半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 >2NsBS(  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 Ii>#
9>!F  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 >L$9fn/J  

J!}R>mR  
m/`L3@7Tt  
市场价：¥69.00 OK2\2&G  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) ?F~0\T,7  
IEWl I  
Zt 1n
H  
Preface xvii |I3&a=,  
CHAPTER 1 ^BP4l_rO9  
The Crystal Structure of Solids ]PbwG  
1.0 Preview 1 3M>y.MS  
1.1 Semiconductor Materials 2 &?k`rF9  
1.2 Types of Solids 3 6` 3kNk;  
1.3 Space Lattices 4 `!ZkWF6  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 b(> G  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6  nWUau:%  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices u3sr
"w&  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ac8su0  
1.4 Atomic Bonding 15 +y][s{A  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 %m$t'?  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 sR| /s3;  
1.5.2 Impurities in Solids 18 :)Da^V  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 4 &0MB>m  
1.6.1 Growth from a Melt 20 )2r_EO@3HP  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 E cd~H+  
1.7 Device Fabrication Techniques: ,.&D{$1W  
Oxidation 23 n%s$!R-\  
1.8 Summary 25 NU[Wj uLG  
Problems 27 5"D\n B%  
CHAPTER 2 DXK\3vf Ot  
Theory of Solids 31 7*4i0{]  
2.0 Preview 31 8qT^=K $  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 1h`#H:  
2.1.1 Energy Quanta 32 8_3WCbe/  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 " pL5j  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 }RQ'aeVl(  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 xww\L &y  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 CC]q\%y-_  
2.2.3 Periodic Table 40 uFaT~ 4  
2.3 Energy-Band Theory 41 l!IN#|{(  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 P+,YWp  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 nDNK}O~'  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 >,f5 5  
2.3.4 Effective Mass 49 E%$[*jZ  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 <O{G&  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 cN)noGkp  
2,4 Density of States Function 55 ,;yaYF6|/  
2.5 Statistical Mechanics 57 %gTY7LIe1z  
2.5.1 Statistical Laws 57 RMAbu*D0  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function y <P1VES  
and the Fermi Energy 58 Q|Nw @7$`  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 TaZlfe5z  
2.6 Summary 64 I2?
g'tz  
Problems 65 Dj w#{WR  
CHAPTER 3 `[tYe<  
The Semiconductor in Equilibrium 70 o|V=3y Ok  
3.0 Preview 70 'A/f>W  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 T"E%;'(cp)  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 Ky{C;7X  
3.1.2 The no and Po Equations 74 ] .c$(.  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 yI's=Iu`  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 ?$b*)<  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 'he&h4fm  
3.2.1 Qualitative Description 83 kFi=^#J{  
3.2.2 Ionization Energy 86 ZMch2 U8  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 /-g%IeF  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 "=0JYh)%_  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 gn[h:+H
&  
…… wA6<BujD  
市场价：¥69.00 jDW$}^ 6  
优惠价：¥55.20 为您节省：13.80元 (80折) b>|d Q