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半导体激光器的设计和工艺 o6PDCaT7  
黄永箴 %$)[qa3  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 4nfpPNt  
集成光电子国家重点实验室 #Tjv(O[&  
$ {iV]Xt  
一. 半导体激光器的基本结构 rl0sN5n  
1.半导体双异质结构 <9]9;  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) q^e
4  
3. 侧模控制(基侧模) yH'vhtop  
4.横模控制 nnV(MB4z1  
5. 动态单模半导体激光器 X_}2xo|T  
6. 波长可调谐半导体激光器 QeK@++EVc  
7.长波长VCSEL的进展 [q/tKdo@  
8.微腔激光器和光子晶体 4+Sq[Rv0  
9.半导体激光器材料的选择 hpxqL%r  
f#s /Ycp+  
二.半导体光波导 meHnT9a^  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 ]pZxbs&Vb  
2. 光限制因子和模式增益 D{]t50a.  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 JP2zom  
4. 半导体激光器镜面反射系数 vgc#IEx@  
5. DFB激光器的藕合模理论 Kd?TIeFE  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 c
K;,=\  
7. 等效折射率近似 RJo"yB$1e6  
8. 数值模拟 r+}5;fQJ  
u*I=.  
三.半导体中的光跃迁和增益 : "|M  
1. 费米分布函数及跃迁速率 rNgFsFQ>.  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元
D5wy7`c  
3.简约态密度及增益谱 z$VA]tI(  
4.模式的自发辐射速率 VOkEDH  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 |a(%a43fC  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 :|s!_G<  
7.增益谱峰值的近似表达式 w"Q6'/P  
&i&k 4  
四. 速率方程和动态效应 QBg~b{h  
1．单模速率方程及基本物理量 q K sI}X~  
2．稳态输出 ,cbCt  
3. 共振频率和3dB带宽 "k)}qI{  
4. 载流子输运效应对带宽影响 3;wAm/Z:Q  
5. 开启延迟时间 {bxTODt@  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 8n.sg({g  
7. 自发辐射引起的噪声  k3[%pS  
8. 相对强度噪声 G@YX8!wU  
9. 模式线宽 (v11;kdJB  
10. 多模速率方程 gWxpGW^eZ~  
uM!$`JN  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 G:W4<w  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }@kD&2  
3.激光器寿命 {*gO1TZt9  
4.激光器阈值电流的温度特性 v"y0D  
LL|uMe"Jb  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。