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半导体激光器的设计和工艺 ci+tdMA 黄永箴 WlYs~(=9 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 O3CFme 集成光电子国家重点实验室 R-:fd!3oQ "4%"&2L 一. 半导体 激光器的基本结构 F"N60>> 1.半导体双异质结构 !'Q -yoHKD 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 4Yl; 3. 侧模控制(基侧模) F V,4pi 4.横模控制 $fgf
Y8 5. 动态单模半导体激光器 7+hK~ 6. 波长可调谐半导体激光器 !!o8N<NU 7.长波长VCSEL的进展 v<fnB 8.微腔激光器和光子 晶体 g&n )fF 9.半导体激光器材料的选择 p^iRPI @X3{x\i'I 二.半导体光波导 cv/_r#vN 1. 平板波导的模式,TE和TM模 q%5eVG 2. 光限制因子和模式增益 "l >Igm 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 `CeJWL5{ 4. 半导体激光器镜面反射系数 _f6HAGDN 5. DFB激光器的藕合模理论 b$eXFi/ 6. DFB半导体激光器的一维模拟 G7=pBf 7. 等效折射率近似 (|d34DOJ 8. 数值模拟 &gI ~LP 3z]+uv+2J 三.半导体中的光跃迁和增益 \(">K 1. 费米分布函数及跃迁速率 LOTP*Syjf 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 IuZ) [*W 3.简约态密度及增益谱 nhN);R~o"1 4.模式的自发辐射速率 _GKB6e% 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 cJgBI(S5 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 $#|gLVOQ 7.增益谱峰值的近似表达式 Cg616hyut cVwbg[W] 四. 速率方程和动态效应 $x6$*K(F 1.单模速率方程及基本物理量 Od?qz1 2.稳态输出 QORN9SY 3. 共振频率和3dB带宽 *GUAO){' 4. 载流子输运效应对带宽影响 ^;c 16 5. 开启延迟时间 +w8R!jdA 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 *H[Iq!@ 7. 自发辐射引起的噪声 QKE9R-KTE 8. 相对强度噪声 ]m#5`zGK1| 9. 模式线宽 -TZ p
FT" 10. 多模速率方程 Ez{MU@Fk 0R0{t=VJZ 五.半导体激光器的基本工艺和特性 a=TG[* s 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 wZh:F
! 3.激光器寿命 3Oa*%kP+ 4.激光器阈值电流的温度特性 1&:@ ?m
c%.Bt 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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