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半导体激光器的设计和工艺 ^R'!\m|FR  
黄永箴 OO wA{]gK  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 D_ZBx+/_?  
集成光电子国家重点实验室 h7]]F{r5  
<[5${)  
一. 半导体激光器的基本结构 oplA'Jgnv  
1.半导体双异质结构 rU^ghF  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) W>|b98NPu  
3. 侧模控制(基侧模) =]xk-MY"|R  
4.横模控制 @"0N@gU  
5. 动态单模半导体激光器 x[>_I1TJ  
6. 波长可调谐半导体激光器 8(f0|@x^  
7.长波长VCSEL的进展 ` dUiz5o'  
8.微腔激光器和光子晶体 c3!|h1h/v  
9.半导体激光器材料的选择 ?ZV0
 
}~CZqIP  
二.半导体光波导 qf=[*ZY  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 y{?jr$js<  
2. 光限制因子和模式增益 ^-;Z8M  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 n03SXaU~V  
4. 半导体激光器镜面反射系数 R"t$N@ZFb  
5. DFB激光器的藕合模理论 Xsn- +e  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 ;F(01  
7. 等效折射率近似 ?jm2|:  
8. 数值模拟 6:z&ukqE  

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三.半导体中的光跃迁和增益
Y*}>tD;  
1. 费米分布函数及跃迁速率 U(]5U^  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 (dipKs?K  
3.简约态密度及增益谱 Jc?ssm\%  
4.模式的自发辐射速率 {]Iu">*
 
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 <r`Jn49  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 # %y{mn  
7.增益谱峰值的近似表达式 l<:E+lU  
RF2XJJ  
四. 速率方程和动态效应 /aa;M*Qp  
1．单模速率方程及基本物理量 W!B4<'Fjc  
2．稳态输出 BXv)zE=j  
3. 共振频率和3dB带宽 0fK|}mmZA  
4. 载流子输运效应对带宽影响 : 8<^rP  
5. 开启延迟时间 7CMgvH)O  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 1sLfjH hv  
7. 自发辐射引起的噪声 d>98 E9  
8. 相对强度噪声 (g:W|
hS  
9. 模式线宽 iC+H;s5<  
10. 多模速率方程 |M>k &p,B-  
knzED~v@(  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 OYp8r  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 _rJSkZO  
3.激光器寿命 :{uUc  
4.激光器阈值电流的温度特性 ujqktrhuLb  
CscJy0dB  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。