半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 6l&,!fd  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 F4=V*/7  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 4>(
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叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 z?'z{+HY  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 5O"$'iL  

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第1章 真空技术 ?
OVje9  
1.1 真空的基本概念 WM9z~z'2a  
1.1.1 真空的定义 OzAxnd\.N  
1.1.2 真空度单位 tYMPqP,1.  
1.1.3 真空区域划分 #X qnH  
1.2 真空的获得 N%!{n7`N:  
1.3 真空度测量 WGHf?G/s  
1.3.1 热传导真空计 _[$,WuG1  
1.3.2 热阴极电离真空计 kxt/I<cs  
1.3.3 冷阴极电离真空计 d
VyT`  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 0n*D](/NK  
参考文献 I9*BTT]  
2$FH+wuW  
第2章 蒸发技术 @IV,sze  
2.1 发展历史与简介 J7+[+Y  
2.2 蒸发的种类 w[OUGn'  
2.2.1 电阻热蒸发 KRb'kW  
2.2.2 电子束蒸发 a6\`r^@  
2.2.3 高频感应蒸发 N."x@mV  
2.2.4 激光束蒸发 >Ft)v  
2.2.5 反应蒸发 ;Pe=cc"@  
2.3 蒸发的应用实例 [I`:%y  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 %BF,;(P  
2.3.2 ITO薄膜 z['2  
参考文献 }/MmuPp  
$+$4W\-=X  
第3章 溅射技术 Ae
jM\#>  
3.1 溅射基本原理 3? F~H  
3.2 溅射主要参数 BJKv9x1jK  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 kO4'|<  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 st)qw]Dn;Y  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 !wTrWD!  
3.3 溅射装置及工艺 b*1yvkX5  
3.3.1 阴极溅射 2WC$r8E  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 o+Fm+5t;  
3.3.3 射频溅射 :Q8*MJ3&V  
3.3.4 磁控溅射 n0g8B  
3.3.5 反应溅射 $i%#fN  
3.4 离子成膜技术 F ESl#.}  
3.4.1 离子镀成膜 m"!Q5[  
3.4.2 离子束成膜 kLc@U~M  
3.5 溅射技术的应用 NuW6~PV  
3.5.1 溅射生长过程 1)!2D?w  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 `R!Q(rePx  
参考文献 Z"$iB-]  
L8(2or  
第4章 化学气相沉积 <!F".9c@A  
4.1 概述 n
;wViw  
4.2 硅化学气相沉积 bj
AI7B8As  
4.2.1 CVD反应类型 j8c5_&  
4.2.2 CVD热力学分析 ,0{x-S0jX<  
4.2.3 CVD动力学分析 w)&?9?~  
4.2.4 不同硅源的外延生长 #4<=Ira5  
4.2.5 成核 \&47u1B  
4.2.6 掺杂 RAWzQE}  
4.2.7 外延层质量 X8):R
- J  
4.2.8 生长工艺 @km4qJZ  
4.3 CVD技术的种类 M4(57b[`  
4.3.1 常压CVD Vh>|F}%E  
4.3.2 低压CVD @WNqD*)1  
4.3.3 超高真空CVD n|Ts:>`V  
4.4 能量增强CVD技术 r+k&W  
4.4.1 等离子增强CVD '2 Y8  
4.4.2 光增强CVD EP^qj j@M  
4.5 卤素输运法 E\TWPV'/  
4.5.1 氯化物法 ESU
O I  
4.5.2 氢化物法 6\k~q.U@XI  
4.6 MOCVD技术 uIBN !\j  
4.6.1 MOCVD简介 z[6avW"q  
4.6.2 MOCVD生长GaAs %J Jp/I  
4.6.3 MOCVD生长GaN @Ne&%F?^Z  
4.6.4 MOCVD生长ZnO X}Om)WCr  
4.7 特色CVD技术 gu:vf/  
4.7.1 选择外延CVD技术 ix$ ^1(  
4.7.2 原子层外延 2qojU%fiH  
参考文献 ,:2Z6~z{  
-xbs'[  
第5章 脉冲激光沉积  A@9\Qd  
5.1 脉冲激光沉积概述  q*94vo-  
5.2 PLD的基本原理 /:ZwGyT
;  
5.2.1 激光与靶的相互作用 w
E"lk  
5.2.2 烧蚀物的传输 K1o>>388G  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 %a|Qw(4\  
5.3 颗粒物的抑制 iJj!-a:z.  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 ?8/r=  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 ]#W7-Q;]  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 Pm%5c\ef  
参考文献 V'tR \b  
#!E`%' s]  
第6章 分子束外延 QO0@Ax\b  
6.1 引言 :,M+njcFc  
6.2 分子束外延的原理和特点 u})*6l.  
6.3 外延生长设备 ?PqkC&o[q  
6.4 分子束外延生长硅 QT zN  
6.4.1 表面制备 ({@"{  
6.4.2 外延生长  JZ+6)R  
6.4.3 掺杂 &-{%G=5~e%  
6.4.4 外延膜的质量诊断 hW'b'x<  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 A+GRTwj  
6.5.1 MBE生长GaAs b8Z_oN5!  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs wEwRW  
6.5.3 MBE生长GaN t- TUP>_  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 KC"&3  
6.6.1 HgCdTe材料 K F_Uu  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 &@'%0s9g  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 ij#v_~g3  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ,X1M!'  
6.6.5 ZnO薄膜 U;TS7A3  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 Nsq=1) <  
6.7.1 SiC：材料 jMCd`Q]K  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 *aC[Tv[-P  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 "" >Yw/'  
参考文献 ]n>9(Mp!M  
he/rt#  
第7章 液相外延 .ahY 1CO
 
7.1 液相外延生长的原理 pdER#7Tq  
7.1.1 液相外延基本概况 e$P^},0/  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 4M>pHz4  
7.2 液相外延生长方法和设备 (9ZW^flY  
7.3 液相外延生长的特点 R9^vAS4t[O  
7.4 液相外延的应用实例 7w" !"W#  
7.4.1 硅材料 ;?@Rq"*  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ("ix!\1K@  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 $GU s\  
7.4.4 SiC材料 YgjW%q   
参考文献 X@}7 #Vt  
QIU%!9Y  
第8章 湿化学制备方法 $[ S 33Q  
8.1 溶胶-凝胶技术 Pv,PS.,-  
gY
[G>D=  
第9章 半导体超晶格和量子阱 2bLc57j{`9  
第10章 半导体器件制备技术 }~=<7|N.  
参考文献 d}fd^x/  
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