[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 vO9=CCxvq  
NV/paoyx:*  
一. 半导体激光器的基本结构 6g#yzex  
•1.半导体双异质结构 "DvZCf[}  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "y7\F9  
•3. 侧模控制(基侧模) af@a /  
•4.横模控制 H"w;~;h  
•5. 动态单模半导体激光器 -:=m-3*Tg  
•6. 波长可调谐半导体激光器 fP4P'eI  
•7.长波长VCSEL的进展 v+g:0 C5 (  
•8.微腔激光器和光子晶体 "dt}k$Gr  
•9.半导体激光器材料的选择 =d"5kDK-m  
RaSuzy^`*]  
二.半导体光波导 5p~5-_JX  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 jf;n*  
•2. 光限制因子和模式增益 0%&}wUjV  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 x
WY\,'+Q  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 pO)EYla9  
•5. DFB激光器的藕合模理论 Dl0{pGK~  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟
(m!kg  
•7. 等效折射率近似 5 S
lz^@n  
•8. 数值模拟 i qxMTH#!  
;(}~m&p  
三.半导体中的光跃迁和增益 F~rl24F  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 &gT@oS{  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ^.@%n1I"5y  
•3.简约态密度及增益谱 V+lS\E.  
•4.模式的自发辐射速率 #=)>,6Zw  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `IBNBJy
 
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 +$>aT(q  
•7.增益谱峰值的近似表达式 g&w~eWpk  
k&5T-\q  
四. 速率方程和动态效应 ZVdQ$  
•1．单模速率方程及基本物理量 ,37<FXX,  
•2．稳态输出 kFkI[WKyZ  
•3. 共振频率和3dB带宽 32aI0CT  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 l-c:'n  
•5. 开启延迟时间 eF7I5k4  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 d:A'|;']  
•7. 自发辐射引起的噪声 ~$^>Vo  
•8. 相对强度噪声 *v8daF  
•9. 模式线宽  <{ v %2  
•10. 多模速率方程 I~~":~&  
=6\^F i  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 JURu>-i  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 +{;wOQ.  
3.激光器寿命 nLk`W"irM  
4.激光器阈值电流的温度特性 '/loJz 1  
Z 369<
 
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~