光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 yZlT#^$\  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 s&73g0$$  
光学特征 L;V8c  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） bQ*yXJ^8  
l  超大接受角度范围（+/-20°） y 4i3m(S  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） KjGu !B
 
l  高损伤阈值 ebA:Sq:w  
l  可精确控制相位延迟 *fN+wiPD  

u^MKqI   光学头规格
w=GMQ8   型号	lY,^   材料	(.-4Jn   频率	相位延迟范围		[Uup5+MCv   通光孔径
			;L-=z]IR,   1/4 波长	~"+" 6zg   1/2波长
2@S}x@^   I/FS50	+Tum K.   Fused Silica	n>ryS/1   50 kHz	JBY.er`6C   170nm - 2μm	TFXBN.?9T   170nm-1μm	FJvY`zqB   16mm
yTZev|ej@   I/FS20	'5h`="   Fused Silica	|4\1V=(   20 kHz	+&.zwniSS   170nm - 2μm	^s)`UZ<C=   170nm-1μm	u=:f%l   22mm
xmg3,bO   I/CF50	Ph3;;,v '   Calcium Fluoride	_xKn2?d8g   50kHz	$zP5Hzx   130nm - 2μm	MblRdj6   130nm-1μm	#eW T-m   16mm
kj6:P$tH   II/FS20A	hYoUZ'4   Fused Silica	]-gyXE1.r   20kHz	ggDT5hb   170nm - 2μm	svpQ.Q   170nm-1μm	$tZ {>!N   56mm
]dUG=dWO   II/FS20B	,AnD%#o   Fused Silica	8'PZA,CW   20kHz	T;6MUmyC   1.6μm- 2.6μm	 l<6GZ   800nm-2.5μm	V'vWz`#   56mm
!!C/($   II/FS42A	Z- feMM   Fused Silica	y[m,t}gi   42kHz	Qx)b4~F?   170nm- 2μm	` -_!%m/   170nm- 1μm	'rB%a<   27mm
(=j;rfvP   II/FS42B	}$_@yt<{W@   Fused Silica	ofB:7   42kHz	,@ '^3u   1.6μm- 2.6μm	5%jhVys23   800nm-2.5μm	TUfj\d,   27mm
ZJ3g,dc   II/FS47A	hTDK[4e   Fused Silica	aqON6|6K   47kHz	M=iTwK   170nm-2μm	?+]=|hN   170nm-1μm	|N/ d}   24mm
>V6t L;+   II/FS47B	&J3QO%   Fused Silica	%jL^sA2;c+   47kHz	,ua1sTgQ   1.6μm-2.6μm	E0ED[d,   800nm-2.5μm	gGrVpOzBj   24mm
~P|;Y<?3   II/FS84	$7q3[skH   Fused Silica	Bve|+c6W   84kHz	4\n ~   800nm-2.5μm	bv4umL /   400nm-2.5μm	1GY Z1iA   13mm
6q^$}eOt   II/IS42B	c{=;lT   Fused Silica	Rzd`MIHDp   42kHz	WZ'Z"'   1.6μm-3.5μm	# 55>?   800nm-2.5μm	BA h'H&;V   27mm
<{#_;7h"   II/IS84	\OW:-   Fused Silica	3X gJZ   84kHz	x0# Bc7y   800nm-3.5μm	:-RB< Lj   400nm-1.8μm	pA!-sp gX   27mm
Lap?L/NS   II/CF57	&l+Qn'N   Calcium Fluoride	]Q"T8drL   57kHz	kp*v:*   2μm - 8.5μm	]^ R':YE   1μm - 5.5μm	YdhV a!Y   23mm
x17:~[c']   II/ZS37	iM!2m$'s   Zinc Selenide	T?RY~GA   37kHz	ov+{<0Q   2μm - 18μm	4kL6aSqT   1μm - 9μm	{4S UGo>   19mm
$5XAS   II/ZS50	\WiCI:   Zinc Selenide	~:Rbd9IB   50 kHz	t=Oq <r   2μm - 18μm	'APx   1μm - 10μm	aBC5?V*e%   14mm
&. =8Q?   II/SI40	5M>h[Q"R   Silicon	c4AJ`f.5   40kHz	PSJj$bt;<+   FIR - THz	*tv&=   FIR - THz	KkUK" Vc   36mm
5{HF'1XgZ*   II/SI50	We y*\@   Silicon	as@8L|i*   50 kHz	sRt7.fe   FIR - THz	5qM$ahN3wH   FIR - THz	f7*Qa!!2p]   29mm

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