半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 cmC&s'/8`D  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 `cy"-CJS  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 ! a8h  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 '!2  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 q0xE&[C[M  

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第1章 真空技术 !IrKou)/_  
1.1 真空的基本概念 =V4_DJ(&  
1.1.1 真空的定义 z8rh*Rfxd  
1.1.2 真空度单位 |cBF-KNZ  
1.1.3 真空区域划分 q'U-{~q%  
1.2 真空的获得 62KW HB9S  
1.3 真空度测量 pRyS8'  
1.3.1 热传导真空计 IcNIuv  
1.3.2 热阴极电离真空计  Q-3J0=  
1.3.3 冷阴极电离真空计 hJL0M!  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 ~(L<uFU V  
参考文献 rea}Uq+po  
6!Ap;O^*  
第2章 蒸发技术 Y$DgL h  
2.1 发展历史与简介 '$&(+>)z`  
2.2 蒸发的种类 laIC}!  
2.2.1 电阻热蒸发 EEnTq  
2.2.2 电子束蒸发 ?}>B4Z)  
2.2.3 高频感应蒸发 g\mrRZ/?  
2.2.4 激光束蒸发 mZ.6Njb  
2.2.5 反应蒸发 M}RFFg  
2.3 蒸发的应用实例 &|,qsDK(  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 c`[uQXv  
2.3.2 ITO薄膜 Vu8-Cy>Q?  
参考文献 k?*DBXJv  
97=YFK~*  
第3章 溅射技术 FWx*&y~$  
3.1 溅射基本原理 x'PjP1  
3.2 溅射主要参数 ^i,0
n}>  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 YuZ   
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 4Fht(B|  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 iPi'5g(a   
3.3 溅射装置及工艺 _|V+["IS  
3.3.1 阴极溅射 t7`Pw33#kY  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 pHbguoH,  
3.3.3 射频溅射 lbXkZ,  
3.3.4 磁控溅射 p[+me o  
3.3.5 反应溅射 Yoym5<xE  
3.4 离子成膜技术 [[Eu?vQ9R  
3.4.1 离子镀成膜 6je%LHhL  
3.4.2 离子束成膜 Bd]DhPhJ  
3.5 溅射技术的应用 ~k_zMU-1  
3.5.1 溅射生长过程 WYd,tGz  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 JqhVD@1{  
参考文献 g KY ,G  
i: uA&9  
第4章 化学气相沉积 r}M4()9L  
4.1 概述 h 7P?n.K  
4.2 硅化学气相沉积 :JG}%  
4.2.1 CVD反应类型 ~8 a>D<b  
4.2.2 CVD热力学分析 Hu!>RSg,,2  
4.2.3 CVD动力学分析 YQd&rkr  
4.2.4 不同硅源的外延生长 -2~yc2:>A  
4.2.5 成核 Xg)FIaw]eT  
4.2.6 掺杂 ,>EY9j  
4.2.7 外延层质量 @(5RAYRV  
4.2.8 生长工艺 p%qL0   
4.3 CVD技术的种类 !ZcALtq  
4.3.1 常压CVD ju6_L<  
4.3.2 低压CVD  x a,LV  
4.3.3 超高真空CVD %R5MAs&-5  
4.4 能量增强CVD技术 R$3+ 01j|  
4.4.1 等离子增强CVD w3hL.Z,kV  
4.4.2 光增强CVD -5B([jHgR  
4.5 卤素输运法 \crmNH)3  
4.5.1 氯化物法 s9dBXfm  
4.5.2 氢化物法 {.)~4.LhQM  
4.6 MOCVD技术 K#yH\fn8  
4.6.1 MOCVD简介 9Qd'=JQl  
4.6.2 MOCVD生长GaAs +0042Yi  
4.6.3 MOCVD生长GaN @WE$%dr  
4.6.4 MOCVD生长ZnO YLd%"H $n  
4.7 特色CVD技术 x1ex}_\  
4.7.1 选择外延CVD技术 im\W
s./  
4.7.2 原子层外延 6E&&0'm  
参考文献 O/"&?)[v  
Hs!CJ(0"y  
第5章 脉冲激光沉积 `Hu;Gdj=  
5.1 脉冲激光沉积概述 aM1JG$+7G  
5.2 PLD的基本原理 :Bc;.%  
5.2.1 激光与靶的相互作用 )[Cm*Xxa$  
5.2.2 烧蚀物的传输 N%i<DsK.u6  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 7q1l9:VYE  
5.3 颗粒物的抑制 $h f\ #'J  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 5~5ypQj  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 9_dsiM7CT  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 zW&W`(  
参考文献 tq
93 2M4  
51usiOq  
第6章 分子束外延 0pz X!f1~  
6.1 引言 >FhBl\oIi  
6.2 分子束外延的原理和特点 7K4%`O   
6.3 外延生长设备 <6
$%Y2  
6.4 分子束外延生长硅 T!E LH!  
6.4.1 表面制备 40ZB;j$l  
6.4.2 外延生长 pr?(5{BL  
6.4.3 掺杂 Q)8t;Kx
  
6.4.4 外延膜的质量诊断 (\ %y)  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 +?'acn  
6.5.1 MBE生长GaAs YiMecu  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs {S~$\4vC!  
6.5.3 MBE生长GaN 'IszS!kY  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 "+_0idpF  
6.6.1 HgCdTe材料 IA!Kpg W  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 3 g&mND  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 m#p^'}]!;  
6.6.4 ZnSe、ZnTe dy'?@Lj;  
6.6.5 ZnO薄膜 [Xg"B|FD0  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构 YO61 pZY  
6.7.1 SiC：材料 &*SnDuc  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 ^)I:82"|?  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Aed"J5[a  
参考文献 aKO@_R,:  
F*H}5yBp_:  
第7章 液相外延 QkAwG[4  
7.1 液相外延生长的原理 sq$|Pad[  
7.1.1 液相外延基本概况 c^%k1pae(  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 &n wg$z{Y  
7.2 液相外延生长方法和设备 c i>=45@J  
7.3 液相外延生长的特点 <hdCO< 0(  
7.4 液相外延的应用实例 $%'z/'o!  
7.4.1 硅材料 @YELqUb*  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 MN4}y5  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 Y#,MFEd  
7.4.4 SiC材料 ualtIHXK)  
参考文献 O'(vs"eN  
hd' n"  
第8章 湿化学制备方法 Wi<Fkzj  
8.1 溶胶-凝胶技术 g<Xwk2_=g  
g(^l>niF:  
第9章 半导体超晶格和量子阱 c#Bde-dh  
第10章 半导体器件制备技术 :W"ITY(  
参考文献 ,8seoX^  
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