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半导体激光器的设计和工艺 U;Yw\&R,  
黄永箴
u/` t+-A  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 uAV-wc  
集成光电子国家重点实验室 KN.WTaO  
m3`J9f,c/  
一. 半导体激光器的基本结构 dF+:9iiAm  
1.半导体双异质结构 t<SCrLbz  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) w#>CYP`0k6  
3. 侧模控制(基侧模) )yS S2  
4.横模控制 2))pB/  
5. 动态单模半导体激光器 is{H
>#+"  
6. 波长可调谐半导体激光器 bG]?AiWr  
7.长波长VCSEL的进展 odTIz{9qG  
8.微腔激光器和光子晶体 I:] Pd  
9.半导体激光器材料的选择 &[[Hfs2:-]  
^:ehG9
 
二.半导体光波导 %p^`,b}  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 JzkI!5c<j  
2. 光限制因子和模式增益 F7`[r9 $  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 Ne}x(uRn  
4. 半导体激光器镜面反射系数 \WM"VT  
5. DFB激光器的藕合模理论 D|/ 4
),v  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 #mRT>]di`D  
7. 等效折射率近似 7"Q;Yi2(  
8. 数值模拟 ,veI'WHMB  
v<gve<]  
三.半导体中的光跃迁和增益 E<tJ8&IGk  
1. 费米分布函数及跃迁速率 R7Z!  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 DhiIKd9W  
3.简约态密度及增益谱 dK7BjZTJo  
4.模式的自发辐射速率 o#V{mm,{Pm  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 B\qu
XE)  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 j$r2=~1  
7.增益谱峰值的近似表达式 3:3>k8  
sE\Cv2Gx  
四. 速率方程和动态效应 Vd A!tL  
1．单模速率方程及基本物理量 :Mq{ES%  
2．稳态输出 #M[%JTTn  
3. 共振频率和3dB带宽 LbnW(wr6:(  
4. 载流子输运效应对带宽影响 /Hyi/D{W  
5. 开启延迟时间 F7JF1HfCP  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 A7zL\
U4
 
7. 自发辐射引起的噪声 GNM+sdy+  
8. 相对强度噪声 OTWp,$YA=  
9. 模式线宽 2h`Tn{&1/  
10. 多模速率方程 eJ60@N\A  
jJe?pT]o  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 = Tq\Ag:  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 &>vfm9  
3.激光器寿命 (A~w IKY,  
4.激光器阈值电流的温度特性 1oL3y;>iL  
fD2)/5j1  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。