半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 *'-^R9dN.S  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 !3# }ZC2  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ulJ
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 V}+;bbUc-  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 krc!BK`V  
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第1章 真空技术 HYmXPpse  
1.1 真空的基本概念 );H[lKy  
1.1.1 真空的定义 \;gt&*$-  
1.1.2 真空度单位 *PU,Rc()6  
1.1.3 真空区域划分 A"iD4Q  
1.2 真空的获得 N)WG~=Gi  
1.3 真空度测量 UROi.976D  
1.3.1 热传导真空计 :/%xK"  
1.3.2 热阴极电离真空计 ?ovGYzUZ  
1.3.3 冷阴极电离真空计 tdF[2@?+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 RGI6W{\  
参考文献 BK SK@OV  
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第2章 蒸发技术 Wb
4{*~  
2.1 发展历史与简介 n ]}2O4j  
2.2 蒸发的种类 /+O8A}  
2.2.1 电阻热蒸发 N~_jiVD>  
2.2.2 电子束蒸发 1[9j`~[([  
2.2.3 高频感应蒸发 Nj&%xe>].  
2.2.4 激光束蒸发 }/3pC a  
2.2.5 反应蒸发 Q.dy $`\  
2.3 蒸发的应用实例 >I~
z7JS  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ^T6!z^g1h  
2.3.2 ITO薄膜 8w?\_P7QA  
参考文献 i9U_r._qj;  
wNhR(M7  
第3章 溅射技术 D#}Yx]Q1  
3.1 溅射基本原理 z}2e;d 7  
3.2 溅射主要参数 ATp  6-  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 b
v>lm
56  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 #gJ~ {tA:  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 eE`1;13;  
3.3 溅射装置及工艺 \[I .  
3.3.1 阴极溅射 NVWeJ+w  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 #ic 2ofI  
3.3.3 射频溅射 y]f^`2L!8>  
3.3.4 磁控溅射 qpqz. {\  
3.3.5 反应溅射 9Ru%E>el-  
3.4 离子成膜技术 8'WMsp
X  
3.4.1 离子镀成膜 q)xl$*g
 
3.4.2 离子束成膜 ;Jn0e:x`E  
3.5 溅射技术的应用 ^|i\d\  
3.5.1 溅射生长过程 mX.3R+t  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Zbh]SF{3F  
参考文献 G_N-}J>EP  
q}v04Yy,o  
第4章 化学气相沉积 x$J
.SbW  
4.1 概述 L(2P|{C  
4.2 硅化学气相沉积 #IGoz|m  
4.2.1 CVD反应类型 T_tDpq_|  
4.2.2 CVD热力学分析 X+E\]X2  
4.2.3 CVD动力学分析 Bd~cY/M  
4.2.4 不同硅源的外延生长 C2=iZ`Z>T  
4.2.5 成核 yki51rOI*  
4.2.6 掺杂 [aZ v?Z  
4.2.7 外延层质量 t^_{5  
4.2.8 生长工艺 oT (:33$  
4.3 CVD技术的种类 6#x)W  
4.3.1 常压CVD jvc?hUcLKT  
4.3.2 低压CVD C6V&R1"s  
4.3.3 超高真空CVD }A)
36  
4.4 能量增强CVD技术 KD"&_PX  
4.4.1 等离子增强CVD ={E!8"  
4.4.2 光增强CVD ~{,vg4L  
4.5 卤素输运法 cov#Z ux  
4.5.1 氯化物法 Lr}b,  
4.5.2 氢化物法 x1V2|~;p|  
4.6 MOCVD技术 :{i$2\DH6  
4.6.1 MOCVD简介 }#W`<,*rL.  
4.6.2 MOCVD生长GaAs v;bP8)mI  
4.6.3 MOCVD生长GaN KjwY'aYwr:  
4.6.4 MOCVD生长ZnO S|q!? /jqj  
4.7 特色CVD技术 i B!hEbz  
4.7.1 选择外延CVD技术 H(N
T|  
4.7.2 原子层外延 k#Ez  
参考文献 4$zFR}f  
Jm(&G  
第5章 脉冲激光沉积 !` M;#  
5.1 脉冲激光沉积概述 *)`kx  
5.2 PLD的基本原理 2
^ ,H_PS  
5.2.1 激光与靶的相互作用 Y( $Ji12  
5.2.2 烧蚀物的传输 |j~EV~AJ  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 1ntkM?  
5.3 颗粒物的抑制 !&a;P,_Fb  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 \n*7#aX/  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 /y9J)lx  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 I)XOAf$6  
参考文献 bQdSX8: !R  
$vTAF-~Ql  
第6章 分子束外延 \>Ga-gv6/  
6.1 引言 )zW%\s*
'  
6.2 分子束外延的原理和特点 qF{DArc  
6.3 外延生长设备 ,jbGM&.C  
6.4 分子束外延生长硅 Q$fRi[/L  
6.4.1 表面制备 .
@i0U  
6.4.2 外延生长 t8DL9RW'  
6.4.3 掺杂 oEQ{m5O9  
6.4.4 外延膜的质量诊断 c:ll
OHA  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 vcw>v={x  
6.5.1 MBE生长GaAs bCA2ik  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs J+71FP`ZH  
6.5.3 MBE生长GaN %kK ][2e  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 5e#&"sJ.1  
6.6.1 HgCdTe材料 <}EV*`w4  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长
'_.q_Tf-^  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 2&.n  
6.6.4 ZnSe、ZnTe !EX?m }7  
6.6.5 ZnO薄膜 p<=(GY-  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
hgweNRTh!  
6.7.1 SiC：材料 15xd~V?ai:  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 Q%& _On  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 X-)RU?  
参考文献 af<NMgT2s~  
%NT`C9][  
第7章 液相外延 OU,PO2xX9  
7.1 液相外延生长的原理 n5Nan  
7.1.1 液相外延基本概况 8_a$kJJ2  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 sK`~Csb iB  
7.2 液相外延生长方法和设备 4<G?  
7.3 液相外延生长的特点 *xE"8pN/  
7.4 液相外延的应用实例 m]FaEQVoE  
7.4.1 硅材料 N5 SLF4R1  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 -?< Ww{  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 >=-GD2WK  
7.4.4 SiC材料 Hp)X^O"  
参考文献 hrs#ZZ:E  
E`Jp(gK9F  
第8章 湿化学制备方法 r}/yi  
8.1 溶胶-凝胶技术 f^W[;w  
,vPe}OKj  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Gb(C#,xbK  
第10章 半导体器件制备技术 r0\cc6  
参考文献 _0'm4?"  
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