半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。
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《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 U>:p`@  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 6%fU}si,  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 ,rTR |>Z  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 ,',fO?Qv'  

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第1章 真空技术 mk[=3!J  
1.1 真空的基本概念 &uk?1Z#j  
1.1.1 真空的定义 sy]
1Ba%  
1.1.2 真空度单位 cL`l1:j\}  
1.1.3 真空区域划分 2#|Q=rWB  
1.2 真空的获得 Lx(Y=  
1.3 真空度测量 !m^WtF  
1.3.1 热传导真空计 /~AajLxu3W  
1.3.2 热阴极电离真空计 @3b0hi4  
1.3.3 冷阴极电离真空计 i;Gl-b\_h  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 D4 e)v%  
参考文献 BDcl1f T  
"*TnkFTR  
第2章 蒸发技术 EP{y?+E2  
2.1 发展历史与简介 "esV#%:#J  
2.2 蒸发的种类 4J_18.JHP  
2.2.1 电阻热蒸发 vY.p~3q :)  
2.2.2 电子束蒸发 )%UO@4  
2.2.3 高频感应蒸发 jQ`cfE$sV  
2.2.4 激光束蒸发 q}+9$v  
2.2.5 反应蒸发 'm-s8]-W  
2.3 蒸发的应用实例 !&! sn"yD  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 ]Ub?Wo7F?  
2.3.2 ITO薄膜 q \0>SG  
参考文献 o3%+FWrVTS  
H%sbf& gi  
第3章 溅射技术 Q%KS$nP9  
3.1 溅射基本原理 "rkP@ja9n  
3.2 溅射主要参数 6``!DMDt/P  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 `_z8DA}E  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 /SP^fB*y  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 @XB/9!  
3.3 溅射装置及工艺 ^bS&[+9E  
3.3.1 阴极溅射 E[e ''  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 T4w`I;&v  
3.3.3 射频溅射 z`{Ld9W  
3.3.4 磁控溅射 ~ dmyS?Or  
3.3.5 反应溅射 ~hz]x^:  
3.4 离子成膜技术 Tpkm\
_  
3.4.1 离子镀成膜 _H@S(!  
3.4.2 离子束成膜 C3WqUf<8`{  
3.5 溅射技术的应用 u'P@3'P  
3.5.1 溅射生长过程 >'E'Mp.  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 DTgF,c  
参考文献 H@MUzV  
YHg4WW$  
第4章 化学气相沉积 72luTR Q  
4.1 概述 5f}wQ  
4.2 硅化学气相沉积 aq[kKS`  
4.2.1 CVD反应类型 }6ec2I%`o  
4.2.2 CVD热力学分析 m<TKy_C`  
4.2.3 CVD动力学分析 42X[Huy]  
4.2.4 不同硅源的外延生长 vvdC.4O  
4.2.5 成核 :Q!U;33aG  
4.2.6 掺杂 \%rX~UhZ=  
4.2.7 外延层质量 E+F!u5u  
4.2.8 生长工艺 /ey}#SHm,  
4.3 CVD技术的种类 JZ80|-c  
4.3.1 常压CVD .gx*gX1<  
4.3.2 低压CVD aElEV e3  
4.3.3 超高真空CVD LB U]^t@ M  
4.4 能量增强CVD技术 >*k3D&  
4.4.1 等离子增强CVD 2;U(r:]  
4.4.2 光增强CVD _ jF, k>F  
4.5 卤素输运法 zTm&m#){3A  
4.5.1 氯化物法 s#64NG  
4.5.2 氢化物法 I}$Y[Jve  
4.6 MOCVD技术 -hyY5!rD  
4.6.1 MOCVD简介 .kGg}  
4.6.2 MOCVD生长GaAs &F)P3=  
4.6.3 MOCVD生长GaN #k5Nnv#(J  
4.6.4 MOCVD生长ZnO -=QA{n  
4.7 特色CVD技术 lP\7=9rh^x  
4.7.1 选择外延CVD技术 d#Ql>PrY  
4.7.2 原子层外延 )t&j0`Yq  
参考文献 1Ep!U#Del  
NKh"x&R  
第5章 脉冲激光沉积 >o%.`)Ar  
5.1 脉冲激光沉积概述 >>FE?@  
5.2 PLD的基本原理 ]Dd=q6  
5.2.1 激光与靶的相互作用 fg^$F9
@  
5.2.2 烧蚀物的传输 :anUr<  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 " :@5|4qK  
5.3 颗粒物的抑制 Z2j M.[hq  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 5fDVJE "9"  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 }e&   
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 M&:[3u-  
参考文献 ggXg4~WL  
(Lp<T!"  
第6章 分子束外延 rp{q.fy'U  
6.1 引言 K;k&w; j  
6.2 分子束外延的原理和特点 _cQTQ  
6.3 外延生长设备 cxp>4[gH  
6.4 分子束外延生长硅 6;"jq92in*  
6.4.1 表面制备 x9p,j  
6.4.2 外延生长 n2Q~fx<6%  
6.4.3 掺杂 _.KKh62CN  
6.4.4 外延膜的质量诊断 pmv;M`_|R  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 DUFfk6#X}  
6.5.1 MBE生长GaAs M]v
cW  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs ~jQ|X?tR  
6.5.3 MBE生长GaN XcAx@CY9c  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 #kR8v[Z  
6.6.1 HgCdTe材料 0P3^#j  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 JS1$l+1  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 a;r,*zZ="  
6.6.4 ZnSe、ZnTe @6~r7/WD  
6.6.5 ZnO薄膜 &$
:1rA_v  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 xRuAt/aC  
6.7.1 SiC：材料 {r yv7G  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 96fbMP+7R  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 ifHQ2Ug9  
参考文献 ?>92OuG%W?  
5 <X.1T1  
第7章 液相外延 >TK:&V  
7.1 液相外延生长的原理 +fBbW::R^  
7.1.1 液相外延基本概况 lZCTthr\  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 =aX;-
 
7.2 液相外延生长方法和设备 k?zw4S  
7.3 液相外延生长的特点 r#M0X^4A  
7.4 液相外延的应用实例 P+tRxpz  
7.4.1 硅材料 p6VS<L  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 VEj-%"\  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 4^/MDM@  
7.4.4 SiC材料 G~b/!clN  
参考文献 %{?EfULg  
G6]W'Kk  
第8章 湿化学制备方法 (,*e\o  
8.1 溶胶-凝胶技术 efW<  
#;4<dDVy  
第9章 半导体超晶格和量子阱 Q"itV&d
,  
第10章 半导体器件制备技术 
uQk}  
参考文献 Gi]R8?M  
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