半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 $Cgl$A  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 LiG!xs  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 N F$k~r  

图片:daolun.jpg

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TdU'L:<4l  
Preface xvii 1+F0$<e}  
CHAPTER 1 %K`th&331  
The Crystal Structure of Solids OXxgnn>W'  
1.0 Preview 1 AZ9;6Df  
1.1 Semiconductor Materials 2 sH'IA~7  
1.2 Types of Solids 3 {xD\w^  
1.3 Space Lattices 4 |Q(3rcOrV"  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 sck.2-f"  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 3jqV/w[-  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices :@RX}rKG  
1.3.4 The Diamond Structure 13 D03QisH=  
1.4 Atomic Bonding 15 ]+k]Gbty6  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 'uW&ADp  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 z"D0Th`S6  
1.5.2 Impurities in Solids 18 2@6Qifxd@  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 u}">b+{!  
1.6.1 Growth from a Melt 20 b}3t8?wG&  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 xrZzfg  
1.7 Device Fabrication Techniques: *`_2uBz  
Oxidation 23 1)H;}%[  
1.8 Summary 25 )GKY#O09x9  
Problems 27 (Fj"<  
CHAPTER 2 v@d]*TG  
Theory of Solids 31 DC~1}|B"  
2.0 Preview 31 g5;Ig  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 vd[?73:C  
2.1.1 Energy Quanta 32 \>tx:;D3  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 Zg4kO;r08  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 1d!TU=*  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 1=_Qj}!1  
2.2.2 The One-Electron Atom 37
'si{6t|  
2.2.3 Periodic Table 40 oh7tE$"c  
2.3 Energy-Band Theory 41 =PjxMC._  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 
$q##Tys  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 X>i{288M3  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 ^x2@KMKXZ  
2.3.4 Effective Mass 49 25;(`Td5  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 AHU=`z  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 T7^?j :kJ/  
2,4 Density of States Function 55 Ri>ZupQ6  
2.5 Statistical Mechanics 57 9/=+2SZ  
2.5.1 Statistical Laws 57 as(Zb*PdH  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function aP]h03sS  
and the Fermi Energy 58 oS~;>]W  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 2AW*PDncxP  
2.6 Summary 64 ovZ!}  
Problems 65 {mB!mbr  
CHAPTER 3 ]QQeUxi  
The Semiconductor in Equilibrium 70 =&)R2pLs*  
3.0 Preview 70 }nptmc  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Z^J7r&\V  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 $WO{!R  
3.1.2 The no and Po Equations 74 !R![:T\,  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 n7|,b- <  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 dU2:H}  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 5z:#Bl
-,L  
3.2.1 Qualitative Description 83 TiR00#b  
3.2.2 Ionization Energy 86 F\jawoO9  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 f@k.4aS  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 D=S
jCmG  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 }D-jTZlC  
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