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半导体激光器的设计和工艺 GMyoSe%1/  
黄永箴 @US '{hO1p  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 @]<DR*<  
集成光电子国家重点实验室 uk1v7#p  
Je@p5(f  
一. 半导体激光器的基本结构 0n7HkDo  
1.半导体双异质结构 c|3h|  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) = c/3^e  
3. 侧模控制(基侧模) 
yqC+P  
4.横模控制 .v$ue`  
5. 动态单模半导体激光器 <w%Yq?^  
6. 波长可调谐半导体激光器 E)RI!0Ra  
7.长波长VCSEL的进展 Sk!v,gx  
8.微腔激光器和光子晶体 
aB7d(  
9.半导体激光器材料的选择 Zu)i+GeG  
,2E`:#$  
二.半导体光波导 lxr@[VQ  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 aJ% e'F[  
2. 光限制因子和模式增益 he_HVRpB  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 8rnb  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ysQEJm^|-u  
5. DFB激光器的藕合模理论  zd.1  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 wV]sGHuF}  
7. 等效折射率近似 2OA8 R}  
8. 数值模拟
XtnIK  
aEV|>K=6Y'  
三.半导体中的光跃迁和增益 /5a$@%  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Ma n^\gkCi  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 qT&S  
3.简约态密度及增益谱 -zkW\O[  
4.模式的自发辐射速率 G}Q}H*  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 v GulM<YY  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 \5j22L9S  
7.增益谱峰值的近似表达式 =<Zwv\U  
k4]R]=Fh.  
四. 速率方程和动态效应 6~>^pkV  
1．单模速率方程及基本物理量 weTK#O0@v  
2．稳态输出 hqwz~Ky}  
3. 共振频率和3dB带宽 tF{{cd  
4. 载流子输运效应对带宽影响 IIYX|;1}X  
5. 开启延迟时间  3D[:Rf[  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ,3g]=f  
7. 自发辐射引起的噪声
WzNG<rG  
8. 相对强度噪声 UU;Ysj  
9. 模式线宽 Ae,2Xi  
10. 多模速率方程 CfWK6>  
eB}
sg4  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 &kmd<  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 61t-  
3.激光器寿命 -wG[>Y  
4.激光器阈值电流的温度特性 Ply2DQr  
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1.h  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。