半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3701
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 v4##(~Tu  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 H1j6.i}q  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 6')SJ*|yS  
rJQ|Oi&1i  
mS&\m#s<  
市场价:¥69.00 fX$4TPy(h  
优惠价:¥55.20 为您节省:13.80元 (80折) C(*@-N pf[  
-LK(C`gB  
o4'4H y  
Preface xvii S,9WMti4x  
CHAPTER 1 h:;eh  
The Crystal Structure of Solids 8Y~T$Yj^  
1.0 Preview 1 UVmyOC[Y{  
1.1 Semiconductor Materials 2 skx=w<YO6]  
1.2 Types of Solids 3 -XIvj'u  
1.3 Space Lattices 4 m:Cx~  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 :XZom+>2n  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ?[/,*Q%  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices A'-YwbY  
1.3.4 The Diamond Structure 13 UXB8sS*wQ?  
1.4 Atomic Bonding 15 5 ^J8<s@_  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 i{[H3p8  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 -t'oW*kdL  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ?F!J@Xn5  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 u,SZ-2K!7~  
1.6.1 Growth from a Melt 20 Ul0<Zxv  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 E^W*'D  
1.7 Device Fabrication Techniques: Yn2^nT=8  
Oxidation 23 j?hyN@ns  
1.8 Summary 25 #&KE_ n  
Problems 27 J3S+| x h~  
CHAPTER 2 &:f'{>3z  
Theory of Solids 31  /r@  
2.0 Preview 31 5nqdY*  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 +1fOW4!5  
2.1.1 Energy Quanta 32 vS__*} ^  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 k#NMD4(%O  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 g}r5ohqC#  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 .V:<w~=b  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 [y;ZbfMP|o  
2.2.3 Periodic Table 40 PH!B /D5G  
2.3 Energy-Band Theory 41 x)Kh _G  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 T\CQ  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 Awf = yE:  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 @_ ZW P  
2.3.4 Effective Mass 49 c;}n=7,>:L  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 B_jI!i{N%o  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 b=\3N3OX  
2,4 Density of States Function 55 :Zo2@8@7  
2.5 Statistical Mechanics 57 QnLg P7Ft  
2.5.1 Statistical Laws 57 &YP>" <  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function p&doQh  
and the Fermi Energy 58 O[B_7  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 I19F\ L`4  
2.6 Summary 64 Cs=i9.-A  
Problems 65 }mZ*f y0t  
CHAPTER 3 8>;o MM  
The Semiconductor in Equilibrium 70 _!1c.[ \T  
3.0 Preview 70 8Kkr1}!wd  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 D ,^ U%<`  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 pvxqeC9`  
3.1.2 The no and Po Equations 74 urjp&L&  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 g]JI}O*5  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 5z]KkPQ  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 )X$n'E  
3.2.1 Qualitative Description 83 `&7? +s  
3.2.2 Ionization Energy 86 qZ1PC>  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 Q_Sq  uuk  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 :u93yH6~8  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 c4W"CD;D  
…… PP|xIAc  
市场价:¥69.00 j'cCX[i  
优惠价:¥55.20 为您节省:13.80元 (80折) 8GQs9  
关键词: 半导体器件
分享到:

最新评论

我要发表 我要评论
限 50000 字节
关于我们
网站介绍
免责声明
加入我们
赞助我们
服务项目
稿件投递
广告投放
人才招聘
团购天下
帮助中心
新手入门
发帖回帖
充值VIP
其它功能
站内工具
清除Cookies
无图版
手机浏览
网站统计
交流方式
联系邮箱:广告合作 站务处理
微信公众号:opticsky 微信号:cyqdesign
新浪微博:光行天下OPTICSKY
QQ号:9652202
主办方:成都光行天下科技有限公司
Copyright © 2005-2025 光行天下 蜀ICP备06003254号-1