半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 + 660/ e8N  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 
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《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 0_Elxc  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 fgC@(dvfk  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 dV}]\8N  
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第1章 真空技术 {{>,c}O /  
1.1 真空的基本概念 }QQ 7jE  
1.1.1 真空的定义 F;kKn:XL  
1.1.2 真空度单位 MA}}w&  
1.1.3 真空区域划分 i3d2+N`  
1.2 真空的获得 :O,r3O6  
1.3 真空度测量 6X?:mn'%QF  
1.3.1 热传导真空计 >Bdh`Ot-!  
1.3.2 热阴极电离真空计 h+Yd \k  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ]>*VEe}hJ  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 i:jB  
参考文献 FUJ<gqL  
%4V$')rek  
第2章 蒸发技术 nD]M
gT  
2.1 发展历史与简介 mE>{K  
2.2 蒸发的种类 T}29(xz-(h  
2.2.1 电阻热蒸发 ^e
;9_(  
2.2.2 电子束蒸发 W\5 -Yg(@  
2.2.3 高频感应蒸发 P{:Zxli0  
2.2.4 激光束蒸发 . &`Y
lK  
2.2.5 反应蒸发 N`3^:EJL8  
2.3 蒸发的应用实例 %X}vuE[[UC  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 v,z~#$T&  
2.3.2 ITO薄膜 KhX)maQ  
参考文献 =n_z`I  
AkdO:hVtG  
第3章 溅射技术 ~gOZ\jm}  
3.1 溅射基本原理 UIg?3J}R  
3.2 溅射主要参数 ~-uf%=  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 c#1kg@q@  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 11Qi _T\  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 F?6Q(mRl  
3.3 溅射装置及工艺 Q-#<{' (  
3.3.1 阴极溅射 ;*9<lUvu  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 J7aYi]vI  
3.3.3 射频溅射 5JK'2J&  
3.3.4 磁控溅射 RP[`\  
3.3.5 反应溅射 7N@[Rtv  
3.4 离子成膜技术 BafNFPc  
3.4.1 离子镀成膜 .J&89I]U  
3.4.2 离子束成膜 SDNRcSbOD6  
3.5 溅射技术的应用  98^7pa  
3.5.1 溅射生长过程 .a(G=fk  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 dTu*%S1Z  
参考文献 T<b*=i  
/0Qo(  
第4章 化学气相沉积 O
I78wG  
4.1 概述 < 3*q) VT  
4.2 硅化学气相沉积 Qp)?wny4  
4.2.1 CVD反应类型 ZWzr8oY)  
4.2.2 CVD热力学分析 W/WP }QM  
4.2.3 CVD动力学分析 VAUd^6Xdwx  
4.2.4 不同硅源的外延生长 &2[Xu4*  
4.2.5 成核 #R31VQwK5  
4.2.6 掺杂 T /IX(b'<  
4.2.7 外延层质量 9) $[W  
4.2.8 生长工艺 r&+C%  
4.3 CVD技术的种类 ADB)-!$xoi  
4.3.1 常压CVD &DHIYj1 i  
4.3.2 低压CVD a}|<*!4zUQ  
4.3.3 超高真空CVD ' S,g3  
4.4 能量增强CVD技术 F9r/ M"5  
4.4.1 等离子增强CVD %6^nb'l'C  
4.4.2 光增强CVD lcy+2)+  
4.5 卤素输运法 *P]]7DR  
4.5.1 氯化物法 J(maJuY  
4.5.2 氢化物法 w`+-xT%  
4.6 MOCVD技术 ) R5j?6}xF  
4.6.1 MOCVD简介 \-{$IC-L  
4.6.2 MOCVD生长GaAs
&`vThs[
x  
4.6.3 MOCVD生长GaN Z)=S>06X Q  
4.6.4 MOCVD生长ZnO i O?f&u  
4.7 特色CVD技术 vlZmmQeJm  
4.7.1 选择外延CVD技术 L]"$dF  
4.7.2 原子层外延 9%3+\[s1  
参考文献 V*(x@pF  
"AKr;|m  
第5章 脉冲激光沉积 YRf$?xa  
5.1 脉冲激光沉积概述 @OUBo;/  
5.2 PLD的基本原理 }lhk;#r  
5.2.1 激光与靶的相互作用 PO0Od z  
5.2.2 烧蚀物的传输 _/
cX!/"  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 u>agVB4\F  
5.3 颗粒物的抑制 4${3e Sg_  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ~&F|g2:  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 x5pu+-h  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 Lp@Al#X55  
参考文献 5M #',(X  
jOGiT|A  
第6章 分子束外延 O0`ofFN  
6.1 引言 1|ddG010  
6.2 分子束外延的原理和特点 HrFbUK@@  
6.3 外延生长设备 z[R dM#L  
6.4 分子束外延生长硅 n@"<NKzh  
6.4.1 表面制备 F`(;@LO  
6.4.2 外延生长 \T<F#a  
6.4.3 掺杂 Qy4Pw\  
6.4.4 外延膜的质量诊断 qxHn+O!h  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 kRbJK  
6.5.1 MBE生长GaAs J&JZYuuf  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs "*l{ m2"  
6.5.3 MBE生长GaN *3@8,~_t
p  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 B1E:P`t  
6.6.1 HgCdTe材料 I!u=.[5zdC  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 WS.g`%  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 yI07E "9  
6.6.4 ZnSe、ZnTe `U\l: ~]e  
6.6.5 ZnO薄膜 ^4Xsdh5  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 TqV^\C?  
6.7.1 SiC：材料 >t'A1`W  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 +_S0  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 j;D$qd'J  
参考文献 T@#?{eA  
h&d"|<  
第7章 液相外延 Vjo[rUW  
7.1 液相外延生长的原理 opN4@a7l  
7.1.1 液相外延基本概况 Y9vi&G?Jl  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 LN<rBF[_:f  
7.2 液相外延生长方法和设备 U#iW1jPE2  
7.3 液相外延生长的特点 ZHeq)5C ;f  
7.4 液相外延的应用实例 /Ix5`Q)  
7.4.1 硅材料 xSlgq|8  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 M}CxCEdDB]  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 /%
p ~  
7.4.4 SiC材料 )Td{}vbIh  
参考文献 I!1+#0SG  
_!Tjb^  
第8章 湿化学制备方法 a$^)~2U{  
8.1 溶胶-凝胶技术 gYk5}E-  
P(Zj}tGN  
第9章 半导体超晶格和量子阱 HUCJA-OZGL  
第10章 半导体器件制备技术 dvZlkMm   
参考文献 C|w<mryx  
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