半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 .YYiUA-i9n  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ^Gq4Y
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 9Y&n$svB  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 " nq4!  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 N~;=*)_VH  
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第1章 真空技术 'aBX>M  
1.1 真空的基本概念 H2BD5  
1.1.1 真空的定义 ^cZF#%k  
1.1.2 真空度单位 %ErLL@e  
1.1.3 真空区域划分 "w*VyD  
1.2 真空的获得 I?G m  
1.3 真空度测量 !l?Go<^*L  
1.3.1 热传导真空计 05gU~6AF  
1.3.2 热阴极电离真空计 vd|P
THV_  
1.3.3 冷阴极电离真空计 >DBaKLu\  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响
we4e>)  
参考文献 <*V%!pwIG  
>~){KV1~  
第2章 蒸发技术 >to NGGU=~  
2.1 发展历史与简介 =<YG0K  
2.2 蒸发的种类 3Nd&*QSV  
2.2.1 电阻热蒸发 vDV`!JU  
2.2.2 电子束蒸发 W2O =dG`  
2.2.3 高频感应蒸发 ^o,P>u!9  
2.2.4 激光束蒸发 Y#{ L}  
2.2.5 反应蒸发 4'Z=T\:  
2.3 蒸发的应用实例 "9!ln  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Wrf(
'  
2.3.2 ITO薄膜 %`F6>J  
参考文献 U; JZN  
(@B gsY  
第3章 溅射技术 #Q.A)5_  
3.1 溅射基本原理 D.kLx@Z  
3.2 溅射主要参数 ^GQ+,0Yy  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 s]#D;i8  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 6%sX<)n%]  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 iOkRBi  
3.3 溅射装置及工艺 6{B$_Usg  
3.3.1 阴极溅射 %"r3{Hs  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 -|\V'  
3.3.3 射频溅射 {f((x1{HZx  
3.3.4 磁控溅射 !f2f gX  
3.3.5 反应溅射 sWX iY  
3.4 离子成膜技术 'h53:?~  
3.4.1 离子镀成膜 St7ZyN1  
3.4.2 离子束成膜 )cJ9YKKy  
3.5 溅射技术的应用 sMlY!3{Ix  
3.5.1 溅射生长过程 vOy;=0$  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 =e=sK'NvD  
参考文献 \b95CU  
[#`)Bb&w  
第4章 化学气相沉积 qPDe;$J)  
4.1 概述 9_)*b  
4.2 硅化学气相沉积 cK%Sty'8+  
4.2.1 CVD反应类型 b
W\OKI1  
4.2.2 CVD热力学分析 87l(a,#J  
4.2.3 CVD动力学分析 v^1_'PAXu  
4.2.4 不同硅源的外延生长 KV0M^B|W  
4.2.5 成核 /Fy2ZYs,`8  
4.2.6 掺杂 Clr~:2g\  
4.2.7 外延层质量 piIj t  
4.2.8 生长工艺 0}}b\!]9  
4.3 CVD技术的种类 h}r.(MVt  
4.3.1 常压CVD _^]2??V  
4.3.2 低压CVD :l~Wt7R  
4.3.3 超高真空CVD o9&1Ct  
4.4 能量增强CVD技术 }iZO0C  
4.4.1 等离子增强CVD i eQQ{iGJH  
4.4.2 光增强CVD _Cn[|E  
4.5 卤素输运法 .`*h2  
4.5.1 氯化物法 70hm9b-   
4.5.2 氢化物法 @px2/x  
4.6 MOCVD技术 +AkAMZ"Mg  
4.6.1 MOCVD简介 OZ##x  
4.6.2 MOCVD生长GaAs  -i*{8t  
4.6.3 MOCVD生长GaN l&#&}3M  
4.6.4 MOCVD生长ZnO HjCcfOej  
4.7 特色CVD技术 #~QkS_  
4.7.1 选择外延CVD技术 9>?3FMKdY  
4.7.2 原子层外延 '*gY45yT`  
参考文献 qM%l  
UP]X,H~stU  
第5章 脉冲激光沉积 F|9:$Jpw!  
5.1 脉冲激光沉积概述 vdA3  
5.2 PLD的基本原理 12r]"?@|s  
5.2.1 激光与靶的相互作用 $p? gai{o  
5.2.2 烧蚀物的传输 21ng94mC  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 OwRH :l  
5.3 颗粒物的抑制 **p|g<wvY*  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 L-SWs8  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 o&WKk5$  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 kD1[6cJ!=.  
参考文献 $}_a`~u  
f4{O~?=  
第6章 分子束外延 p+6L qk<  
6.1 引言 JR
>v  
6.2 分子束外延的原理和特点 gLp7<gx6  
6.3 外延生长设备 X'[93 C|K  
6.4 分子束外延生长硅 BhFyEY(  
6.4.1 表面制备 o}QtKf)W  
6.4.2 外延生长 w K)/m`{g  
6.4.3 掺杂 oMdqg4HUF  
6.4.4 外延膜的质量诊断 3jx5Lou)&  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 e:2e5gz  
6.5.1 MBE生长GaAs =6Z$nc R  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs .zDm{_'  
6.5.3 MBE生长GaN ;(0<5LQ  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 J+IkTq
w  
6.6.1 HgCdTe材料 &4]~s:F  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 /D@(o`a  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 M$L ;-T  
6.6.4 ZnSe、ZnTe AE?G+:B  
6.6.5 ZnO薄膜 P[q`{TdV  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 FH Hi/yh  
6.7.1 SiC：材料 Fh[Gq  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ZV,1IaO  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 (zv)cw%  
参考文献 CEOD$nYc  
RxUABF8b  
第7章 液相外延 JIJ79HB  
7.1 液相外延生长的原理 ^j-w^)@T  
7.1.1 液相外延基本概况 Y\cQ"9  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 `-,y
J  
7.2 液相外延生长方法和设备 v7Q=  
7.3 液相外延生长的特点 O\;R (  
7.4 液相外延的应用实例 -hn~-Sy+  
7.4.1 硅材料 e/S^Rx4W  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料  8AX+s\N  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 i7
*cpNPO  
7.4.4 SiC材料 7"|j.Yq$H{  
参考文献 R\VM6>SN'S  
g#Doed.30=  
第8章 湿化学制备方法 aM2[<m}  
8.1 溶胶-凝胶技术 ZA;VA=)\8  
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93iU?Z  
第9章 半导体超晶格和量子阱 N7}Y\1-8  
第10章 半导体器件制备技术 4pkTOQq_tQ  
参考文献 3jaY\(`%h  
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