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半导体激光器的设计和工艺 +xYg<AFS  
黄永箴 1w 9zl}  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 G98fBw  
集成光电子国家重点实验室 5^2P\y(?  
"@jYZm8  
一. 半导体激光器的基本结构 ?y[i6yN9  
1.半导体双异质结构 ng[LSB*57Y  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) o4B%TW  
3. 侧模控制(基侧模) M(Yt9}Z%Y  
4.横模控制 U)('}u=b  
5. 动态单模半导体激光器 Dv=pX.Z+  
6. 波长可调谐半导体激光器 lBG"COu  
7.长波长VCSEL的进展 ,@8*c0Y~<!  
8.微腔激光器和光子晶体 #BI Z|  
9.半导体激光器材料的选择 !qs3fe<uh"  
(/_w23rr  
二.半导体光波导 94[8~_{fG  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 Uee$5a>(  
2. 光限制因子和模式增益 19\ V@d^  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 MeO2 cy!5q  
4. 半导体激光器镜面反射系数 6lQP+! EF  
5. DFB激光器的藕合模理论 9%?a\#C  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 DC'L-]#<  
7. 等效折射率近似 m*>gG{3;  
8. 数值模拟 Okd7ua-f  
IG8I<+<o  
三.半导体中的光跃迁和增益 nS^,Sq\Ak  
1. 费米分布函数及跃迁速率 [5MV$)"!j  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 .JWN\\  
3.简约态密度及增益谱 qoC<qn{.a  
4.模式的自发辐射速率 x\Kt}/97e  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Mg\8m-L^  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 3?wL)6Uj8J  
7.增益谱峰值的近似表达式 lnrs4s Km  
Y\9zjewc  
四. 速率方程和动态效应 f"G-',O<  
1．单模速率方程及基本物理量 `t]8 [P5  
2．稳态输出 TmLfH d  
3. 共振频率和3dB带宽 e,@5`aYHM@  
4. 载流子输运效应对带宽影响 D.x&N~-  
5. 开启延迟时间 F%:o6mT  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 mFuHZ)iQG  
7. 自发辐射引起的噪声 ?; tz  
8. 相对强度噪声 |k/;1.b!9(  
9. 模式线宽 VO7&<Y}{x  
10. 多模速率方程 %u*H
No  
tr%VYc|}  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 "lBYn2W  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 !/EN  
3.激光器寿命 LP//\E_]  
4.激光器阈值电流的温度特性 S 0mt8/ M  
RnUud\T/  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。