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半导体激光器的设计和工艺 kJ__:rS(T_  
黄永箴 ?y46o2b*)  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ]Ly8s#<g]N  
集成光电子国家重点实验室 ~ttKI4  
vU{jda$$#  
一. 半导体激光器的基本结构 ]xYayN!n  
1.半导体双异质结构 xRB7lV*  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 1EuK,:x  
3. 侧模控制(基侧模) e lay =%)  
4.横模控制 W.p66IQwL&  
5. 动态单模半导体激光器 lU&Q^Zj`  
6. 波长可调谐半导体激光器 ve~C`2=;  
7.长波长VCSEL的进展 (Wn "3 ]  
8.微腔激光器和光子晶体 ?jFc@t*\:  
9.半导体激光器材料的选择 W}?s^  
)lOji7&e  
二.半导体光波导 k0knPDbHv  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ^7<[}u;qF  
2. 光限制因子和模式增益 !YIb  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Stt* 1gT  
4. 半导体激光器镜面反射系数 )6g&v'dq  
5. DFB激光器的藕合模理论 ff[
C'  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 m3B\)2B  
7. 等效折射率近似 9[Y*k^.!  
8. 数值模拟 [m %W:Ez  
,;c{9H  
三.半导体中的光跃迁和增益 (c<f<D|  
1. 费米分布函数及跃迁速率 T*8_FR<  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 &62`Wr0C  
3.简约态密度及增益谱 [C2kK *JZ  
4.模式的自发辐射速率 7Y)s#FJ  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 {vjqy&?y  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 UFos E|r:  
7.增益谱峰值的近似表达式 \k4M{h6  
!}y8S'Yjw  
四. 速率方程和动态效应 K/~Y!?:Jr  
1．单模速率方程及基本物理量 We|-5  
2．稳态输出 -;f+; M  
3. 共振频率和3dB带宽 A=W5W5l(>  
4. 载流子输运效应对带宽影响 b6]e4DL:R  
5. 开启延迟时间 @|Z*f\  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 SK}HXG{?  
7. 自发辐射引起的噪声 3JTU^-S<  
8. 相对强度噪声 S7Qen6lm  
9. 模式线宽 UUD\bWfn  
10. 多模速率方程 q;KshpfRMD  
2}597Hb   
五.半导体激光器的基本工艺和特性  K
zIt  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 o%$<LaQG5  
3.激光器寿命 FW/)uf3I  
4.激光器阈值电流的温度特性 |b,zw^!e['  
MwN1]d|6  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。