半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 $W=)-X\>  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ,tQNL\t  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 <{8x-zbR+  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ppRA%mhZ  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 50dN~(;p  

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第1章 真空技术 \a7m!v  
1.1 真空的基本概念 |EdEV*.
ej  
1.1.1 真空的定义 ZbVn"he  
1.1.2 真空度单位 wEl7mg !  
1.1.3 真空区域划分 8 e_]  
1.2 真空的获得 ]hy@5Jyh  
1.3 真空度测量 jl}!UG  
1.3.1 热传导真空计 U\,N  
1.3.2 热阴极电离真空计 ^V1\boo=  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Dq%}({+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 rXzq:  
参考文献 J zFR9DEt  
4YI6&  
第2章 蒸发技术 O-ENFA~E;v  
2.1 发展历史与简介 /eU\B^k  
2.2 蒸发的种类 {>vgtkJ  
2.2.1 电阻热蒸发 ?7TmAll<.s  
2.2.2 电子束蒸发 k%u fgHl!  
2.2.3 高频感应蒸发 uH?4d!G  
2.2.4 激光束蒸发 J @~g>  
2.2.5 反应蒸发 a#+$.e5  
2.3 蒸发的应用实例 nu:l;+,VY  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 3N!v"2!#  
2.3.2 ITO薄膜 y${`W94  
参考文献 [_`yy  
nh0gT>a>@  
第3章 溅射技术 mXhC-8P  
3.1 溅射基本原理 ^i8biOSZu  
3.2 溅射主要参数 !5h-$;  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 AxH`4=3<  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 \v+c.  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 2"|7 YI  
3.3 溅射装置及工艺 _1O .{O  
3.3.1 阴极溅射 Im-qGB0C  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 _a9oHg  
3.3.3 射频溅射 ^\ln8!;  
3.3.4 磁控溅射 8kSyT'kC%  
3.3.5 反应溅射 4`9ROC  
3.4 离子成膜技术 tUZfQ  
3.4.1 离子镀成膜 pO fw *lD  
3.4.2 离子束成膜 +:jv )4^O  
3.5 溅射技术的应用 +A1*e+/b\  
3.5.1 溅射生长过程 K$GQc"  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 /qwY/^  
参考文献 [>
_zV.X  
_qk&W_u  
第4章 化学气相沉积
Wl=yxJu_(  
4.1 概述 vfj{j= G  
4.2 硅化学气相沉积 eHKb`K7C.  
4.2.1 CVD反应类型 /E{tNd^S  
4.2.2 CVD热力学分析 )mI>2<Z!  
4.2.3 CVD动力学分析 IY[qWs  
4.2.4 不同硅源的外延生长 v8'XchJ  
4.2.5 成核 hyJ&~i0P{J  
4.2.6 掺杂
(RrC<5"  
4.2.7 外延层质量 K0o${%'@7  
4.2.8 生长工艺 m+7%]$  
4.3 CVD技术的种类 )+Z.J]$O-  
4.3.1 常压CVD @c"s6h&  
4.3.2 低压CVD ek/zQM@%  
4.3.3 超高真空CVD dblf,x  
4.4 能量增强CVD技术 wxBZ+UP_  
4.4.1 等离子增强CVD 90Sras>F  
4.4.2 光增强CVD 9An\uH)mL  
4.5 卤素输运法 Uc,

..  
4.5.1 氯化物法 FqGMHM\J  
4.5.2 氢化物法 z[Qe86L  
4.6 MOCVD技术 O[L#|_BnEO  
4.6.1 MOCVD简介 ;o;ak.dTt  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 0 |?N  
4.6.3 MOCVD生长GaN }M"])B I  
4.6.4 MOCVD生长ZnO l O*  
4.7 特色CVD技术 %qE"A6j  
4.7.1 选择外延CVD技术 %|:j=/_  
4.7.2 原子层外延 kEAF1RP:  
参考文献 91yYR*  
mea} 9]c  
第5章 脉冲激光沉积 Wlq3r#  
5.1 脉冲激光沉积概述 MT)q?NcG  
5.2 PLD的基本原理 lfd-!(tXD  
5.2.1 激光与靶的相互作用 _akjgwu  
5.2.2 烧蚀物的传输 z?VjlA(X  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 Z5P4 H  
5.3 颗粒物的抑制 j"pyK@v2B  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 E;'{qp  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 7B5b +  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 XhWo~zh"  
参考文献 1=9GV+`n  
CK|AXz+EN  
第6章 分子束外延 cH:&S=>h  
6.1 引言 -`z%<)!Y  
6.2 分子束外延的原理和特点 ]mNsG0r6  
6.3 外延生长设备 #4"eQ*.*"  
6.4 分子束外延生长硅 x;} 25A|  
6.4.1 表面制备 o /1+ }f  
6.4.2 外延生长
& @_
PY  
6.4.3 掺杂 `)KGajB  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ?|}qT05  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 (]&B'1b  
6.5.1 MBE生长GaAs 3,*A VcQA  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs :f_oN3F p  
6.5.3 MBE生长GaN :9x]5;ma  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 f w)tWJVD  
6.6.1 HgCdTe材料 s?k:X ~m  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ?8< =.,r  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 q|s:&&Wf  
6.6.4 ZnSe、ZnTe Y,,Z47% E  
6.6.5 ZnO薄膜 g`.H)36  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 s[/d}S@ >  
6.7.1 SiC：材料 4f~q$Sf]<  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 +!nf?5;  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 vgg)f~  
参考文献 =`N0  
v^p* l0r6:  
第7章 液相外延 eOXu^M>:F  
7.1 液相外延生长的原理 i$hWX4L  
7.1.1 液相外延基本概况 u WdKG({][  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 gVJh@]8)  
7.2 液相外延生长方法和设备 -?{g{6  
7.3 液相外延生长的特点 4k<U5J  
7.4 液相外延的应用实例 )#hR}|  
7.4.1 硅材料 4OO^%`=)M'  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 DR]oK_  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 $rbr&TJ  
7.4.4 SiC材料 KiE'O{Y  
参考文献 v6! `H  
v"%>ms"n  
第8章 湿化学制备方法 (sH4T>  
8.1 溶胶-凝胶技术 6L Fhhl^  
O ]-8 %  
第9章 半导体超晶格和量子阱 pa?AKj]  
第10章 半导体器件制备技术 83#<Yxk~  
参考文献 At[Sk
G}b  
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