半导体器件导论,影印版,作者:(美)尼曼

发布:cyqdesign 2010-01-31 21:48 阅读:3692
半导体器件导论》(影印版)还尽量保持了原书的主要优点:(1)注重基本概念和方法。《半导体器件导论》(影印版)从内容的整体编排到具体章节的叙述,都体现了突出物理概念、强调基本分析方法的指导思想。书中的数学推导和物理分析融为一体,得出的结论不仅对理解物理概念十分重要,而且经得起反复推敲。书中还采用了大量非常清晰的插图,帮助读者更好地理解基本概念。(2)可读性强,便于自学。全书脉络清楚,说理透彻,易于读者理解和掌握。每一章的开头都有引言,告诉读者可以从本章学到什么,应该掌握什么;每一章中都有例题和读者自测题;每一章的最后还有总结、复习提纲和大量习题(其中包含一些采用计算机进行模拟计算的练习题)。通过举例和练习加深读者对基本概念的理解是《半导体器件导论》(影印版)突出的特点。 IL_d:HF|1  
《半导体器件导论》(影印版)是美国新墨西哥大学电机与计算机工程系Neamen教授所著的“SereicorlductorPhysics and Devices,3rd edition”一书的改进版本。 (5Sivw*mP  
与原书相比,《半导体器件导论》(影印版)更好地将固体晶格结构、量子力学入门知识、固体的量子理论以及半导体物理和半导体器件有机地结合在一起。利用《半导体器件导论》(影印版),学生只需要具有高等数学和大学普通物理的基础,用一个学期就可以系统地学习到半导体器件的基本理论,从而为进入微电子学研究领域打下一个良好的基础。这一特点也是目前国内出版的同类教材很难达到的。 }$\M{# C~  
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Preface xvii qT/Do?Y  
CHAPTER 1 ]m#5`zGK1|  
The Crystal Structure of Solids -TZ p FT"  
1.0 Preview 1 2Dd|~{%  
1.1 Semiconductor Materials 2 *UW=Mdt  
1.2 Types of Solids 3 Ix|~f1*%  
1.3 Space Lattices 4 8J)xzp`*)  
1.3.1 Primitive and Unit Cell 4 \Ofw8=N-2  
1.3.2 Basic Crystal Structures 6 @/&b;s73  
1.3.3 Crystal Planes and Miller Indices % },Pe  
1.3.4 The Diamond Structure 13 }CxvT`/  
1.4 Atomic Bonding 15 ?RzDQy D  
1.5 Imperfections and Impurities in Solids 17 )+H[kiN  
1.5.1 Imperfections in Solids 17 i!~'M;S  
1.5.2 Impurities in Solids 18 TPE:e)GO  
1.6 Growth of Semiconductor Materials 19 z>R#H/h+  
1.6.1 Growth from a Melt 20 _W3Y\cs,-  
1.6.2 Epitaxial Growth 22 g=T/_  
1.7 Device Fabrication Techniques: 2 3KyCV5  
Oxidation 23 V3mAvmx  
1.8 Summary 25 iBudmT8  
Problems 27 1 qi@uYDug  
CHAPTER 2 *4|Hqa  
Theory of Solids 31 MlW 8t[  
2.0 Preview 31 KS*oxZ  
2.1 Principles of Quantum Mechanics 32 oR p:B &  
2.1.1 Energy Quanta 32 gh6d&ucQ^  
2.1.2 Wave-Particle Duality Principle 34 k'_ P 7  
2.2 Energy Quantization and Probability Concepts 36 8j1ekv  
2.2.1 Physical Meaning of the Wave Function 36 iK{T^vvk  
2.2.2 The One-Electron Atom 37 }`yiT<z  
2.2.3 Periodic Table 40 Y\v-,xPm  
2.3 Energy-Band Theory 41 ;W:6{9m ze  
2.3.1 Formation of Energy Bands 41 ^Y{D^\} ,  
2.3.2 The Energy Band and the Bond Model 45 #0;HOeIiH  
2.3.3 Charge Carriers——Electrons and Holes 47 zX{.^|  
2.3.4 Effective Mass 49 ESb ]}c:  
2.3.5 Metals, Insulators, and Semiconductors 50 $j)hNWI  
2.3.6 The k-Space Diagram 52 s=Q(C[%I  
2,4 Density of States Function 55 @ \2#Dpr  
2.5 Statistical Mechanics 57 irTv4ZE'+l  
2.5.1 Statistical Laws 57 M`D$!BJr  
2.5.2 The Fermi-Dirac Distribution Function ^6p'YYj"5  
and the Fermi Energy 58 Tp<k<uKD  
2.5.3 Maxwell-Boltzmann Approximation 62 3z;_KmM  
2.6 Summary 64 @U -$dw'4  
Problems 65 s~26  
CHAPTER 3 p4VSm a_(  
The Semiconductor in Equilibrium 70 ~YCuO0t  
3.0 Preview 70 N_75-S7Cm  
3.1 Charge Carriers in Semiconductors 71 >NV=LOO  
3.1.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 72 ) gR=<oa  
3.1.2 The no and Po Equations 74 z (c9,3  
3.1.3 The Intrinsic Carrier Concentration 79 si(;y](  
3.1.4 The Intrinsic Fermi-Level Position 82 )R{UXk3q}  
3.2 Dopant Atoms and Energy Levels 83 4 c'4*`I  
3.2.1 Qualitative Description 83 7.bN99{xPM  
3.2.2 Ionization Energy 86 *@ED}Mj+  
3.2.3 Group III-V Semiconductors 88 U\+&cob.  
3.3 Carrier Distributions in the Extrinsic Semiconductor 89 6gOe!m m  
3.3.1 Equilibrium Distribution of Electrons and Holes 89 oN(-rWdhZ  
…… ED} 31L  
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关键词: 半导体器件
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