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半导体激光器的设计和工艺 w$I<WS{J:Z  
黄永箴 0'u2xe  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 sLiKcR8^  
集成光电子国家重点实验室 9sYN7x  
o,l3j|1  
一. 半导体激光器的基本结构 u,AZMjlF  
1.半导体双异质结构 I4'mU$)U  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 4oW6&1  
3. 侧模控制(基侧模) VZ"W_U,  
4.横模控制 fNb2>1  
5. 动态单模半导体激光器 L=Cm0q 3v  
6. 波长可调谐半导体激光器 f9v%k'T[  
7.长波长VCSEL的进展 gBM6{48GF  
8.微腔激光器和光子晶体 *s4h tt  
9.半导体激光器材料的选择 7"}<J7"})  
^M?O  
二.半导体光波导 iW.4'9  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 s5{N+O)~S  
2. 光限制因子和模式增益 hE
.NW  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 qK}4r5U  
4. 半导体激光器镜面反射系数 `I*W}5  
5. DFB激光器的藕合模理论 S[!sJ-rG  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 EHpIbj;n  
7. 等效折射率近似 T=lir%q  
8. 数值模拟 Gvg)@VNr  
,\*PpcU  
三.半导体中的光跃迁和增益 m$nT#@l5bH  
1. 费米分布函数及跃迁速率 OO)m{5r,{  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 kmHIU}Z  
3.简约态密度及增益谱 bvyX(^I[q  
4.模式的自发辐射速率 #H9J/k_  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 E"LSM]^^<f  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 R5O{;/w  
7.增益谱峰值的近似表达式 ut26sg{s(  
rv`kP"I  
四. 速率方程和动态效应 pfd||Z  
1．单模速率方程及基本物理量 ZJUTtiD  
2．稳态输出 Yphru"\$  
3. 共振频率和3dB带宽 aH@Ux?-}  
4. 载流子输运效应对带宽影响 U)IW6)q  
5. 开启延迟时间 7WZ).,qxY  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 "4W@p'  
7. 自发辐射引起的噪声 Q-<,+[/  
8. 相对强度噪声 43cdWd%  
9. 模式线宽 A2Je*Gz  
10. 多模速率方程 Y@)iPK@z  
osKM3}Sb  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 r>v_NKS]t  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 C@!C='b,  
3.激光器寿命 US8pT|/  
4.激光器阈值电流的温度特性 34Q;& z\e  
5sbMp;ZM  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。