半导体薄膜技术与物理,作者:叶志镇,吕建国,吕斌

《半导体薄膜技术与物理》全面系统地介绍了半导体薄膜的各种制备技术及其相关的物理基础。全书共分十章。第一章概述了真空技术，第二至第八章分别介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相外延、湿化学合成等各种半导体薄膜的沉积技术，第九章介绍了半导体超晶格、量子阱的基本概念和理论，第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术。 R5&$h$[/  
《半导体薄膜技术与物理》文字叙述上力求做到深入浅出，内容上深度和宽度相结合，理论和实践相结合，以半导体薄膜技术为重点，结合半导体材料和器件的性能介绍，同时还介绍了半导体薄膜技术与物理领域的新概念、新进展、新成果和新技术。《半导体薄膜技术与物理》具有内容翔实、概念清楚、图文并茂的特点。 l3?,gd.-  
《半导体薄膜技术与物理》读者对象广泛，可作为高等院校材料、物理、电子、化学等学科的研究生或高年级本科生的半导体薄膜技术课程的教材，也可作为从事半导体材料、薄膜材料、光电器件等领域的科研人员、工程技术人员的参考书籍。 W;oU +z^t$  
叶志镇，男，1955年5月生于浙江温州。1987年获浙江大学光仪系工学博士学位；毕业后留校工作，1990～1992年留学美国麻省理工学院（MIT）；1994年晋升为教授；1996年选为博导。现为浙江大学材料与化学工程学院副院长、浙江大学纳米中心主任。 1988年进入浙江大学材料系，在硅材料国家重点实验室一直从事半导体薄膜教学科研工作，主要研究方向：Zn0薄膜材料制备、物性调控及光电应用；纳米薄层材料高真空CVD技术研发及应用。现兼任国家自然科学基金委信息科学部评审组成员，全国电子材料专委副主任，全国半导体与集成技术、半导体材料和半导体物理专委委员等。 pebx#}]p-  
《半导体薄膜技术与物理》共分十章，以叶志镇教授“半导体薄膜技术物理”讲义为基础编撰而成。第一章叙述了真空技术的基本知识；第二章至第八章是《半导体薄膜技术与物理》的核心内容，结合各种半导体材料，详细介绍了蒸发、溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积、分子束外延、液相沉积和湿化学合成等半导体薄膜技术与物理；第九章介绍了超晶格的相关知识，超晶格、量子阱是现代新型半导体器件的基础和关键；第十章介绍了典型薄膜半导体器件的制备技术，包括发光二极管、薄膜晶体管和紫外探测器。 *tfDXQ^mN  

