半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 uhB V)Qg  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 mo&9=TaG  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ;{v2s;  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 "ZFH_5<  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 goJ'z|))  

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第1章 真空技术 -x|!?u5F  
1.1 真空的基本概念 [ B*r{  
1.1.1 真空的定义 [*@ +  
1.1.2 真空度单位 M;YJpi  
1.1.3 真空区域划分 F&   
1.2 真空的获得 z|\n^ZK=  
1.3 真空度测量 FW{K[km^P  
1.3.1 热传导真空计 zU_dk'&,  
1.3.2 热阴极电离真空计 Hlpt zez  
1.3.3 冷阴极电离真空计 c6SXz%'k  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 [8K :ml  
参考文献 Q2F20b  
*eI{g  
第2章 蒸发技术 M4% 3a j  
2.1 发展历史与简介 lr@
w1*  
2.2 蒸发的种类 `g0^W/j  
2.2.1 电阻热蒸发 DhD##5a  
2.2.2 电子束蒸发 po.QM/b \  
2.2.3 高频感应蒸发 xC}'"``s  
2.2.4 激光束蒸发 vG\ b`  
2.2.5 反应蒸发 0|8cSE< i  
2.3 蒸发的应用实例 .i^@v<+  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 7z
Ifsb  
2.3.2 ITO薄膜 e>bARK<  
参考文献 'pB?  
X8A.ag0Uu  
第3章 溅射技术 O- LwX >  
3.1 溅射基本原理 y,w_x,m  
3.2 溅射主要参数 $RUK<JN$6  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 zS h9`F  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 }}k*i0  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 0G2Y_A&e**  
3.3 溅射装置及工艺 Oqq'r"S  
3.3.1 阴极溅射 f.uy;v  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 u6| IKZ  
3.3.3 射频溅射 ]q4(%Q  
3.3.4 磁控溅射 S(CVkCP  
3.3.5 反应溅射 $`lm]} {&  
3.4 离子成膜技术 m9+?>/R  
3.4.1 离子镀成膜 B]6Lbp"oo  
3.4.2 离子束成膜 %5nEyZOq  
3.5 溅射技术的应用 R.vOYzo  
3.5.1 溅射生长过程 B]Ec  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 7S=,#  
参考文献 {FS)f  
 yK$aVK"  
第4章 化学气相沉积 4=;j.=>0X  
4.1 概述 P"]l/  
4.2 硅化学气相沉积 #,1z=/d.  
4.2.1 CVD反应类型 xq=!1>  
4.2.2 CVD热力学分析 {<-wm-]mo  
4.2.3 CVD动力学分析 E> $_ $'  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ;jN1n xF  
4.2.5 成核 lnLy"f"zV  
4.2.6 掺杂 99CK [G  
4.2.7 外延层质量 FK`:eP{  
4.2.8 生长工艺 >G
k<a  
4.3 CVD技术的种类 rK`^A  
4.3.1 常压CVD Q w - z  
4.3.2 低压CVD {9.UeVz  
4.3.3 超高真空CVD u3E =r  
4.4 能量增强CVD技术
} #L_R  
4.4.1 等离子增强CVD 3la`S$c  
4.4.2 光增强CVD \NEk B&^n  
4.5 卤素输运法 'J5F+,\Ka  
4.5.1 氯化物法 j+{cc: h"X  
4.5.2 氢化物法 -Fu,oEj{*  
4.6 MOCVD技术 x$D^Bh,  
4.6.1 MOCVD简介 %e3E}m>  
4.6.2 MOCVD生长GaAs $#2<f 6  
4.6.3 MOCVD生长GaN .k
Mnq8u  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 9!Jt}n?!g  
4.7 特色CVD技术 Oh>hyY)}  
4.7.1 选择外延CVD技术 u86PTp+  
4.7.2 原子层外延 ~(huU
W  
参考文献 pV;0Hcy  
x(R;xB  
第5章 脉冲激光沉积 o?Cc  
5.1 脉冲激光沉积概述 ^;.u}W  
5.2 PLD的基本原理 ,J-|.ER->  
5.2.1 激光与靶的相互作用 j3T)gFP  
5.2.2 烧蚀物的传输 ,4 _H{+M  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 J

YA>Q&  
5.3 颗粒物的抑制 4 2DMmwB   
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 w/rJj*  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 $Bl51VjN  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 S<*IoZ?T  
参考文献 yjH'<  
#7}M\\$M  
第6章 分子束外延 t u{~:Z(  
6.1 引言 bZ OCj1  
6.2 分子束外延的原理和特点 Kg2Du'WQ^  
6.3 外延生长设备 47Bg[  
6.4 分子束外延生长硅 F4WX$;1  
6.4.1 表面制备 JtxVF!v  
6.4.2 外延生长 .=t:Uy  
6.4.3 掺杂 )T^wc:  
6.4.4 外延膜的质量诊断 _z{9V7n4  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 #N>66!/V  
6.5.1 MBE生长GaAs <eS/-W%n6  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs /j4G}  
6.5.3 MBE生长GaN F;h^o!W7r  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 (w5cp!qW9J  
6.6.1 HgCdTe材料 XM*5I4V  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 g\@.qKF  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Bp5ra9*5+~  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ilHf5$  
6.6.5 ZnO薄膜 0)~c)B:5  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 3oH/34jj  
6.7.1 SiC：材料 8wOscL f:  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 LP|YW*i=IQ  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ruB D ^-  
参考文献 QT^b-~^  
B@i%B+qCLv  
第7章 液相外延 nGYimRYO  
7.1 液相外延生长的原理 S7nx4c2xK~  
7.1.1 液相外延基本概况 ~LV]cX2J(  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 yt5<J-m  
7.2 液相外延生长方法和设备 w4\ 3*  
7.3 液相外延生长的特点 Wkjp:`(-$r  
7.4 液相外延的应用实例 FdzdoMY  
7.4.1 硅材料
eL(<p]  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 K/f-9hE F  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Z
AN~TG<n  
7.4.4 SiC材料 %X %zK1  
参考文献 Cb+$|Kg/"b  
NW`.7'aWT  
第8章 湿化学制备方法 2gZp O9  
8.1 溶胶-凝胶技术 R2-F@_  
&?H$-r1/?V  
第9章 半导体超晶格和量子阱 k_wcol,W  
第10章 半导体器件制备技术 Xo~q
}(ze^  
参考文献 1 Ga3[g  
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