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半导体激光器的设计和工艺 WjvD C" 黄永箴 ~85Pgb< 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 b<mxf\b 集成光电子国家重点实验室 7ezf.[{R f.&Y_G3a< 一. 半导体 激光器的基本结构 . ;q 4<_ 1.半导体双异质结构 b
ZEyP
W 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) e(m#elX 3. 侧模控制(基侧模) _o-D},f*e 4.横模控制 ? H_'L4Wv 5. 动态单模半导体激光器 K@z zseQ}= 6. 波长可调谐半导体激光器 pu +"bq 7.长波长VCSEL的进展 ZNvnVW< 8.微腔激光器和光子 晶体 ^#VyI F3q 9.半导体激光器材料的选择 '9MtIcNb `Vqp o / 二.半导体光波导 DdL0MGwX 1. 平板波导的模式，TE和TM模 $Z ;?d@6yI 2. 光限制因子和模式增益 `9
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 $6X CHVx 4. 半导体激光器镜面反射系数 <([1(SY2e 5. DFB激光器的藕合模理论 '_~=C-g 6. DFB半导体激光器的一维模拟 + fQ=G/ 7. 等效折射率近似 5Q.bwl : 8. 数值模拟 nKJJ7 R L rI5)w_E? 三.半导体中的光跃迁和增益 iG1vy'J#o 1. 费米分布函数及跃迁速率 9@-^! DBM 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 U'nz3 3.简约态密度及增益谱 k@eU #c5c 4.模式的自发辐射速率 MEQ :[;1 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 f.`noZN 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Y) >GwFK$ 7.增益谱峰值的近似表达式 @L8('8~d 9IKFrCO9, 四. 速率方程和动态效应 38dXfl 1．单模速率方程及基本物理量 pC2r{- 2．稳态输出 \k1psqw^O 3. 共振频率和3dB带宽 > ln% 3 = 4. 载流子输运效应对带宽影响 Z,Z34:- 5. 开启延迟时间 FLO#!G 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Yw=Ve 0 7. 自发辐射引起的噪声 Z@= 1-l 8. 相对强度噪声 8 YAUy\ 9. 模式线宽 LXaT_3 ; 10. 多模速率方程 qWf7k+7G 8 kw`=wSH> 五.半导体激光器的基本工艺和特性 B ~cQl 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 0A@ 'w*= 3.激光器寿命 \iAkF`OC 4.激光器阈值电流的温度特性 %0}qMYS BhkJ >4# 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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