半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

《半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点：(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述，都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体，得出的结论不仅对理解物理概念十分重要，而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图，帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强，便于自学。全书脉络清楚，说理透彻，易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言，告诉读者可以从本章学到什么，应该掌握什么；每一章中都有例题和读者自测题；每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 :g^ mg-8  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices，3rd edition”一书的改进版本。 1KBGML-K3  
与原书相比，《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版)，学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础，用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论，从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 \4C[<Gbx$(  
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Preface xvii af9KtX+  
CHAPTER 1 lI.oyR'  
The Crystal Structure of Solids |5X[/Q*K`W  
1.0 Preview 1 c-n/E. E  
1.1 Semiconductor Materials 2 j0a=v}j3  
1.2 Types of Solids 3 %b4tyX:N0  
1.3 Space Lattices 4 FU>KiBV#  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 BzO,(bd!PI  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 /wt7KL-I  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices fmc\Li  
1.3.4 The Diamond Structure 13 ^m&P0  
1.4 Atomic Bonding 15 8UqH"^9.Q7  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17  [)~1Lu  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 ?h%Jb^#9  
1.5.2 Impurities in Solids 18 Q9xb7)G  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 "d0=uHd5\  
1.6.1 Growth from a Melt 20 '=#fELMW  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 =y)K er  
1.7 Device Fabrication Techniques: IOdxMzF`m  
Oxidation 23 n_9Ex&?e  
1.8 Summary 25 QKlsBq  
Problems 27 [0]A-#J  
CHAPTER 2 `&OX|mL^w  
Theory of Solids 31 !Hl]&  
2.0 Preview 31 [w|Klq5  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 _ezRE"F5  
2.1.1 Energy Quanta 32 $/;K<*O$  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 _N^w5EBC]  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 LbRQjwc]W  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 :Q]"dbY^  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 %!(C?k!\  
2.2.3 Periodic Table 40 ljOY;WV3  
2.3 Energy-Band Theory 41 fi`\e W  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 5rdB>8W  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 z8JW iRn  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 =r7!QXPH}  
2.3.4 Effective Mass 49 /w(g:e  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 Jcm
Jq fR  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 X~D[CwA|`  
2,4 Density of States Function 55 |l+5E   
2.5 Statistical Mechanics 57 seBmhe5qR  
2.5.1 Statistical Laws 57 2bG3&G  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function =&$z Nc4h  
and the Fermi Energy 58 4_U
"M@  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 /:(A9b-B  
2.6 Summary 64 7H< IO`  
Problems 65 !
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CHAPTER 3 'o#oRK{#  
The Semiconductor in Equilibrium 70 5:f!EMb  
3.0 Preview 70  ID,_0b  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 6WGg_x?3  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 C)EP;5k'!\  
3.1.2 The no and Po Equations 74 V@#oQi*  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 Hcu!bOQ  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 !W@mW 5J|  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 ~h;   
3.2.1 Qualitative Description 83 -kMw[Y  
3.2.2 Ionization Energy 86 >WDHRC  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 2(@2z[eKr  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 uMZ~[Sz  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 ~a`[p
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