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半导体激光器的设计和工艺 0gNwC~IA8 黄永箴 xLht6%o* 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 |a@$KF$ 集成光电子国家重点实验室 #;. tVo I w
<zO 一. 半导体 激光器的基本结构 xR5jy|2JJ 1.半导体双异质结构 2^ 'X 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) M7vc/E}]n 3. 侧模控制(基侧模) KA:>7- 4.横模控制 :CEhc7gU 5. 动态单模半导体激光器 ;p~@*c'E 6. 波长可调谐半导体激光器 T
xRa&1 7.长波长VCSEL的进展 |6LC>' 8.微腔激光器和光子 晶体 $^R[t; 9.半导体激光器材料的选择 IQ$l!) @]lKQZ^2& 二.半导体光波导 FY"!%)TV 1. 平板波导的模式,TE和TM模 b;\qF&T 2. 光限制因子和模式增益 >O[# 661 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 <Q)6N!Tp^ 4. 半导体激光器镜面反射系数 =!3G ,qV 5. DFB激光器的藕合模理论 e#`wshtN: 6. DFB半导体激光器的一维模拟 ~ar8e 7. 等效折射率近似 L+Q"z*W 8. 数值模拟 jYKs| J)[ btb-MSkO 三.半导体中的光跃迁和增益 +) 2c\1 1. 费米分布函数及跃迁速率 ^! ^8]u<Q 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 +s&+G![ 3.简约态密度及增益谱 (1\!6 4.模式的自发辐射速率 j6Acd~y\2 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 c0ET] 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ,vP9oY[n 7.增益谱峰值的近似表达式 ) ^PY-~o[ Vf6lu)Zc1 四. 速率方程和动态效应 drTX 1.单模速率方程及基本物理量 ,c_[`q\ 2.稳态输出 DV +DJcF 3. 共振频率和3dB带宽 OI B~W 4. 载流子输运效应对带宽影响 |;{^Mci% 5. 开启延迟时间 b8)>:F 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 reLYtv 7. 自发辐射引起的噪声 0+IJ, ;Wx 8. 相对强度噪声 ZQND^a: 9. 模式线宽 e#L/ 10. 多模速率方程 ~$w-I\Q! l<)(iU 五.半导体激光器的基本工艺和特性 l i}4d+ 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 S:{hgi,T* 3.激光器寿命 #
4`*`)% 4.激光器阈值电流的温度特性 zllY$V&<! ~=(?Z2UDA_ 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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