光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 L93l0eEt  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 *Kyw^DI  
光学特征 Rfn9s(m  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） Xm+8  
l  超大接受角度范围（+/-20°） -r#X~2tPzD  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 0ph{  
l  高损伤阈值 vK(i9>;7  
l  可精确控制相位延迟 _C.BFE_p  

hbU+Usx   光学头规格
-<Hu!V`+   型号	qL5{f(U4<   材料	"nm FzN   频率	相位延迟范围		0_k'.5l%   通光孔径
			=PUt&`1.a   1/4 波长	ay1YOfa*   1/2波长
Mb"J@5P[4   I/FS50	}YjX3|8zL=   Fused Silica	Sa\!*e_sN   50 kHz	9k9_mjLZ   170nm - 2μm	=81@o,1w   170nm-1μm	9 Yx]=n   16mm
!(qsD+   I/FS20	CL)lq)1(   Fused Silica	u4.ngj J   20 kHz	f}Np/   170nm - 2μm	!l_lo`)   170nm-1μm	_nD$b={g   22mm
G+F#n6Vx   I/CF50	ygeDcnvR]   Calcium Fluoride	?gJOgsHJP   50kHz	j>]nK~[ka   130nm - 2μm	,QC{3i~   130nm-1μm	HQ|MhM/"   16mm
.w> 4   II/FS20A	H_EB1"C;\   Fused Silica	?s\ OUr   20kHz	fq5_G~c=   170nm - 2μm	\ W?R   170nm-1μm	48jVRo   56mm
Ob}?zl@   II/FS20B	4%2~Wi8   Fused Silica	=1O <E   20kHz	AgOp.~*Z~V   1.6μm- 2.6μm	v$(lZa1   800nm-2.5μm	I&MY{f   56mm
U7doU'V/   II/FS42A	#mZpeB~    Fused Silica	RaWG w   42kHz	!_+8A/   170nm- 2μm	@mE)|.f   170nm- 1μm	WuPH'4b 5   27mm
:@1eph0   II/FS42B	%)[+%57{   Fused Silica	[01.\eh   42kHz	y;t6sM@   1.6μm- 2.6μm	YX=2jI   800nm-2.5μm	=`*O1a   27mm
qb5#_1qz+^   II/FS47A	T<JwD[(   Fused Silica	e%4:) IV!;   47kHz	%|^OOU}   170nm-2μm	nl( WJKq'   170nm-1μm	j<2m,~k`V   24mm
o;W`4S^   II/FS47B	o@#Y8M   Fused Silica	|}{B1A   47kHz	VR+<v   1.6μm-2.6μm	GuGOePV   800nm-2.5μm	,ldI2]   24mm
CT KG9 T   II/FS84	{K4+6p   Fused Silica	}tH[[4t w,   84kHz	~XyW&@   800nm-2.5μm	neXeAU   400nm-2.5μm	R)M_|ca   13mm
)I^2k4Cg"   II/IS42B	Y4cYZS47   Fused Silica	f;&]:2.j   42kHz	%V1Z~HC   1.6μm-3.5μm	] GHt"   800nm-2.5μm	a 4=N9X   27mm
%r-V2)   II/IS84	2RqbrY n   Fused Silica	G0` h%   84kHz	&?uz`pv2   800nm-3.5μm	'WI^ nZM   400nm-1.8μm	Mmo6MZ^   27mm
>iOzl wmG   II/CF57	B!dU>0&Ct   Calcium Fluoride	uQ=^~K:Z~   57kHz	HJ2*y|u   2μm - 8.5μm	Iq#ZhAk   1μm - 5.5μm	EyI}{6~F   23mm
cXR1grz   II/ZS37	rwniOQe   Zinc Selenide	~`GhS<D   37kHz	LAP6U.m'd   2μm - 18μm	?_oF:*~\   1μm - 9μm	yf?h#G%24   19mm
HxBm~Lcqy   II/ZS50	|.F   Zinc Selenide	j ,)P9V   50 kHz	9prU+9   2μm - 18μm	Ja]?&j   1μm - 10μm	'qArf    14mm
iweD @b   II/SI40	5jgdbHog]   Silicon	C@Nv;;AlU   40kHz	^pS+/ZSi^   FIR - THz	xy8#2   FIR - THz	T/c<23i   36mm
[w0/\]o   II/SI50	9D 0dg(   Silicon	/w8"=6Vv~   50 kHz	kF{*(r=.o   FIR - THz	g|Y] wd   FIR - THz	zf.-I   29mm

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