半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:4047
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 `+/[0B=.  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 }fs;yPl,  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 Cj):g,[a  
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市场价:¥69.00 (;h]'I@  
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Xl*-A|:j  
Preface xvii bvR*sT#rg  
CHAPTER 1 V2]S{!p}k  
The Crystal Structure of Solids o6K BJx  
1.0 Preview 1 U>x2'B v  
1.1 Semiconductor Materials 2 x{*!"a>  
1.2 Types of Solids 3 TJ5{Ee GV  
1.3 Space Lattices 4 z?"5= "D  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 p N]Hp"v  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 cuk2\> Xl  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices )3B5"b,  
1.3.4 The Diamond Structure 13 UmgLH Cz  
1.4 Atomic Bonding 15 xD?{Hw>QT#  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Ef`LBAfOO  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 O x$|ZEh  
1.5.2 Impurities in Solids 18 O\KAvoQ%s  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 [Iihk5TT  
1.6.1 Growth from a Melt 20 iK %Rq  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 Ft.BfgJ$  
1.7 Device Fabrication Techniques: 4+ k:j=x  
Oxidation 23 Z ''P5B;  
1.8 Summary 25 g&E_|}u4  
Problems 27 .DvAX(2v  
CHAPTER 2 V!U[N.&$  
Theory of Solids 31 {M~!?# <K  
2.0 Preview 31 t2Y~MyT/  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 ycAQPz}=I  
2.1.1 Energy Quanta 32 !d0@^JbM"  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 "^D6%I#T  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 ^&rb I,D  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36  xBG1up<z  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 [sk"2  
2.2.3 Periodic Table 40 1aT$07G0  
2.3 Energy-Band Theory 41 gq@."wHU  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 99:L#0!.W  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 e#OU {2X  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 G<dXJ ]\\  
2.3.4 Effective Mass 49 86I*  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 YWZF*,4  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 _INUJc  
2,4 Density of States Function 55 r#}Sy \  
2.5 Statistical Mechanics 57 z*[Z:  
2.5.1 Statistical Laws 57 Cp* n2  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function /(0d{  
and the Fermi Energy 58 y d$37G|n  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 r4lG 5dV  
2.6 Summary 64 \~H"!vj  
Problems 65 :gVjBF2  
CHAPTER 3 -/qrEKQ0U?  
The Semiconductor in Equilibrium 70 r/T DU[`&  
3.0 Preview 70 gPi_+-@  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 |#B"j1D,H  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 Q}T9NzOH%  
3.1.2 The no and Po Equations 74 *j* WE\  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 #?=cg]v_  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 Jr9}'l8  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 {LeEnh-  
3.2.1 Qualitative Description 83 u~kwNN9t3  
3.2.2 Ionization Energy 86 mN*P 2 *  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 !T{g& f  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 <Gw<(M  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 >g2B5KY  
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关键词: 半导体器件
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