光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 K]s*rPT/,  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 uE%$<o*#  
光学特征 n,vs(ZL:  
l  大通光孔径（15到30mm，标准）
0kOl,%Ey  
l  超大接受角度范围（+/-20°） >J,y1jzJ  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） OD~B2MpM>  
l  高损伤阈值 9#iv|X  
l  可精确控制相位延迟 n)xLEx,  

|| 0n%"h>i   光学头规格
ey ;94n:<   型号	?Ja&LNI9S   材料	6Qh@lro;y   频率	相位延迟范围		;eQOBGX9   通光孔径
			G}8Zkz@+   1/4 波长	M*n@djL$\~   1/2波长
k/]4L!/ T   I/FS50	SG@-b(   Fused Silica	I`-N]sf^   50 kHz	:y%CP8   170nm - 2μm	rD":Gac   170nm-1μm	K#_x.:<J   16mm
JT(6Uf   I/FS20	k?7V#QW(   Fused Silica	<)am]+Lswy   20 kHz	T\3aT   170nm - 2μm	*47',Qy   170nm-1μm	@eOD+h'   22mm
i0/RvrLc   I/CF50	.XTR HL*:   Calcium Fluoride	9qcA+gz:|   50kHz	?CU6RC n   130nm - 2μm	{a6cA=WTPd   130nm-1μm	e/s8?l   16mm
O~~ WP*N   II/FS20A	MIF`|3$,   Fused Silica	qGVf!R   20kHz	%!X9>i>   170nm - 2μm	X" m0||   170nm-1μm	97 eEqI$#   56mm
JVxGS{Z   II/FS20B	QMAineO   Fused Silica	d.Im{-S   20kHz	IF~E;   1.6μm- 2.6μm	SR8)4:aKW   800nm-2.5μm	K~6,xZlDWM   56mm
bbe$6xwi   II/FS42A	g:rjt1w`D   Fused Silica	]/ffA|"U`   42kHz	A S? ESDC   170nm- 2μm	U_[<,JE   170nm- 1μm	}"x#uG   27mm
dgp1B\   II/FS42B	orON)Sks   Fused Silica	o!@}&DE|*L   42kHz	#ExNiFZ   1.6μm- 2.6μm	5x?YFq6k   800nm-2.5μm	hb="J34 9   27mm
2&o jQhe   II/FS47A	}huFv*<@'   Fused Silica	0(|Yy/Yq   47kHz	o|G[/o2   170nm-2μm	B9(@.   170nm-1μm	=8V 9E   24mm
kVe4#LT   II/FS47B	X%rsa7H3J   Fused Silica	|w].*c}Z   47kHz	`~k`m{4.a   1.6μm-2.6μm	,[UK32KWI   800nm-2.5μm	N(Sc!rX   24mm
gzd<D}2F~   II/FS84	+=MN_   Fused Silica	6"YcM:5~   84kHz	f>hA+   800nm-2.5μm	Ek6z[G` O   400nm-2.5μm	hZ`<ID   13mm
4H4ui&|7u6   II/IS42B	;_p$5GVR|   Fused Silica	Rl{e<>O\^   42kHz	v8 l3{qq   1.6μm-3.5μm	K 7OIT2-   800nm-2.5μm	/ DG t   27mm
q>rDxmP<   II/IS84	8}K^o>J&K   Fused Silica	zQ~ax!}R   84kHz	NH'Dz6K5   800nm-3.5μm	H!P$p-*.   400nm-1.8μm	SceK$   27mm
]_(J8v   II/CF57	z50P* eS   Calcium Fluoride	aY -7K._</   57kHz	|i\%>Y,   2μm - 8.5μm	Y*/e;mG.   1μm - 5.5μm	1I?`3N   23mm
8+@j %l j   II/ZS37	}0V aZ<j   Zinc Selenide	yu>)[|-   37kHz	%#x l+^   2μm - 18μm	Ggk#>O G   1μm - 9μm	= glF6a   19mm
b/"gUYo   II/ZS50	i_(6}Y&   Zinc Selenide	PW_"JZ   50 kHz	c!ieN9^+   2μm - 18μm	T5Iz{Ha   1μm - 10μm	H/U.Bg 4   14mm
bae;2| w   II/SI40	6Ts[NXa   Silicon	/>n!2'!   40kHz	ON9L+"vqv0   FIR - THz	;ObrBN,Fu   FIR - THz	"H#pN;)+   36mm
$5:I~-mx   II/SI50	#>M^BOR8   Silicon	3i1TBhs6   50 kHz	2]]} Xvx4#   FIR - THz	2<9&OL   FIR - THz	:nOI|\rC   29mm

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