半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:4063
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 hTmJ ~m'J  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 +wQ}ZP&  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 hMUUnr"8;i  
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Preface xvii >y(loMl  
CHAPTER 1 IM5[O}aq  
The Crystal Structure of Solids i ^2A:6}?  
1.0 Preview 1 Wh~,?}laj  
1.1 Semiconductor Materials 2 &0fV;%N  
1.2 Types of Solids 3 XODp[+xEEt  
1.3 Space Lattices 4 PsD)]V9%:  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 uZ'Z-!=CL  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 g,W34*7=Q  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices 5HE5$S  
1.3.4 The Diamond Structure 13 .rnT'""i<5  
1.4 Atomic Bonding 15 gsl_aW!  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 Ajo IL  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 lNl.lI\t)y  
1.5.2 Impurities in Solids 18 #kA?*i[T  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 DiTpjk ]c`  
1.6.1 Growth from a Melt 20 pZ3sp!  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 md!!$+a%|  
1.7 Device Fabrication Techniques: 9Oo`4  
Oxidation 23 sLXM$SMBh  
1.8 Summary 25 zmL VFGnS  
Problems 27 d 2^/  
CHAPTER 2 '>n&3`r5  
Theory of Solids 31 1eEML"  
2.0 Preview 31 OE Xa}K#  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 A1`6+8}o;b  
2.1.1 Energy Quanta 32 ;Krb/qr4_  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 r/"^{0;F{W  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 V{w &RJ  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 c2fSpvz  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 AO|1m$xf  
2.2.3 Periodic Table 40 -KH"2q  
2.3 Energy-Band Theory 41 c 3o3i  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ,^Q~w b!{  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 V\opC6*L_e  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 !H{>c@i  
2.3.4 Effective Mass 49 5MKM;6cA&p  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 `'k2gq&  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 PAtv#)h  
2,4 Density of States Function 55 `h'=F(v(}  
2.5 Statistical Mechanics 57 cAot+N+9|]  
2.5.1 Statistical Laws 57 Vsw:&$  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function 2N]8@a  
and the Fermi Energy 58 :N"&o(^  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 '}B"071)<  
2.6 Summary 64 MI^$df  
Problems 65 b-#lKW so  
CHAPTER 3 yXv@yn  
The Semiconductor in Equilibrium 70 w/rJj*  
3.0 Preview 70 $Bl51Vj N  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 \=mLL|a  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 vw(ecs^C  
3.1.2 The no and Po Equations 74 +G[zE  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 u%E8&T8,  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 (C"q-0?n  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 CSq|R-@< U  
3.2.1 Qualitative Description 83 QjG/H0*mP  
3.2.2 Ionization Energy 86 F4WX$;1  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 JtxVF !v  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 Dq$1 j%4Y  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 LL)t)  
…… ",Vx.LV  
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关键词: 半导体器件
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