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半导体激光器的设计和工艺 K|!)<6ZsG7  
黄永箴 J#nEGl|a  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 N|d@B{a(  
集成光电子国家重点实验室 `;hBO#(H0}  
bsVOO9.4-  
一. 半导体激光器的基本结构 --D`YmB  
1.半导体双异质结构 rbWFq|(_  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ;^]F~x}  
3. 侧模控制(基侧模) u^9,u/gj  
4.横模控制 yV`vu/3K  
5. 动态单模半导体激光器 *()#*0  
6. 波长可调谐半导体激光器 W5 }zJ)x  
7.长波长VCSEL的进展 g9.hR8X  
8.微腔激光器和光子晶体 O#k+.LU  
9.半导体激光器材料的选择 sk/Mh8z  
xbIA97g-O,  
二.半导体光波导 o)DKP>IM#  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 X} 8U-N6)  
2. 光限制因子和模式增益 fW`F^G1R  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 RUO
6Co-  
4. 半导体激光器镜面反射系数 'ZZ/:MvQa  
5. DFB激光器的藕合模理论 PVQ%y  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 =#Jb9=zdR  
7. 等效折射率近似 .d,Zx  
8. 数值模拟 mZ%\`H+  
kE}Ib4]J  
三.半导体中的光跃迁和增益 xDS9gGr  
1. 费米分布函数及跃迁速率 4|UIyDt8  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 #/6X
44 *u  
3.简约态密度及增益谱 +ZO*~.zZ  
4.模式的自发辐射速率 sa])^mkq(  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 )c_ll;%  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 s,8
%;\!C  
7.增益谱峰值的近似表达式 a1&^P1.  
~Fh(4'  
四. 速率方程和动态效应 hR2.w/2j  
1．单模速率方程及基本物理量 U
gJHSl  
2．稳态输出 EWi@1PAZK  
3. 共振频率和3dB带宽 ah.Kb(d:  
4. 载流子输运效应对带宽影响 J/ ~]A1fP6  
5. 开启延迟时间 BH1To&ol  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 SQ[}]Tm;n  
7. 自发辐射引起的噪声 O)?0G$0  
8. 相对强度噪声 <dZ{E7l  
9. 模式线宽 0%GWc}o  
10. 多模速率方程 6 s/O\A  
6>Fw,$  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 6Xa2A6  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 rv[\2@}  
3.激光器寿命 q]aRJ`9f  
4.激光器阈值电流的温度特性 3`y:W9!u  
&+sN=J.x  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。