半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 -dbD&8  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 A3ad9?LR[R  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 6$[
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 J
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《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 :gv`)  
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第1章 真空技术 cC w,b]  
1.1 真空的基本概念 YAnt}]u!"  
1.1.1 真空的定义 L(Q v78F  
1.1.2 真空度单位 ]4SnOSV?S  
1.1.3 真空区域划分 p'1n'|$e  
1.2 真空的获得 -'+|r]  
1.3 真空度测量 ])h={gI  
1.3.1 热传导真空计 UI|L;5  
1.3.2 热阴极电离真空计 +aRjJ/*  
1.3.3 冷阴极电离真空计 *FDz20S  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 Z'dY,<@  
参考文献 pgz3d{]ua  
o>#<c @  
第2章 蒸发技术 ?TLEZlB2"  
2.1 发展历史与简介 lM Gz"cym  
2.2 蒸发的种类 Kv"e\ E  
2.2.1 电阻热蒸发 |Axg}Q|  
2.2.2 电子束蒸发 _H@s^g  
2.2.3 高频感应蒸发 Ga~N7  
2.2.4 激光束蒸发 %~P]x7%|  
2.2.5 反应蒸发 RGYky3mQK  
2.3 蒸发的应用实例 g6EdCG.V  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 '"QC^Joz  
2.3.2 ITO薄膜 |o~<Ti6]  
参考文献 g.aNITjP  
Mh'QD)28c  
第3章 溅射技术 r:K)Q@  
3.1 溅射基本原理 b6_*ljM  
3.2 溅射主要参数 @eMDRbgq;[  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 ]3hz{zqV^  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 [YP8z~  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 ,R0@`t1 p  
3.3 溅射装置及工艺 k6rX/ocu  
3.3.1 阴极溅射 6HpSZa  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 Gdnk1_D>  
3.3.3 射频溅射 u,[Yaw"L  
3.3.4 磁控溅射 o*97Nbjn  
3.3.5 反应溅射 &Th/Qv}[  
3.4 离子成膜技术 tp$NT.z  
3.4.1 离子镀成膜 :Oo  
3.4.2 离子束成膜 =%Gecj  
3.5 溅射技术的应用 cRz7.9-<  
3.5.1 溅射生长过程 isHa4 D0  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 mB;W9[  
参考文献 =Y|TShKk  
jEklf0Z  
第4章 化学气相沉积 rS/Q  
4.1 概述 e.G&hJr  
4.2 硅化学气相沉积 ZA>hN3fE'  
4.2.1 CVD反应类型 N-jFA8n  
4.2.2 CVD热力学分析 !Qrlb>1z-  
4.2.3 CVD动力学分析 )vOZp&  
4.2.4 不同硅源的外延生长 \l_RyMi  
4.2.5 成核 ih2H~c>O  
4.2.6 掺杂 U/,`xA;v>  
4.2.7 外延层质量 al=Dy60|z  
4.2.8 生长工艺 nXK"BYe  
4.3 CVD技术的种类 EiI3$y3;  
4.3.1 常压CVD s['F?GWg  
4.3.2 低压CVD En+4@BC  
4.3.3 超高真空CVD *kgbcUf8  
4.4 能量增强CVD技术 9C[3w[G~C  
4.4.1 等离子增强CVD Cst\_j  
4.4.2 光增强CVD n5 @H  
4.5 卤素输运法 !40{1U&@a`  
4.5.1 氯化物法 8U\;N  
4.5.2 氢化物法 {#uX   
4.6 MOCVD技术 j9%u&  
4.6.1 MOCVD简介 HoymGU`w  
4.6.2 MOCVD生长GaAs T_6,o[b8  
4.6.3 MOCVD生长GaN ko im@B  
4.6.4 MOCVD生长ZnO W2tIt&{  
4.7 特色CVD技术 9NaC7D$,  
4.7.1 选择外延CVD技术 !OPK?7  
4.7.2 原子层外延 T#J]%IDd  
参考文献 INW8Q`[F  
[:a;|t  
第5章 脉冲激光沉积 ?F*gFW_k  
5.1 脉冲激光沉积概述 2{"Wa|o`  
5.2 PLD的基本原理 ,bmiIW%  
5.2.1 激光与靶的相互作用 >2Al+m<w  
5.2.2 烧蚀物的传输 ^qiTO`lg  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 dSsMa3X[n  
5.3 颗粒物的抑制 T9{94Ra  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 vb9G_Pfz  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 $b\Gl=YX^  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 |GL#E"[&'  
参考文献 q{@>2Al
K  
\PU|<Ru.  
第6章 分子束外延 [rU8%  
6.1 引言 `zC_?+  
6.2 分子束外延的原理和特点 |g> K$m^  
6.3 外延生长设备 Mh>^~;  
6.4 分子束外延生长硅 :2 ?dl:l  
6.4.1 表面制备 `"I^nD^t>Y  
6.4.2 外延生长 7 -gt V#  
6.4.3 掺杂 dy,,x
 
6.4.4 外延膜的质量诊断 0u QqPF t  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 & @^|=>L  
6.5.1 MBE生长GaAs \4~uop,Nb+  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs wjoxfPnf  
6.5.3 MBE生长GaN #`);UAf  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 AmRppbj/wO  
6.6.1 HgCdTe材料 oVb6,
Pn  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 zvdtP'&uj  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 `t{aN|3V[  
6.6.4 ZnSe、ZnTe vov"60K  
6.6.5 ZnO薄膜 6jRF[N8  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 /=lrdp!a  
6.7.1 SiC：材料 ,;O+2TX  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ;wp)E nF  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 dW,$yH_  
参考文献 NL0X =i  
6@ET3v  
第7章 液相外延 N#6&t8;kTC  
7.1 液相外延生长的原理 IM}#k$vM:  
7.1.1 液相外延基本概况 r_-iOxt~5  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 CcLP/  
7.2 液相外延生长方法和设备 [|<|a3']|  
7.3 液相外延生长的特点 $0AN5 |`g\  
7.4 液相外延的应用实例 zK}$W73W^  
7.4.1 硅材料 jQj`GnN|  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 SH<Nt[8C  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Nf}G "!  
7.4.4 SiC材料 3O:Z;YP:<  
参考文献 ,-vbR&  
P,j)m\|  
第8章 湿化学制备方法 /V2I
h  
8.1 溶胶-凝胶技术 ](aXZ<,  
egYJ.ZzF0  
第9章 半导体超晶格和量子阱 mKvk6OC  
第10章 半导体器件制备技术 w=rh@S]  
参考文献 K!).QB'  
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