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    [课件]半导体激光器的设计和工艺下载 [复制链接]

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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2009-07-14
    关键词: 激光器
    半导体激光的设计和工艺 !ZxK+Xqx[  
    黄永箴 tzIcR #Z  
    中国科学院半导体所,光电子研发中心 B^;"<2b*  
    集成光电子国家重点实验室 *Wj]e%  
    m3T=x =  
    一. 半导体激光器的基本结构 3uXRS,C  
    1.半导体双异质结构 w'uB&z4'  
    2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 4og/y0n,l"  
    3. 侧模控制(基侧模) XrUc`  
    4.横模控制 d#8 n<NM  
    5. 动态单模半导体激光器 >U\1*F,Om,  
    6. 波长可调谐半导体激光器 ^sVr#T  
    7.长波长VCSEL的进展 :+ZLKm  
    8.微腔激光器和光子晶体 l+nT$IPF  
    9.半导体激光器材料的选择 VW`SqUl  
    /SW*y@R2l  
    二.半导体光波导 B\54eTn  
    1. 平板波导的模式,TE和TM模 %T6 sm  
    2. 光限制因子和模式增益 ,>p1:pga  
    3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9%Eo<+my h  
    4. 半导体激光器镜面反射系数 ;kD UQw  
    5. DFB激光器的藕合模理论 -DuI 6K  
    6. DFB半导体激光器的一维模拟 -I ?8\  
    7. 等效折射率近似 =h\unQ1T  
    8. 数值模拟 MxgJ+  
    3 \}>nE  
    三.半导体中的光跃迁和增益 38mC+%iC  
    1. 费米分布函数及跃迁速率 @{>0v"@  
    2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I>EEUQR/$H  
    3.简约态密度及增益谱 j:2TicHDC  
    4.模式的自发辐射速率 }el7@Gv  
    5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 S4U}u l  
    6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 m'zve%G  
    7.增益谱峰值的近似表达式 \ )WS^KR%  
    ({3Ap{Q}  
    四. 速率方程和动态效应 nIr:a|}[  
    1.单模速率方程及基本物理量 KCIya[$*  
    2.稳态输出 Xf#+^cQ  
    3. 共振频率和3dB带宽 2@N9Zk{{J  
    4. 载流子输运效应对带宽影响 mBeP" GS  
    5. 开启延迟时间 W) Ct*I^  
    6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Vk> &  
    7. 自发辐射引起的噪声 O9P+S|hcY  
    8. 相对强度噪声 /\{emE\]  
    9. 模式线宽 @O`T|7v  
    10. 多模速率方程 n)0M1o#  
    R<B5<!+  
    五.半导体激光器的基本工艺和特性 !bCSt?}@u  
    1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 O DEFs?%'  
    3.激光器寿命 ",xTgB3?V  
    4.激光器阈值电流的温度特性 ..kFn!5(g  
    h,?%,GI  
    原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
     
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