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半导体激光器的设计和工艺 ?Zb+xNKJ(  
黄永箴 "|8oFf)l@B  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 bCw{9El!K4  
集成光电子国家重点实验室 j*DPW)RkKX  
BmX'%5ho  
一. 半导体激光器的基本结构 RM|J |R  
1.半导体双异质结构 6j6CA?|  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) #|b*l/t8  
3. 侧模控制(基侧模) {fXkbMO|  
4.横模控制 vXDs/,`r  
5. 动态单模半导体激光器 <VxA&bb7c  
6. 波长可调谐半导体激光器 ^~H}N$W"-q  
7.长波长VCSEL的进展 KO

y{?  
8.微腔激光器和光子晶体 cZh0\DyU  
9.半导体激光器材料的选择 !J7`frv"(  
#%E`~&[  
二.半导体光波导 ~tp]a]yV  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 K}l3t2uk  
2. 光限制因子和模式增益 /whaY4__O\  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ,sL'T[tuiU  
4. 半导体激光器镜面反射系数 59Pc:Gg;  
5. DFB激光器的藕合模理论 ?Y~t{5NJR  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 [bh?p+V  
7. 等效折射率近似 '8
q3ub<\  
8. 数值模拟 H+[?{+"#@l  
kOQ)QX  
三.半导体中的光跃迁和增益 X"{%,]sb G  
1. 费米分布函数及跃迁速率 (]#^q8)]\9  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 O)dnr8*  
3.简约态密度及增益谱 kk=n&M  
4.模式的自发辐射速率 # ?2*I2_  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 =2p?_.|'  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 c]9gf\WW  
7.增益谱峰值的近似表达式 Q#p)?:o/  
eft=k}  
四. 速率方程和动态效应 %%NoXW  
1．单模速率方程及基本物理量 2w.FC  
2．稳态输出 u nv:sV#b  
3. 共振频率和3dB带宽 R (f:UC  
4. 载流子输运效应对带宽影响
ew1L+  
5. 开启延迟时间 #<0Hvde  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 bgzd($)u  
7. 自发辐射引起的噪声 | 1B0  
8. 相对强度噪声 Bq8#'K2i
,  
9. 模式线宽 tYD8Y  
10. 多模速率方程 07.p {X R  
if'=W6W  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 S F)$b  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 r)t[QoD1  
3.激光器寿命 ~-'2jb*8  
4.激光器阈值电流的温度特性 >6C\T@{lJ  
+p\E%<uQ
 
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。