《
半导体薄膜技术与
物理》全面
系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术,第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲
激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术,第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论,第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
%/4_|@<' 《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出,内容上深度和宽度相结合,理论和实践相结合,以半导体薄膜技术为重点,结合半导体
材料和器件的性能介绍,同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。
S~(VcC$K 《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛,可作为高等院校材料、物理、
电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材,也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。
$Q$d\Yvi 叶志镇,男,1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位;毕业后留校工作,1990~1992年留学美国麻省理工学院(MIT);1994年晋升为教授;1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系,在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作,主要研究方向:Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用;纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员,全国电子材料专委副主任,全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。
U#1yl6e\I 《半导体薄膜技术与物理》共分十章,以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识;第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容,结合各种半导体材料,详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理;第九章介绍了超晶格的相关知识,超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键;第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术,包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。
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&fy8,} ; o@`l$O 第1章 真空技术
.-26 N6S 1.1 真空的基本概念
,G/X"t ~ 1.1.1 真空的定义
"yq;{AGOGl 1.1.2 真空度单位
:pjK\ 1.1.3 真空区域划分
r~Ubgd ]U 1.2 真空的获得
np>!lF: 1.3 真空度测量
`M<G8ob 1.3.1 热传导真空计
U)%u`C0 1.3.2 热阴极电离真空计
{}C7VS1 1.3.3 冷阴极电离真空计
v%7JZ<I'A 1.4 真空度对薄膜工艺的影响
zr9Pm6Rl 参考文献
3Co>3d_ +~k,4 第2章 蒸发技术
9C~GL,uKs 2.1 发展历史与简介
m)RxV@ 2.2 蒸发的种类
jW$f(qAbm 2.2.1 电阻热蒸发
Oc+L^}elJ 2.2.2 电子束蒸发
O
xaua 2.2.3 高频感应蒸发
xs`gN 2.2.4 激
光束蒸发
3K:Xxkk 2.2.5 反应蒸发
C)^\?DH 2.3 蒸发的应用实例
XN%D`tbvJ 2.3.1 Cu(In,Ga)Se2薄膜
G8-d%O p 2.3.2 ITO薄膜
9U1!"/F 参考文献
CrX-?$ 95&sFT
C 第3章 溅射技术
I%*Zj,> 3.1 溅射基本
原理
'u%;6'y 3.2 溅射主要
参数 ][qA@3^Tw 3.2.1 溅射闽和溅射产额
]
r+I D 3.2.2 溅射粒子的能量和速度
!m5\w> 3.2.3 溅射速率和淀积速率
Jpnp' 3.3 溅射装置及工艺
W]7?;#Hpk 3.3.1 阴极溅射
xT(.#9 3.3.2 三极溅射和四极溅射
F+-MafN7Y 3.3.3 射频溅射
U]&%EqLS 3.3.4 磁控溅射
+mPB?5 3.3.5 反应溅射
<sG> [\i 3.4 离子成膜技术
Z{)|w= 3.4.1 离子镀成膜
|8+rUFkU8 3.4.2 离子束成膜
a'fb0fz 3.5 溅射技术的应用
