半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:4130
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 b/Y9fQ n  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 Y$b4Ga9j  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 :_JZn`Cab  
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T0s7aw[zm  
Preface xvii s|rlpd4y  
CHAPTER 1 e `zEsLs@  
The Crystal Structure of Solids }1]/dCv  
1.0 Preview 1 )QE7$|s  
1.1 Semiconductor Materials 2 O=LS~&=,  
1.2 Types of Solids 3 hDJq:g wD  
1.3 Space Lattices 4 0l3v>ty  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 \s?OvqI:  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 : Q X~bq  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices Nv "R'Pps  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ATCFdtNc  
1.4 Atomic Bonding 15 @%&;V(  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ";}Lf1M9  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 dl;~-'0  
1.5.2 Impurities in Solids 18 F +PIZ%  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 (RG\U[  
1.6.1 Growth from a Melt 20 r \H+=2E'  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 qKt8sxg  
1.7 Device Fabrication Techniques: 0}Rxe  
Oxidation 23 n={} ='  
1.8 Summary 25 VTk6.5!8  
Problems 27 H+vONg  
CHAPTER 2 9 tkj:8_  
Theory of Solids 31 LSb3w/3M  
2.0 Preview 31 =BQM(mal  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 _H}y7  
2.1.1 Energy Quanta 32 T:o!H Xdj^  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 <q hNX$t  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 H .)}|  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 ]#R'hL%f  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 'c5#M,G~  
2.2.3 Periodic Table 40 Ze ~$by|9f  
2.3 Energy-Band Theory 41 L,!?'.*/]  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 -q' np0H  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 UfjLNe}wA  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 NCYN .@J  
2.3.4 Effective Mass 49 yLCqlK  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 2A|^6#XN'  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 #Z<pks2 y  
2,4 Density of States Function 55 \DBoe :0~  
2.5 Statistical Mechanics 57 {dvrj<?  
2.5.1 Statistical Laws 57 ^;+lsEW  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ~K%]9  
and the Fermi Energy 58 XRXKO>4q  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 =o\ :@I[  
2.6 Summary 64 !3U1HS-i62  
Problems 65 i@e.Uzn  
CHAPTER 3 Oh6_Bci  
The Semiconductor in Equilibrium 70 -v?,{?$0  
3.0 Preview 70 u/!U/|  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 S!.aBAW  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 nN>D=a"&F  
3.1.2 The no and Po Equations 74 $_ub.g|  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 z"o;|T:  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 |57KTiiNLI  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 :|`' \%zW-  
3.2.1 Qualitative Description 83 [W=%L:Ea  
3.2.2 Ionization Energy 86 wpu]{~Y  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 &b,.W; +  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 lMAmico  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ka{9{/dz3  
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关键词: 半导体器件
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