半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 pHNo1-k\  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 azBYh*s=5{  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 [uLwr$N<%L  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 GBg~NkC7.  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 C 9{8!fYp  
Py72:;wn  
fex<9'e  
市场价：￥36.00 w ag^Sk  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) v}`{OE:-J  
r `;_ #&b  
,h<xL-  
第1章 真空技术
Q# Yba  
1.1 真空的基本概念 -ZVCb@%  
1.1.1 真空的定义 ' pN[H\Ia  
1.1.2 真空度单位 {r>iUgg  
1.1.3 真空区域划分 /XVjcD66c  
1.2 真空的获得 V$?@ z>7  
1.3 真空度测量 9\ul
S2d  
1.3.1 热传导真空计 cfZ$V^xM  
1.3.2 热阴极电离真空计 {VmJVO]S  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Gv(?u  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 {9 .sW/  
参考文献 nDU=B.?E{O  
RW4,j&)  
第2章 蒸发技术 /$=<"Y7&g  
2.1 发展历史与简介 h<0&|s*a)  
2.2 蒸发的种类 , RKl  
2.2.1 电阻热蒸发 G^%FP!'D?  
2.2.2 电子束蒸发 MW|*Z{6*  
2.2.3 高频感应蒸发 ]. E/s(p  
2.2.4 激光束蒸发 Y n7z#bu  
2.2.5 反应蒸发 }nx5  
2.3 蒸发的应用实例 zg>)Lq|VsT  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 uB1>.Pvxb  
2.3.2 ITO薄膜 CK=
TD`$w  
参考文献 ;R[w}#Sm  
tv 7"4$T  
第3章 溅射技术
k}&7!G@T  
3.1 溅射基本原理 )45#lE3TH  
3.2 溅射主要参数 $a#-d;  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 X/BcS[a  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 t9eEcqMg  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 /$'|`jKsB  
3.3 溅射装置及工艺 mMOjV_  
3.3.1 阴极溅射 DD fw& y  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 1=L5=uz1d:  
3.3.3 射频溅射 nh'TyUd!  
3.3.4 磁控溅射 "$krK7Z  
3.3.5 反应溅射 |>zYUT[V  
3.4 离子成膜技术 /6{P ?)]pE  
3.4.1 离子镀成膜 : *8t,f~s^  
3.4.2 离子束成膜 OpD%lRl  
3.5 溅射技术的应用 ,CxIA^  
3.5.1 溅射生长过程 'ju'O#A9  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 evvv&$&  
参考文献 s1>d)2lX  
/e;E+   
第4章 化学气相沉积 3C gmZ7[  
4.1 概述 8|) $;.  
4.2 硅化学气相沉积 [/Sk+ID  
4.2.1 CVD反应类型 5V*R
Dh  
4.2.2 CVD热力学分析 =/e
$Rp  
4.2.3 CVD动力学分析 )}$]~ f4R  
4.2.4 不同硅源的外延生长 d+WNg2#v  
4.2.5 成核 S;^'Ek"Z.  
4.2.6 掺杂 x8!uI)#tS  
4.2.7 外延层质量 f=hT o!i  
4.2.8 生长工艺 7e:eL5f>~  
4.3 CVD技术的种类 k+@,m\tE  
4.3.1 常压CVD \C<'2KZR,  
4.3.2 低压CVD hS'!JAM>Q  
4.3.3 超高真空CVD 25Uw\rKeO  
4.4 能量增强CVD技术 HChlkj'7w0  
4.4.1 等离子增强CVD G{74o8  
4.4.2 光增强CVD {,B.OM)J  
4.5 卤素输运法 B:96E&  
4.5.1 氯化物法 kB9@ &t+  
4.5.2 氢化物法 NjbIt=y  
4.6 MOCVD技术 MxDqp;  
4.6.1 MOCVD简介 L/?jtF:o  
4.6.2 MOCVD生长GaAs x~QZVL=:  
4.6.3 MOCVD生长GaN jG`,k*eUrJ  
4.6.4 MOCVD生长ZnO |Ae7wXOs  
4.7 特色CVD技术 kgHZaQnD  
4.7.1 选择外延CVD技术 Ou`;HN;
[  
4.7.2 原子层外延 muMd
9\p  
参考文献 z&Xk~R*$  
BA8g[TA7K  
第5章 脉冲激光沉积 9qkJ<  
5.1 脉冲激光沉积概述 Y|6gg  
5.2 PLD的基本原理 M#k$[w}=  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ws<pBC,m  
5.2.2 烧蚀物的传输 9aBz%* xo  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 4_
-L1WH  
5.3 颗粒物的抑制 q"i]&dMr  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 G 2`hEX%  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 =I0J1Ob  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 K'f^=bcI  
参考文献 3BSZz%va  
yqC158 P  
第6章 分子束外延 lnGg1/
  
6.1 引言 2^%O%Pc  
6.2 分子束外延的原理和特点 ~^PNMZk  
6.3 外延生长设备 O^n\lik  
6.4 分子束外延生长硅 }.1}yz^y  
6.4.1 表面制备 z.|[g$F  
6.4.2 外延生长 pVM1%n:#  
6.4.3 掺杂 :F_>`{  
6.4.4 外延膜的质量诊断 {:#c1d2@8  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 " {X0&  
6.5.1 MBE生长GaAs hC4 M}(XM  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs A ^t _"J  
6.5.3 MBE生长GaN 07]9VJa  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 Pk;1q?tGw  
6.6.1 HgCdTe材料 'Ck:=V%}g  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长
r4ljA@L  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 Jn%Etz-  
6.6.4 ZnSe、ZnTe T
$sm}=  
6.6.5 ZnO薄膜 NHcA6y$Cz  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 _>bk'V7  
6.7.1 SiC：材料 l.(|&U~  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 a'g&1N0Rc  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 oI
niy{  
参考文献  A"1%E.1  
\E'z+0  
第7章 液相外延 ;oO_5[,M  
7.1 液相外延生长的原理 /A+5q\8G  
7.1.1 液相外延基本概况 !DUOi4I  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 B.!&z-)#  
7.2 液相外延生长方法和设备 &fsk ESV0  
7.3 液相外延生长的特点 \t%iUZ$  
7.4 液相外延的应用实例 \;iOQqv0&  
7.4.1 硅材料 <rvM)EJv|  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 [dXa
,  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 bM2x (E\
O  
7.4.4 SiC材料 ^M\X/uq$E  
参考文献 jxZf,]>T  
,J
=lHj  
第8章 湿化学制备方法 qDqy9u:g  
8.1 溶胶-凝胶技术 eFotV.T!#  
noLr185  
第9章 半导体超晶格和量子阱 U5OFw+J  
第10章 半导体器件制备技术 xLms|jS  
参考文献 / U!xh3  
HCx0'|J  
市场价：￥36.00 qO/3:-  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) 'V8o["P