半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 QSo48OFs  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 `LWbL*;Y0  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 *^%ohCUi  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 Eo{js?1G_  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 LC/%AbM  

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第1章 真空技术 9C1\?)"D^e  
1.1 真空的基本概念 vQ DlS1L  
1.1.1 真空的定义 /.@"wAw:  
1.1.2 真空度单位 <~.1>CI9D3  
1.1.3 真空区域划分 Dn.%+im-u  
1.2 真空的获得 09HqiROw  
1.3 真空度测量 3gba~}c)  
1.3.1 热传导真空计 c0:`+>p2  
1.3.2 热阴极电离真空计 &B ^LaRg  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ,A!0:+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 .|3&lb6  
参考文献 e:RgCDWL  
4Y}{?]>pu  
第2章 蒸发技术 |Skhx9};  
2.1 发展历史与简介 rW0-XLbL5H  
2.2 蒸发的种类 [#C(^J*@c  
2.2.1 电阻热蒸发 V82N8-l  
2.2.2 电子束蒸发 *
T
P>)o  
2.2.3 高频感应蒸发 /~;om\7r  
2.2.4 激光束蒸发 UB|}+WA3  
2.2.5 反应蒸发 xr1,D5  
2.3 蒸发的应用实例 p`06%"#  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 EHX/XM  
2.3.2 ITO薄膜 F'9#dR?  
参考文献 &`Ek-b!7  
4b:q84  
第3章 溅射技术 ,\=,,1_  
3.1 溅射基本原理 6k*,Yei  
3.2 溅射主要参数 %oHK=],|1  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 .FpeVjR''  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 h@yn0CU3.  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 0;2"X
[e  
3.3 溅射装置及工艺 G
X;~K  
3.3.1 阴极溅射 h0)Dj(C  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 ~"nF$DB  
3.3.3 射频溅射 $b
sD'Io  
3.3.4 磁控溅射 kBg8:bo~  
3.3.5 反应溅射 2$s2u;  
3.4 离子成膜技术 Tqj:C8K{  
3.4.1 离子镀成膜 `R6dnbH  
3.4.2 离子束成膜 T1#r>3c\  
3.5 溅射技术的应用 pq$-s7#  
3.5.1 溅射生长过程 ;9$71E  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 k{ ~0BK  
参考文献 V;29ieE!
 
???`BF[|  
第4章 化学气相沉积 Lz{z~xNHW.  
4.1 概述 {ep(_1  
4.2 硅化学气相沉积 #g=
  
4.2.1 CVD反应类型 B;e (5y-  
4.2.2 CVD热力学分析 5XoM)  
4.2.3 CVD动力学分析 `3yK<-  
4.2.4 不同硅源的外延生长 L@s_)?x0  
4.2.5 成核 7!Qu+R  
4.2.6 掺杂 /]oQqZHv  
4.2.7 外延层质量 uH]oHh!}j  
4.2.8 生长工艺 ,49Z/P  
4.3 CVD技术的种类 "S H=|5+  
4.3.1 常压CVD U0Uy C  
4.3.2 低压CVD QQJf;p7  
4.3.3 超高真空CVD =;Dj[<mJ45  
4.4 能量增强CVD技术 l];/,J^  
4.4.1 等离子增强CVD EF6h>"']/  
4.4.2 光增强CVD $*|M+ofQ  
4.5 卤素输运法 TV=K3F5)M  
4.5.1 氯化物法 9dmoB_G  
4.5.2 氢化物法 y @S_CB47  
4.6 MOCVD技术 2VzYP~Jg  
4.6.1 MOCVD简介 @VPmr}p:{  
4.6.2 MOCVD生长GaAs PV:J>!]  
4.6.3 MOCVD生长GaN `Qjs{H  
4.6.4 MOCVD生长ZnO vA}_x7}n(  
4.7 特色CVD技术 P?S]Q19Q4  
4.7.1 选择外延CVD技术 c]zFZJ6M  
4.7.2 原子层外延 |c^?tR<  
参考文献 A; wT`c  
H8B$#.  
第5章 脉冲激光沉积 /ywP 0  
5.1 脉冲激光沉积概述 &gPP#D6A  
5.2 PLD的基本原理 zCuB+r=C  
5.2.1 激光与靶的相互作用 GbclR:G  
5.2.2 烧蚀物的传输 i[@13kr  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ^sB0$|DU  
5.3 颗粒物的抑制 a{
.q/Tbt  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 =MMd&  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 BjeD4  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 HC/z3b;  
参考文献 }Uwji  
r34MDUZdI  
第6章 分子束外延 (v%24bv  
6.1 引言 r`.N?  
6.2 分子束外延的原理和特点 fj))Hnt(|  
6.3 外延生长设备 ~y2zl  
6.4 分子束外延生长硅 80wzn,o S  
6.4.1 表面制备 G %6P`:  
6.4.2 外延生长 Ca PHF@6WN  
6.4.3 掺杂 lU%}_!tp3/  
6.4.4 外延膜的质量诊断 QCF'/G
 
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 M[gL7-%w\  
6.5.1 MBE生长GaAs `(sb  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs RI0^#S_{  
6.5.3 MBE生长GaN m|;(0 rft  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 $+!dP{  
6.6.1 HgCdTe材料 lGl'A}]#$  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 /.Ak'Vmi  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 {P]C>  
6.6.4 ZnSe、ZnTe [d6!  
6.6.5 ZnO薄膜 pn gto  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 g[3LPKQ  
6.7.1 SiC：材料 '6#G$  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 #]kjyT0  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 !hBpon  
参考文献 @1JwjtNk  
ZgP%sF  
第7章 液相外延 ;Y$>WKsV  
7.1 液相外延生长的原理 PgWWa*Ew  
7.1.1 液相外延基本概况 -n|bi cP  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 /o9T [^\  
7.2 液相外延生长方法和设备 ,#A(I#wL~  
7.3 液相外延生长的特点 $;qi-K3j  
7.4 液相外延的应用实例 GM%+yS}(P  
7.4.1 硅材料 = xO03|T;6  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 I&;>(@K  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 H}^
'  
7.4.4 SiC材料 Jz}nV1G(jz  
参考文献 KP&+fDa  
n~N>;mP  
第8章 湿化学制备方法 y_Y(Xx3  
8.1 溶胶-凝胶技术 uJ!&T  
) 7/Cg  
第9章 半导体超晶格和量子阱 -/yqiC-yx  
第10章 半导体器件制备技术 lvs XL  
参考文献 ?[D3-4  
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