半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 WTImRXK4  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 }y9mNT  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 #2r}?hP/m  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 L\y;LSTU  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 Qne/g}PD`  
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第1章 真空技术 LM&y@"wfm  
1.1 真空的基本概念 CHV*vU<N  
1.1.1 真空的定义 $Of0n` e  
1.1.2 真空度单位 !Hys3AP  
1.1.3 真空区域划分 l}$ U])an#  
1.2 真空的获得 t3dlS`O  
1.3 真空度测量 5jUYN-$GO  
1.3.1 热传导真空计 >yY'7Ey  
1.3.2 热阴极电离真空计 :n /@z4#  
1.3.3 冷阴极电离真空计 &QhX1dT+  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 {uGP&c
S~(  
参考文献 KiJT!moB  
< yC  
第2章 蒸发技术 &3yD_P_3  
2.1 发展历史与简介 hs}8xl  
2.2 蒸发的种类 nu'M 39{  
2.2.1 电阻热蒸发 qhT@;W/X  
2.2.2 电子束蒸发 Zh_|m#)  
2.2.3 高频感应蒸发 JPGzrEaZ  
2.2.4 激光束蒸发 271&i  
2.2.5 反应蒸发 -!c"k}N=  
2.3 蒸发的应用实例 qIld;v8w"g  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 msVOH%wH  
2.3.2 ITO薄膜 26xXl|I  
参考文献 i86>]  
[,TkFbDq"J  
第3章 溅射技术 {J^lX/D  
3.1 溅射基本原理 V*W;OiE_3  
3.2 溅射主要参数 lkBdl#]9  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 :]J Ye*  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 }N*_KzPIa  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 H<^/Ati,|  
3.3 溅射装置及工艺 .l@xsJn  
3.3.1 阴极溅射 |Pg@M  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 Offu9`DiZ  
3.3.3 射频溅射 1
&e} ms  
3.3.4 磁控溅射 qu|B4?Y/CR  
3.3.5 反应溅射 ,Jd ',>3  
3.4 离子成膜技术 D}vmwg@3  
3.4.1 离子镀成膜 A]XZnQ  
3.4.2 离子束成膜 QcgfBsv96  
3.5 溅射技术的应用 y K"kEA[;  
3.5.1 溅射生长过程 q`pP$i:  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 )KP5WudX  
参考文献 _)\c&.p]f  

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第4章 化学气相沉积 }Q";aU0^  
4.1 概述 ;X?mmv'  
4.2 硅化学气相沉积 h(5P(`
M  
4.2.1 CVD反应类型 /c,(8{(O  
4.2.2 CVD热力学分析 p ZZc:\fJ  
4.2.3 CVD动力学分析 X=>=5'  
4.2.4 不同硅源的外延生长 |m2X+s9  
4.2.5 成核 ;$z$@@WC  
4.2.6 掺杂 )HvnoUO0  
4.2.7 外延层质量 "I QlVi  
4.2.8 生长工艺 kcQ'$<Mz<  
4.3 CVD技术的种类 435;Vns\n  
4.3.1 常压CVD J&T.(  
4.3.2 低压CVD 8H_l:Z[:i  
4.3.3 超高真空CVD # 0Lf<NZ  
4.4 能量增强CVD技术 #y%!\1M/:A  
4.4.1 等离子增强CVD ~j<+k4I~  
4.4.2 光增强CVD i@4~.iZ8  
4.5 卤素输运法 k68F-e[i^  
4.5.1 氯化物法 Ry|!p
V  
4.5.2 氢化物法 L =8rH5  
4.6 MOCVD技术 (<)]sp2  
4.6.1 MOCVD简介 ldp%{"ZZ  
4.6.2 MOCVD生长GaAs F}=aBV|-  
4.6.3 MOCVD生长GaN A]DTUdL  
4.6.4 MOCVD生长ZnO 0fYj4`4=n  
4.7 特色CVD技术 *f?4   
4.7.1 选择外延CVD技术 k70|'*Kh  
4.7.2 原子层外延 zSFDUZ]A3  
参考文献 KhMSL  
qs QNjt  
第5章 脉冲激光沉积 CXC`sPY  
5.1 脉冲激光沉积概述 8)4P Ll  
5.2 PLD的基本原理 g]c6&Y,#  
5.2.1 激光与靶的相互作用 qv@$ZLR  
5.2.2 烧蚀物的传输 rp0ZvEX  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 d,=r9.  
5.3 颗粒物的抑制 BN4_:  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 Rb{U+/gq  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 O/<K!;(@?  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 *q1%IJ  
参考文献 @U2qD  J6  
}5(Ho$S(  
第6章 分子束外延 Q^#;
WASi  
6.1 引言 8:/e GM  
6.2 分子束外延的原理和特点 ph-ATJ"  
6.3 外延生长设备 Et/&^&=\-  
6.4 分子束外延生长硅 #/Eb*2C`b  
6.4.1 表面制备 dS<C@(  
6.4.2 外延生长 uNHF'?X  
6.4.3 掺杂 8A+SjJ4$  
6.4.4 外延膜的质量诊断 T16{_  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 2^l[(N  
6.5.1 MBE生长GaAs Bn(W"=1  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs g2T -TG'd  
6.5.3 MBE生长GaN %y%j*B!%  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 o!!yd8~*r  
6.6.1 HgCdTe材料 oD$J0{K6  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 rhb@FE)Mc  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 $]A/ o(  
6.6.4 ZnSe、ZnTe ,.qMEMm  
6.6.5 ZnO薄膜 #jxe%2'Ot  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 $n^gmhp  
6.7.1 SiC：材料 $O dCL  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 :=[XW?L%x  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 }~Af/  
参考文献 
&T}''  
sn?]n~z  
第7章 液相外延 *7wAkljP  
7.1 液相外延生长的原理 >G~R,{6U  
7.1.1 液相外延基本概况 @!8ZPiW<  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 ](^(=%  
7.2 液相外延生长方法和设备 DmOyBtj  
7.3 液相外延生长的特点 6KOlY>m]  
7.4 液相外延的应用实例 _z1(y}u}  
7.4.1 硅材料 Z%n(O(^L  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 &JtV'@>v  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 q|LDo~H  
7.4.4 SiC材料 V@\%)J'g  
参考文献 W[^qa5W<FB  
dH^<t,v  
第8章 湿化学制备方法 Y]3>7q%  
8.1 溶胶-凝胶技术 m]cHF.:5  
4sP2g&  
第9章 半导体超晶格和量子阱 0s>/mh;  
第10章 半导体器件制备技术 ;Yg{zhJX~  
参考文献 >~Qr  
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