光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 VAE?={-  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 MA#!<b('  
光学特征 TWEqv<c  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） :q<%wLs  
l  超大接受角度范围（+/-20°） `kSCH; mwP  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 63Yu05'  
l  高损伤阈值 %iC63)(M  
l  可精确控制相位延迟 m0\}Cc  

nV*sdSt   光学头规格
.G~5F- 8'   型号	R}9jgB   材料	RgA4@J#   频率	相位延迟范围		9[E$>o"%   通光孔径
			Bqlc+d:   1/4 波长	F$p*G][   1/2波长
>%dAqYi $   I/FS50	m(:qZW   Fused Silica	k.[) R@0%   50 kHz	"mDrJTWa   170nm - 2μm	&(^u19TKl   170nm-1μm	H)aC'M^   16mm
`Kw8rG\]:   I/FS20	g*r;( H>e   Fused Silica	`1<3Hu_   20 kHz	?Hxgx   170nm - 2μm	]u ~Fn2   170nm-1μm	.OS?^\   22mm
*js$r+4   I/CF50	PVc|y.   Calcium Fluoride	Z*)Y:tk)b   50kHz	Pt 0}9Q   130nm - 2μm	.x?zky^   130nm-1μm	N/{Yi _n   16mm
SSbK[aR   II/FS20A	9Sl|l.;!   Fused Silica	OrJlHMz   20kHz	lT!$\E$1    170nm - 2μm	0QH3,Ps1C   170nm-1μm	1\{U<Oli   56mm
MGyB8(   II/FS20B	vek:/'sj3p   Fused Silica	YGV#.   20kHz	xp8f   1.6μm- 2.6μm	%<#3_}"T|   800nm-2.5μm	n9fA!Wic   56mm
KM(9&1/   II/FS42A	)u)$ `a   Fused Silica	!Fg4Au   42kHz	{2gd4[:   170nm- 2μm	C5PBfn<j   170nm- 1μm	>AX~c jo   27mm
AD%D ,l   II/FS42B	C 3XZD4.2   Fused Silica	{$1$]p~3o   42kHz	H?(SSL   1.6μm- 2.6μm	dtnet_j   800nm-2.5μm	`CE j 4   27mm
=<zSF\Zr_   II/FS47A	!a&SB*%^I3   Fused Silica	|}p}`Mb)a   47kHz	eQaxZMU   170nm-2μm	.0fh>kQ   170nm-1μm	)!}-\5F   24mm
69j~?w)^   II/FS47B	]\ 2R VDC   Fused Silica	/`O]etr`d   47kHz	[+MX$y   1.6μm-2.6μm	C| L^Ds0   800nm-2.5μm	SM /ykk   24mm
fxoi<!|iGY   II/FS84	dbuJ~?D,   Fused Silica	q&Tn>B   84kHz	uGUv~bE   800nm-2.5μm	4,F 3@m:<   400nm-2.5μm	;y~{+{{Ow   13mm
+5t  bK   II/IS42B	)dIfr   Fused Silica	Jg|cvu-+   42kHz	G>w?9:V}   1.6μm-3.5μm	bA<AG*   800nm-2.5μm	o%WjJ~!zL   27mm
;64mf`   II/IS84	}uI7\\S   Fused Silica	Z 5)_B,E:X   84kHz	'LbeL1ca   800nm-3.5μm	A6NxM8ybn+   400nm-1.8μm	4OOn,09   27mm
Gl8&FrR   II/CF57	(e8G (   Calcium Fluoride	'-PMF~~S   57kHz	]KXMGH_   2μm - 8.5μm	JpxbB)/   1μm - 5.5μm	'{0[&i*   23mm
\/*Nf?;   II/ZS37	ran^te^Ks(   Zinc Selenide	)Ab6!"'   37kHz	9:%n=URd   2μm - 18μm	zRV!(Y   1μm - 9μm	1@%B?   19mm
jWXR__>.   II/ZS50	p`:*mf   Zinc Selenide	-*|:v67C&   50 kHz	3T|Y}   2μm - 18μm	w!WRa8C   1μm - 10μm	/}w#Jk4pD   14mm
/Fe:h>6   II/SI40	!6zyJc@01   Silicon	Il{^ j6   40kHz	L\}Pzxn   FIR - THz	w{3Q( =&   FIR - THz	,{?q^"   36mm
':\fl.b   II/SI50	WHUT/:?f   Silicon	#e.jY_   50 kHz	?0rOcaTY   FIR - THz	s) Cpi   FIR - THz	6ORY`Pe7P|   29mm

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