半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 p(8
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 2oXsPrtZ  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 y1p^ &9U  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 T\:Vu{|  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 .2q7X{4=  

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第1章 真空技术 a}|B[b  
1.1 真空的基本概念 SQDllG84E  
1.1.1 真空的定义 Jt\?
,~,
  
1.1.2 真空度单位 Z*tB=  
1.1.3 真空区域划分 e%uPZ >'q  
1.2 真空的获得 |a%&7-;  
1.3 真空度测量
(TM1(<j  
1.3.1 热传导真空计 N\ChA]Ck  
1.3.2 热阴极电离真空计 =H%c/Jty  
1.3.3 冷阴极电离真空计 wS-D"\4/  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ]R32dI8N  
参考文献 z|^:1ov,  

qa)X\0  
第2章 蒸发技术 a6wPkf7-H  
2.1 发展历史与简介 }b)7gd=  
2.2 蒸发的种类 +)k%jIi!  
2.2.1 电阻热蒸发 0-M.>fwZ=  
2.2.2 电子束蒸发 W&#Ps6)8  
2.2.3 高频感应蒸发 FloCR=^H  
2.2.4 激光束蒸发 3jZPv;9OC  
2.2.5 反应蒸发 -`sK?*[{J  
2.3 蒸发的应用实例 Eyv%"+>  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 @W[`^jfQ  
2.3.2 ITO薄膜 :*u .=^
 
参考文献 M>nplHq   
rJH u~/_Dq  
第3章 溅射技术 Jz(wXp  
3.1 溅射基本原理 BF{v0Z0/}k  
3.2 溅射主要参数 HR]*75}e  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 pKJ0+mN#"  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 xTiC[<j  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 U2m86@E  
3.3 溅射装置及工艺 i}"Eu< P  
3.3.1 阴极溅射 8;K'77h  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 bHZXMUewC  
3.3.3 射频溅射 O W`yv  
3.3.4 磁控溅射 *WdnP.'Y  
3.3.5 反应溅射 0`VA}c  
3.4 离子成膜技术 Teh _  
3.4.1 离子镀成膜 ,j\1UAa  
3.4.2 离子束成膜 Kq&b1x  
3.5 溅射技术的应用 ;}"!|  
3.5.1 溅射生长过程 ncZ5r0  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 qp$Td<'Y  
参考文献 NrA?^F  
V|9<*  
第4章 化学气相沉积 E>>@X^ =  
4.1 概述 7.U CX"  
4.2 硅化学气相沉积 tk=~b}8  
4.2.1 CVD反应类型 w6FtDl$  
4.2.2 CVD热力学分析 Zpc R  
4.2.3 CVD动力学分析 6?\X)qBI  
4.2.4 不同硅源的外延生长 xh|NmZg  
4.2.5 成核 f/+UD-@%m  
4.2.6 掺杂 (#,0\ea{x  
4.2.7 外延层质量 6WUP
#c@{  
4.2.8 生长工艺 ${fJ]  
4.3 CVD技术的种类 |hGi8  
4.3.1 常压CVD H|@R+  
4.3.2 低压CVD >wx1M1  
4.3.3 超高真空CVD )2
vkaR  
4.4 能量增强CVD技术 MoAZ!cF8  
4.4.1 等离子增强CVD yvN;|R  
4.4.2 光增强CVD e+416 ~X v  
4.5 卤素输运法 $7\Al$W\  
4.5.1 氯化物法 NABVU0}
 
4.5.2 氢化物法 fbv%&z  
4.6 MOCVD技术 (rFXzCI  
4.6.1 MOCVD简介 o&-c5X4  
4.6.2 MOCVD生长GaAs ~t0\Q; @($  
4.6.3 MOCVD生长GaN 8/4i7oOC  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 3hUU$|^4gm  
4.7 特色CVD技术 hf#[Vns  
4.7.1 选择外延CVD技术 \ct7~!qM  
4.7.2 原子层外延 J+IkTq
w  
参考文献 &4]~s:F  
/D@(o`a  
第5章 脉冲激光沉积 tUzef  
5.1 脉冲激光沉积概述 oY;=$8y<q  
5.2 PLD的基本原理 67,@*cK3?J  
5.2.1 激光与靶的相互作用 ZP*(ZU@j=Z  
5.2.2 烧蚀物的传输 a
J;6!WFW  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 w+MCOAB  
5.3 颗粒物的抑制 c
Hr.7 w  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Fke_ms=I^  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 qC|$0  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 0
{0A,;b  
参考文献 b&iJui"7k  
7R4xJ H  
第6章 分子束外延 .|d2s  
6.1 引言 $)(K7> P  
6.2 分子束外延的原理和特点 XH
X$Ur9  
6.3 外延生长设备 T1Gy_
G/  
6.4 分子束外延生长硅 6|{$]<'  
6.4.1 表面制备 ~]Md*F[4*e  
6.4.2 外延生长 I{rW+<)QGC  
6.4.3 掺杂 Rq,ST:  
6.4.4 外延膜的质量诊断 +0&SXhy%y  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 J|Af`HJ  
6.5.1 MBE生长GaAs j4C{yk  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs Z#Q
)a;RA  
6.5.3 MBE生长GaN /C: rr_4=  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 >R&=mo~  
6.6.1 HgCdTe材料 Adyv>T9  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 PR{y84$  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 yEvuTgDv  
6.6.4 ZnSe、ZnTe qYi<GI*|@  
6.6.5 ZnO薄膜 ,sn/FT^; q  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 B^{87YR  
6.7.1 SiC：材料 OI0tgkG  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 R3`Rrj Z  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ;Xzay|  
参考文献
kVG]zt2  
$IdY(f:.:5  
第7章 液相外延 fxR}a,a  
7.1 液相外延生长的原理 }zK/43Vx  
7.1.1 液相外延基本概况 !uno!wUIYd  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 c2$&pZ
M  
7.2 液相外延生长方法和设备 T@. $Zpz  
7.3 液相外延生长的特点 qrq9NPf  
7.4 液相外延的应用实例 ZJ|@^^GcL  
7.4.1 硅材料 W@:a3RJ  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 m{ya%F  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 9YtdE*,k  
7.4.4 SiC材料 pPezy:  
参考文献 ~w>Z !RuhT  
1|PmZPKq9n  
第8章 湿化学制备方法 OP-%t\sj>  
8.1 溶胶-凝胶技术 6BPZ2EQ  
e1
k\:]6  
第9章 半导体超晶格和量子阱 9gz"r  
第10章 半导体器件制备技术 _:tclBc8R  
参考文献 Ya_4[vR<  
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