半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 q+{-p?;;  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 R v9?<]  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 5/Ng!bW  
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Preface xvii 9&A-o  
CHAPTER 1 Xj^6ZJc  
The Crystal Structure of Solids h<.G^c)  
1.0 Preview 1 #&.&Uu$  
1.1 Semiconductor Materials 2 'Y+AU#1~H  
1.2 Types of Solids 3 Wh%qvV6]  
1.3 Space Lattices 4 y D.S"  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 v{ .-x\;  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 09"C&X~  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices R@``MC0  
1.3.4 The Diamond Structure 13 /)SwQgK#  
1.4 Atomic Bonding 15 B&0^3iKFi  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 ?H7*?HV  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 rE"`q1b#  
1.5.2 Impurities in Solids 18 p(MhDS\J  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 C #ng`7 q  
1.6.1 Growth from a Melt 20 E|D~:M%~  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 2 [a#wz'  
1.7 Device Fabrication Techniques: aG?ko*A
;  
Oxidation 23 ;$@7iL  
1.8 Summary 25 QP|Ou*Qm)  
Problems 27 chsjY]b  
CHAPTER 2 irCS}Dbw  
Theory of Solids 31 v'B++-%  
2.0 Preview 31 DO(-)izC  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 3%m2$\  
2.1.1 Energy Quanta 32 s+>""yi
 
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34
L)VEA8}  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 zpr`  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 k oo`JHC  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 U9IP`)z_5t  
2.2.3 Periodic Table 40 qUSImgg  
2.3 Energy-Band Theory 41 In|:6YDL&  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 $rDeI-)S  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 _3h(R`VdWO  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 o)'T#uK  
2.3.4 Effective Mass 49 K1Nhz'^=D  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 i]*Wt8~!  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 JxI}#iA  
2,4 Density of States Function 55 Rd;k>e  
2.5 Statistical Mechanics 57 DF'-dh</*  
2.5.1 Statistical Laws 57 Eom|*2vWIC  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function Lm\N`  
and the Fermi Energy 58 F"j0;}+N  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 s S8Z5k;  
2.6 Summary 64 e0"R7a  
Problems 65 bC?uyo"  
CHAPTER 3 7f#
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The Semiconductor in Equilibrium 70 _*6nTSL  
3.0 Preview 70 h@FDP#H  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 =?T\zLN=  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 vrdlI^  
3.1.2 The no and Po Equations 74 .&.j?kb  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 DDn@M|*$  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 KDgJ~T  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 /j./  
3.2.1 Qualitative Description 83 Gvv~P3Dm  
3.2.2 Ionization Energy 86 Rj9z'?a9  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 ex7zg!  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 M*BDrM  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 X>EwJ"q#  
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