半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3572
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 /Lj%A   
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 9j9Y Q2  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 {P,>Q4N  
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7O]J^H+7  
wbn^R'  
Preface xvii ZE{aS4c  
CHAPTER 1 ccIDMJ=2  
The Crystal Structure of Solids `4se7{'UK`  
1.0 Preview 1 eUi> Mp  
1.1 Semiconductor Materials 2 NU BpIx&  
1.2 Types of Solids 3 z&\Il#'\m+  
1.3 Space Lattices 4 nYo&x'  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 xn0s`I[  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 !k4 }v'=  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices (K!M*d+  
1.3.4 The Diamond Structure 13 n U+pnkMj  
1.4 Atomic Bonding 15 yIn/Y0No  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 &Xj{:s#  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 oUnq"]  
1.5.2 Impurities in Solids 18 kq-mr  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 ee4KMS  
1.6.1 Growth from a Melt 20 @2)t#~Wc4h  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 _Ac/ir[,:  
1.7 Device Fabrication Techniques: ubiQ8Bx  
Oxidation 23  zZS>+O  
1.8 Summary 25 FF5tPHB  
Problems 27 UwvGr h  
CHAPTER 2 <L[T'ZE+  
Theory of Solids 31 |_xZ/DT  
2.0 Preview 31 Gsx^j?  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 .aVHd<M  
2.1.1 Energy Quanta 32 fU\k?'x_  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 dm/-}  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 (,d4"C  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 3:l:~Vn  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 cKvAR5|  
2.2.3 Periodic Table 40 B]+7 JB  
2.3 Energy-Band Theory 41 [u!p-  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ]j%*"V  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 A52LH,  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 9&|12x$  
2.3.4 Effective Mass 49 [qO5~E`;  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 AQJ|^'%  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 ^=4I|+P,6.  
2,4 Density of States Function 55 yoq\9* ?u^  
2.5 Statistical Mechanics 57 u&?yPR  
2.5.1 Statistical Laws 57 !;xf>API  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function s= -WB0E  
and the Fermi Energy 58 LLXg  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 [="g|/M)  
2.6 Summary 64 op.PS{_t  
Problems 65 yH0yO*R Z  
CHAPTER 3 wI1M0@}PV  
The Semiconductor in Equilibrium 70 n',9#I(!L  
3.0 Preview 70 T2/v}  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 !>a&`j2:W  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 i4{ /  
3.1.2 The no and Po Equations 74 &"~,V6,q  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 =DmPPl{  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 /Gh x2B  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 EA%#/n  
3.2.1 Qualitative Description 83 6I5[^fv45G  
3.2.2 Ionization Energy 86 JWUv H  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 &kr_CP:;  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 [7SI<xkv  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 it/C y\f  
…… ';fU.uy  
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关键词: 半导体器件
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