半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 ,1sbY!&ekL  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 fsL9d}  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 |a{;<a  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ?Y4 +3`\x  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 FRQ.ix2  

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第1章 真空技术 q} e#L6cM  
1.1 真空的基本概念 7{m>W!  
1.1.1 真空的定义 cq I $9  
1.1.2 真空度单位 |+ F ~zIu'  
1.1.3 真空区域划分 w6vbYPCN  
1.2 真空的获得 iB)\*)  
1.3 真空度测量 *tqD:hiF  
1.3.1 热传导真空计 rCPIz<  
1.3.2 热阴极电离真空计 :h(HKMSk1  
1.3.3 冷阴极电离真空计 KQfWpHwfj  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ,Cr%2Wg-  
参考文献 t\Vng0  
syX?O'xJ  
第2章 蒸发技术 =yod  
2.1 发展历史与简介 jEBn"]\D  
2.2 蒸发的种类 r2RJb6  
2.2.1 电阻热蒸发 VIAq$iu7  
2.2.2 电子束蒸发 \!^=~` X-  
2.2.3 高频感应蒸发 MLd;UHU  
2.2.4 激光束蒸发 r&LZH.$oh  
2.2.5 反应蒸发 lh;fqn`  
2.3 蒸发的应用实例 fI`Ez!w0  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 p<L7qwOii  
2.3.2 ITO薄膜 al[^pPK
Z  
参考文献 {)qr3-EM#  
Ow;thNN  
第3章 溅射技术 'yiv.<4  
3.1 溅射基本原理 @aS)=|Ls\  
3.2 溅射主要参数 }g+kU1y  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 .YF1H<gwa  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 $ar^U  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 HyzSHI  
3.3 溅射装置及工艺 |ke0G  
3.3.1 阴极溅射 %+'Ex]B  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 QM(xMq  
3.3.3 射频溅射 ~R|9|k  
3.3.4 磁控溅射 beOMln+R  
3.3.5 反应溅射 KdoI  
3.4 离子成膜技术 =;Q/bD->  
3.4.1 离子镀成膜 /h53;$zK  
3.4.2 离子束成膜 ?}Zo~]7E  
3.5 溅射技术的应用 Qz@_"wm[  
3.5.1 溅射生长过程 G
N_L"|#)=  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 yr%[IX]R  
参考文献 %IO*(5f  
v< P0f"GH  
第4章 化学气相沉积 `KZV@t  
4.1 概述 aU6l>G`w  
4.2 硅化学气相沉积 gAqK/9;  
4.2.1 CVD反应类型 O:0{vu9AQ  
4.2.2 CVD热力学分析 Z^'~iU-?  
4.2.3 CVD动力学分析 94B%_  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ,>B11Z}PH  
4.2.5 成核 c0o]O[  
4.2.6 掺杂 ^SpQtW118  
4.2.7 外延层质量 gXI-{R7Me  
4.2.8 生长工艺 {F<0e^*  
4.3 CVD技术的种类 %_|KiW  
4.3.1 常压CVD 3wfcGQn|sD  
4.3.2 低压CVD 4. R(`#f  
4.3.3 超高真空CVD n3p@duC4  
4.4 能量增强CVD技术 =dQ[I6  
4.4.1 等离子增强CVD $W7}Igx#  
4.4.2 光增强CVD 0`E G-Hw  
4.5 卤素输运法 _*H Hdd5I  
4.5.1 氯化物法 %Yu~56c-  
4.5.2 氢化物法 D?dBm  
4.6 MOCVD技术 i bzY&f  
4.6.1 MOCVD简介 qWH
^/o  
4.6.2 MOCVD生长GaAs :E-$:\V0}k  
4.6.3 MOCVD生长GaN M0$MK>  
4.6.4 MOCVD生长ZnO a]p9[Nk  
4.7 特色CVD技术 BWxfY^,'&6  
4.7.1 选择外延CVD技术 ~u%$ 9IhM  
4.7.2 原子层外延 azZtuDfv  
参考文献 6:(s8e  
1Le8W)J  
第5章 脉冲激光沉积 kl]
V_ 7[  
5.1 脉冲激光沉积概述 Dn)yBA%  
5.2 PLD的基本原理 },d^y:m  
5.2.1 激光与靶的相互作用 [;wJM|Z J0  
5.2.2 烧蚀物的传输 ;B@#,6t/  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 _&]7  
5.3 颗粒物的抑制
:fj>JF\[  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 2-@)'6"n  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 2|j=^  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 ^'=[+  
参考文献 lG-B)
F  
*OA(v^@tx7  
第6章 分子束外延 kSV(T'#x  
6.1 引言 )n)AmNpq   
6.2 分子束外延的原理和特点 wn@~80)$  
6.3 外延生长设备 (kR NqfX  
6.4 分子束外延生长硅 +(=-95qZ  
6.4.1 表面制备 <%YW/k"o  
6.4.2 外延生长 `qJJ{<1&U  
6.4.3 掺杂 H{n:R *  
6.4.4 外延膜的质量诊断 2OUx@Vj  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 %.d.h;^T  
6.5.1 MBE生长GaAs R[zN?  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs )jXKPLj  
6.5.3 MBE生长GaN curYD~7  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 [\3ZMH *  
6.6.1 HgCdTe材料 q;#AlquY@  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 -Kg.w*\H7/  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 A5j?Yts  
6.6.4 ZnSe、ZnTe <n,QSy#  
6.6.5 ZnO薄膜 6hj[/O)E  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 CJk"yW[,|  
6.7.1 SiC：材料 (-$5YKm  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 B>1,I'/$.  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 dDA8IW![S  
参考文献 G2N0'R"  
w)|9iL8  
第7章 液相外延 qRaPh:Q'  
7.1 液相外延生长的原理 {XIpHr  
7.1.1 液相外延基本概况 8Ygf@*9L4  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 %T$>E7]!  
7.2 液相外延生长方法和设备 L*4"D4V  
7.3 液相外延生长的特点 x%s1)\^A  
7.4 液相外延的应用实例 9ye!kYF,  
7.4.1 硅材料 J;~YD$  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 MhA4C 8  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 8o+:|V~X  
7.4.4 SiC材料 2T}>9X  
参考文献 E{[Y8U1n  
,y'6vW`%g9  
第8章 湿化学制备方法 s7n7u7$j  
8.1 溶胶-凝胶技术 gs!'
*U)  
DTH}=r-  
第9章 半导体超晶格和量子阱 a&0g0n6  
第10章 半导体器件制备技术 W0MgY%Qv[  
参考文献 /fUdb=!Z  
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