半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 6&bY}i^K  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 i/~
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 BT)X8>ct  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 SVv;q?jZ  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 @O
@GRq&V  

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第1章 真空技术 YnxRg  
1.1 真空的基本概念 ZQ_xDKqRV  
1.1.1 真空的定义 ccLq+a|  
1.1.2 真空度单位 C?i >.t  
1.1.3 真空区域划分 d}JP!xf%  
1.2 真空的获得 K4]
g[z  
1.3 真空度测量 bYi`R)  
1.3.1 热传导真空计 +)j
1
.X  
1.3.2 热阴极电离真空计 u0#}9UKQ  
1.3.3 冷阴极电离真空计 'ihhoW8  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 td4[[ /  
参考文献 u%]shm  
c)A{p  
第2章 蒸发技术 HsnLm67'  
2.1 发展历史与简介 1gmt2>#v%  
2.2 蒸发的种类 rg{9UV
j  
2.2.1 电阻热蒸发 zN{K5<7o  
2.2.2 电子束蒸发 F B?UZ  
2.2.3 高频感应蒸发 ;=<-5;rI  
2.2.4 激光束蒸发 'v\L @"  
2.2.5 反应蒸发 HcedE3Rg  
2.3 蒸发的应用实例 -T&.kYqnb$  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 G!Um,U/g  
2.3.2 ITO薄膜 s/7 A7![  
参考文献 05snuNt]-  
 ~BDu$  
第3章 溅射技术 Mz1G5xcl  
3.1 溅射基本原理 "=6v&G]U4  
3.2 溅射主要参数 .\8X[%K9nc  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ^=:9)CNw(  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 `;l?12|X  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ^Ve<>b  
3.3 溅射装置及工艺 t=u Qb=  
3.3.1 阴极溅射 ,_X/Gb6)  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 >0dv+8Mn  
3.3.3 射频溅射 >IX/< {);M  
3.3.4 磁控溅射 549jWG  
3.3.5 反应溅射 +=]!P#  
3.4 离子成膜技术 M
)+$wp  
3.4.1 离子镀成膜 wWSdTLX  
3.4.2 离子束成膜 YKbaf(K)9  
3.5 溅射技术的应用 ?UK|>9y}Z  
3.5.1 溅射生长过程 ]D@0|  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 *1 G>YH  
参考文献 zOV=9"~{  
2MATpV#BT  
第4章 化学气相沉积 8ZCoc5  
4.1 概述 $8p7D?Y  
4.2 硅化学气相沉积 m$9w"8R  
4.2.1 CVD反应类型 kl
"+YF5/  
4.2.2 CVD热力学分析 Qb!PRCHQ  
4.2.3 CVD动力学分析 Gcb|W&  
4.2.4 不同硅源的外延生长 eL4NB$Fb  
4.2.5 成核 {tThy#  
4.2.6 掺杂  )@~J  
4.2.7 外延层质量 ?H_LX;r  
4.2.8 生长工艺 3Wwj p  
4.3 CVD技术的种类 P
7 PB t  
4.3.1 常压CVD `60gFVu  
4.3.2 低压CVD k{VE1@  
4.3.3 超高真空CVD Qfky_5R\  
4.4 能量增强CVD技术 5C"QE8R o  
4.4.1 等离子增强CVD dJv!Dts')C  
4.4.2 光增强CVD 4GR!y)  
4.5 卤素输运法 etd&..]J  
4.5.1 氯化物法 ? tfT8$
  
4.5.2 氢化物法 8)kLV_+%  
4.6 MOCVD技术 50 A^bbid  
4.6.1 MOCVD简介 l^d[EL+  
4.6.2 MOCVD生长GaAs U~W
?s(Cy%  
4.6.3 MOCVD生长GaN =C
L} $_  
4.6.4 MOCVD生长ZnO CiR%Ujf  
4.7 特色CVD技术 h?-#9<A  
4.7.1 选择外延CVD技术 A<\JQ  
4.7.2 原子层外延 Hg9CZMko  
参考文献 JT9N!CGZ  
tX!nsm1  
第5章 脉冲激光沉积 &QG6!`fK}3  
5.1 脉冲激光沉积概述 i5>+}$1  
5.2 PLD的基本原理 G60R9y47c  
5.2.1 激光与靶的相互作用 l<Q>N|1#k%  
5.2.2 烧蚀物的传输 '+ xu#R
  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 x!_<z''  
5.3 颗粒物的抑制 ,-+"^>  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ,*]d~Y  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 `xiCm':  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 GabYfUkO  
参考文献 }Z TGi,Pc  
(~$/$%b  
第6章 分子束外延 Qu<Bu)`  
6.1 引言 pxSX#S6I  
6.2 分子束外延的原理和特点 U$H@ jJ*  
6.3 外延生长设备
v+e|o:o#  
6.4 分子束外延生长硅 ?0_7?yTR/  
6.4.1 表面制备 eUl/o1~mXa  
6.4.2 外延生长 QRLJ_W^&u  
6.4.3 掺杂 x f4{r+  
6.4.4 外延膜的质量诊断 tA$)cg+.  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 DMF -Y-h  
6.5.1 MBE生长GaAs  KluA  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs O)kgBrB  
6.5.3 MBE生长GaN f'q 28lVf  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 >xA),^ YT  
6.6.1 HgCdTe材料 =SD\Q!fA  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 >/<:Q  &  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 dr{y0`CCN  
6.6.4 ZnSe、ZnTe yAL1O94  
6.6.5 ZnO薄膜 _MWM;f`b  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 |wox1Wt|E  
6.7.1 SiC：材料 }X;U|]d  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 vG^#Sfgtw  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 pPVRsXy  
参考文献 4yaxl\2  
)' xE
TA  
第7章 液相外延 '!Gs>T+  
7.1 液相外延生长的原理 5cK@WE:  
7.1.1 液相外延基本概况 Wk^RA_  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 -ng=l;  
7.2 液相外延生长方法和设备 Aa?I8sbc  
7.3 液相外延生长的特点 fqs]<qi  
7.4 液相外延的应用实例 wFlvi=n/  
7.4.1 硅材料 @c'|Iqy`  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 "Lh  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 7GZgu$'  
7.4.4 SiC材料 5FC4@Ms`  
参考文献 cgC\mM4Nla  
U-0#0}_  
第8章 湿化学制备方法 ,pK|SL  
8.1 溶胶-凝胶技术 }a&mY^  
rVQX7l#YI  
第9章 半导体超晶格和量子阱 `ya;:$(6  
第10章 半导体器件制备技术  VohhQ  
参考文献 g8ES8SM  
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