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半导体激光器的设计和工艺 eW)(u$C|qL  
黄永箴 ,J?Hdy:R  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 *W q{ :k  
集成光电子国家重点实验室 T{u!4Yu  
*zX*k7LnV  
一. 半导体激光器的基本结构 @YmD 79  
1.半导体双异质结构 >jAr9Blz]  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) e!yUA!x`u  
3. 侧模控制(基侧模) N1WP  
4.横模控制 D1bS=> ;,"  
5. 动态单模半导体激光器 V%&t'H{  
6. 波长可调谐半导体激光器 pRmnS;*z&  
7.长波长VCSEL的进展 :qy`!QPUm  
8.微腔激光器和光子晶体 2XrPgq'  
9.半导体激光器材料的选择 B+|E|8"  
RsU=fe,  
二.半导体光波导 `pY\Mmgv1  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 J=67As  
2. 光限制因子和模式增益 /_E:sI9(  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0B)l"$W[)/  
4. 半导体激光器镜面反射系数 7\d{F)7E  
5. DFB激光器的藕合模理论 >x)YdgJ*  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 Q17"hO>kC  
7. 等效折射率近似 >%+"-bY  
8. 数值模拟 dz.]5R  
]@1YgV  
三.半导体中的光跃迁和增益 DR/qe0D  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ?_[xpK()  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 o#E 3{zM  
3.简约态密度及增益谱 Ea1{9>S  
4.模式的自发辐射速率 qVC_K/w 7  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 `(1em%}  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~c[}%Ir>  
7.增益谱峰值的近似表达式 a>`\^>G4  
i^sK+v  
四. 速率方程和动态效应 +O3zeL  
1．单模速率方程及基本物理量 !*u5HVn  
2．稳态输出 =If% m9  
3. 共振频率和3dB带宽 hNc;,13  
4. 载流子输运效应对带宽影响 1N
w&Z0MI  
5. 开启延迟时间 FCQoz"M  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 3tI=?E#  
7. 自发辐射引起的噪声 r9@O`i  
8. 相对强度噪声 l?(nkg["nY  
9. 模式线宽 dv-yZRU:  
10. 多模速率方程 wNDLN`,^H  
`|wH=  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 :gY$/1SYD  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 'Z'X`_  
3.激光器寿命 dra'1E  
4.激光器阈值电流的温度特性 5/DTE:M<  
:ORCsl6-  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。