[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 &.)=>2  
UC!mp?   
一. 半导体激光器的基本结构 9[0iIT$q$  
•1.半导体双异质结构 ZEqW*piI  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) /$~1e7W  
•3. 侧模控制(基侧模) FQZ*i\G>>  
•4.横模控制 7({)o
u x  
•5. 动态单模半导体激光器 yaUtDC.|  
•6. 波长可调谐半导体激光器 !=[Y yh  
•7.长波长VCSEL的进展 IskL$Y ^  
•8.微腔激光器和光子晶体 :j\7</uu  
•9.半导体激光器材料的选择 [M|^e;tWK  
r4yz{^G  
二.半导体光波导 t~Q9}+  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 =2R4Z8
G  
•2. 光限制因子和模式增益 z*.AuEK?  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ]Ry9{:  
•4. 半导体激光器镜面反射系数
S=@+qcI  
•5. DFB激光器的藕合模理论 &.A_d+K&  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 8`4M
4"lj  
•7. 等效折射率近似 pBsb>wvej  
•8. 数值模拟 3?93Pj3oPt  
!<[+u  
三.半导体中的光跃迁和增益 'Y?-."eKh  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 RY-iFydPc  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ",#.?vT`  
•3.简约态密度及增益谱 -]N2V'QB  
•4.模式的自发辐射速率 h<.5:a  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ptCF))Zm'  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 AWO)]rM  
•7.增益谱峰值的近似表达式 EGu%;[  
THrLX;I  
四. 速率方程和动态效应
E0Wc8m"  
•1．单模速率方程及基本物理量 ^C>kmo3J  
•2．稳态输出 :5YIoC  
•3. 共振频率和3dB带宽 sI>w#1.m/&  
•4. 载流子输运效应对带宽影响  s*uA3}j  
•5. 开启延迟时间 rj4@  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 E7uIur=g!  
•7. 自发辐射引起的噪声 >* -IIo  
•8. 相对强度噪声 'Ru(`" 1|  
•9. 模式线宽 1XGg0SC  
•10. 多模速率方程 ~
k*]Z
8Z  
.:S/x{~  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 :.:^\Q0  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ]kj^T?&n.  
3.激光器寿命 +){^HC\7h  
4.激光器阈值电流的温度特性 JE.$]){  
P{Nvt/%  
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