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半导体激光器的设计和工艺 y^9bfMA 黄永箴 }|AX_=a 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 |B
9t- 集成光电子国家重点实验室 Ny[QT*nV ]n~yp5Nbr 一. 半导体 激光器的基本结构 $6 W3EOl 1.半导体双异质结构 5n:nZ_D 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) uG4$2 3. 侧模控制(基侧模) bk.*k~_ 4.横模控制 |4=ihB9+ 5. 动态单模半导体激光器 SK?I. 6. 波长可调谐半导体激光器 Z?-;.G* 7.长波长VCSEL的进展 Bu&So|@TL 8.微腔激光器和光子 晶体 Umij!=GPG^ 9.半导体激光器材料的选择 ?qy*s3j'M Qr<AV: 二.半导体光波导 V)=Z6 ti 1. 平板波导的模式,TE和TM模 Qy/uB$q{A 2. 光限制因子和模式增益 L,#^&9bHa# 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 lBS"3s384 4. 半导体激光器镜面反射系数 46ILs1T6 5. DFB激光器的藕合模理论 VDG|>#[! 6. DFB半导体激光器的一维模拟 3eWJt\}?B 7. 等效折射率近似 lHcA j{6 8. 数值模拟 su}&".e^ f#1/}Hq/I 三.半导体中的光跃迁和增益 To pHE 1. 费米分布函数及跃迁速率 V- /YNRV 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 DjY8nePyE 3.简约态密度及增益谱 ,}KwP*:Z 4.模式的自发辐射速率 I,]J=xi 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 7"#f!.E 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 -'j7SOGk 7.增益谱峰值的近似表达式 @`6}`k ubi~% 四. 速率方程和动态效应 +N7"EROc 1.单模速率方程及基本物理量 >:A<"wZ 2.稳态输出 r5[4h'f 3. 共振频率和3dB带宽 w=|py>% 4. 载流子输运效应对带宽影响 *<7l!# 5. 开启延迟时间 =x1Wii$` 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 @cPflb 7. 自发辐射引起的噪声 7 I@";d8~ 8. 相对强度噪声 !W~QT} 9. 模式线宽 0t+])> 10. 多模速率方程
f\ 'T_ ~}K{e 五.半导体激光器的基本工艺和特性 _H8*ReFG 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 S!`:E 3.激光器寿命 )(lJT&e 4.激光器阈值电流的温度特性 1\y@E _W}(!TKO 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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