半导体集成
电路制造
手册是一本综合性很强的参考书,由60名国际专家编写,并由同等水平的顾问组审校。内容涵盖相关技术的基础知识和现实中的实际应用,以及对生产过程的计划、实施和控制等运营管理方面的考虑。涉及制造工艺和辅助设施——从原材料的准备到
封装和测试,从基础知识到最新技术。针对最优化设计和最佳制造工艺,提供了以最低成本制造最佳质量
芯片方面的必要信息。书中介绍了有关半导体晶圆工艺、MEMS、纳米技术和平面显示器的最新信息,以及最先进的生产和自动化技术。包括良品率管理、材料自动运送系统、晶圆厂和洁净室的设计和运营管理、气体去除和废物处理管理等。如此之广的覆盖面使得本书成为半导体领域内综合性最强的单卷参考书。
<;O=h;
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AA][}lU:5 GMmz`O
XN VBc[(8o 第一部分 半导体基础介绍及基本原材料
*9:oTN 第1章 半导体芯片制造综述
tP; &$y.8 1.1 概述
6k6M&a 1.2 半导体芯片
s( @w1tS. 1.3 摩尔定律
zNSix!F 1.4 芯片的设计
V]b1cDx{ 1.5 芯片生产的环境
5.gM]si 1.6 芯片的生产
m-f"EFmP 参考文献
>!+.M9 第2章 集成电路设计
rM<lPMr1* 2.1 概述
R=M"g|U6 2.2 集成电路的类型
}e3M5LI1L 2.3 p-n结
~wnTl[: 2.4
晶体管
W{E22J} 2.5 集成电路设计
Pn@k)g 2.6 集成电路设计的未来走向及问题
p7(Pymkd 参考文献
/dTy%hZC} 第3章 半导体制造的硅衬底
^NJ]~h{n$ 3.1 概述
9hAS#|vK 3.2 硅衬底材料的关键特性
/lAB 3.3 硅晶圆制造基础
p:M#F: 3.4 硅衬底材料
:xw2\:5~0 3.5 硅衬底制造中的关键问题和挑战
#PnuR2s7. 3.6 结论
7q bGA K 参考文献
O+;0|4V% 第4章 铜和低κ介质及其可靠性
=ark?<E 4.1 概述
hW*2Le!I 4.2 铜互连技术
&tY3nr 4.3 低κ介质技术
wu?ahNb.`Y 4.4 铜/低κ介质的可靠性
HZMs],GX 参考文献
9xWC<i 第5章 硅化物形成基础
Z=%+U _, 5.1 概述
\8\)5#? 5.2 硅上工艺基础
-_=0PW5{ 5.3 未来趋势和纳米级硅化物的形成
v +-f
pl& 5.4 结论
eeIh }t>[ 参考文献
o?\)!_Z| 第6章 等离子工艺控制
<%eY>E 6.1 概述
kg[u@LgvoN 6.2 等离子体的产生和工艺控制的基本原理
<*L=u ; 6.3 工艺控制和量测
`mPmEV< 6.4 干法刻蚀的特性
f])?Gw 6.5 未来趋势和结论
h}xUZ: 参考文献
A7U'>r_. 第7章 真空技术
M9Gs^ 7.1 真空技术概述
0?uX}8w 7.2 测量低气压压力的方法
,CW]d#P| 7.3 产生真空的方法
g!n1]- 1 7.4 真空系统的组成部件
\3K 6NA!L 7.5 泄漏探测
a?' 3 7.6 真空系统设计
2{s ND 7.7 未来趋势和结论
2rHw5Wn]~ 补充读物
|Y3!Lix 信息资源
}@yvw*c 第8章 光刻掩膜版
|)6(_7e9 8.1 概述
O%v(~&OSl 8.2 光刻掩膜版基础
I Vy,A7f 8.3 光刻掩膜版生产设备
q3Umqvl)oe 8.4 运转、经济、安全及维护的考虑
6h>8^l 8.5 未来趋势与结论
X:-X3mV9{ 参考文献
<[C9F1]Ya 第二部分 晶圆处理
H%7V)" 第9章 光刻
"M6a_rZ2W 9.1 光刻工艺
^vm[`M 9.2
光学光刻成像
.Pq8C 9.3 光刻胶化学
hM
E|=\
9.4 线宽控制
