光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。  $Adp  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 !~VR|n-  
光学特征 -+Awm{X_@  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） \^^hG5f  
l  超大接受角度范围（+/-20°） P,LXZ  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） lu9Ir>c  
l  高损伤阈值 ()rx>?x5  
l  可精确控制相位延迟 vf/$`IJ  

* ]DJAF]   光学头规格
1f bFNxo8M   型号	lFzQG:k@   材料	q#':aXcv"   频率	相位延迟范围		b{ubp   通光孔径
			8Y;zs7Y   1/4 波长	{ ?1mY"   1/2波长
Cvu8X&y   I/FS50	a# ~Z5>{   Fused Silica	:)3$&QdHT   50 kHz	IQIb\OUo!v   170nm - 2μm	4jZi62   170nm-1μm	ct|'I]nB.h   16mm
PSrt/y!   I/FS20	4<K ,w{ I   Fused Silica	=G3J.S*Riy   20 kHz	@a7(* <".   170nm - 2μm	Aj)<8   170nm-1μm	2+G:04eS,e   22mm
Qe=Q8c T   I/CF50	BIB>U W   Calcium Fluoride	(J) Rs`_   50kHz	\]d*h]Hms   130nm - 2μm	R4J>M@-0v   130nm-1μm	K]=>F   16mm
|jCE9Ve#   II/FS20A	@|*Z0bn'   Fused Silica	G5 eLs   20kHz	0m| Gp   170nm - 2μm	:J)lC =   170nm-1μm	yK2*~T,6@   56mm
F|3FvxA   II/FS20B	s }R: q   Fused Silica	Xrzh*sp   20kHz	K+TTYQ   1.6μm- 2.6μm	p2_Zsq   800nm-2.5μm	p?gLW/n   56mm
b<H6D}   II/FS42A	1V9X(uP   Fused Silica	R`3>0LrC8   42kHz	)PZ}^Fa   170nm- 2μm	N55=&-p   170nm- 1μm	b42pLbpe'E   27mm
TH}ycue   II/FS42B	@p'v.;~#   Fused Silica	u5)A+.v   42kHz	aw@Aoq   1.6μm- 2.6μm	 n|`):sP   800nm-2.5μm	{<{G 1y~   27mm
;s/b_RN   II/FS47A	8`*9jr   Fused Silica	0tL/:zID   47kHz	b2@x(5#   170nm-2μm	=$z$VbBv   170nm-1μm	zinl.8Uk   24mm
<rI$"=7   II/FS47B	>w m $,%zk   Fused Silica	Xm[r#IA   47kHz	=y(YMWGS   1.6μm-2.6μm	\ A UtGP   800nm-2.5μm	8'\,&f`Y   24mm
EG8R*Cm,}   II/FS84	/!uBk3x:   Fused Silica	}AfPBfgC1z   84kHz	*R6eykp   800nm-2.5μm	_89G2)U=C   400nm-2.5μm	1? hd   13mm
={0{X9t?'j   II/IS42B	A,[m=9V   Fused Silica	R;,HtN   42kHz	l6U'   1.6μm-3.5μm	5GxM?%\   800nm-2.5μm	dw}3B8]   27mm
snNg:rTL   II/IS84	s(9rBDoY(8   Fused Silica	@Lv_\^2/}   84kHz	+VCo=oA   800nm-3.5μm	c,%>7U(w_   400nm-1.8μm	M<m64{m1   27mm
d7zE8)DU7   II/CF57	#]HjP\C   Calcium Fluoride	nhhJUN?8   57kHz	<RsKV$Je I   2μm - 8.5μm	/;$ew~}   1μm - 5.5μm	rbS=Ewk   23mm
IL"#TKKv   II/ZS37	07Cuoqt2   Zinc Selenide	gUtbCqDS   37kHz	=YsT F T   2μm - 18μm	d~$t{46   1μm - 9μm	hs uJ;4}$q   19mm
p6\9H  G   II/ZS50	kYa' ] m   Zinc Selenide	Q>*K/%KD   50 kHz	,$[lOFs   2μm - 18μm	bu5)~|?{t   1μm - 10μm	AG0x)   14mm
PS]XLz   II/SI40	<W^~Y31:0   Silicon	uCr   40kHz	\Rt   FIR - THz	Di=6.gm[<   FIR - THz	TrAUu`?#   36mm
Om{ML,d   II/SI50	%LW~oI.   Silicon	.lS6KBf@   50 kHz	`<Nc Y*   FIR - THz	@"2-tn@q_   FIR - THz	HWZ*Htr   29mm

u8=|{)yL  
如需任何进一步信息，请联系上海昊量光电设备有限公司