[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ,5WDYk-  
zK;t041e  
一. 半导体激光器的基本结构 ] lTfi0}g_  
•1.半导体双异质结构 1(a\$Di  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) q>Y[.c-  
•3. 侧模控制(基侧模) -|mRJVl8  
•4.横模控制 >iV(8EgBS  
•5. 动态单模半导体激光器 >{8H==P  
•6. 波长可调谐半导体激光器 )2hoO_l:  
•7.长波长VCSEL的进展 k$/].P*!  
•8.微腔激光器和光子晶体 4'*K\Ul).H  
•9.半导体激光器材料的选择 0^^i=iE-u  

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二.半导体光波导 RT9@&5>il  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Czn7,KE8X  
•2. 光限制因子和模式增益 Rl8-a8j$f.  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ,|/$
|$'  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Pl>t\`1:|A  
•5. DFB激光器的藕合模理论 W=:+f)D  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 C]cw@
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•7. 等效折射率近似 r8$TT\?~  
•8. 数值模拟 RPQ)0.O7  
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三.半导体中的光跃迁和增益 ]y e&#  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 }% *g\%L  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 <NO~TBHF  
•3.简约态密度及增益谱 ^DOcw@Z6HC  
•4.模式的自发辐射速率 p,/^x~m3a  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 *qBZi;1  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /zKuVaC  
•7.增益谱峰值的近似表达式 f ;JSP  
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四. 速率方程和动态效应 m~A/.t%=  
•1．单模速率方程及基本物理量 lB-7.  
•2．稳态输出 d8I/7 ;F X  
•3. 共振频率和3dB带宽 DQ$/0bq   
•4. 载流子输运效应对带宽影响 !T)>q%@ai  
•5. 开启延迟时间 DFMWgBL  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 cCIEG e6  
•7. 自发辐射引起的噪声 J^cDa|j  
•8. 相对强度噪声 TPuzL(ws  
•9. 模式线宽 I5,Fh>  
•10. 多模速率方程 ;iVyJZI  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 fz*6 B NJ  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _JS'~JO3{  
3.激光器寿命 CDhk!O..  
4.激光器阈值电流的温度特性 '(}BfDP  
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