ub6\m=Y7 9.5 光刻的局限性
=1^a/ 补充读物
.G+}Kn9! 第10章 离子注入和快速热退火
~C5iyXR 10.1 概述
(Br$(XJoK} 10.2 离子注入系统的组成部分
nzy =0Ox[ 10.3 后站结构
&n<jpMB 10.4 关键工艺和制造问题
5X&<+{bX 10.5 离子注入的资源
o!mfd}nG 参考文献
:{4G=UbAI 第11章 湿法刻蚀
D{o1G?A 11.1 概述
v,vTRrpK 11.2 含HF的化学刻蚀剂
)|LX_kyW 11.3 金属刻蚀
MSeO#X 11.4 湿法刻蚀在混合半导体中的应用
o0 -e,F>u 11.5 湿法刻蚀的设备
WAY<X:|We 11.6 环境、健康和安全问题
cYx=8~- 参考文献
fLI@;*hL0 第12章 等离子刻蚀
+Smv<^bW 12.1 概述
X2@mQ&n 12.2 硅衬底IC器件制造中的等离子刻蚀
<6<uO\B\ 12.3 硅衬底MEMS器件制造中的等离子刻蚀
d1e'!y}R5 12.4 III-V族混合半导体中的等离子刻蚀
)I]E%ut{4, 12.5 等离子刻蚀的终点探测
+lJuF/sS8m 12.6 结论
:&yRvu 致谢
1ISA^< M 参考文献
SUD]Wl7G`r 第13章
物理气相淀积
CW\o>yh 13.1 物理气相淀积概述
&Wd,l$P<O 13.2 PVD工艺的基本原理
PkDL\Nqe 13.3 真空蒸发
u-UUF 13.4 蒸发设备
?d+B]VYw 13.5 蒸发淀积的层及其性质
4NR,"l) 13.6 溅射
rShi"Yw 13.7 溅射设备
("/*k 13.8 溅射淀积的层
u
MzefRN 13.9 原子层淀积:薄膜淀积技术的新远景
Aog3d\1$ 13.10 结论与展望
';aPoaO % 参考文献
I-/PzL<W P 第14章 化学气相淀积
0IDHoNaT< 14.1 概述
74gU4T 14.2 原理
gp-wlu4 14.3 CVD系统的组成
#PXl*~PrQ/ 14.4 预淀积与清洗
|Q9S$l] 14.5 排除故障
s+zb[3} 14.6 未来趋势
D{N1.rSxv 参考文献
{w!}:8p 第15章 外延生长
w41#?VC/ tHoFnPd\| 15.1 概述
nr&G4t+%Hv 15.2 用于先进CMOS技术的硅外延
czMLvPXRx 15.3 制造
GsDSJz 15.4 安全和环境健康
zN5i}U=|r 15.5 外延的未来发展趋势
}i[i{lKj 15.6 结论
DP;B*s4{U 参考文献
Slv}6at5 补充读物
hNx`=D9[7 第16章 ECD基础
*otJtEI>6 16.1 概述
PtgUo,P 16.2 基本的ECD技术(电镀工作原理)
&}T`[ d_Z 16.3 铜大马士革ECD工艺的优点
sK?[1BI 16.4 铜ECD的生产线集成
A1Q]KS@ 16.5 铜ECD工艺的其他考虑因素
CKh-+8j 16.6 未来趋势
)_j.0a
16.7 结论
&<_sXHg<x 参考文献
<R3S{ty 第17章 化学机械研磨
"#4PU5. 17.1 CMP概述
O')Ivm,E 17.2 常见的CMP工艺应用
@.0jC=!l 17.3 CMP的工艺控制
#{h4lte 17.4 后CMP晶圆清洗
q,:\i+>K* 17.5 常见的CMP平台与设备
?Fi-,4 17.6 CMP工艺废弃物管理
yvH:U5% 17.7 未来发展趋势与结论
h)y"?Jj 参考文献
$ ~D`-+J 信息资源
$oxPmELtpe 第18章 湿法清洗
QyHUuG|g 18.1 湿法清洗概述与回顾
$wN'mY 18.2 典型半导体制造:湿法清洗工艺
/o|@]SAe. 18.3 湿法清洗设备技术
7FMHz.ZRE 18.4 未来趋势与结论
