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半导体激光器的设计和工艺 tX`[6`  
黄永箴 ,B/p1^;.  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 BC0c c[x  
集成光电子国家重点实验室 #SLxNAH  
q9]^+8UP  
一. 半导体激光器的基本结构 :Kc0ak)<n  
1.半导体双异质结构 ]OCJ~Zw  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) +]~w ?^h  
3. 侧模控制(基侧模) A(@gv8e[H^  
4.横模控制 oJ;O>J@c  
5. 动态单模半导体激光器 kI[O{<kQ  
6. 波长可调谐半导体激光器 }.|5S+J?[  
7.长波长VCSEL的进展 V]PhXVJ  
8.微腔激光器和光子晶体 L)nVpqm   
9.半导体激光器材料的选择 V1fvQ=9  
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二.半导体光波导 sq6%=(q(?  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 R&|)y:bg|  
2. 光限制因子和模式增益 AL$Ty  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 mP .&fS  
4. 半导体激光器镜面反射系数 kpreTeA]  
5. DFB激光器的藕合模理论 ;>8TNB e!  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ,m'#>d&zO  
7. 等效折射率近似 R{Kd%Y:2Y  
8. 数值模拟 /zP)2q^  
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三.半导体中的光跃迁和增益 w wRT$-!  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ;gu>;_  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 }GNH)-AG)$  
3.简约态密度及增益谱 jl0Eg  
4.模式的自发辐射速率 _(kwD^x6O{  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 A%8`zR  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 OVo  
7.增益谱峰值的近似表达式 C05{,w?  
y<x_v )k-  
四. 速率方程和动态效应 e2o9)=y  
1．单模速率方程及基本物理量 Cy> +j{%!  
2．稳态输出 }/}`onRZ  
3. 共振频率和3dB带宽 KA{DN!  
4. 载流子输运效应对带宽影响 .VEfd4+ni{  
5. 开启延迟时间
IV#My9}e  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 >W]"a3E  
7. 自发辐射引起的噪声 Tvw2py q  
8. 相对强度噪声 Ty|c@X  
9. 模式线宽 c&?H8G)x  
10. 多模速率方程 .lj!~_  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 `lh?Z3W  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 >Pd23TsN  
3.激光器寿命 [)6E)E`_e  
4.激光器阈值电流的温度特性 bme#G
{[)Y  
eKti+n.  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。