[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 5R%4fzr&g  
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一. 半导体激光器的基本结构 {CaTu5\  
•1.半导体双异质结构 SDbR(oV  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) [Yyb)Qf  
•3. 侧模控制(基侧模) \RF{ITV$kD  
•4.横模控制 l~C=yP(~  
•5. 动态单模半导体激光器 O;6am++M@  
•6. 波长可调谐半导体激光器 3UNmUDl[~  
•7.长波长VCSEL的进展 /QW-#K|S&  
•8.微腔激光器和光子晶体 \i.Yhl:O  
•9.半导体激光器材料的选择 /\wm/Yx?S  
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二.半导体光波导 bd;?oYV~  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 3;'RF#VL  
•2. 光限制因子和模式增益 lh]Q\  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 s#* DY  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 {aoG60N  
•5. DFB激光器的藕合模理论 +FBUB  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 \:5M
0  
•7. 等效折射率近似 S2\|bs7;J,  
•8. 数值模拟 P 5_l&  
oD8X]R, H  
三.半导体中的光跃迁和增益 GE!fh1[[u  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 "Nh}_jO  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 7Ap==J{a  
•3.简约态密度及增益谱 )OE!vA  
•4.模式的自发辐射速率 *p.70,5,  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 x!`~+f.6  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 #\T5r*W  
•7.增益谱峰值的近似表达式 zf.&E3Sn  
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四. 速率方程和动态效应 :$f9
(f&  
•1．单模速率方程及基本物理量 8r\;8all  
•2．稳态输出 y3Q2d7G  
•3. 共振频率和3dB带宽 B(ZK\]  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 Mrly(*!U"@  
•5. 开启延迟时间 >0AVs6&;v  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 G|+naZ  
•7. 自发辐射引起的噪声 "V>p  
•8. 相对强度噪声 XdV(=PS!a@  
•9. 模式线宽 5tUN'KEbN  
•10. 多模速率方程 \sc's7  
*R_mvJlT  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ~ \3j{pr  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 "bmWr)  
3.激光器寿命 S7kZpD$  
4.激光器阈值电流的温度特性 ;-"'sEu}  
H6V!W\:s  
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