半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 A%EGu4  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 i~{0>
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与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 y*-D
 

图片:daolun.jpg

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Preface xvii
Mw6 Mt  
CHAPTER 1 KP gzB^>  
The Crystal Structure of Solids ]QF*\2b-I2  
1.0 Preview 1 Fw%S%*B8g  
1.1 Semiconductor Materials 2 3nx*M=  
1.2 Types of Solids 3 ~W_T3@  
1.3 Space Lattices 4 !*,m=*[3  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 r<$"T  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 _$T.
N  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices '.XR,\g>  
1.3.4 The Diamond Structure 13 xHlO~:Lc  
1.4 Atomic Bonding 15 V"A*B  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 2'}/aL|G  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 fLuOxYQbf  
1.5.2 Impurities in Solids 18 4`:Eiik&p  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 is{H
>#+"  
1.6.1 Growth from a Melt 20 bG]?AiWr  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 `Oe}OSxnT  
1.7 Device Fabrication Techniques: LP}'upv  
Oxidation 23 jjg[v""3|  
1.8 Summary 25 PC& (1kJ  
Problems 27 &hIr@Gi@ch  
CHAPTER 2
S|_"~Nd=  
Theory of Solids 31 KtaoU2s  
2.0 Preview 31 Yi|Nd;  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 S\6.vw!'
 
2.1.1 Energy Quanta 32 GO6uQ};  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 rG'W#!^*  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 |N5|B Q(y$  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 xepp."
O  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 v@qVT'qlU  
2.2.3 Periodic Table 40 >8gb/?z  
2.3 Energy-Band Theory 41 }J_#N.y  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 =u.hHkx  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 
UQJ  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 P?<G:]W  
2.3.4 Effective Mass 49 `q7X(x  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 DxG8`}+  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 ;sY n=r  
2,4 Density of States Function 55 [f`7+RHrd  
2.5 Statistical Mechanics 57 k1HCPj  
2.5.1 Statistical Laws 57 q)y<\cEO  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function Uq(fk9`6  
and the Fermi Energy 58 }i9VV+L#1  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 Gg{M  
2.6 Summary 64 \C"hL(4-  
Problems 65 ]U.*KkQ  
CHAPTER 3 uVzvUz{b  
The Semiconductor in Equilibrium 70 @}_Wl<kn  
3.0 Preview 70 +?GsIp@>jh  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Jmun^Q/h  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 = Tq\Ag:  
3.1.2 The no and Po Equations 74 &>vfm9  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 q'`LwAU}  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 2@|,VN V6~  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 e^orqw/I  
3.2.1 Qualitative Description 83 T0%l$#6v  
3.2.2 Ionization Energy 86 hfRxZ>O2  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 6Vu)  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 A0H6}53, $  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 x\K,@  
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