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第1章 真空技术 Hl2f`GZ   
1.1 真空的基本概念 R!k<l<9q  
1.1.1 真空的定义 !E{
GcK  
1.1.2 真空度单位 *JY`.t  
1.1.3 真空区域划分 56=K@$L {F  
1.2 真空的获得 u->@|tEq  
1.3 真空度测量 <m/b]|  
1.3.1 热传导真空计 7hN6IP*so  
1.3.2 热阴极电离真空计 8LQ59K_WX  
1.3.3 冷阴极电离真空计 ~r>EF!U`h  
1.4 真空度对薄膜工艺的影响 s 9|a2/{  
参考文献 5}MlZp  
}]g95xT  
第2章 蒸发技术 : >wQwf  
2.1 发展历史与简介 ()nKug`.@  
2.2 蒸发的种类 le^_6|ek  
2.2.1 电阻热蒸发 +)JNFy-  
2.2.2 电子束蒸发 7Z`Mt9:Ht  
2.2.3 高频感应蒸发 vpeBQ=2\  
2.2.4 激光束蒸发 y@kcXlY  
2.2.5 反应蒸发 %eJ\d?nw  
2.3 蒸发的应用实例 &J;H@d||  
2.3.1 Cu（In，Ga）Se2薄膜 J|"nwY}a9  
2.3.2 ITO薄膜 "ji$@b_\?  
参考文献 UR/qVO?  
x7KcO0F{  
第3章 溅射技术 Z(LxB$^l[  
3.1 溅射基本原理 %uz|NRB=  
3.2 溅射主要参数 uhTKCR~  
3.2.1 溅射闽和溅射产额 yxG:\y b  
3.2.2 溅射粒子的能量和速度 ;-9zMbte:  
3.2.3 溅射速率和淀积速率 B%eDBu ")  
3.3 溅射装置及工艺 ^x_ >r6  
3.3.1 阴极溅射 @[5_C?2  
3.3.2 三极溅射和四极溅射 M$&WM{Pr^  
3.3.3 射频溅射 > h,y\uV1  
3.3.4 磁控溅射 49xp2{  
3.3.5 反应溅射 |6sT,/6  
3.4 离子成膜技术 RP~vB#}  
3.4.1 离子镀成膜 H]tSb//qc  
3.4.2 离子束成膜 1Nl&4YLO  
3.5 溅射技术的应用 /63W\  
3.5.1 溅射生长过程 "M9TB. O  
3.5.2 溅射生长Zno薄膜的性能 Ws^+7u  
参考文献 W>}Qer4  
UzU-eyA  
第4章 化学气相沉积 ;Na8_}  
4.1 概述 BcZEa^^~os  
4.2 硅化学气相沉积 Avs7(-L+s  
4.2.1 CVD反应类型 -SQJH}zCT+  
4.2.2 CVD热力学分析 ?jNF6z*M6  
4.2.3 CVD动力学分析 f.b8ZBNj>  
4.2.4 不同硅源的外延生长 ;OQ'B=uK  
4.2.5 成核 Jw:Fj{D  
4.2.6 掺杂 pAJ=f}",]E  
4.2.7 外延层质量 y3={NB+  
4.2.8 生长工艺 k_*XJ<S!Y  
4.3 CVD技术的种类 B^
imG  
4.3.1 常压CVD k Zk .]b  
4.3.2 低压CVD LKR==;qn  
4.3.3 超高真空CVD Exep+x-  
4.4 能量增强CVD技术 |u^)RB  
4.4.1 等离子增强CVD oF%^QT"R  
4.4.2 光增强CVD H_%d3 RI  
4.5 卤素输运法 Yw~;g:
=  
4.5.1 氯化物法 ur/Oc24i1n  
4.5.2 氢化物法 lq>*x=<  
4.6 MOCVD技术 0M#N=%31  
4.6.1 MOCVD简介 lQh E]m>+  
4.6.2 MOCVD生长GaAs (@%XWg  
4.6.3 MOCVD生长GaN ELN|;^-/|Q  
4.6.4 MOCVD生长ZnO \3%W_vU_  
4.7 特色CVD技术 ?-pxte8  
4.7.1 选择外延CVD技术 9"WRIHt'c  
4.7.2 原子层外延 a
);O3N/*I  
参考文献 "t5 +*  
?gd'M_-J,  
第5章 脉冲激光沉积 f*{M3"$E  
5.1 脉冲激光沉积概述 sTd}cP  
5.2 PLD的基本原理 x9xzm5  
5.2.1 激光与靶的相互作用 $!3gN%  
5.2.2 烧蚀物的传输 8_"3Yb`f  
5.2.3 烧蚀粒子在衬底上的沉积 hf_R\C(c  
5.3 颗粒物的抑制 R&NpdW N  
5.4 PLD在Ⅱ-Ⅵ族化合物薄膜中的应用 r@|R-Binz  
5.4.1 ZnO薄膜的PLD生长 r> Fec  
5.4.2 其他Ⅱ-Ⅵ族化合物的PLD生长 E/:+@'(k  
参考文献 nHI(V-E2:H  
tegOT]|  
第6章 分子束外延 CHPL>'NJzc  
6.1 引言 k!Vn4?B"k  
6.2 分子束外延的原理和特点 *w=z~Jq^R"  
6.3 外延生长设备 ZvUp#8x(3  
6.4 分子束外延生长硅 =Ml|l$  
6.4.1 表面制备 i%xI9BO9  
6.4.2 外延生长 +7Sf8tg\  
6.4.3 掺杂 B1y<.1k  
6.4.4 外延膜的质量诊断 'GrRuT<  
6.5 分子束外延生长Ⅲ-V族化合物半导体材料和结构 U^B"|lc:[  
6.5.1 MBE生长GaAs '/Cg*o/  
6.5.2 MBE生长InAs／GaAs s0gJ f[  
6.5.3 MBE生长GaN w|&,I4["  
6.6 分子束外延生长Ⅱ一Ⅵ族化合物半导体材料和结构 B`LD7]ew  
6.6.1 HgCdTe材料 vz6SCGg,  
6.6.2 CdTe／Si的外延生长 {VBR/M(q  
6.6.3 HgCdTe／Si的外延生长 U!x0,sr  
6.6.4 ZnSe、ZnTe "=9-i-K9B  
6.6.5 ZnO薄膜 *]Fg
fttES  
6.7 分子束外延生长其他半导体材料和结构
n49;Z
,[~  
6.7.1 SiC：材料 fG<Dhz@  
6.7.2 生长小尺寸Ge／Si量子点 e%pu.q\gK  
6.7.3 生长有机半导体薄膜 Dz,uS nnm  
参考文献  W|lH  
SrSG{/{  
第7章 液相外延 +:}kZDl@ X  
7.1 液相外延生长的原理 k - FB  
7.1.1 液相外延基本概况 ]t*33  
7.1.2 硅液相外延生长的原理 y^9bfMA  
7.2 液相外延生长方法和设备 1JIG+ZNmd  
7.3 液相外延生长的特点 OSU{8.  
7.4 液相外延的应用实例 <[bQo&B2 E  
7.4.1 硅材料 U> W|(Y  
7.4.2 Ⅲ-V族化合物半导体材料 ]n~yp5Nbr  
7.4.3 碲镉汞（Hgl-rCdrTe）材料 $6W3EOl  
7.4.4 SiC材料 5n:nZ_D  
参考文献 ]Fxku<z7|  
>Q&CgGpW$  
第8章 湿化学制备方法 `a-Bji?  
8.1 溶胶-凝胶技术 P%iP:16  
J)_>%.
 
第9章 半导体超晶格和量子阱 { AFf:[G  
第10章 半导体器件制备技术 {JXf*IJ  
参考文献 `4_c0q)N4  
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