半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 AU0$A403  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 VKT@2HjNT`  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 x HY+q;  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 'GrRuT<  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 p9/bzT34.  

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第1章 真空技术 1W*V2`0>  
1.1 真空的基本概念 DD2adu^  
1.1.1 真空的定义
y= 2=DU  
1.1.2 真空度单位 *:?QB8YJ  
1.1.3 真空区域划分 3b#L17D3_  
1.2 真空的获得 VxNXd?  
1.3 真空度测量 aZP2
R"  
1.3.1 热传导真空计 F@g17aa  
1.3.2 热阴极电离真空计 FU[*8^Z  
1.3.3 冷阴极电离真空计 TS1pR"6l  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 `a-Bji?  
参考文献 M/*Bh,M`  
Hyf"iYv+  
第2章 蒸发技术 $Ru&>D#stK  
2.1 发展历史与简介 CdZnD#F2  
2.2 蒸发的种类 |ribWCv0  
2.2.1 电阻热蒸发 en%J!<&W{K  
2.2.2 电子束蒸发 l/[pEUYU  
2.2.3 高频感应蒸发 B`#*o<eb  
2.2.4 激光束蒸发 : g5(HH  
2.2.5 反应蒸发 Cc2MYm8  
2.3 蒸发的应用实例 Vu=] O/ =P  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜
5lGQ#r  
2.3.2 ITO薄膜 lVP |W:~K  
参考文献 v_.HGGS  
@$oZ|ZkZ  
第3章 溅射技术 t-x[:i  
3.1 溅射基本原理 P:qz2Hw  
3.2 溅射主要参数 ~JLYhA^'+<  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 X~Cq  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 yWNOG 2qAP  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 H$Kw=kMw  
3.3 溅射装置及工艺 P<vo;96JT  
3.3.1 阴极溅射 ?.Q3 pUT  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 f}2;N  
3.3.3 射频溅射 Od-Ax+Hp  
3.3.4 磁控溅射 +mLD/gK`  
3.3.5 反应溅射 Y([d;_#P  
3.4 离子成膜技术 [ZD[a6(94  
3.4.1 离子镀成膜 O>%$q8x@i  
3.4.2 离子束成膜 57<Di!rt  
3.5 溅射技术的应用 /kRAt^4!  
3.5.1 溅射生长过程 t0.;nv@A0  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 p31oL{D  
参考文献 t!:)L+$3  
Y&5.9 s@'  
第4章 化学气相沉积 j;+["mi  
4.1 概述 )b0];&hw]  
4.2 硅化学气相沉积 8SZK:VE@  
4.2.1 CVD反应类型 $''UlWK  
4.2.2 CVD热力学分析 ^Q\XGl  
4.2.3 CVD动力学分析 -?z\5z  
4.2.4 不同硅源的外延生长 I0_Ecp  
4.2.5 成核 ,56;4)cv  
4.2.6 掺杂 N&m_e)E5c  
4.2.7 外延层质量 qnXTNs ?b  
4.2.8 生长工艺 1'fb @vO  
4.3 CVD技术的种类 X}W)3v  
4.3.1 常压CVD e2wvc/gG6  
4.3.2 低压CVD r]T0+
oQ>  
4.3.3 超高真空CVD :j,}{)5=  
4.4 能量增强CVD技术 o(fyd)t  
4.4.1 等离子增强CVD OaaH$B  
4.4.2 光增强CVD J^:n* C  
4.5 卤素输运法 Z0\Iyc G  
4.5.1 氯化物法 4K7{f+
T  
4.5.2 氢化物法 2Wl{Br
.  
4.6 MOCVD技术 328L)BmW  
4.6.1 MOCVD简介 Z&Pu8zG /m  
4.6.2 MOCVD生长GaAs q3+8]-9|5  
4.6.3 MOCVD生长GaN fGarUV  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ="(>>C1-  
4.7 特色CVD技术 +zp0" ,2B  
4.7.1 选择外延CVD技术 [K:29N9~4  
4.7.2 原子层外延 W.[BPR  
参考文献 t9` Ed>a  
/b%Q[ Ck_  
第5章 脉冲激光沉积 T6HU*(  
5.1 脉冲激光沉积概述
,g|2NjUAc  
5.2 PLD的基本原理 _ECB^s_  
5.2.1 激光与靶的相互作用 D#0O[F@l##  
5.2.2 烧蚀物的传输 y6%<zhs  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 7I >J$"  
5.3 颗粒物的抑制 8xTix1u0  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 A*i_|]Q  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 4ZI_
pf  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 e U;jP]FA  
参考文献 S#2[%o  
(h,Ws-O  
第6章 分子束外延 u-.L^!k  
6.1 引言 hQ';{5IKvC  
6.2 分子束外延的原理和特点 ^73=7PZ  
6.3 外延生长设备 i!,HB|wQ  
6.4 分子束外延生长硅 @O/,a7Tt  
6.4.1 表面制备 2C1+_IL   
6.4.2 外延生长 \ja `c)x  
6.4.3 掺杂 3dm'xetM  
6.4.4 外延膜的质量诊断 H[nz]s  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 9,WG!4:+W  
6.5.1 MBE生长GaAs /^4"Qv\@/  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ?D=8{!R3  
6.5.3 MBE生长GaN eqhAus?)  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 /b{HG7i\  
6.6.1 HgCdTe材料 N-%#\rPq.  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 Le&;g4%  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 q[c Etp28h  
6.6.4 ZnSe、ZnTe N-QCfDao  
6.6.5 ZnO薄膜 [z+x"9l0!  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 CQ>]jQ,2  
6.7.1 SiC：材料 M/B/b<['  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 6"
%2,`Nu  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 >{XScxaB`  
参考文献 f3n~{a,[  
]l&'k23~p  
第7章 液相外延 kM`7EP
k  
7.1 液相外延生长的原理 e5OVq ,  
7.1.1 液相外延基本概况 s<VJ`Ur  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 a8QfkOe  
7.2 液相外延生长方法和设备 S:GTc
QU  
7.3 液相外延生长的特点 B5`;MQJ  
7.4 液相外延的应用实例 tN!Bvj:C[M  
7.4.1 硅材料 /7vE>mSY  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 PbN3;c3  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 iNLDl~uU  
7.4.4 SiC材料 3#mE( `|P  
参考文献 K?YEoz'y[  
3'^S3W%  
第8章 湿化学制备方法 nx$bM(.  
8.1 溶胶-凝胶技术 xB,/dMdTj  
A^L?_\e6  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ay-
9c2E  
第10章 半导体器件制备技术 +wAp,Xr  
参考文献 g]4yAV<2  
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