半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 #6 ni~d&0  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 Niu |M@  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 #'},/Lm@  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 .%dGSDru  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 l]~9BPsR  

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第1章 真空技术 ES!e/l  
1.1 真空的基本概念 ]'?Ue7  
1.1.1 真空的定义 5!S#}=f=  
1.1.2 真空度单位 D5oYcGc  
1.1.3 真空区域划分 7QnWw0  
1.2 真空的获得 M%la@2SK=  
1.3 真空度测量 6]Q#4  
1.3.1 热传导真空计 si)>:e  
1.3.2 热阴极电离真空计 T)%6"rPL3!  
1.3.3 冷阴极电离真空计 wdf;LM  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 N P+vi@Ud  
参考文献 l5=ih9u  
CbW[_\  
第2章 蒸发技术 
K!qOO  
2.1 发展历史与简介 V=5S=7 Z:  
2.2 蒸发的种类 rM,f7hm[S*  
2.2.1 电阻热蒸发 yGNpx3H  
2.2.2 电子束蒸发 2HSFMgy  
2.2.3 高频感应蒸发 x7<NaMK\  
2.2.4 激光束蒸发 ]T|$nwQ  
2.2.5 反应蒸发 ]Jm\k'u[  
2.3 蒸发的应用实例 gE$Uv*Gj  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 4eB oR%2o  
2.3.2 ITO薄膜 pnE]B0e  
参考文献 %7 yQ0'P  
g 8uq6U  
第3章 溅射技术 :j .:t  
3.1 溅射基本原理 M*qE)dZjS  
3.2 溅射主要参数 ~]RfOpq^w  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 m,t{D, 2  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 IDJ2epW*;  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 +ctU7 rVy  
3.3 溅射装置及工艺 fCN+9!ljG`  
3.3.1 阴极溅射 i ]8bj5j{  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 VD@$y^!H  
3.3.3 射频溅射 nyqX\m-  
3.3.4 磁控溅射 $#+D:W)az  
3.3.5 反应溅射 J^CAQfcx  
3.4 离子成膜技术 ilVi  
3.4.1 离子镀成膜 MZX)znO  
3.4.2 离子束成膜 82ixv
<B  
3.5 溅射技术的应用 ?!jJxhK<h  
3.5.1 溅射生长过程 6{^\7`  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 T?
f{.a)  
参考文献 &+@`Si=  

GVA%iE.  
第4章 化学气相沉积 sRZ<c  
4.1 概述 4Eu'_
>"a  
4.2 硅化学气相沉积 Q|{b8K  
4.2.1 CVD反应类型 wT- <#+L\  
4.2.2 CVD热力学分析 ggrYf*  
4.2.3 CVD动力学分析 {wA8!5Gu  
4.2.4 不同硅源的外延生长 =O"]e/CfO  
4.2.5 成核 lEwQj[ k  
4.2.6 掺杂 [^ r8P:Ad  
4.2.7 外延层质量 [t3 Kgjt  
4.2.8 生长工艺
"ldd&><  
4.3 CVD技术的种类 HyWR&0J  
4.3.1 常压CVD b?KdR5  
4.3.2 低压CVD /3rNX}tOMH  
4.3.3 超高真空CVD HBvyX`-  
4.4 能量增强CVD技术 BF2U$-k4  
4.4.1 等离子增强CVD kZF<~U  
4.4.2 光增强CVD Rh)XYCM  
4.5 卤素输运法 @$^4Av-  
4.5.1 氯化物法 L5zCL0j`  
4.5.2 氢化物法 N0^SWA|S  
4.6 MOCVD技术 4FZR }e\  
4.6.1 MOCVD简介 J;>~PXB  
4.6.2 MOCVD生长GaAs 9M7P|Q  
4.6.3 MOCVD生长GaN Cj4Y, N  
4.6.4 MOCVD生长ZnO \xggIW.^0  
4.7 特色CVD技术 psmDGSm,&  
4.7.1 选择外延CVD技术 6Y\TVRR  
4.7.2 原子层外延 _+aR|AEC  
参考文献 hGrX,.zj  
j2IK\~W?-  
第5章 脉冲激光沉积 1;<Vr<.  
5.1 脉冲激光沉积概述 d7r!<u&/  
5.2 PLD的基本原理 WvJ:yUb2  
5.2.1 激光与靶的相互作用 oVZzvK(zR  
5.2.2 烧蚀物的传输 wE=I3E%  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 e~(e&4pb  
5.3 颗粒物的抑制 ;qUB[Kw  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 j0~c2  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 9#hp]0S6  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 O/Hj-u6&A  
参考文献 PPySOkmS3  
1Dhe! n#  
第6章 分子束外延 xFThs,w  
6.1 引言 *tRsm
"}  
6.2 分子束外延的原理和特点 \MmOI<Hd-  
6.3 外延生长设备 286r
eeN/e  
6.4 分子束外延生长硅 EZ"i0u  
6.4.1 表面制备 [Q
QM/?  
6.4.2 外延生长 /*BU5  
6.4.3 掺杂 -V~Fj~b#  
6.4.4 外延膜的质量诊断 _6h.<BR  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 B/@LE{qUn  
6.5.1 MBE生长GaAs yFmy  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs qyVARy  
6.5.3 MBE生长GaN Iq,h}7C8'  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 }ff^^7_  
6.6.1 HgCdTe材料 H{N},B  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 PknKzrEG:>  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ~4FzA,,  
6.6.4 ZnSe、ZnTe 2BF455e   
6.6.5 ZnO薄膜 yevJA?C4 v  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 t,/8U  
6.7.1 SiC：材料 2!W[ff@~7  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 >\:GFD{z  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Ths~8{dMb  
参考文献 S!$S'{f<  
+UX~
't_'v  
第7章 液相外延 &0bq3JGW  
7.1 液相外延生长的原理 J;wB
S w%1  
7.1.1 液相外延基本概况 tw zV-8\  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ,\&r\!=  
7.2 液相外延生长方法和设备 jLMy27Cn  
7.3 液相外延生长的特点  03zt^<  
7.4 液相外延的应用实例 ??.aLeF&  
7.4.1 硅材料 |X XO0  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 J| wk})?  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 hPz=Ec<zW  
7.4.4 SiC材料 WH39=)D%u  
参考文献 iQ2}*:Jc$  
M"p%CbcI]  
第8章 湿化学制备方法 d(RMD  
8.1 溶胶-凝胶技术 C:^ :^y  
V*2*5hx  
第9章 半导体超晶格和量子阱 [
$d]U.  
第10章 半导体器件制备技术 k}nGgd6XD  
参考文献 owA8hGF  
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