9MHb<~F 参考文献
PFPfLxna 第三部分 后段制造
#h r!7Kc;N 第19章 目检、测量和测试
+,|-4U@dl 19.1 测试设备概述
i( c2NPbX 19.2 测试设备基础和制造自动化系统
MH !CzV& 19.3 如何准备、计划、规范、选择供应商和购买测试设备
gpw(j0/Fs 19.4 操作、安全、校准、维护中的考虑因素
9 l,Gd 19.5 未来趋势和结论
@L0wd> 致谢作者
l,v:[N 补充读物
JWn9&WK 信息资源
&0>{mq}p,: 第20章 背面研磨、应力消除和划片
|xf%1(Rl@ 20.1 概述
5n9F\T5 20.2 背面研磨技术
Upv2s:wa}z 20.3 晶圆背面研磨机
Z&.FJZUP 20.4 划片
@#T?SNIL5 20.5 划片机
`E|IMUB~ 20.6 生产设备要求
+i)1 jX< 20.7 晶圆减薄
S>"dUM 20.8 全合一系统
{X"X.`p 20.9 未来技术趋势
ax3:rl 补充读物
'6xn!dK 第21章 封装
QPFpGS{d 21.1 概述
0\h2& 21.2 封装的演变
(O<lVz@8 21.3 凸晶及焊盘重布技术
}XXE
hOO 21.4 实例研究
9s7B1Pf 21.5
光电子和MEMS封装
\DQ; v 参考文献
X,OxvmDm 补充读物
Yb?#vp I 第四部分 纳米技术、MEMS和FPD
?v")Z0 ~ 第22章 纳米技术和纳米制造
@C!q S7k) 22.1 什么是纳米技术
,U7hzBj8k 22.2 纳米技术和生化技术
AVcZ.+? 22.3 纳米制造:途径和挑战
st+Kz uK 22.4 纳米制造——不仅仅是工程和工艺
:ZzG5[o3 致谢
d9^=#ot 参考文献
GB
!3Z 第23章 微机电系统基础
bu hxC5i% 23.1 概述
7P \sn< 23.2 MEMS的技术基础
{==Q6BG* 23.3 微机电系统制造原理
b#y}VY)? 23.4 微机电系统的应用
DX!$k[ 23.5 未来的趋势
5S7Z]DXiT8 23.6 结论
[wu%t8O2 参考文献
4o=G) KO{ 其他信息
m#S ZI} 第24章 平板显示技术和生产
,%jJ
,G, 24.1 概述
6XG+YIG6w 24.2 定义
3{_+dE"9 24.3 平板显示的基础和原理
'{+hti,Lh 24.4 平板显示的生产工艺
+Rh'VZJs 24.5 未来趋势与结论
(&gCVf 补充读物
%(e=Q^= 第五部分 气体和化学品
DMf9wB 第25章 特种气体和CDA系统
Bo0y"W[+ 25.1 概述
K{iayg!k 25.2 半导体生产工艺的要求
zeua`jQ 25.3 法规的要求和其他通常要在设计中考虑的问题
-Kc-eU-&q 25.4 特殊气体的分配和输送
*o>E{ 25.5 执行
h]=chz 25.6 特殊气体系统的未来趋势
z^b\hR 25.7 洁净干燥空气
+X?jf.4 25.8 结论
b,@:eVQ7 致谢
o _CVZ 参考文献
e-s@@k
补充读物
"ulaF+ 第26章 废气处理系统
Hc+<(g 26.1 概述
m:^@AR1%d 26.2 基本原理
IR>Kka(B 26.3 主要组成部分
TcIUo!:z 26.4 重要考虑因素
_<~05Eh 26.5 未来趋势
!uZ+r% 参考文献
8jZYy! 第27章 PFC的去除
dn5v|[ dJ 27.1 高氟碳化合物
^*r${Nj 27.2 减少PFC排放的策略
:C&?(HJ&r 27.3 PFC去除理论
%z2nas$$g 27.4 催化法去除
^g0 Ig2' 参考文献
j[HKC0C6 第28章 化学品和研磨液操作系统
u)V*o 28.1 概述
Z5U~g? 28.2 化学品和研磨液操作系统中的要素和重要条件
