半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 |L@9q
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 gypE~@  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 yf KJpy  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 l7.W2mg
 
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 \Mujx3Fmvx  
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第1章 真空技术 ^kS44pr\Q  
1.1 真空的基本概念 _n[4+S*v(  
1.1.1 真空的定义 M"E ]r=1  
1.1.2 真空度单位 *jB
n ^  
1.1.3 真空区域划分 BFCF+hU^6R  
1.2 真空的获得 dHcGe{T^(  
1.3 真空度测量 liYR8D |  
1.3.1 热传导真空计 QO'=O}e  
1.3.2 热阴极电离真空计 Y|s?9'z  
1.3.3 冷阴极电离真空计 a^9-9*  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 U?MKZL7  
参考文献 #4WA2EW  
6l{=[\.Xa  
第2章 蒸发技术 D92#&,KD  
2.1 发展历史与简介 w|"cf{$^x  
2.2 蒸发的种类 A[,[j?wC  
2.2.1 电阻热蒸发 }]qx "  
2.2.2 电子束蒸发 5y}kI  
2.2.3 高频感应蒸发 pB3dx#l  
2.2.4 激光束蒸发 W|go*+`W%
 
2.2.5 反应蒸发 /1Xji0LK  
2.3 蒸发的应用实例 v{R:F  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 Rwy<#9R[x  
2.3.2 ITO薄膜 M5SAlj  
参考文献 a"!D@a  
,W'?F9Y\  
第3章 溅射技术 ''@upZBJ  
3.1 溅射基本原理 VTD
p9s  
3.2 溅射主要参数 c'9-SY1'~  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 aZe[No
s  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 +sTZ) 5vQ  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 lC/4CPKtV  
3.3 溅射装置及工艺 y6[^
I'kz  
3.3.1 阴极溅射 t/6t{*-w  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 ]-6=+\]   
3.3.3 射频溅射 Z/z(P8#U\  
3.3.4 磁控溅射 0A~zuK  
3.3.5 反应溅射 ~%6GF57gC  
3.4 离子成膜技术 [6bK>w"v  
3.4.1 离子镀成膜 %hYol89F  
3.4.2 离子束成膜 ^JDiI7  
3.5 溅射技术的应用 UuV<#N)  
3.5.1 溅射生长过程 :v_H;UU  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 u&iMY3=  
参考文献 MDfE(cn2q  
py,B6UB5  
第4章 化学气相沉积 ^-CQ9r*  
4.1 概述 ))M; .b.D  
4.2 硅化学气相沉积 zc<C %t[~y  
4.2.1 CVD反应类型 k^|P8v+"D  
4.2.2 CVD热力学分析 I2@pkVv3z  
4.2.3 CVD动力学分析 `-l,`7e'  
4.2.4 不同硅源的外延生长 `Gl@?9,i  
4.2.5 成核 =]
R_6#  
4.2.6 掺杂 a95QDz  
4.2.7 外延层质量 |%F[.9Dp  
4.2.8 生长工艺 p;S<WJv k  
4.3 CVD技术的种类 Ok-*xd  
4.3.1 常压CVD u S$:J:Drx  
4.3.2 低压CVD 0@R @L}m  
4.3.3 超高真空CVD {DPobyvwFk  
4.4 能量增强CVD技术 \9T;-]  
4.4.1 等离子增强CVD $<)k-Cf  
4.4.2 光增强CVD HvWnPh1l  
4.5 卤素输运法 EwSE;R -  
4.5.1 氯化物法 Ea%}VZ&[  
4.5.2 氢化物法 */B-%*#I.  
4.6 MOCVD技术 Qrt[MJ+#  
4.6.1 MOCVD简介 P^-tGo!  
4.6.2 MOCVD生长GaAs } k[gR I]  
4.6.3 MOCVD生长GaN b"+J8W  
4.6.4 MOCVD生长ZnO tHhA_  
4.7 特色CVD技术 ^-3R+U- S  
4.7.1 选择外延CVD技术 Qt_LBJUWV  
4.7.2 原子层外延 z6tH2Wxf  
参考文献 ,+0>p  
+DwyMzeE  
第5章 脉冲激光沉积 Sm2 |I6  
5.1 脉冲激光沉积概述 "{0 o"k  
5.2 PLD的基本原理 K0xZZ`  
5.2.1 激光与靶的相互作用 l\W[WQPh  
5.2.2 烧蚀物的传输 lNSB "S  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 ER:)Fk>_  
5.3 颗粒物的抑制 j HT2|VGb*  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 X@u-n_  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 {1^9*  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 1uTbN  
参考文献 W&[}-E8<Y  
~ #Gu:  
第6章 分子束外延 @0`Q  
6.1 引言 Z:|2PQ4  
6.2 分子束外延的原理和特点 vb{+yEa  
6.3 外延生长设备 @P:  
6.4 分子束外延生长硅 SSANt?\Z<  
6.4.1 表面制备 gk+$CyjJ  
6.4.2 外延生长 fDmGgD?  
6.4.3 掺杂
PjEKZHHz  
6.4.4 外延膜的质量诊断 n237%LH[  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 ?@ ei_<A{  
6.5.1 MBE生长GaAs zT|]!',  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs 4C&L%A  
6.5.3 MBE生长GaN EQ&E C  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 v_*E:E  
6.6.1 HgCdTe材料 C'ZF#Z  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 DiF=<} >x  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 hia_CuY#  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ]*+ozAG4  
6.6.5 ZnO薄膜 8
H_3.MK  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Pm]6E[zC  
6.7.1 SiC：材料 `, ?T;JRc  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 w$*t.Q*  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 v~:$]a8  
参考文献 ^+:_S9qst  
)B@veso{  
第7章 液相外延 rm*Jo|eH`  
7.1 液相外延生长的原理 6N >ksqo8%  
7.1.1 液相外延基本概况 (S+tQ2bt  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 j;fmmV@  
7.2 液相外延生长方法和设备 /U[Y w)  
7.3 液相外延生长的特点 AF5.gk=  
7.4 液相外延的应用实例 iq`y  
7.4.1 硅材料 O&93QN0  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 Fl GKy9k  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 VIL #q  
7.4.4 SiC材料 4.bL>Y>c  
参考文献 Y
418k  
2s,wC!',  
第8章 湿化学制备方法 3`4g*wO  
8.1 溶胶-凝胶技术 ?\:ysTVu  
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第9章 半导体超晶格和量子阱 G0$ 1"9u\w  
第10章 半导体器件制备技术 VmrW\rH@  
参考文献 ;pdW7  
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