[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 v?iH}7zb%Q  
qQ\hUii  
一. 半导体激光器的基本结构 yvnrZ&x:  
•1.半导体双异质结构 Le+8s LE`Y  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) (3HgI  
•3. 侧模控制(基侧模) i_9/!D  
•4.横模控制 3xR#,22:}  
•5. 动态单模半导体激光器 G?X,Y\Lp  
•6. 波长可调谐半导体激光器 sjbC~Te--  
•7.长波长VCSEL的进展 |zegnq~  
•8.微腔激光器和光子晶体 Y@xeyMzE  
•9.半导体激光器材料的选择 .ceU @^  
jT_Tx\k  
二.半导体光波导 gG|1$  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 PbC>v  
•2. 光限制因子和模式增益 {ca^yHgGy  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ~.=HN}E  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 IOsDVIXL\  
•5. DFB激光器的藕合模理论 g0U\AN  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 G\+MT(&5  
•7. 等效折射率近似 <cd%n-  
•8. 数值模拟 ))-M+CA  
Z#t.wWSq  
三.半导体中的光跃迁和增益 =Qq^=3@h  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 J;9QDrl`  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 hndRgCo  
•3.简约态密度及增益谱 Al;oI3  
•4.模式的自发辐射速率 ]t0S_UH$  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 x"=q+sA  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 nqW:P$  
•7.增益谱峰值的近似表达式 jtJ8r5j 1  
}Bg<Fm  
四. 速率方程和动态效应 [Cr~gd+q  
•1．单模速率方程及基本物理量 --hnv/AjI  
•2．稳态输出 |I<-x)joIK  
•3. 共振频率和3dB带宽 n
Fn`>kQ  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Dy'
l]vN$  
•5. 开启延迟时间 y.NArN|%  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 |1 6v4 R  
•7. 自发辐射引起的噪声 !S}Au Mw  
•8. 相对强度噪声 pIjVJ9+j  
•9. 模式线宽 &xT~;R^  
•10. 多模速率方程 BFRSYwPr  
fXQRsL8 ]  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 [l{e
J/W  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 b,sc  
3.激光器寿命 T`G"2|ISS  
4.激光器阈值电流的温度特性 SuuS!U+i>  

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