~\/ J& 28.3 设备
4H,DG`[Mo 28.4 高纯化学品的混合
oO|^ [b# 28.5 系统的纯度
s,}<5N]U 28.6 CMP研磨液系统
jmb\eOq+~V 28.7 结论
.SsIU\[) 参考文献
f&`*x t/ 第29章 操控高纯液体化学品和研磨液的部件
U!'lc}5 29.1 概述
u1"e+4f 29.2 流体操控部件的材料
Uyh 29.3 金属杂质、总可氧化碳量和颗粒污染物
r" D |1 29.4 工业检测
标准和协议
lz*PNT{E 29.5 操控流体的部件
Cjh&$aq 29.6 流体测量设备
-`RJk( 29.7 工艺控制的应用
pqs)ueu 29.8 结论
6M6QMg^ 补充读物
4EpzCaEZ 第30章 超纯水的基本原理
Cam}:'a/` 30.1 概述
Cb13 Qz 30.2 UPW系统的单元操作
S ~_% 30.3 初始给水
\w:u&6,0O 30.4 预处理
j\vK`.z 30.5 初级处理
^AM_A>HnG 30.6 最终处理、抛光和配送
l=oVC6C 30.7 未来趋势
D;L :a`Y 参考文献第六部分 气体和化学品
B -KOf 第31章 良品率管理
=j{jylC 31.1 概述
e\dT~)c 31.2 良品率管理定义及其重要性
<Hp"ZCN 31.3 良品率管理基本要素及良品率管理系统的执行
^"Y'zIL 31.4 优化良品率管理系统所要考虑的问题
WY,t> 1c 31.5 未来趋势与结论
1^;h:,e6 补充读物
I%&9`ceWY 第32章 自动物料搬运系统
<\8 32.1 概述
xsvs3y | 32.2 AMHS的主要组成部分
&SM$oy#? 32.3 AMHS的设计
<8bO1t^* 32.4 运营中的考量
2mO#vTX4 32.5 未来趋势
Q. XsY.{ 第33章 关键尺寸测量方法和扫描电镜
LJ)) 33.1 概述
?
1{S_ 33.2 关键尺寸测量基本概念
$P-m6 33.3 扫描电镜的基本概念
$SXxAS1 33.4 扫描电镜规格和选择流程
-7$'* V9$ 33.5 未来趋势与结论
vz:0"y 参考文献
U,M,E@ 第34章 六西格玛
YUb,5Y0 34.1 什么是六西格玛
OT[m
g4& 34.2 六西格玛的基本强项
s,v#lJ]d0W 34.3 主要的DMAIC阶段
d{hYT\7~1( 34.4 六西格玛设计(DFSS)
L8zqLDi& 34.5 应用实例
C]H <L#)ZU 34.6 未来趋势与结论
gB(W`:[ 补充读物
*N r|G61 第35章 高级制程控制
Zz-;jkX) 35.1 技术概况
jq]"6/xxb 35.2 高级制程控制的基本知识
Yel(}Ny 35.3 应用
Mh|`XO.5I 35.4 应用所需要考虑的事项
O)|4>J*B 35.5 未来趋势与结论
)r i3ds 参考文献
l{U 3; 第36章 半导体生产厂区环境、健康和安全方面需要考虑的事项
lnWiE}F 36.1 概述
% 4"~O
_S 36.2 半导体制造过程中的EHS危害
3R*@m 36.3 适用于半导体制造者的EHS法规
WS/+Yl 36.4 遵守法规之外的期望
\ Sby(l 36.5 半导体工业EHS的未来走向
55LF 参考文献
UK>=y_FYO 信息资源
P`
F'Nf2U 第37章 芯片制造厂的计划、设计和施工
)T5h\ZO`; 37.1 概述
@>IjfrjV 37.2 计划
"T
u[n\8 37.3 设计
->&VbR) 37.4 施工
1$VI\} 37.5 结论
/A.i5=k 致谢
J_|}Xd)~t6 第38章 洁净室的设计和建造
ls\E%d 38.1 概述
t)Q@sKT6 38.2 洁净室标准、分类和认证
!#I/be] 38.3 典型洁净室
U_;J.{n 38.4 气流分布与模式
