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半导体激光器的设计和工艺 !ZxK+Xqx[ 黄永箴 tzIcR
#Z 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 B^;"<2b* 集成光电子国家重点实验室 *Wj]e% m3T=x = 一. 半导体 激光器的基本结构 3uXRS,C 1.半导体双异质结构 w'uB&z4' 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 4og/y0n,l" 3. 侧模控制(基侧模) XrUc` 4.横模控制 d#8 n<NM 5. 动态单模半导体激光器 >U\1*F,Om, 6. 波长可调谐半导体激光器 ^sVr#T 7.长波长VCSEL的进展 :+ZLKm 8.微腔激光器和光子 晶体 l+nT$IPF 9.半导体激光器材料的选择 VW`SqUl /SW*y@R2l 二.半导体光波导
B\54e Tn 1. 平板波导的模式,TE和TM模 %T6
sm 2. 光限制因子和模式增益 ,>p1:pga 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 9%Eo<+myh 4. 半导体激光器镜面反射系数 ;kDUQw 5. DFB激光器的藕合模理论 -DuI
6K 6. DFB半导体激光器的一维模拟 -I?8\ 7. 等效折射率近似 =h\unQ1T 8. 数值模拟 MxgJ+ 3\}>nE 三.半导体中的光跃迁和增益 38mC+%iC 1. 费米分布函数及跃迁速率 @{>0v"@ 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 I>EEUQR/$H 3.简约态密度及增益谱 j:2TicHDC 4.模式的自发辐射速率 }el7@Gv 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 S4U}u l 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 m'zve%G 7.增益谱峰值的近似表达式 \
)WS^KR% ({3Ap{Q} 四. 速率方程和动态效应 nIr:a|}[ 1.单模速率方程及基本物理量 KCIya[$* 2.稳态输出 Xf#+^cQ 3. 共振频率和3dB带宽 2@N9Zk{{J 4. 载流子输运效应对带宽影响 mBeP"G S 5. 开启延迟时间 W)Ct*I^ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Vk> & 7. 自发辐射引起的噪声 O9P+S|hcY 8. 相对强度噪声 /\{emE\] 9. 模式线宽 @O`T|7v 10. 多模速率方程 n)0M1o# R<B5<!+ 五.半导体激光器的基本工艺和特性 !bCSt?}@u 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ODEFs?%' 3.激光器寿命 ",xTgB3?V 4.激光器阈值电流的温度特性 ..kFn!5(g h,?%,GI 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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