半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 vMXS%Q  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 M?4)U"_VE  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 U3 e3  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 ;f7(d\=y  
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第1章 真空技术 |~bl%g8xP  
1.1 真空的基本概念 h5&l#>8&  
1.1.1 真空的定义 u{'bd;.7  
1.1.2 真空度单位 s#ijpc>h  
1.1.3 真空区域划分 q28i9$Yqj\  
1.2 真空的获得 0A@'w*=  
1.3 真空度测量 3~\mP\/4v  
1.3.1 热传导真空计 oQ=Q}  
1.3.2 热阴极电离真空计 ewqfs/  
1.3.3 冷阴极电离真空计 aE6I|6W
?  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 T=}(S4n#BX  
参考文献 zR/d:P
?  
<jT6|2'  
第2章 蒸发技术 }\`MXh's
 
2.1 发展历史与简介 .Y!*6I  
2.2 蒸发的种类 LQ"56PP<  
2.2.1 电阻热蒸发 1Tf"<Dp  
2.2.2 电子束蒸发 "P=OpFV  
2.2.3 高频感应蒸发 5C/W_H+9iK  
2.2.4 激光束蒸发 <8p53*a  
2.2.5 反应蒸发 , gk49z9  
2.3 蒸发的应用实例 *z`_U]tP  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 "jzU`  
2.3.2 ITO薄膜 gk\IivPb  
参考文献 3qPj+@  
DPJ#Y -0  
第3章 溅射技术 ~AxA ,  
3.1 溅射基本原理 3(':4Tas  
3.2 溅射主要参数 &IM;Yl  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 nnX,_5s  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 rG1l:Z)  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 u~\u8X3  
3.3 溅射装置及工艺 @.T '>;izr  
3.3.1 阴极溅射 FyX
\S=  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 ["4h%{.  
3.3.3 射频溅射 s_-G`xT>{  
3.3.4 磁控溅射 1q<BYc+z  
3.3.5 反应溅射 LY[XPV]t  
3.4 离子成膜技术 quHq?oXV,  
3.4.1 离子镀成膜 D\]gIXg  
3.4.2 离子束成膜 {,tEe'H7  
3.5 溅射技术的应用 .`&($W  
3.5.1 溅射生长过程 ~h6aw  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 X>j% y7v  
参考文献 [s$vY~_  
6Yebc_, R  
第4章 化学气相沉积 :}0y[qc3  
4.1 概述 F6R+E;"4R'  
4.2 硅化学气相沉积 Vm6G5QwM  
4.2.1 CVD反应类型 Tw"u{%t  
4.2.2 CVD热力学分析 $-m@cObw!.  
4.2.3 CVD动力学分析 >4`("#  
4.2.4 不同硅源的外延生长 b;#3X)  
4.2.5 成核 IlJ6&9  
4.2.6 掺杂 R)d1]k8  
4.2.7 外延层质量 x2/\%!mt  
4.2.8 生长工艺 An!1>`8r  
4.3 CVD技术的种类 YU.aZdA&V3  
4.3.1 常压CVD %KK6}d#  
4.3.2 低压CVD fOCLN$x^  
4.3.3 超高真空CVD lN
#W  
4.4 能量增强CVD技术 I~?D^   
4.4.1 等离子增强CVD (:Rj:8{  
4.4.2 光增强CVD wgxr8;8`q  
4.5 卤素输运法 T;qP"KWZ  
4.5.1 氯化物法 SYRr|Lg  
4.5.2 氢化物法 R!b<Sg  
4.6 MOCVD技术 |oPCmsO3R{  
4.6.1 MOCVD简介 wUj[c7Y%  
4.6.2 MOCVD生长GaAs C-lv=FJEk/  
4.6.3 MOCVD生长GaN 4;'o`K~*  
4.6.4 MOCVD生长ZnO Nw[TP G5  
4.7 特色CVD技术 _0ki19rs  
4.7.1 选择外延CVD技术 ~wf&78
 
4.7.2 原子层外延 &^Q-:Kxs8  
参考文献 i1$ $86  
hu0z):>y  
第5章 脉冲激光沉积
&?flH;  
5.1 脉冲激光沉积概述 /]m5HW(P7K  
5.2 PLD的基本原理 SYd4 3PA  
5.2.1 激光与靶的相互作用 42E]&=Cet  
5.2.2 烧蚀物的传输 bHR
H2Ss  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 WG>Nm89  
5.3 颗粒物的抑制 ]:jP*0bLx  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Q.X)QCp#r  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 \=PnC}
7I  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 RhR{EO  
参考文献 ?aOx b  
<5(P4cm9  
第6章 分子束外延 l Os91+.%  
6.1 引言 2#LTd{  
6.2 分子束外延的原理和特点 dPZrX{ c  
6.3 外延生长设备
4\ R2\  
6.4 分子束外延生长硅 /ap3>xkt  
6.4.1 表面制备 a)w *  
6.4.2 外延生长 5<ZE.'O  
6.4.3 掺杂 ))m\d*  
6.4.4 外延膜的质量诊断 ;:2]++G  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 v&Xsyb0CaM  
6.5.1 MBE生长GaAs y,'M3GGl  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs +*&bgGhT  
6.5.3 MBE生长GaN Z$ q{!aY  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 h=h4`uA9  
6.6.1 HgCdTe材料 2GeJ\1k  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 & -L$B  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 _wMxKM  
6.6.4 ZnSe、ZnTe A)6xEeyR  
6.6.5 ZnO薄膜 :Z)a&A9v  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 %;ST7  
6.7.1 SiC：材料 HZ%2WM  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 \Gm$hTvB&  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 sZ,xbfZby  
参考文献 mQ(6ahD U  
xVYy`_|  
第7章 液相外延 &%eWCe++  
7.1 液相外延生长的原理 I)7STzlMj.  
7.1.1 液相外延基本概况
ybk~m  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 rywui10x*  
7.2 液相外延生长方法和设备 Q8-;w{%  
7.3 液相外延生长的特点 %-9?rOr  
7.4 液相外延的应用实例 RE)!b  
7.4.1 硅材料 E%Tpby}^'  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 24{Tl q3  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 2S%[YR>>  
7.4.4 SiC材料 
>Sc)?[H  
参考文献 b0X<)1O  
|T`ZK?B+u  
第8章 湿化学制备方法 VZveNz@]r  
8.1 溶胶-凝胶技术 7Yv1et |  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 T0HNld  
第10章 半导体器件制备技术 Oly"ll*K  
参考文献 287g 5  
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