半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

发布:cyqdesign 2010-01-31 22:03 阅读:6066
半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 % /4_|@<'  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 S~(VcC$K  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 $Q$d\Yvi  
叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 U#1yl6e\I  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Dp6"I!L<|  
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第1章 真空技术 .-26 N6S  
1.1 真空的基本概念 , G/X"t ~  
1.1.1 真空的定义 "yq;{AGOGl  
1.1.2 真空度单位 :pjK\  
1.1.3 真空区域划分 r~Ubgd ]U  
1.2 真空的获得 np>!lF:  
1.3 真空度测量 `M<G8ob  
1.3.1 热传导真空计 U)%u`C0  
1.3.2 热阴极电离真空计 {}C7VS1  
1.3.3 冷阴极电离真空计 v%7JZ<I'A  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 zr9Pm6Rl  
参考文献 3Co>3d_  
+~k,4  
第2章 蒸发技术 9C~GL,uKs  
2.1 发展历史与简介 m)RxV@  
2.2 蒸发的种类 jW$f(qAbm  
2.2.1 电阻热蒸发 Oc+L^}elJ  
2.2.2 电子束蒸发 O xaua  
2.2.3 高频感应蒸发 xs`gN  
2.2.4 激光束蒸发 3K:Xxkk  
2.2.5 反应蒸发 C)^\?DH  
2.3 蒸发的应用实例 XN%D`tbvJ  
2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜 G8-d%O p  
2.3.2 ITO薄膜 9U1!"/F  
参考文献 CrX-?$  
95&sFT C  
第3章 溅射技术 I%*Z j,>  
3.1 溅射基本原理 'u%;6'y  
3.2 溅射主要参数 ][qA@3^Tw  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ] r+I D  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ! m5\w>  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 Jpnp'  
3.3 溅射装置及工艺 W]7?;#Hpk  
3.3.1 阴极溅射 xT( .#9  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 F+-MafN7Y  
3.3.3 射频溅射 U]&%EqLS  
3.3.4 磁控溅射 +mPB?5  
3.3.5 反应溅射 <sG>[\i  
3.4 离子成膜技术 Z{)|w=  
3.4.1 离子镀成膜 |8+rUFkU8  
3.4.2 离子束成膜 a' fb0fz  
3.5 溅射技术的应用 o%Q'<0d  
3.5.1 溅射生长过程 mM~Q!`Nf.  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 ?& ^l8gE  
参考文献 Raqr VC  
iU|C<A%Hh  
第4章 化学气相沉积 L7'n<$F  
4.1 概述 n9yv.p]  
4.2 硅化学气相沉积 L )"w-,zy  
4.2.1 CVD反应类型 1fG@r%4  
4.2.2 CVD热力学分析 aa3YtNpP  
4.2.3 CVD动力学分析 X,Q(W0-6$u  
4.2.4 不同硅源的外延生长 2!`Z3>Oa  
4.2.5 成核 |'(IWU  
4.2.6 掺杂 8[XNFFUZs  
4.2.7 外延层质量 a[#BlH  
4.2.8 生长工艺 2)H|/  
4.3 CVD技术的种类 ^U1 +D^AJ  
4.3.1 常压CVD PSvRO% &  
4.3.2 低压CVD [)KfRk?};2  
4.3.3 超高真空CVD !2,.C+,  
4.4 能量增强CVD技术 of<OOh%3  
4.4.1 等离子增强CVD p[I gnO  
4.4.2 光增强CVD eVJL|uI|  
4.5 卤素输运法 |LhuZ_;1xo  
4.5.1 氯化物法 g-`NsqzD  
4.5.2 氢化物法 !b Km}1T  
4.6 MOCVD技术 <7h'MNf&  
4.6.1 MOCVD简介 lTNkmQ  
4.6.2 MOCVD生长GaAs +%^xz 1m  
4.6.3 MOCVD生长GaN V!4E(sX  
4.6.4 MOCVD生长ZnO ijT^gsLL  
4.7 特色CVD技术 X13bi}O6#  
4.7.1 选择外延CVD技术 F U%b"gP^  
4.7.2 原子层外延 =Ih_[$1dw  
参考文献 34:=A0z  
Z!6G (zz:>  
第5章 脉冲激光沉积 kSrzIq<xre  
5.1 脉冲激光沉积概述 )oCF| 2qc  
5.2 PLD的基本原理 dv: &N  
5.2.1 激光与靶的相互作用 'McVaPav  
5.2.2 烧蚀物的传输 hy rJu{p  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 =^{+h>#s@  
5.3 颗粒物的抑制 dzap]RpB  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 5^i ^?  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 bEJZh%j!  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 UJ+JVj   
参考文献 pQ JZE7S  
fNumY|%3  
第6章 分子束外延 }r[BME  
6.1 引言 `W=JX2I  
6.2 分子束外延的原理和特点 1F-L( \oKm  
6.3 外延生长设备 mNzZ/*n:  
6.4 分子束外延生长硅 ]y/:#^M+  
6.4.1 表面制备 bzTM{<]sv  
6.4.2 外延生长 [o "@*kf  
6.4.3 掺杂 bL<cg tz7)  
6.4.4 外延膜的质量诊断 1U!CD-%(  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 i+6/ g  
6.5.1 MBE生长GaAs Y-9F*8<  
6.5.2 MBE生长InAs/GaAs Spb'jAKj'  
6.5.3 MBE生长GaN c_ i;'  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 m;|I}{r  
6.6.1 HgCdTe材料 sT ONkd  
6.6.2 CdTe/Si的外延生长 ?UzHQr  
6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长 "7d_$.Z  
6.6.4 ZnSe、ZnTe -vQ`}e1  
6.6.5 ZnO薄膜 7Udr~ 0_)  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 >ZT3gp?E  
6.7.1 SiC:材料 [?A0{#5)8x  
6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点 c s> W6  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 *^]ba>  
参考文献 P^z)]K#sw  
OmW|\d PU  
第7章 液相外延 {Ffr l(*  
7.1 液相外延生长的原理 wrWWXOZ 4  
7.1.1 液相外延基本概况 ;%&@^;@k%  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 f#?R!pR  
7.2 液相外延生长方法和设备 tBt\&{=|D  
7.3 液相外延生长的特点 & |r)pl0$  
7.4 液相外延的应用实例 Mh\c+1MFs  
7.4.1 硅材料 B7 T+a  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 xK f+.6 wz  
7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料 8GX@76o  
7.4.4 SiC材料 qohUxtnTK>  
参考文献 *e=e7KC6kI  
*Co+UJjT  
第8章 湿化学制备方法 &7cy9Z~m  
8.1 溶胶-凝胶技术 H~&'`h1  
q>?oV(sF  
第9章 半导体超晶格和量子阱 U-(d~]$  
第10章 半导体器件制备技术 on~rrSK  
参考文献 <?!#QA  
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最新评论

gqy271 2011-08-16 13:55
我都想要,只可惜带不出国外,所以最好是电子版的
maf999 2012-06-11 09:50
啥东东都卖
douyongming 2012-06-17 17:12
原来是做广告的
wangbiyi 2012-07-08 15:05
来是做广告
wdl_1984722 2012-08-06 19:58
没有讲到物理吧
awesome 2014-04-21 13:28
看目录不错的样子 =5isT  
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