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半导体激光器的设计和工艺 iZkW+5
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黄永箴 Sf4h!ly  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 _ \v@9Q\  
集成光电子国家重点实验室 sS1J.R  
RBK>Lws6  
一. 半导体激光器的基本结构 [:R P9r}  
1.半导体双异质结构 nuQLq^e  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) o+X'(!Trw  
3. 侧模控制(基侧模) T^(n+lv  
4.横模控制 y_7XYT!w  
5. 动态单模半导体激光器 %<ptkZK#  
6. 波长可调谐半导体激光器 }^GV(]K  
7.长波长VCSEL的进展 TgQ|T57  
8.微腔激光器和光子晶体 ?%za:{  
9.半导体激光器材料的选择 Z:B Y*#B  
.X<"pd*@e  
二.半导体光波导 Nz>E#.++  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 8O.:3%D~ t  
2. 光限制因子和模式增益
#/B~G.+(  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 o+)LcoPu  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ;@ll  
5. DFB激光器的藕合模理论 u>Axq3F  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 )q]j?Z.  
7. 等效折射率近似 s=y9!rr  
8. 数值模拟 $Op/5j  
<rwOI.W l$  
三.半导体中的光跃迁和增益 Vg [5bJ5  
1. 费米分布函数及跃迁速率 LnRi+n[@7  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 W-]yKSob  
3.简约态密度及增益谱 H'= i  
4.模式的自发辐射速率 .J6j"  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 48&KdbGX  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ,f/IG.  
7.增益谱峰值的近似表达式 <>*''^  
1:{O RX[;  
四. 速率方程和动态效应 /=Uv  
1．单模速率方程及基本物理量 _qzo):G.s  
2．稳态输出 qYu!:xa8  
3. 共振频率和3dB带宽 )r|zi Z{F  
4. 载流子输运效应对带宽影响 $hE'b9qx  
5. 开启延迟时间 FO'. a  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Mi/'
4~0Y  
7. 自发辐射引起的噪声 fN*4(yw  
8. 相对强度噪声 |z7Crz  
9. 模式线宽 n%ArA])_&  
10. 多模速率方程 yA
>p[F  
1'U%7#;E  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 8JFkeU%yO  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 vVN[bD<  
3.激光器寿命 %"KWjwp  
4.激光器阈值电流的温度特性 (zLIv9$  
n$![b_)*  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。