy  
x(N}^Hu  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 F(fr,m3  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !e"m*S.(6{  
3.激光器寿命 R:m=HS_  
4.激光器阈值电流的温度特性 D)cwttH  
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