《
半导体器件物理与
工艺》(第2版)分为三个部分:第1部分(第2、3章)描述半导体的基本特性和它的传导过程,尤其着重在硅和砷化镓两种最重要的丰导体
材料上。第l部分的概念将在《半导体器件物理与工艺》(第2版)接下来的部分被用到,了解这些概念需要现代物理和微积分的基本知识。第2部分(第4-9章)讨论所有土要半导体器件的物理过程和特性。由对大部分半导体器件而言最关键的p-n结开始,接下来讨论双极型和场效应器件。最后讨论微波、量子效应、热
电子和
光电子器件。第3部分(第10-14章)则介绍从
晶体生长到掺杂等工艺技术。我们介绍了制作器件时的各个主要步骤,包含理论和实际情况,并特别强调其在集成
电路土的压用。
|\XjA4j 《半导体器件物理与工艺》(第2版)介绍了现代半导体器件的物理
原理和先进的工艺技术.它可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材,也可以作为工程师和科学家们需要了解最新器件和技术发展的参考
资料、首先,第1章对土要半导体器件和关键技术的发展作一个简短的历史回顾。
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1AjsAi,7;2 +r2E5s VahR nD 第1章 简介
F,11 \j 1.1 半导体器件
?0DCjh8We 1.2 半导体工艺技术
e\%QHoi>u 总结
LCyci1\@ 参考史献
rf@/<Wu 第1部分 半导体物理
)>\J~{ 第2章 热平衡时的能带和载流于浓度
a_`E'BkgU 2.1 半导体捌料
~V`D@-VND 2.2 基本晶体
结构 --Dw 2.3 基本晶体生长技术
U^+9l?ol 2.4 共价健
C$"jZcm,I 2.5 能带
PJAE~|a 2.6 本征载流子浓度
h|!B;D 2.7 施主与受主
,au64sH 总结
]n _- 参考文献
(|'w$ 习题
YQ,IdWav 第3章 载流子输运现象
<^~Xnstl 3.1 载流子漂移
yD#w @yG 3.2 载流子扩散
$a15
8 3.3 产生与复合过程
j72cSRv 3.4 连续性方程斌
"2HRuqf 3.5 热电子发射过程
.x(&- 3.6 隧穿过程
htX'bA 3.7 强电场效应
>u*woNw(XM 总结
7@fd[ 参考文献
CV]PCq! 习题
Gxi;h=J2)> 第2部分 半导体器件
Y@9L8XNP> 第4章 p-n结
E;VB oN [ 4.1 基本工艺步骤
g"(N_sv? 4.2 热平衡状态
%b\xRt[0v7 4.3 耗尽区
+A~lPXAXW 4.4 耗尽层势垒电容
o4w+)hh 4.5 电流-电压特性
6|T{BOW!d 4.6 电荷储存与暂态响应
+GP"9S2%R 4.7 结击穿
F#X\}MvEU 4.8 异质结
By3dRiM=,2 总结
_q6+] 参考文献
@]3(l 习题
<Cg;l<$`b 第5章 双极型晶体管及相关器件
GVn9=[r 5.1 晶体管的工作原理
'3+S5p8 5.2 双极型晶体管的静态特性
aI8wy-3 I 5.1 双极型晶体管的频率响应与开关特性
)Bb :tz+ 5.4 异质结双极型晶体管
Y1`. 5.5 可控砟器件及相关功率器件
DOhXb 总结
ei\X/Z*q%P 参考文献
L'aMXNO 习题
:6HMb^4 第6章 M0SFET及相关器件
elKQge 6.1 MOS二极管
c}QQ8'_ 6.2 MOSFET基本原理
}ZVNDvGH 6.3 MOSFET按比例缩小
De>pIN;B> 6.4 CMOS与双极型CMoS(BiCMOS)
Q=^}B}G 6.5 绝缘层上MOSPET(SOI)
1+y&n? 6.6 MOS存储器结构
,ypxy/ 6.7 功率M05FET
tCc}}2bC& 总结
@Cz1rKU^l 参号文献
n0vPW^EQ 习题
*,'"\n 第7章 MEsFET及相关器件
jDXmre? 7.1 金属-半导体接触
g^0 7.2 金十场效应晶体管(MESFET)
e}K;5o=I 7.3 调制摻杂场效应晶体管
L {B#x@9tQ 总结
#(
kT 参考文献
( _nkscf 习题
.zegG=q 第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
kQ'G+Kw~F 8.1 基奉微波技术
PY>j?otD 8.2 隧道二极管
j<l>+.,
U 8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管
HH+rib'u ……
/OxF5bN2 第9章 光电器件
(qPZEZKx 第3部分 半导体工艺
8i:b~y0 第10章 晶体长生外延
"UAW 第11章
薄膜淀积
\[>Rt 第12章 图形曝光与刻蚀
}:jXl!:V 第13章 杂质掺杂
rzl2Oj"4 第14章 集成器件
*-P@|eg 附表
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