半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3778
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 XMS:F]HN  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 oJD]h/fQs  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 /Pe xtj<  
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J&j5@  
Preface xvii c1E{J <pZ  
CHAPTER 1 Q~(Qh_Ff  
The Crystal Structure of Solids j1`<+YT<#  
1.0 Preview 1 ~qZ6I)?  
1.1 Semiconductor Materials 2 Pd+*syOM  
1.2 Types of Solids 3 w)|9iL8  
1.3 Space Lattices 4 R]yce2w"z  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 S(CkA\[rz  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 &jY| :Fe  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices Ye]K 74M.  
1.3.4 The Diamond Structure 13 |Ogh-<|<  
1.4 Atomic Bonding 15 6fw7\u  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 R +@|#!  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 `^#4okg]  
1.5.2 Impurities in Solids 18 l7uTk5  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 sSfP.R  
1.6.1 Growth from a Melt 20 D7nK"]HG;l  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 ^~N:lW#=  
1.7 Device Fabrication Techniques: c BqbbZyUk  
Oxidation 23 L{VnsY V  
1.8 Summary 25 vv&< 7[  
Problems 27  OLIMgc(W  
CHAPTER 2 -HGRrWS  
Theory of Solids 31 Ce-= -  
2.0 Preview 31 5eL b/,R  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 k9oi8G'g~  
2.1.1 Energy Quanta 32 0R? @JC  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 _IdW5G  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 #w%-IhP  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 KDb j C'3  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 *lA+ -gkK*  
2.2.3 Periodic Table 40 ##BbR  
2.3 Energy-Band Theory 41 qpFxl  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 3 1c*^ZE.  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 F?tWx+N<{  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 aV7VbC  
2.3.4 Effective Mass 49 }F0<8L6%  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 "f 89   
2.3.6 The k-Space Diagram 52 2~\SUGW-  
2,4 Density of States Function 55 Eoixw8hz  
2.5 Statistical Mechanics 57 )#z{P[X^  
2.5.1 Statistical Laws 57 X+sKG5nS  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function UapU:>!"`  
and the Fermi Energy 58 %y9sC1T  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 N@tKgx  
2.6 Summary 64 7omHorU+  
Problems 65 M.,DXEZT  
CHAPTER 3 a9;KS>~bq  
The Semiconductor in Equilibrium 70 5- GS@fY  
3.0 Preview 70 @Ol(:{<  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 ,vmn{gz  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 WPsfl8@D  
3.1.2 The no and Po Equations 74 vGlVr.)  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 YFS6YA  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 xi{ r-D8Z  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 ;8XRs?xyd  
3.2.1 Qualitative Description 83 +kd1q  
3.2.2 Ionization Energy 86 `1P|<VbZ  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 0sU*3r?  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Lhp&RGy  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 9s_^?q  
…… zMA;1Na  
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关键词: 半导体器件
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