=k=2~
j 38.5 换气
/VO@>Hoh 38.6 洁净室的组成
'?gIcWM 38.7 空调系统的要求
r)]CZ]) 38.8 工艺污染控制
Qsxkw 38.9 振动和噪声控制
Gy6qLM 38.10 磁性和电磁通量
U<Y'.! 38.11 空气和表面静电电荷
F` 5/9?;| 38.12 生命安全
yO;C3q 38.13 流体动力学计算机模拟
.0E4c8R\X 38.14 洁净室经济性
0,$-)SkT 38.15 实践中的问题及解决方案(举例)
]MLLr'6? 补充读物
OG+r|.N; 信息资源
yLO
&(Mb 第39章 微振动和噪声设计
m'(;uR` 39.1 概述
nYy}''l< 39.2 测量方法和标准
,."(Gp 39.3 振动和噪声源
*\:_o5o%[T 39.4 地基和结构设计
\seG2vw$ 39.5 机械/电动/工艺设计中的振动和噪声控制
?U/Wio$@ 39.6 声学设计
O;e8ft
'| 39.7 机器厂务连接
P"uHtHK 39.8 厂务振动检测的目的与时机
8C,utjy 39.9 振动和噪声环境的老化
FNm6/_u3 39.10 未来方向和特例
$`5lvy^ 致谢
1|WpKaMoq 参考文献
hJo^Wo 第40章 洁净室环境中静电放电的控制
nuO3UD3 40.1 半导体洁净室中的静电电荷
;#yu"6{ 40.2 静电在洁净室中的危害
#f3 ;}1( 40.3 静电电荷的产生
oUvk2]H 40.4 绝缘体和导体
T
E&Q6 40.5 洁净室内的静电管理
tkN3BQ 40.6 空气离子化对静电电荷的控制
RD$tc~@UB 40.7 静电测量
y^QYlZO 40.8 空气离子发生器的应用
#}!>iFBcH 40.9 结论
aDl,
K;GL 参考文献
(OyY_` 第41章 气体分子污染
+8)]m< 41.1 化学污染的介绍及气体分子污染的定义
X`3vSCn 41.2 气体分子污染的分级
('**nP
41.3 AMC控制的考虑
;*-@OLT_K 41.4 AMC控制的执行
nK h%E-c 41.5 气相化学过滤器
{ 0%TMiVf 41.6 干式涤气过滤器介质
j[/SXF\= 41.7 化学过滤系统的设计
mfngbFa1 41.8 AMC监控
{Bq"$M!Y 41.9 AMC控制的应用区域
F!)M<8jL&9 41.10 AMC控制的规范和标准
wyrI8UY 41.11 选择一种AMC控制系统
xZP >g 41.12 最后的考虑
5hJYy`h~ 41.13 结论
gR;8ht(pd( 参考文献
WS1&3mOd 信息来源
5fegWCJ 第42章 半导体制造业中微粒的监测
<E[HlL 42.1 概述
rv,NQZ 42.2 微粒检测仪的操作原理
Gf
H*,1x 42.3 详细说明一个微粒检测仪
XSp x''l 42.4 关于在气体应用中的特殊考虑
%jZp9}h 42.5 关于在液体应用中的特殊考虑
$m:2&lU3 42.6 污染控制的层次
[%7;f|p? 42.7 空气传播中分子污染
{b|3]_-/ 42.8 结论
d=t}T6.| 参考文献
X;OsH 第43章 废水中和系统
#a(%(k S 43.1 概述
Zk/' \(5 43.2 水和pH值
0q[p{_t` 43.3 应用评价
#QTfT&m+G} 43.4 标准pH值调节系统的结构
rL%]S&M9 43.5 系统优化
FDF3zzP0 43.6 控制系统
g[EM]q, 43.7 用于pH值调节的化学药品
FJa[ToZ4+ 43.8 pH值调节在化学机械刨光(磨光)、降低金属和降低氟化物含量中的应用
!F+|Y"c 补充读物
)IFl
0<d
附录
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