光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。
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PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 `mN*"1p-  
光学特征 5,3Yt~\m  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） 9G7lPK  
l  超大接受角度范围（+/-20°） Gw3H1:yo  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） V2< 4~J2:9  
l  高损伤阈值 [ugBVnma  
l  可精确控制相位延迟 iOCx7j{BS  

'Xl[ y   光学头规格
*h=|KOS   型号	nwH'E   材料	[i7Ug.Oi"   频率	相位延迟范围		}]0f -}   通光孔径
			yDwG,)m 4s   1/4 波长	ghXh nxG   1/2波长
^a=,,6T   I/FS50	vA(V.s`   Fused Silica	O gQE1{C   50 kHz	p&Usl.   170nm - 2μm	? k$3( -   170nm-1μm	JgI+k Nx   16mm
y#[PQT   I/FS20	c< ke)@   Fused Silica	3*13XQ   20 kHz	1aC?*,e?   170nm - 2μm	7O3\   170nm-1μm	01md@4NQ   22mm
"xS?#^a   I/CF50	/\=syl   Calcium Fluoride	Vx1xULdY   50kHz	_7?LINF9   130nm - 2μm	B( <;]   130nm-1μm	Iu`B7UOF   16mm
`mU'{   II/FS20A	[[{y?-U   Fused Silica	XWQp-H.   20kHz	<mE)&7C   170nm - 2μm	zY@|KV"^r   170nm-1μm	aBX^Wd   56mm
YG<7Zv   II/FS20B	q4)8]Y2   Fused Silica	vM5u]u!   20kHz	:Gyv%>.   1.6μm- 2.6μm	KF' $D:\   800nm-2.5μm	T\g%.   56mm
Xne{:!btw   II/FS42A	_KSYt32N   Fused Silica	B2UQO4[w   42kHz	h#K863   170nm- 2μm	X(m&   170nm- 1μm	ht8%A 1|   27mm
Ip}(!D|   II/FS42B	C^]y iR-U   Fused Silica	`>^2MHF3LT   42kHz	/6_>d$   1.6μm- 2.6μm	^:Vwblv(   800nm-2.5μm	FuEgI8+b   27mm
w{$t:l)2,   II/FS47A	x%kS:!   Fused Silica	tA?P$5?-*   47kHz	B|#*I[4`w@   170nm-2μm	cES3<`[K   170nm-1μm	9;3f`DK@2k   24mm
Z/=x(I0   II/FS47B	nKn,i$sO/.   Fused Silica	!Kv.v7'N/k   47kHz	,@2d<d]   1.6μm-2.6μm	}5#<`8   800nm-2.5μm	u Q4 WM   24mm
CrHH Ob   II/FS84	;5 W|#{I   Fused Silica	R3;GMe@D#   84kHz	3| 5Af   800nm-2.5μm	Bor_Kib   400nm-2.5μm	DJSSc   13mm
yE3g0@*   II/IS42B	(Sc]dH   Fused Silica	[G{{f   42kHz	_iBNy    1.6μm-3.5μm	j>s>i   800nm-2.5μm	aagN-/mgm   27mm
+JE h7   II/IS84	A-:58Qau+   Fused Silica	h@$M.h@mcG   84kHz	V[>MKB(   800nm-3.5μm	z38&7+   400nm-1.8μm	7B GMG|   27mm
+,=DUsI}   II/CF57	aaf\%~   Calcium Fluoride	<TmMUA)`}   57kHz	il=y m   2μm - 8.5μm	_uL{@(   1μm - 5.5μm	wPT XRq%   23mm
)&[S*g   II/ZS37	0ts] iQ7   Zinc Selenide	.L'>1H ]B   37kHz	mXnl-_   2μm - 18μm	QjMH1S   1μm - 9μm	l0Wp%T   19mm
&i*/}OZz   II/ZS50	w4Nm4To   Zinc Selenide	M{$EJS\d=   50 kHz	Jvt| q5   2μm - 18μm	]v7f9MC'\   1μm - 10μm	1au1DvH   14mm
^`NU:"   II/SI40	7c|8>zES:E   Silicon	nff&~lwhZ   40kHz	.]`LR@qf   FIR - THz	t-gg,ttnA   FIR - THz	Iy8>9m'5   36mm
Rk8>Ak(/   II/SI50	ML?%s`    Silicon	VH1PC   50 kHz	w=>~pYA SH   FIR - THz	fMRBGcg7Dc   FIR - THz	+$M%"=tk   29mm

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