半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3699
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。  Ol }5ry  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 |})s0TU  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 R xITMt  
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Preface xvii $?PI>9g!  
CHAPTER 1 DA "V)  
The Crystal Structure of Solids VAL? Z  
1.0 Preview 1 #AGO~#aK  
1.1 Semiconductor Materials 2 crIF5^3Yby  
1.2 Types of Solids 3 as:l1S   
1.3 Space Lattices 4 _s^tL2Pc  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 ~JL qh  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 )4ek!G]Rb  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices &gXL{cK'%  
1.3.4 The Diamond Structure 13 1 7~Pc  
1.4 Atomic Bonding 15 Z?o0Q\ }1  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Qf=^C Q=lV  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 yQrgOdo,w  
1.5.2 Impurities in Solids 18 Z2]0brV  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 FFw(`[A_  
1.6.1 Growth from a Melt 20 .:j{d}p}  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 XS&Pc  
1.7 Device Fabrication Techniques: 8UjIC4'  
Oxidation 23 w PR Ns9^  
1.8 Summary 25 \XB,)XDB  
Problems 27 A5Jadz~  
CHAPTER 2 Y5GN7.  
Theory of Solids 31 }'P|A  
2.0 Preview 31 ^s6~*n<fH  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 lu{ *]!  
2.1.1 Energy Quanta 32 :5~Dca_iU4  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 { }/  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 )jL@GW  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 g4WmUV#wp  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 aftt^h  
2.2.3 Periodic Table 40 ,5c7jZ5H  
2.3 Energy-Band Theory 41 SdlO]y9E  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 yT/rH- j;5  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 EcHZ mf  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 rd->@s|4mT  
2.3.4 Effective Mass 49 KJT N"hF   
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 M]5l-i$  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 (>0`e8v!  
2,4 Density of States Function 55 wetu.aMp  
2.5 Statistical Mechanics 57 7RUztu\_  
2.5.1 Statistical Laws 57 oqwW  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function U[pHT _U  
and the Fermi Energy 58 GcRH$,<XG  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 WDY\Fj   
2.6 Summary 64 Bdh*[S\u@E  
Problems 65 6E) T;R(@  
CHAPTER 3 _]*[TGap  
The Semiconductor in Equilibrium 70 %t&Lq }e  
3.0 Preview 70 `S((F|Ty=;  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 9q?knMt  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 qOG@MR(5  
3.1.2 The no and Po Equations 74 AIOGa<^  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 |iJz[%  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 RgoF4g+@  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 i}LQ}35@  
3.2.1 Qualitative Description 83 <T7@,_T  
3.2.2 Ionization Energy 86 h:Gs9]Lvtv  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ',hoe  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 -!+i ^r  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ,zZH>P  
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关键词: 半导体器件
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