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半导体激光器的设计和工艺 +O P8
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黄永箴 (+}H ih  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Pe[~kog,TP  
集成光电子国家重点实验室 *gMo(-tN  
$ )q?z.U  
一. 半导体激光器的基本结构 urmx
})=  
1.半导体双异质结构 ^g/   
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) "I
bXKS>t  
3. 侧模控制(基侧模) e]-bB#-A  
4.横模控制 Z,AF^,H[  
5. 动态单模半导体激光器 %9ef[,WT  
6. 波长可调谐半导体激光器 3>FeTf#:  
7.长波长VCSEL的进展 >jxo,xz  
8.微腔激光器和光子晶体 k?-GI[@X  
9.半导体激光器材料的选择 Do-~-d4  
ktX\{g!U  
二.半导体光波导 4^h_n1A  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 i?" ~g!A  
2. 光限制因子和模式增益 OxGKtnAjf  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 =+
24jHs  
4. 半导体激光器镜面反射系数 -Lh\]  
5. DFB激光器的藕合模理论 tKtKW5n~  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 t){})nZ/4  
7. 等效折射率近似 8w-2Q  
8. 数值模拟 rqJ'm?>cr  

MDkcG"O  
三.半导体中的光跃迁和增益 :iW+CD)j  
1. 费米分布函数及跃迁速率 O |45r  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 (`C#Tq  
3.简约态密度及增益谱 7wKN  
4.模式的自发辐射速率 ~<[$.8*  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 H?-Byi  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 }4'5R  
7.增益谱峰值的近似表达式 ./SDZ:5/  
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!y$?  
四. 速率方程和动态效应 er<yB#/;-  
1．单模速率方程及基本物理量 25e*W>SLw  
2．稳态输出 awYnlE/Z1  
3. 共振频率和3dB带宽 N{/):O  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ..FEyf  
5. 开启延迟时间 G;RFY!o  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 W4MU^``   
7. 自发辐射引起的噪声 6}z-X*  
8. 相对强度噪声 b'x26wT?  
9. 模式线宽 <Zb~tYp  
10. 多模速率方程 /\7E&n:)2  
nZtMF%j'  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 %XF>k)  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 "Zh3,  
3.激光器寿命 :mYVHLmea  
4.激光器阈值电流的温度特性 8Pb~`E/  
7uUo DM  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。