半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 W+f&%En  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 7{^4 x#NO  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ,J(5@8(>a  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 m
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 3hXmYz(  
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第1章 真空技术 nKh%E-c  
1.1 真空的基本概念 V4eng "  
1.1.1 真空的定义 j[/SXF\=  
1.1.2 真空度单位 mfngbFa1  
1.1.3 真空区域划分 {Bq"$M!Y  
1.2 真空的获得 RZ|HwYG  
1.3 真空度测量 wyrI8UY  
1.3.1 热传导真空计 xZP
>g  
1.3.2 热阴极电离真空计 <p^*Ydx  
1.3.3 冷阴极电离真空计 c BHL,  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 '9 *|N=  
参考文献 mS:j$$]u  
Wj4^W<IO  
第2章 蒸发技术 &,N3uy;Gc  
2.1 发展历史与简介 f OM^V{)T  
2.2 蒸发的种类 NF/Ti5y  
2.2.1 电阻热蒸发 jom}_  
2.2.2 电子束蒸发 <84C tv  
2.2.3 高频感应蒸发 oEenm\ZI  
2.2.4 激光束蒸发 sb}K%-  
2.2.5 反应蒸发 #a(%(k S  
2.3 蒸发的应用实例 Zk/' \(5  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 0q[p{_t`  
2.3.2 ITO薄膜 < QDr,Hj  
参考文献 rL%]S&M9  
FDF3zzP0  
第3章 溅射技术 g
[EM]q,  
3.1 溅射基本原理 abROFI5.L  
3.2 溅射主要参数 !F+|Y"c  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 K0O-WJ  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 YY#s=  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 S2rEy2\}:  
3.3 溅射装置及工艺 nDHHYp
 
3.3.1 阴极溅射 }osHA`x"2  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 xb =
8t!  
3.3.3 射频溅射 ,7^d9v3t  
3.3.4 磁控溅射 "x#]i aDjf  
3.3.5 反应溅射 a^*cZ?Ta  
3.4 离子成膜技术  xFBh?  
3.4.1 离子镀成膜 c*x J=Gz6d  
3.4.2 离子束成膜 T-a&e9B  
3.5 溅射技术的应用 ZnvEv;P  
3.5.1 溅射生长过程 qri}=du&F  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 aBXYri  
参考文献 h8f!<:rTS  
bz,Da  
第4章 化学气相沉积 6=ZRn gQ  
4.1 概述 @sc8}"J]#  
4.2 硅化学气相沉积 8hTR*e!+  
4.2.1 CVD反应类型 2d-TU_JqX  
4.2.2 CVD热力学分析 A Gv!c($  
4.2.3 CVD动力学分析 RLdlz  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ==%`e/~Y  
4.2.5 成核 AMbKN2h1f  
4.2.6 掺杂 K0tV'Ml#"  
4.2.7 外延层质量 Jj2g5={  
4.2.8 生长工艺 ; cGv] A+  
4.3 CVD技术的种类 0JmFQ^g(  
4.3.1 常压CVD f
{)+-8  
4.3.2 低压CVD 9#v-2QY  
4.3.3 超高真空CVD @%6)^]m}r  
4.4 能量增强CVD技术 Mw/?wtW  
4.4.1 等离子增强CVD l6iw=b[?  
4.4.2 光增强CVD JB&G~7Q85  
4.5 卤素输运法 @SU8\:(U  
4.5.1 氯化物法 {eEBrJJeB  
4.5.2 氢化物法 \Dn&"YG7  
4.6 MOCVD技术 4bP13f  
4.6.1 MOCVD简介 p86~~rvq[  
4.6.2 MOCVD生长GaAs L +L9Y}  
4.6.3 MOCVD生长GaN %tT"`%(+  
4.6.4 MOCVD生长ZnO TQ; Z.)L  
4.7 特色CVD技术 Rw{$
L~\
 
4.7.1 选择外延CVD技术 `_|aeoK_  
4.7.2 原子层外延 I[}75:^Rt  
参考文献 q_cC7p6t  
x>}B#  
第5章 脉冲激光沉积 d)N^PJ/  
5.1 脉冲激光沉积概述 J!rY 6[t  
5.2 PLD的基本原理 }7K@e;YUg  
5.2.1 激光与靶的相互作用 &|)hCJu  
5.2.2 烧蚀物的传输 js~tKUvg  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 &=YSM.G  
5.3 颗粒物的抑制 rvW!7-R  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 @&;(D!_&  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 Rv98\VD"  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 *'6s63)I2  
参考文献 Kl{-zX  
(B@X[
~  
第6章 分子束外延 X:>$8^gS  
6.1 引言 aSel* L  
6.2 分子束外延的原理和特点 :4|M jn  
6.3 外延生长设备 AIb>pL{  
6.4 分子束外延生长硅 jAXR`D  
6.4.1 表面制备 4CLsY n?  
6.4.2 外延生长
HN{zT&  
6.4.3 掺杂 9z:K1  
6.4.4 外延膜的质量诊断 %dc3z"u  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 u#1%P5r&X  
6.5.1 MBE生长GaAs wzd`l?o,  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs {;*}WPYb  
6.5.3 MBE生长GaN ^K+:C;Q|  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 5k]XQxc6_  
6.6.1 HgCdTe材料 +]c/&Xo!  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 %,/lqcFo  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 F+m[&MKL  
6.6.4 ZnSe、ZnTe zCt\o  
6.6.5 ZnO薄膜 Z^+rQ.%n"&  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 xRlYr# %  
6.7.1 SiC：材料 )>\4ULR83  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 []zua14F6  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 yG\UW&P  
参考文献 t0q_>T-kt  
9t?L\
  
第7章 液相外延 Pe}PH I  
7.1 液相外延生长的原理 );Z]SGd  
7.1.1 液相外延基本概况 3+ =I;nj  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ?R|th Z  
7.2 液相外延生长方法和设备 PnA?+u2m  
7.3 液相外延生长的特点 ?1peF47Z
 
7.4 液相外延的应用实例 4J5pXlzV  
7.4.1 硅材料 }#Doy{T  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Zsj`F9*e  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 g
\Ak;03n  
7.4.4 SiC材料 Pz%~ST  
参考文献 )1lu=gc  
]3ifdGk  
第8章 湿化学制备方法 %D`o  
8.1 溶胶-凝胶技术 UX2lPgKdLz  
v*z(@<Y  
第9章 半导体超晶格和量子阱 _7"5wB?|+  
第10章 半导体器件制备技术 n*<v]1  
参考文献 qM",( Bh  
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