半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3571
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 ) 1BiEK`v  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 hC|KH}aCR)  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 o>$|SU!a  
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1 O- E],  
sMN>wbHwh[  
Preface xvii Y"s )u7  
CHAPTER 1 &:C{/QnA  
The Crystal Structure of Solids B[Ix?V4yy  
1.0 Preview 1 M@5KoMsB9  
1.1 Semiconductor Materials 2 Yo@m50s$  
1.2 Types of Solids 3 3[iSF5%V*p  
1.3 Space Lattices 4 )fy <P;g  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 Y+OYoI  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 B>ge, }{  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices a$laRtId7  
1.3.4 The Diamond Structure 13 e%'z=%(  
1.4 Atomic Bonding 15 $]Rl__;  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 L;4[ k;5  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 tu7+LwF7  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ?L8&(&1@VD  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 $:PF9pY(  
1.6.1 Growth from a Melt 20 A4}JZi6@  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 DXt]b,  
1.7 Device Fabrication Techniques: Rd .U;>  
Oxidation 23 D l4d'&!  
1.8 Summary 25 3^j~~ "2,w  
Problems 27 8H&_,;  
CHAPTER 2 ]VzqQ=U%  
Theory of Solids 31 ,^n-L&  
2.0 Preview 31 g"TPII$  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 `WP@ZSC6  
2.1.1 Energy Quanta 32 %_]=i@Y~  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 g?w2J6Z.`J  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 #>MO]  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 iLjuE)6-$  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 RI#lI~&)  
2.2.3 Periodic Table 40 7W6eiUI'  
2.3 Energy-Band Theory 41 DxE^#=7iH;  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 )[e%wPu4e  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 %"1` NT  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 E_ o{c5N  
2.3.4 Effective Mass 49 jc${.?m  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 =}B4I  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 N |OMj%Uk  
2,4 Density of States Function 55 ~ >&I^4  
2.5 Statistical Mechanics 57 ({D}QEP  
2.5.1 Statistical Laws 57 iSSc5ek4  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function .Z(S4wV  
and the Fermi Energy 58 {m?K2]](  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 I}6DoLbV  
2.6 Summary 64 Bf D,z  
Problems 65 /}h71V!  
CHAPTER 3 NqQM! B]  
The Semiconductor in Equilibrium 70 2N8rM}?90  
3.0 Preview 70 c n\k`8  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 x.0k%H  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 %igFHh?  
3.1.2 The no and Po Equations 74 N/`TrWVF  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Q0 uP8I}n  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 TnbGO;  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 H<rnJ  
3.2.1 Qualitative Description 83 o(Ua",|  
3.2.2 Ionization Energy 86 -13P 2<i+  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 +cPE4(d  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 }}4 sh5z  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 8o8b'tW^  
…… (>!]A6^L~  
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关键词: 半导体器件
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