半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 qTB$`f'|$  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 `Bw9O%]-S  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 $v`afd y  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii 68iV/7  
CHAPTER 1 ]O` {dnP  
The Crystal Structure of Solids <X_!x_x  
1.0 Preview 1 m3^/:<  
1.1 Semiconductor Materials 2 ;c
-3g]  
1.2 Types of Solids 3 #Ch;0UvFF  
1.3 Space Lattices 4 '>k{tPi.  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 @f!AkzI  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ya -i^i\  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices K?4FT$9G  
1.3.4 The Diamond Structure 13 T%F0B`  
1.4 Atomic Bonding 15 &W6^6=E{g  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 O3N_\B:  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 ,SScf98,j  
1.5.2 Impurities in Solids 18 +y#T?!jQYj  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 I<=Df5M  
1.6.1 Growth from a Melt 20 m7%C#+67  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 f{lZKfrp  
1.7 Device Fabrication Techniques: *RR[H6B^]X  
Oxidation 23 [Qdq}FYr  
1.8 Summary 25 gr-x|wK  
Problems 27 @4!x>q$3  
CHAPTER 2 %@R~DBS  
Theory of Solids 31 >~\w+^2f8  
2.0 Preview 31 *zWWmxcJa  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 S:8OQI  
2.1.1 Energy Quanta 32 ]bgY6@M  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 Hwm?#6\5  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 L fl-!1  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 .1QgK  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 #)`A7 $/,  
2.2.3 Periodic Table 40 =/+#PVO  
2.3 Energy-Band Theory 41 Dz_eB"}  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 "%@uO)A /  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 =ZsGT  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 !7U\J]  
2.3.4 Effective Mass 49 N8!TZ~1$  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 gor<g))\  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 AaN"7.Z/  
2,4 Density of States Function 55 sl/)|~3!8  
2.5 Statistical Mechanics 57 ^+R:MBK  
2.5.1 Statistical Laws 57 l#@&~f[  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function QfQ\a%cc  
and the Fermi Energy 58 W3Ulewa  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 QMk+RM8U  
2.6 Summary 64 ACV ek  
Problems 65 D22Lu;E  
CHAPTER 3 (Btv ClZ  
The Semiconductor in Equilibrium 70 2 Y|D'^  
3.0 Preview 70 c-5jYwV  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 j1$
<]f  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 >]}yXg=QK+  
3.1.2 The no and Po Equations 74 MFg'YA2/  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 WwW^[k (X  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 *+8%kn`c  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 PM4>ThQ  
3.2.1 Qualitative Description 83 r(}nhUQ%E  
3.2.2 Ionization Energy 86 ^C9x.4I$)  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 .yVnw^gu  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 $`vkw(;t)1  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 B;-2$ 77  
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