半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 I! h(`  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 L.C ^E7;Z_  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 `ir&]jh.A  

图片:daolun.jpg

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Preface xvii Q)x?B]b-  
CHAPTER 1 L*zbike  
The Crystal Structure of Solids <Vz<{W3t  
1.0 Preview 1 Ni+3b  
1.1 Semiconductor Materials 2 vVI6m{zYV  
1.2 Types of Solids 3 eq^TA1>T  
1.3 Space Lattices 4 >;&Gz-lm  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 bjPka{PBj  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 ,\BVV,  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices S304ncS|M  
1.3.4 The Diamond Structure 13 EKqi+T^=F  
1.4 Atomic Bonding 15 c u\ls^  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 W3^
zIj  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 v#RW{kI  
1.5.2 Impurities in Solids 18 z7-`Y9Ypd  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 FhWmO  
1.6.1 Growth from a Melt 20 R;H?gE^m-  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 r8IX/ ,  
1.7 Device Fabrication Techniques: M,crz  
Oxidation 23 ,VPbUo@  
1.8 Summary 25 \.c]kG>k-  
Problems 27 /nc~T3j  
CHAPTER 2 RS'} nY}  
Theory of Solids 31 |r5e{  
2.0 Preview 31 q\a[S*  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 o:_^gJ+|  
2.1.1 Energy Quanta 32 M(qxq(#{U  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 {I`B[,*  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 }c} ( 5  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 /@Ez" ?V2  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 +AB6lv  
2.2.3 Periodic Table 40 3@&bxYXm  
2.3 Energy-Band Theory 41 pss6Oz8  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ;_iPm?Y
8  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 ([Ebsj  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 9u?(^(.  
2.3.4 Effective Mass 49 4_tR9w"  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 1xz\=HOT  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 9ftN8Svw  
2,4 Density of States Function 55 _WKJ<dB<  
2.5 Statistical Mechanics 57 , 7Xqte  
2.5.1 Statistical Laws 57 Xq|nJ|h  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function (B&h;U$HAH  
and the Fermi Energy 58 UV4u.7y  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 prZ55MS.  
2.6 Summary 64 WE")xhV6  
Problems 65 ?L=A2C\_-  
CHAPTER 3 ^OF5F8Tf/  
The Semiconductor in Equilibrium 70 JX{KYU  
3.0 Preview 70 ,*dzJT$k  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 <{giHT  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 N=#4L
$@-  
3.1.2 The no and Po Equations 74 7$ d}!S  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Q!K`e)R  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 M`~!u/D7  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 $_)=8"Sn  
3.2.1 Qualitative Description 83 ,>u=gA&}  
3.2.2 Ionization Energy 86 ob'n{T+lZ  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 PRD_!VOW  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 3%^z?_  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 [h4o7  
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