o%Q'<0d 3.5.1 溅射生长过程
mM~Q!`Nf. 3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能
?&^l8gE 参考文献
RaqrVC iU|C<A%Hh 第4章 化学气相沉积
L7'n<$F 4.1 概述
n9yv.p] 4.2 硅化学气相沉积
L)"w-,zy 4.2.1 CVD反应类型
1fG@r%4 4.2.2 CVD热力学分析
aa3YtNpP 4.2.3 CVD动力学分析
X,Q(W0-6$u 4.2.4 不同硅源的外延生长
2!`Z3>Oa 4.2.5 成核
|'(IWU 4.2.6 掺杂
8[XNFFUZs 4.2.7 外延层质量
a[#BlH 4.2.8 生长工艺
2)H|/ 4.3 CVD技术的种类
^U1+D^AJ 4.3.1 常压CVD
PSvRO%& 4.3.2 低压CVD
[)KfRk?};2 4.3.3 超高真空CVD
!2,.C+, 4.4 能量增强CVD技术
of<OOh%3 4.4.1 等离子增强CVD
p[IgnO 4.4.2 光增强CVD
eVJL|uI| 4.5 卤素输运法
|LhuZ_;1xo 4.5.1 氯化物法
g-`NsqzD 4.5.2 氢化物法
!b
Km}1T 4.6 MOCVD技术
<7h'MNf& 4.6.1 MOCVD简介
lTNkm Q 4.6.2 MOCVD生长GaAs
+%^xz
1m 4.6.3 MOCVD生长GaN
V!4E(sX 4.6.4 MOCVD生长ZnO
ijT^gsLL 4.7 特色CVD技术
X13bi}O6# 4.7.1 选择外延CVD技术
F U%b"gP^ 4.7.2 原子层外延
=Ih_[$1dw 参考文献
34:=A0z Z!6G(zz:> 第5章 脉冲激光沉积
kSrzIq<xre 5.1 脉冲激光沉积概述
)o CF|
2qc 5.2 PLD的基本原理
dv:&N 5.2.1 激光与靶的相互作用
'McVaPav 5.2.2 烧蚀物的传输
hy rJu{p 5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积
=^{+h>#s@ 5.3 颗粒物的抑制
dzap]RpB 5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用
5^i ^? 5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长
bEJZh%j! 5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长
UJ+JVj 参考文献
pQJZE7S fNumY|%3 第6章 分子束外延
}r[BME 6.1 引言
`W=JX2I 6.2 分子束外延的原理和特点
1F-L(\oKm 6.3 外延生长设备
mNzZ/*n: 6.4 分子束外延生长硅
]y/:#^M+ 6.4.1 表面制备
bzTM{<]sv 6.4.2 外延生长
[o "@*kf 6.4.3 掺杂
bL<cgtz7) 6.4.4 外延膜的质量诊断
1U!CD-%( 6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和
结构 i+6/ g 6.5.1 MBE生长GaAs
Y-9F*8< 6.5.2 MBE生长InAs/GaAs
Spb'jAKj' 6.5.3 MBE生长GaN
c_i;' 6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构
m;|I}{r 6.6.1 HgCdTe材料
sTONkd 6.6.2 CdTe/Si的外延生长
?UzHQr 6.6.3 HgCdTe/Si的外延生长
"7d_$.Z 6.6.4 ZnSe、ZnTe
-vQ`}e1 6.6.5 ZnO薄膜
7Udr~0_) 6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
>ZT3gp?E 6.7.1 SiC:材料
[?A0{#5)8x 6.7.2 生长小尺寸Ge/Si量子点
c
s>W6 6.7.3 生长有机半导体薄膜
*^]ba> 参考文献
P^z)]K#sw OmW|\d PU 第7章 液相外延
{Ffr l(* 7.1 液相外延生长的原理
wrWWXOZ4 7.1.1 液相外延基本概况
;%&@^;@k% 7.1.2 硅液相外延生长的原理
f#?R!pR 7.2 液相外延生长方法和设备
tBt\&{=|D 7.3 液相外延生长的特点
& |r)pl0$ 7.4 液相外延的应用实例
Mh\c +1MFs 7.4.1 硅材料
B7
T+a 7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料
xK f+.6 wz 7.4.3 碲镉汞(Hgl-rCdrTe)材料
8GX@76o 7.4.4 SiC材料
qohUxtnTK> 参考文献
*e=e7KC6kI *Co+UJjT 第8章 湿化学制备方法
&7cy9Z~m 8.1 溶胶-凝胶技术
H~&'`h1 q>?oV(sF 第9章 半导体超晶格和量子阱
U -(d~]$ 第10章 半导体器件制备技术
on~rrSK 参考文献
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