光弹调制器

如果一个透明固体材料的被压缩或拉伸，材料就会产生双折射现象，这样，不同具有不同偏振状态的光在磁材料中的传播速度将会有所不同，这就是所谓光弹现象。光弹调制器(Photoelastic Modulators)就是机遇这样的光弹现象而制成的一种调制器, 具有全视场角大、驱动电压低、功耗小和使用波段宽等优点, 是高精度偏振调制和偏振检测技术的关键核心器件。 2D3mTpw  
PEM光弹调制器由两光学部分和电学部分两部分组成，电元件与光元件相互独立。这样不但减小了光学头的体积，同时也为光弹调制器用于磁场或真空中提供了方便。 c&`]O\D-c  
光学特征 q1/mp){  
l  大通光孔径（15到30mm，标准） ;;EFiaA  
l  超大接受角度范围（+/-20°） XhOg>  
l  波长覆盖范围大（170nm~10um，FIR~THZ） 7? ="{;  
l  高损伤阈值 SNHALF  
l  可精确控制相位延迟 ^)3=WD'!  

.e5 rKkkT   光学头规格
#"o`'5   型号	SMQC/t]HT   材料	^4{{ +G)j   频率	相位延迟范围		H\|H]:CE   通光孔径
			u$^r(.EV   1/4 波长	}</"~Kw!   1/2波长
3tmS/tQp   I/FS50	l!}7GWj   Fused Silica	\6/!{D,   50 kHz	(~:ip)v   170nm - 2μm	GGGz7_s ?   170nm-1μm	'5 9{VA6h   16mm
[Lf8*U"   I/FS20	S&'-wAEd   Fused Silica	;^8X(R   20 kHz	=%;TVJk*a   170nm - 2μm	F[0w*i&u5   170nm-1μm	SCq3Kh   22mm
Dh9C9<Ta:   I/CF50	=>xyJ->R   Calcium Fluoride	k_ijVfI9   50kHz	kg$w<C@#"   130nm - 2μm	,{#Li   130nm-1μm	:2;c@ uj   16mm
VQ4rEO=t   II/FS20A	en16hd>^W:   Fused Silica	WAGU|t#."   20kHz	8fQXif\z   170nm - 2μm	oX6()FR   170nm-1μm	6W N(Tw   56mm
5Ja[p~^ L   II/FS20B	L!:;H,   Fused Silica	ZJ|&t   20kHz	cb_nlG!   1.6μm- 2.6μm	,<=_t{^   800nm-2.5μm	h%U,g 9_   56mm
 *l-F   II/FS42A	5Fa/Q>N   Fused Silica	Vpf7~2[q%   42kHz	O[HBw~   170nm- 2μm	Qy|6A@   170nm- 1μm	=b#,OXQ   27mm
NE-c[|rq   II/FS42B	4 _Idf   Fused Silica	5m rkw   42kHz	Trml?zexD   1.6μm- 2.6μm	w)%/Me3o   800nm-2.5μm	QQX7p!~E   27mm
3qwSm<   II/FS47A	lAZBlO   Fused Silica	a*Ng+~5)6   47kHz	5OHF=wh   170nm-2μm	d{RMX<;G   170nm-1μm	:X#'ELo|   24mm
C'fQ Z,r-v   II/FS47B	OG2&=~hOz-   Fused Silica	?Yh GW    47kHz	wy#5p]!u   1.6μm-2.6μm	r_M5:Rz   800nm-2.5μm	*vIC9./   24mm
5s1XO*s)>X   II/FS84	P<IZ%eS3B   Fused Silica	"o$)z'q   84kHz	 uE3xzF   800nm-2.5μm	~DUOL~E   400nm-2.5μm	ZTK)N   13mm
l=^^l`   II/IS42B	<~35tOpv   Fused Silica	%jj\w>   42kHz	jI,?*n<   1.6μm-3.5μm	+&8'@v$   800nm-2.5μm	w !m4   27mm
]gB:ht   II/IS84	S+//g+e|f   Fused Silica	!_j6\r=   84kHz	>d5L4&r   800nm-3.5μm	6yXMre)YV   400nm-1.8μm	NIxtT>[+3   27mm
_}:#T8h   II/CF57	EY'48S   Calcium Fluoride	aq%i:};   57kHz	F=~LVaF/_   2μm - 8.5μm	qre(3,VE5   1μm - 5.5μm	!jyy`q=   23mm
bDM;7fFp$   II/ZS37	=FXq=x%9+   Zinc Selenide	P(Q}r7F~(   37kHz	I8{ohFFo   2μm - 18μm	Gque@u   1μm - 9μm	K8|>"c~   19mm
*|&&3&7   II/ZS50	ueV,p?Wo   Zinc Selenide	EMMp4KKOx+   50 kHz	Hrj@I?4   2μm - 18μm	F)hUT@   1μm - 10μm	)dZ1$MC[   14mm
w.R2' WR   II/SI40	t gHXIr}3   Silicon	=z +iI;   40kHz	+pJ~<ug]   FIR - THz	v!%VH?cA8   FIR - THz	}X^CH2,R   36mm
Bz*6M   II/SI50	\6K1Z!*;   Silicon	vON1\$bu`   50 kHz	^<QF*!   FIR - THz	.V?>Jhok   FIR - THz	%n:ymc $}   29mm

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