半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 X_ >B7(k   
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 M;MD-|
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 oW]&]*>J  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 f.jAJ; N>  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 `Uk,5F5   
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第1章 真空技术 Lu:!vTRmw  
1.1 真空的基本概念 cb%w,yXw  
1.1.1 真空的定义 #Mbt%m  
1.1.2 真空度单位 &P3B  
1.1.3 真空区域划分 
8Z3+S)6  
1.2 真空的获得 *MagicA  
1.3 真空度测量 Wc3!aLNx  
1.3.1 热传导真空计 kq%`
9,XE  
1.3.2 热阴极电离真空计 (%0X\zvu/  
1.3.3 冷阴极电离真空计 qC\$>QU}  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 x6DH0*[.  
参考文献 L&3=5Bf9  
\f66ipZK*  
第2章 蒸发技术 bf;IJ|v^  
2.1 发展历史与简介 =As'vt 0  
2.2 蒸发的种类 flLmZ1"  
2.2.1 电阻热蒸发 0^
(.(:  
2.2.2 电子束蒸发 }Pb!u9_  
2.2.3 高频感应蒸发 h]EXD  
2.2.4 激光束蒸发 Zl,K#  
2.2.5 反应蒸发 uaDU+ywL  
2.3 蒸发的应用实例 *)]SsM1  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 O1#rCFC|y  
2.3.2 ITO薄膜 dN*<dz+4r  
参考文献 q }z,C{Wq<  
DBmcvC  
第3章 溅射技术 Fah}#
,  
3.1 溅射基本原理 b1*6)  
3.2 溅射主要参数 W)4xO>ck*3  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 LnJ7i"Q  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 3F.O0Vz  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 xBw"RCBz^  
3.3 溅射装置及工艺 +^69>L2V  
3.3.1 阴极溅射 9q8 rf\&  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 19#)# n^  
3.3.3 射频溅射 w@:o:yLS  
3.3.4 磁控溅射 PPq*_Cf  
3.3.5 反应溅射 2PeI+!7s  
3.4 离子成膜技术 +$ -#V
  
3.4.1 离子镀成膜 .`h+fqa  
3.4.2 离子束成膜 Fk9(FOFg  
3.5 溅射技术的应用 41uSr 1  
3.5.1 溅射生长过程 @pS[_!EqYz  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 8c/Ii"1  
参考文献 3o^V$N.  
',&MYm\  
第4章 化学气相沉积 sN?:9J8  
4.1 概述 WI~%n  
4.2 硅化学气相沉积 Ol-'2l  
4.2.1 CVD反应类型 &1u?W%(Px  
4.2.2 CVD热力学分析 "Q J-IRt&  
4.2.3 CVD动力学分析 =H?Nb:s  
4.2.4 不同硅源的外延生长 qnm9Lw#  
4.2.5 成核 9(PFd%  
4.2.6 掺杂 C9iG`?  
4.2.7 外延层质量 ``z="oD  
4.2.8 生长工艺 kg@J.  
4.3 CVD技术的种类 p
-6.:y  
4.3.1 常压CVD HZ}'W<N  
4.3.2 低压CVD uA,{C%?  
4.3.3 超高真空CVD He*L"VpWv  
4.4 能量增强CVD技术 uJ y@  
4.4.1 等离子增强CVD p}!pT/KmpH  
4.4.2 光增强CVD ?-Z:N`YP  
4.5 卤素输运法 [}Iq-sz;0  
4.5.1 氯化物法 DtS{iH=s]  
4.5.2 氢化物法 zF$wz1 %  
4.6 MOCVD技术 t&uHn5  
4.6.1 MOCVD简介 1lQ10J  
4.6.2 MOCVD生长GaAs a[!d)Y:zx  
4.6.3 MOCVD生长GaN N~kYT\$b#  
4.6.4 MOCVD生长ZnO +=8Po'E^!d  
4.7 特色CVD技术 u'b_zlW@  
4.7.1 选择外延CVD技术 ;(,Fe/wvC  
4.7.2 原子层外延 gc:>HX);)  
参考文献 J|q_&MX/  
!Ch ya  
第5章 脉冲激光沉积 4>HGwk@+8  
5.1 脉冲激光沉积概述 =+L>^w#6=  
5.2 PLD的基本原理 U Oo(7  
5.2.1 激光与靶的相互作用 `qgJE_GC  
5.2.2 烧蚀物的传输 ?C{N0?[P-  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 q'r3a+  
5.3 颗粒物的抑制 q<8HG_  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 TExlGAHo+O  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 &40]sxm  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 "8]170  
参考文献 J)-> 7h=  
Jp#cFUa t  
第6章 分子束外延 A%O#S<sa  
6.1 引言 iy"Kg]  
6.2 分子束外延的原理和特点 <i6MbCB  
6.3 外延生长设备 eH8
.O  
6.4 分子束外延生长硅 k}.nH"AQ  
6.4.1 表面制备 u2Obb`p S  
6.4.2 外延生长 q}i87a;m  
6.4.3 掺杂 4\3t5n  
6.4.4 外延膜的质量诊断 7KIQ)E'kG|  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 Uy:.m  
6.5.1 MBE生长GaAs FM)*>ax{  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 2cl~Va=  
6.5.3 MBE生长GaN co80M;4  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 k N+(  
6.6.1 HgCdTe材料 "!?bC#d#(  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 '1 $({{R  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 xTZ5q*Hqx  
6.6.4 ZnSe、ZnTe U*TN/6Qy.  
6.6.5 ZnO薄膜 [ _$$P*  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Hv\*
F51p=  
6.7.1 SiC：材料 k]iS3+nD  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 Gp+XM  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 h6N}sLM{0  
参考文献 bg}77Y'^  
-c@
5qe>  
第7章 液相外延 i#=X#_ +El  
7.1 液相外延生长的原理 J.l%HU  
7.1.1 液相外延基本概况 K;y\&'E  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 Gf\_WNrSE+  
7.2 液相外延生长方法和设备 E=NY{|>  
7.3 液相外延生长的特点 }0RFo96)v  
7.4 液相外延的应用实例 &:*+p-!2<  
7.4.1 硅材料 f4_G[?9,  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 gj^]}6-P  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 E;H(jVZ  
7.4.4 SiC材料 |lwN!KVQ,  
参考文献 >}*jsqaVU  
5#\p>}[HG  
第8章 湿化学制备方法  F`.7_D  
8.1 溶胶-凝胶技术 Wp3l>:  
@\8gzvkt  
第9章 半导体超晶格和量子阱 -Wk"o?}q  
第10章 半导体器件制备技术 iXRt9)MT{  
参考文献 %Qz`SO8x?  
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