光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。  }roG(  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 b,<9  
光学特征 MGt]'}  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） UVEz;<5@\  
l  超大接受角度范围（+/-20°） g^~Kze  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） I%lE;'x  
l  高损伤阈值 ,pt%) c  
l  可精确控制相位延迟 c`G&KCw)d  

%b}gDWs   光学头规格
#T3h}=   型号	ziEz.Wn"   材料	ry0%a[[   频率	相位延迟范围		sl|_=oXT   通光孔径
			y cr"Y|   1/4 波长	PQ U]l"A   1/2波长
 ux-CpI   I/FS50	cAuY4RV   Fused Silica	x\@*60o   50 kHz	tE"Si<[]H$   170nm - 2μm	MI#mAg<   170nm-1μm	vqNsZ 8|`   16mm
Y+-xvx :   I/FS20	E4[}lX}   Fused Silica	csQfic   20 kHz	LE=k   170nm - 2μm	%[QV,fD'E   170nm-1μm	S h4wqf   22mm
XbXA+ey6   I/CF50	uCP>y6I   Calcium Fluoride	d- E4~)Qy   50kHz	L;6. r3bL   130nm - 2μm	;LwqTlJ*[L   130nm-1μm	Nt-<W+,   16mm
A(d5G^   II/FS20A	NPjv)TN}3   Fused Silica	bGXR7u&K   20kHz	my.`k'   170nm - 2μm	0GXO&rCG   170nm-1μm	>G"X J<IO   56mm
fI|[Z+"   II/FS20B	q/&y*)&'O   Fused Silica	%_M2N.n   20kHz	Q<"[C 1Lj   1.6μm- 2.6μm	B]iP't\~   800nm-2.5μm	3OqX/z,   56mm
&#m"/g7w4N   II/FS42A	e [0w5)X    Fused Silica	C!x/ ^gw   42kHz	Ug"rJMZG   170nm- 2μm	(9RslvKL   170nm- 1μm	C;rG]t^%   27mm
@ R2at   II/FS42B	=(, ^du'   Fused Silica	GA3sRFZdQ   42kHz	F} DUEDND*   1.6μm- 2.6μm	TH1B#Y#<J   800nm-2.5μm	7"v$- Wy   27mm
u5E]t9~Pq   II/FS47A	kODK@w V-   Fused Silica	g /+oZU   47kHz	]$iN#d|ZU   170nm-2μm	h y-cG%f   170nm-1μm	LXfCmc9|Z   24mm
Qvoqx>2p5   II/FS47B	NucM+r1P   Fused Silica	e$/B_o7(   47kHz	15H6:_+=0   1.6μm-2.6μm	1cJsj   800nm-2.5μm	i u]&;   24mm
"4xfrlOc   II/FS84	Zm TDQ`Ix   Fused Silica	(!K_Fy@   84kHz	V6a``i]   800nm-2.5μm	JhK/']R   400nm-2.5μm	i^"+5Eq[D   13mm
pK&I^r    II/IS42B	[J#1Ff;   Fused Silica	H=MCjh&$q   42kHz	NYB[Zyp   1.6μm-3.5μm	2z0n<`   800nm-2.5μm	C?Zw6M+   27mm
7*H:Ob)9k   II/IS84	C;B}3g&   Fused Silica	y&J@?Hc>   84kHz	\c`oy=qY0   800nm-3.5μm	Cpl;vQ   400nm-1.8μm	!dcwq;Ea   27mm
j6}R7$JR   II/CF57	\+PIe7f_   Calcium Fluoride	3/6/G}s   57kHz	mj,fp2D;%   2μm - 8.5μm	jx`QB')kX   1μm - 5.5μm	3tS~:6-/   23mm
9h,u6e   II/ZS37	u' Qd,   Zinc Selenide	\l#>dq"Y   37kHz	E8}+k o   2μm - 18μm	C'mL&   1μm - 9μm	b3$k9dmxV+   19mm
0Fr1Ku!   II/ZS50	,d,\-x-+/   Zinc Selenide	Y}R}-+bD/   50 kHz	B0UJq./`   2μm - 18μm	gQWd&)'muf   1μm - 10μm	q }C+tn"\   14mm
vR7HF*8   II/SI40	HRa@   Silicon	Ju` [m   40kHz	&~sfYW   FIR - THz	LxN*)[Wb   FIR - THz	`cB_.&   36mm
xl4=++pu)   II/SI50	+{`yeZ9S   Silicon	V~{ _3YY   50 kHz	t` ^Vb-   FIR - THz	dWRrG-'   FIR - THz	5ua?I9fY   29mm

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