半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:4176
《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 =Fr(9 (  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 2j[&=R/.  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 K]9"_UnN  
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市场价:¥69.00 oczN5YSt  
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Preface xvii 9*1,!%]  
CHAPTER 1 <>aw 1WM+  
The Crystal Structure of Solids fk x \=  
1.0 Preview 1 6gs01c,BA  
1.1 Semiconductor Materials 2 t>$kWd{9e;  
1.2 Types of Solids 3 y;o^- O  
1.3 Space Lattices 4 SrK)t.oK  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 iB& 4>+N+  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 5w@4:$=I  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices SV~~Q_U9  
1.3.4 The Diamond Structure 13 0PrLuejz  
1.4 Atomic Bonding 15 AQ[GO6$,%H  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 } =]M2}  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 tyqT  
1.5.2 Impurities in Solids 18 z\%Ls   
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 dKxyA"@  
1.6.1 Growth from a Melt 20 9uA>N  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 J:zU,IIJ  
1.7 Device Fabrication Techniques: ]n~ilS.rkl  
Oxidation 23 _zwG\I|Q  
1.8 Summary 25 %s(k_|G+4  
Problems 27  N#a$t&  
CHAPTER 2 YS*9t Q{  
Theory of Solids 31 vz7J-CH  
2.0 Preview 31 uW} s)j.  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 7M<'/s  
2.1.1 Energy Quanta 32 ZU%[guf  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 PU^l.  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 *=I}Qh(1  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 |='z{WS  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 c5D)   
2.2.3 Periodic Table 40 @8pp EFw  
2.3 Energy-Band Theory 41 W)f/0QX}W  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 r 0iK  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 S9~ +c  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 jGpN,/VQa  
2.3.4 Effective Mass 49 s pp f  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 I ,z3xU  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 xY^ %&n  
2,4 Density of States Function 55 9|gr0&#~j  
2.5 Statistical Mechanics 57 yU-e3O7L  
2.5.1 Statistical Laws 57 :6 Lx@  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 'DL`Ee\  
and the Fermi Energy 58 f>UXD  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 ^!<BQP7  
2.6 Summary 64 P>NF.B Cq  
Problems 65 a@UZb  
CHAPTER 3 SfaQvstN  
The Semiconductor in Equilibrium 70 n T{3o;A  
3.0 Preview 70 #x 177I\  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 sE Q=dcK  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 #\ X#w<\?  
3.1.2 The no and Po Equations 74 y+c|vdW%  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 4O)1uF;  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 pH"#8O&  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 K,:cJ  
3.2.1 Qualitative Description 83 5?3Me59  
3.2.2 Ionization Energy 86 q#,f 4P  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 H?&Mbw d  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 DkvF5c&  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 9NQlI1W z4  
…… \%f q  
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关键词: 半导体器件
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