半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 8 &LQzwa  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ;>yxNGV`  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 7M!I8C0!aO  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 i2Qz4 $z  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 nI-w}NQ  

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第1章 真空技术 k8[n+^  
1.1 真空的基本概念 R6.hA_ih  
1.1.1 真空的定义 '&tG?gb&  
1.1.2 真空度单位 uAJx.>$b  
1.1.3 真空区域划分 D6Ui!  
1.2 真空的获得 9igiZmM  
1.3 真空度测量 /{aj}M0kN  
1.3.1 热传导真空计 b9J_1Gl]  
1.3.2 热阴极电离真空计 )._;~z!  
1.3.3 冷阴极电离真空计 V)HG(k  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 5|j<`()H :  
参考文献 <4si/=  
fI}to&qk  
第2章 蒸发技术 36Zf^cFJ  
2.1 发展历史与简介 ^e_hLX\SW  
2.2 蒸发的种类 ThajHK|U  
2.2.1 电阻热蒸发 t7Iv?5]N  
2.2.2 电子束蒸发 3*"WG O5  
2.2.3 高频感应蒸发 w!-gJmX>  
2.2.4 激光束蒸发 2\MT;;ZTZ  
2.2.5 反应蒸发 rNWw?_H-H(  
2.3 蒸发的应用实例 %9F([K  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 u<tbbKM  
2.3.2 ITO薄膜 WUe{vV#S'0  
参考文献 +US!YU  
6 l|DU7i  
第3章 溅射技术 @]%IK
(|  
3.1 溅射基本原理 .\ULbN3Z  
3.2 溅射主要参数 ;~)5s'  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 WYm\)@  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 S]e|"n~@  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 |P HT694Uz  
3.3 溅射装置及工艺 rxvx  
3.3.1 阴极溅射 D&&9^t9S  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 #4Rx]zW^%  
3.3.3 射频溅射 kzQ+j8.,U  
3.3.4 磁控溅射 en4k/w_  
3.3.5 反应溅射 y1eWpPJa  
3.4 离子成膜技术 r[`9uVT/  
3.4.1 离子镀成膜 )hn6sXo+  
3.4.2 离子束成膜 VGy<")8D/  
3.5 溅射技术的应用 y*jp79G  
3.5.1 溅射生长过程 h,u,^ r  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 i/;\7n  
参考文献 Db}j?ik/  
Xv5wJlc!d  
第4章 化学气相沉积 {Qf=G|Ah  
4.1 概述 ]3],r?-tJ  
4.2 硅化学气相沉积 wtQ++l%{G  
4.2.1 CVD反应类型 z1 |TC  
4.2.2 CVD热力学分析 urs,34h  
4.2.3 CVD动力学分析 wY{-BuXv  
4.2.4 不同硅源的外延生长 F3[T.sf  
4.2.5 成核 TTX5EDCrC  
4.2.6 掺杂 Q2w_X8  
4.2.7 外延层质量 j?3wvw6T  
4.2.8 生长工艺 E1aHKjLQ  
4.3 CVD技术的种类 y{B=-\O]  
4.3.1 常压CVD 7?!d^$B  
4.3.2 低压CVD ?DS@e@lx  
4.3.3 超高真空CVD "yy5F>0Wt  
4.4 能量增强CVD技术 bivuqKA  
4.4.1 等离子增强CVD Drgv`z  
4.4.2 光增强CVD 'A=^Se`=  
4.5 卤素输运法 av8B-GQI*#  
4.5.1 氯化物法 )5Q~I,dP  
4.5.2 氢化物法 9IdA%RM~mH  
4.6 MOCVD技术 Ytp(aE:  
4.6.1 MOCVD简介 Wq D4YGN  
4.6.2 MOCVD生长GaAs HT
v2#  
4.6.3 MOCVD生长GaN })H wh).  
4.6.4 MOCVD生长ZnO hohfE3rd  
4.7 特色CVD技术 Zgp4`)}:  
4.7.1 选择外延CVD技术 >W=,j)MA  
4.7.2 原子层外延 V# }!-Xj  
参考文献 hE'-is@7  
gS!:+G%  
第5章 脉冲激光沉积 x$A+lj]x  
5.1 脉冲激光沉积概述 P-9)38`5  
5.2 PLD的基本原理 HYD'.uj  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ^KnU4sD  
5.2.2 烧蚀物的传输 r..iko]T  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 o=:9y-nH  
5.3 颗粒物的抑制 :DK {Vg6  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ]!W=^!  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 )` SrfGp8  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 q<x/Hat)  
参考文献 Hs;4lSyUO  
:[.vM  
第6章 分子束外延 ,1.p%UE]>  
6.1 引言 {K~'K+TPu  
6.2 分子束外延的原理和特点 .Bl\Z  
6.3 外延生长设备 M~Tuj1?  
6.4 分子束外延生长硅 +[6G5
cH  
6.4.1 表面制备 yM6pd U]i  
6.4.2 外延生长 B{n,t}
z  
6.4.3 掺杂 _b pP50Cu  
6.4.4 外延膜的质量诊断 Ljm[?*H#  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ;Zcswt8]u  
6.5.1 MBE生长GaAs 4@+`q *  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs VD;01"#'  
6.5.3 MBE生长GaN kYE9M8s;  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 (U DnsF  
6.6.1 HgCdTe材料 ;>%r9pz
~  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 f=l rg KE  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 |"q5sym8Y_  
6.6.4 ZnSe、ZnTe u74[>^  
6.6.5 ZnO薄膜 M><yGaaX/  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Ye%~I`@?  
6.7.1 SiC：材料 '0;l]/i.  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 gi3F` m  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 >F|>c
c>_E  
参考文献 aL\PGdgO  
&N$<e(K  
第7章 液相外延 [Q~#82hBhY  
7.1 液相外延生长的原理 O#4&8>;=  
7.1.1 液相外延基本概况 EgEa1l!NSQ  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 a K[&V't~  
7.2 液相外延生长方法和设备  \{_q.;}  
7.3 液相外延生长的特点 7uqzm  
7.4 液相外延的应用实例 x`eo"5.$  
7.4.1 硅材料 +q<jAW A  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 YsC>i`n9  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 TIqtF&@o4  
7.4.4 SiC材料 df8k7D;~e  
参考文献 .fqN|[>  
93>jr<A  
第8章 湿化学制备方法 o+iiSTJEe  
8.1 溶胶-凝胶技术 Hzm:xg  
(Bb5?fw  
第9章 半导体超晶格和量子阱 -vo})lO  
第10章 半导体器件制备技术 VcE:G#]5  
参考文献 fivw~z|[@  
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