[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 3G9AS#-C  
q)E J?-  
一. 半导体激光器的基本结构 wD'LX  
•1.半导体双异质结构 "i3Q)$"S  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) fsVQZ$h73  
•3. 侧模控制(基侧模) Tx!
c}  
•4.横模控制 '@Q aeFm  
•5. 动态单模半导体激光器 8 ?+t+m[  
•6. 波长可调谐半导体激光器 .-W_m7&}  
•7.长波长VCSEL的进展 l: X]$2;  
•8.微腔激光器和光子晶体 #w<:H1,4
 
•9.半导体激光器材料的选择 Vg^@6zU  
\JX.)&> -  
二.半导体光波导 ob3Z I  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 zZ\2fKrpg  
•2. 光限制因子和模式增益 a|\ZC\(xI  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 KN"V(<!)~  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Q?\rwnW?U  
•5. DFB激光器的藕合模理论 (HZzA7eph  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 #Kp/AN5YC  
•7. 等效折射率近似 ND|!U#wMNV  
•8. 数值模拟 h0)Wy>B=,  
U]h5Q.<SG  
三.半导体中的光跃迁和增益 |(=`l  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 I!;&#LT+b  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 L>qLl_.  
•3.简约态密度及增益谱 xo46L\  
•4.模式的自发辐射速率 D{!NTr  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 B[R1XpB7  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ,:!dqonn  
•7.增益谱峰值的近似表达式 X(;,-7Jw  
b1A8 -![  
四. 速率方程和动态效应 X)K3X:~L+  
•1．单模速率方程及基本物理量 1Lf:TQB  
•2．稳态输出 @I '_  
•3. 共振频率和3dB带宽 {t;{={$  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 .CL\``
  
•5. 开启延迟时间 *CH lg1  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 TCd1JF0  
•7. 自发辐射引起的噪声 K8l|qe  
•8. 相对强度噪声 =O)dHY}  
•9. 模式线宽 b%fn1Ag9  
•10. 多模速率方程 fi2@`37PM  
[Yzh(a8  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 '14 G0<;yL  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 LI&+5`  
3.激光器寿命 1o;+.]B  
4.激光器阈值电流的温度特性 P"<HxT?  
[7~ !M*o9  
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