半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 _HAr0R8BY  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 ePxf.U  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ^(:na6C  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 oJI+c+e"  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 V_9\Ax'X  
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第1章 真空技术 :5:_Dr<  
1.1 真空的基本概念 ]O~/k~f  
1.1.1 真空的定义 <q|eG\01S  
1.1.2 真空度单位 >~&7D`O  
1.1.3 真空区域划分 p\xsW"=8q  
1.2 真空的获得 > !HC ?  
1.3 真空度测量 S_Vquw(+  
1.3.1 热传导真空计 \BSPv]d  
1.3.2 热阴极电离真空计 w_q=mKu  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ?\a';@h  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 mPi{:  
参考文献 v2mqM5Z  
";59,\6  
第2章 蒸发技术 ^X<ytOd5  
2.1 发展历史与简介 opCQ=G1  
2.2 蒸发的种类 iEMIzaR  
2.2.1 电阻热蒸发 td2bL4  
2.2.2 电子束蒸发 _?>f
9K$1  
2.2.3 高频感应蒸发 ~I%JVX%  
2.2.4 激光束蒸发
iLFhm4.PO  
2.2.5 反应蒸发 9K{0x7~  
2.3 蒸发的应用实例 8V:yOq10  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 +@#-S  
2.3.2 ITO薄膜 dJZ 9mP!d  
参考文献 kC+dQ&@g{  
r$Y% 15JV  
第3章 溅射技术 }5ONDg(I~  
3.1 溅射基本原理 m*TJ@gI*t  
3.2 溅射主要参数 }sGH}n<9*  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 Pe7% 9  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ?s: 2~Qlu  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 No)@#^  
3.3 溅射装置及工艺 7ZgFCK,8m,  
3.3.1 阴极溅射 I44bm?[S  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 YZ+<+`Mz<  
3.3.3 射频溅射 &v_b7h  
3.3.4 磁控溅射 dp>LhTLc  
3.3.5 反应溅射 Jm G)=$,  
3.4 离子成膜技术 ` _]tN  
3.4.1 离子镀成膜
t8b,@J`R  
3.4.2 离子束成膜 {\-IAuM  
3.5 溅射技术的应用 7o64|@'j  
3.5.1 溅射生长过程 3?DM AV  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Z9 tjo1X  
参考文献 ,0[h`FN  
TWgI-xB  
第4章 化学气相沉积 F!yejn [  
4.1 概述 9Z_98Rh  
4.2 硅化学气相沉积 :+|os"  
4.2.1 CVD反应类型 <rFY$ ?x  
4.2.2 CVD热力学分析 c-^\YSDMN  
4.2.3 CVD动力学分析 uCpk1d  
4.2.4 不同硅源的外延生长 Z(-@8=0  
4.2.5 成核 m/W)IG>  
4.2.6 掺杂 K3^N_^H  
4.2.7 外延层质量 >9wEx[  
4.2.8 生长工艺 pUaGrdGxzQ  
4.3 CVD技术的种类 |7l*  
4.3.1 常压CVD kVe_2oQ_>  
4.3.2 低压CVD c>RS~/Y  
4.3.3 超高真空CVD R%N&Y~zH  
4.4 能量增强CVD技术 *.0#cP7 "  
4.4.1 等离子增强CVD bPtbU:G  
4.4.2 光增强CVD u4[3JI>  
4.5 卤素输运法 j:{d'OV  
4.5.1 氯化物法 9rsty{J8  
4.5.2 氢化物法 g&"__~dS-F  
4.6 MOCVD技术 j5;eSL@/  
4.6.1 MOCVD简介 gyW##M@{  
4.6.2 MOCVD生长GaAs \[w82%U  
4.6.3 MOCVD生长GaN y2eeE CS]  
4.6.4 MOCVD生长ZnO '\X<+Sm'  
4.7 特色CVD技术 G#;$;  
4.7.1 选择外延CVD技术 L7tC?F]}SK  
4.7.2 原子层外延 @cZNoD  
参考文献 +kKfx!  
g^DPbpWxu  
第5章 脉冲激光沉积 PO[ AP%;  
5.1 脉冲激光沉积概述
%maLo RJ  
5.2 PLD的基本原理 Ue<Y ~A  
5.2.1 激光与靶的相互作用 @OlV6M;qJ  
5.2.2 烧蚀物的传输 2*K _RMr~  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ApYri|^r  
5.3 颗粒物的抑制 :n&n"`D~  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 yA+:\%y$  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 L 59q\_|  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 $z~sN  
参考文献 5? `*i"  
}*4K]3et$  
第6章 分子束外延 RvF6bIqo  
6.1 引言 ^ cn)eA  
6.2 分子束外延的原理和特点 <tbsQ3  
6.3 外延生长设备 tF<|Eja*  
6.4 分子束外延生长硅 .)>DFGb>H  
6.4.1 表面制备 KS/1ux4x  
6.4.2 外延生长 6*/o  
6.4.3 掺杂 OIa=$l43C  
6.4.4 外延膜的质量诊断 nkp!kqJ09  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ;m3SlP{F  
6.5.1 MBE生长GaAs <5Jp2x#  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs :*"0o{ ie  
6.5.3 MBE生长GaN o5\nqw^  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 gNO<`9q  
6.6.1 HgCdTe材料 ]3C&l+m$ot  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 ~/6m|k  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 eM*@zo<-  
6.6.4 ZnSe、ZnTe PYl(~Vac  
6.6.5 ZnO薄膜 [e+"G <>  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 VGY#ph%  
6.7.1 SiC：材料 |:s4#3  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 37wm[Z  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 A|V |vT7cb  
参考文献 Pgs^#(^>  
88 *K  
第7章 液相外延 "]ow1{  
7.1 液相外延生长的原理 dIG(7~  
7.1.1 液相外延基本概况 8]Xwj].^C  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 O1Gd_wDC/i  
7.2 液相外延生长方法和设备 *
BYSfcX6  
7.3 液相外延生长的特点 ~\c]!%)o  
7.4 液相外延的应用实例 t,;1?W#  
7.4.1 硅材料 Q9N=yz  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ;6I{7[  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 >8~+[e  
7.4.4 SiC材料 +!6C^G  
参考文献 9KVeFl  
Yz0ruhEMk  
第8章 湿化学制备方法 )FM
/^  
8.1 溶胶-凝胶技术 s%Q pb{  
hSc$Sa8  
第9章 半导体超晶格和量子阱 ^.F@yo2}  
第10章 半导体器件制备技术 )p>BN|L  
参考文献 tnz BNW8  
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