半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3928
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 OQ hQ!6  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Or.u*!od&  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 myR{ }G  
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A~PR  
市场价:¥69.00 (O4oI U  
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Preface xvii =yZq]g6Q  
CHAPTER 1 Bh2l3J4X  
The Crystal Structure of Solids rhbz|Uq  
1.0 Preview 1 iW(LD1~7  
1.1 Semiconductor Materials 2 ah:["< z<  
1.2 Types of Solids 3 kEnGr6e  
1.3 Space Lattices 4 dEtjcId  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 H?];8wq$G  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 jeWv~JA%L|  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices (T#$0RFq  
1.3.4 The Diamond Structure 13 Cjr]l!  
1.4 Atomic Bonding 15 ;,[0bmL  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 {WrEe7dLy  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 PM[_0b  
1.5.2 Impurities in Solids 18 iVn4eLK^v  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 * ) <+u~  
1.6.1 Growth from a Melt 20 5OI.Ka  
1.6.2 Epitaxial Growth 22  /RJ  
1.7 Device Fabrication Techniques: e9{0hw7  
Oxidation 23 1v]%FC`  
1.8 Summary 25 }w$2,r gA  
Problems 27 o@zxzZWg  
CHAPTER 2 9y*] {IY  
Theory of Solids 31 d j\Z}[  
2.0 Preview 31 FSA%,b; U  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 ~Mn3ADIb=  
2.1.1 Energy Quanta 32 AhN3~/u%7  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 RH;ulAD6(~  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 4-.K<-T%D  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 ML905n u  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 ~r.R|f]IQ  
2.2.3 Periodic Table 40 &|Duc} t  
2.3 Energy-Band Theory 41 Jx.f DVJ  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 !{.CGpS ]  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 Dm)B? H"  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 P0.cF]<m  
2.3.4 Effective Mass 49 "TJu<O"2  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 R7Y_ 7@p  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 v;<gCzqQh  
2,4 Density of States Function 55 {oqbV#/&  
2.5 Statistical Mechanics 57 M9W zsWM  
2.5.1 Statistical Laws 57 Y.Zd_,qy  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function wu.l-VmGp)  
and the Fermi Energy 58 #-;W|ib%z  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 6]?%1HSi  
2.6 Summary 64 eT".psRiC  
Problems 65 GP%V(HhN  
CHAPTER 3 w1)TnGT  
The Semiconductor in Equilibrium 70 @v lP)"  
3.0 Preview 70 4[$:KGh3  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ;98&5X\u<  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 TF/NA\0c$  
3.1.2 The no and Po Equations 74 O%T?+1E  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 o%?)};o  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 .kBkYK8*t  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 {1Ra |,;  
3.2.1 Qualitative Description 83 GGuU(sL*  
3.2.2 Ionization Energy 86 vdq=F|&  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88  8${n}}  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 =PRQ3/?5  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 l/G +Xj4M  
…… S/`#6  
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关键词: 半导体器件
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