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半导体激光器的设计和工艺 '=][J_
 
黄永箴 E{6~oZ#L  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 hF2IW{=!  
集成光电子国家重点实验室 p=/m  
IwGqf.!.>  
一. 半导体激光器的基本结构 A^Kbsc  
1.半导体双异质结构 kyR*D1N&)  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) I ZQHu h  
3. 侧模控制(基侧模) ceNix!P  
4.横模控制 &A#~)i5gF  
5. 动态单模半导体激光器 /0\ mx4u  
6. 波长可调谐半导体激光器 5s(1[(  
7.长波长VCSEL的进展 h
|X^dQb]  
8.微腔激光器和光子晶体 u!1{Vt87  
9.半导体激光器材料的选择 j*xV!DqC  
bINvqv0v  
二.半导体光波导 =4d (b ;  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 x8GJY~:SW  
2. 光限制因子和模式增益 ZiLj=bh  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 );-~j  
4. 半导体激光器镜面反射系数 .`?@%{  
5. DFB激光器的藕合模理论 Y^<bl2"y8  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 !3T&4t  
7. 等效折射率近似 mN8pg4  
8. 数值模拟 26CS6(sn  
fNGZo  
三.半导体中的光跃迁和增益 `y+tf?QN  
1. 费米分布函数及跃迁速率 &/,|+U[  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 r'gOVi4t1*  
3.简约态密度及增益谱 F;^F+H  
4.模式的自发辐射速率 C]Q8:6b  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 k4 F"'N  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 4&l10fR5  
7.增益谱峰值的近似表达式 8QMPY[{
 
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四. 速率方程和动态效应 YJ$1N!rG  
1．单模速率方程及基本物理量 uslQ*7S[^  
2．稳态输出 ^pHq66d%Z  
3. 共振频率和3dB带宽 6;b~Ht  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ;;&}5jc
V  
5. 开启延迟时间 sVex (X  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 v+99 -.  
7. 自发辐射引起的噪声 y(K" -?  
8. 相对强度噪声 P;4w*((} ~  
9. 模式线宽 Jaz?Ys|S  
10. 多模速率方程 k5]j.V2f  
iYC9eEF  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 .bio7c6  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 (Cqn6dWK  
3.激光器寿命 w6j/ Dq!  
4.激光器阈值电流的温度特性 $MJm*6h  
@B}aN@!/  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。