光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 :}3qZX  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 wE8a4.  
光学特征 nX.sh  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） 
#1qVFU  
l  超大接受角度范围（+/-20°） _'v }=:X  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） vElL.<..  
l  高损伤阈值 Z.Y;[Y  
l  可精确控制相位延迟 @L>NN>?SGQ  

q$u\ q.   光学头规格
OCOO02Wq1   型号	L9unhx   材料	`S/1U87   频率	相位延迟范围		}96/: ;:k   通光孔径
			YL&b9e4   1/4 波长	.5[LQR   1/2波长
He71h(BHm   I/FS50	lA Ck$E   Fused Silica	HBga'x J   50 kHz	jO3u]5}.6   170nm - 2μm	=Q=&Ucf_   170nm-1μm	,C'w(af@}   16mm
,C@hTOT   I/FS20	3EW f|6RI   Fused Silica	A2O_pbQti   20 kHz	VjB `~   170nm - 2μm	{+UNjKQC   170nm-1μm	3W0E6 H"   22mm
4M<JfD   I/CF50	+q_lYGTiO   Calcium Fluoride	6L6~IX L>   50kHz	:Z]+Z_9p   130nm - 2μm	cmGj0YUQ1   130nm-1μm	MCrO]N($b   16mm
}$k`[ivBx(   II/FS20A	6quWO2x   Fused Silica	a_iQlsU   20kHz	[|; Zxb:   170nm - 2μm	@01D1A   170nm-1μm	[]N$;~R7   56mm
g$-D?~(Z   II/FS20B	*ZSp9g"Z   Fused Silica	C=_-p"O#   20kHz	!wb~A0m   1.6μm- 2.6μm	^(m6g&$(   800nm-2.5μm	1q233QSW)   56mm
LX?r=_\   II/FS42A	5@Lxbe( q   Fused Silica	\A\yuJ=   42kHz	aaD$'Y,<>B   170nm- 2μm	.gkPG'm[   170nm- 1μm	W0T i ^@   27mm
y>cmKE   II/FS42B	z9kX`M+   Fused Silica	Gx*0$4xJ3   42kHz	Dx# @D#   1.6μm- 2.6μm	3;l>x/amk   800nm-2.5μm	_}9R}   27mm
W*DIW;8p   II/FS47A	[dF=1E>W_J   Fused Silica	n ua8y(W   47kHz	*u4X<oBS*   170nm-2μm	]%Yis=v   170nm-1μm	i7FR78^   24mm
].f,3itg&   II/FS47B	t-x"(   Fused Silica	+2f J   47kHz	@]"9EW 0   1.6μm-2.6μm	"PScM9)\   800nm-2.5μm	H!>oLui   24mm
CU`Oc>;*T   II/FS84	wfTv<WG,.E   Fused Silica	Z#t)Z "   84kHz	Aag)c~D   800nm-2.5μm	jv=f@:[`I   400nm-2.5μm	-+_ aL4.   13mm
Tocdh.H|   II/IS42B	7>@/*S{X   Fused Silica	p'!,F; xX   42kHz	;AB,:*   1.6μm-3.5μm	"/Q(UV<d   800nm-2.5μm	V>uW|6   27mm
4-rI4A<   II/IS84	jLS]^|   Fused Silica	:h^UC~[h 3   84kHz	O8N0]Mz   800nm-3.5μm	la{uJ9Iw@}   400nm-1.8μm	-x\l<\*   27mm
Hg_ XD,   II/CF57	_v=WjN   Calcium Fluoride	AbI*/|sY   57kHz	!3Z|!JY   2μm - 8.5μm	8[`<u[Iv   1μm - 5.5μm	&`Z)5Ww   23mm
&Wz:-G7<n   II/ZS37	m:O2_%\l   Zinc Selenide	zp-~' kIJ   37kHz	|Pl{Oo+   2μm - 18μm	F8;4Oj   1μm - 9μm	sl @6   19mm
\bA'Furp   II/ZS50	x2c*k$<p   Zinc Selenide	*xTquV$   50 kHz	Eq;frnw>q   2μm - 18μm	6U9Fa=%>}   1μm - 10μm	&:f'{>3z   14mm
! e,(Zz5   II/SI40	=V]i?31[   Silicon	6@ ^`-N;   40kHz	3Il/3\   FIR - THz	I>~BkR+u%o   FIR - THz	IMrOPwjc   36mm
K2`WcEe   II/SI50	*LdH/C.LIf   Silicon	?ML<o>OKg   50 kHz	~cj:AIF   FIR - THz	(`/i1#nR   FIR - THz	zGz'2,o3   29mm

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