半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 0~{jgN~  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 %>^CD_[eO  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 4PG]L`J{  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 b*w izd  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 xu9K\/{7  
Gkci_A*  
TZ8:3ti  
市场价：￥36.00 m'D_zb
9+  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) Dizc#!IGU  
.Bxv|dji  
\IB@*_G  
第1章 真空技术 uCGJe1!Ai>  
1.1 真空的基本概念 \FOoIY!.x  
1.1.1 真空的定义 Sx{vZS3  
1.1.2 真空度单位 9UlR fl  
1.1.3 真空区域划分 \q9wo*A  
1.2 真空的获得 pC<~\RR  
1.3 真空度测量 n[$bk_S  
1.3.1 热传导真空计 B:5\+_a!  
1.3.2 热阴极电离真空计 OxGKtnAjf  
1.3.3 冷阴极电离真空计 Q;A1&UA2  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 h!l&S2)D`  
参考文献 1&
%6sZN  
1#rcxUSi
 
第2章 蒸发技术 M*ZR+pq,  
2.1 发展历史与简介 [JI>e;l C:  
2.2 蒸发的种类 [Q(FBoI|  
2.2.1 电阻热蒸发 x'dU[f(  
2.2.2 电子束蒸发 i\E}!Rwl+  
2.2.3 高频感应蒸发 z0=(l?)#  
2.2.4 激光束蒸发 ~,j52obR6Z  
2.2.5 反应蒸发
MDkcG"O  
2.3 蒸发的应用实例 y(gL.08<  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 hRK&  
2.3.2 ITO薄膜 -|s w\Q  
参考文献 f;os\8JdM  
B",5"'id  
第3章 溅射技术 CG@3z@*?.  
3.1 溅射基本原理 GQ=Zp3[  
3.2 溅射主要参数 r@e/<bz9  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 2>%
|PQ  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 H?-Byi  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 $7k"?M_  
3.3 溅射装置及工艺 >uHU3<2&  
3.3.1 阴极溅射 x"/DCcZ  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 \VQv "wid  
3.3.3 射频溅射 z$#q'+$  
3.3.4 磁控溅射 er<yB#/;-  
3.3.5 反应溅射 S$O+p&!X  
3.4 离子成膜技术 tOUpK20q.@  
3.4.1 离子镀成膜 K&T[F!  
3.4.2 离子束成膜 }le}Vuy\s  
3.5 溅射技术的应用 T22 4L.?  
3.5.1 溅射生长过程 Bi}uL)~rD  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 L!:8yJK  
参考文献 zVEG) Hr  
..FEyf  
第4章 化学气相沉积 JATW'HWC|I  
4.1 概述 Ep>} S  
4.2 硅化学气相沉积 rlUo#  
4.2.1 CVD反应类型 l', +l{\Z  
4.2.2 CVD热力学分析 :#_Ne?\a@  
4.2.3 CVD动力学分析 Ax"]+pb  
4.2.4 不同硅源的外延生长 & OO0v*@{  
4.2.5 成核 QMO.Bnek  
4.2.6 掺杂 %5g(|Y]  
4.2.7 外延层质量 a^{"E8j  
4.2.8 生长工艺 g|STegg  
4.3 CVD技术的种类 TH[xSg  
4.3.1 常压CVD Jcy{ ~>@7  
4.3.2 低压CVD exW|c~|m{A  
4.3.3 超高真空CVD G_ -8*.  
4.4 能量增强CVD技术 CG[2  
4.4.1 等离子增强CVD r6WSX;K  
4.4.2 光增强CVD <8J_[ S  
4.5 卤素输运法 HB|R1<t;HB  
4.5.1 氯化物法 y$Nqw9  
4.5.2 氢化物法
_'Jz+f.  
4.6 MOCVD技术 MUQj7.rNa  
4.6.1 MOCVD简介 Jy^.L$bt  
4.6.2 MOCVD生长GaAs >O;V[H2[  
4.6.3 MOCVD生长GaN LyRbD$m  
4.6.4 MOCVD生长ZnO QUQw/  
4.7 特色CVD技术 pY~/<lzW  
4.7.1 选择外延CVD技术 0Dt-!Q7  
4.7.2 原子层外延 _^%DfMP3i\  
参考文献 OrC}WMhd  
MpNgp)%>  
第5章 脉冲激光沉积 R$|"eb5  
5.1 脉冲激光沉积概述 ,1K`w:uhS  
5.2 PLD的基本原理 &~Hx!]uc  
5.2.1 激光与靶的相互作用 j^1Yz}6nR  
5.2.2 烧蚀物的传输 f(Su  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 @ajt D-_2  
5.3 颗粒物的抑制 VY#
nSF`  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ;_~9".'<d  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 V|3^H^\5P  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 1 ORA6  
参考文献 ;% <[*T:*'  
.&i_~?1[N  
第6章 分子束外延 ;T\+TZtI  
6.1 引言 Of}dsav   
6.2 分子束外延的原理和特点 9$q35e  
6.3 外延生长设备 #c%FpR4  
6.4 分子束外延生长硅 (=-6'23q)  
6.4.1 表面制备 *)Us   
6.4.2 外延生长 YB}m1g`  
6.4.3 掺杂 0$g;O5y"i  
6.4.4 外延膜的质量诊断 # 4&t09  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 +HT?>k  
6.5.1 MBE生长GaAs p![UOI"W  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs c5em*qCw$  
6.5.3 MBE生长GaN dW5@Z-9  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 /lS5B6NU  
6.6.1 HgCdTe材料 elGwS\sw  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 e>T;'7HSS"  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 <kCOg8<y :  
6.6.4 ZnSe、ZnTe A\w"!tNM|  
6.6.5 ZnO薄膜 O=5q<7PM.  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 yz<$?Gblz  
6.7.1 SiC：材料 /O}lSXo
6E  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 6Zl#$>P  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Q?2GwN  
参考文献 8n,/hY>w  
o~{rZ~  
第7章 液相外延 2,6~;R  
7.1 液相外延生长的原理 -#Ys67,4N  
7.1.1 液相外延基本概况 v[<x>?iD_  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 Y#t9DhzFWo  
7.2 液相外延生长方法和设备
(M2hK[  
7.3 液相外延生长的特点 az1#:Go  
7.4 液相外延的应用实例 P''>wjMH0  
7.4.1 硅材料 YuUJgt .1  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 &n'@L9v81  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 K!,9qH  
7.4.4 SiC材料 5gSe=|we*p  
参考文献 `t"7[Zk  
j#jwK(:]  
第8章 湿化学制备方法 ,MjlA{0  
8.1 溶胶-凝胶技术 l* z"wA-  
;4QE.&s`  
第9章 半导体超晶格和量子阱 D<gd)  
第10章 半导体器件制备技术 9H/C(Vo  
参考文献 .lAPlJOO  
skYHPwJdW  
市场价：￥36.00 =pBr_pGz=  
优惠价：￥24.80 为您节省：11.20元 (69折) q2P_37