半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3756
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 =CqLZ$10  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 bo@1c0  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 4QDF%#~q^  
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Z&}94  
sjzZl*GSy  
Preface xvii 8ztY_"]3p  
CHAPTER 1 U1&m-K  
The Crystal Structure of Solids q&P"  
1.0 Preview 1 zfxxPL'  
1.1 Semiconductor Materials 2 vwT?Bp  
1.2 Types of Solids 3 D%BV83S   
1.3 Space Lattices 4 g4~{#P^i  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 -aec1+o  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 +i K.+B  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices Z?^AX&F  
1.3.4 The Diamond Structure 13 UDxfS4yI  
1.4 Atomic Bonding 15 2p'qp/  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17  /h   
1.5.1 Imperfections in Solids 17 XfY]qQP  
1.5.2 Impurities in Solids 18 ]i{-@Ven  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 $osDw1C  
1.6.1 Growth from a Melt 20 *VL-b8'A<  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 b ~F8 5U2  
1.7 Device Fabrication Techniques: -o=qYkyLK  
Oxidation 23 :@n e29,}  
1.8 Summary 25 =NlAGzv!w  
Problems 27 X\flx~  
CHAPTER 2 2.2 s>?\  
Theory of Solids 31 GV%ibqOpQj  
2.0 Preview 31 hL&z"_`  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 7MBz&wE^f  
2.1.1 Energy Quanta 32 U${dWxC  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 1k;X*r#  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 t&-7AjS5  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 SVeL c  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 QhN5t/Hr  
2.2.3 Periodic Table 40 C/lp Se  
2.3 Energy-Band Theory 41 ek3/`]V:  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 r1t  TY?  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 ?n[+0a:8E  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 6&h,eQ!  
2.3.4 Effective Mass 49 ky[FNgQ3n  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 hXZk$a'  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 >a]{q^0  
2,4 Density of States Function 55 <sn^>5Ds  
2.5 Statistical Mechanics 57 +jQW6k#  
2.5.1 Statistical Laws 57 l? 7D0  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function o_jVtEP  
and the Fermi Energy 58 .hn "NXy  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 z,$^|'pP  
2.6 Summary 64 $1/yc#w u  
Problems 65 h\:"k_u#  
CHAPTER 3 {QJJw}!#  
The Semiconductor in Equilibrium 70 1[mX_ }K  
3.0 Preview 70 ~ M@8O  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 Z+FJ cvYx  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 yA =#Ji  
3.1.2 The no and Po Equations 74 F d *p3a  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 /_>S0  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 a$"3T  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 ,D;d#fJ  
3.2.1 Qualitative Description 83 @ 2Z{en?  
3.2.2 Ionization Energy 86 8,=,'gFO  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 -PoW56  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 ~xkcQ{  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 r ",..{  
…… D8G5,s-.  
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关键词: 半导体器件
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