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半导体激光器的设计和工艺 : t6.J 黄永箴 m; m4/z3U 中国科学院半导体所， 光电子研发中心 ?G$X
4KY6` 集成光电子国家重点实验室 ] KR\<MJK @P
xX]e 一. 半导体 激光器的基本结构 >Wr 1.半导体双异质结构 Mf.:y 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) P] 9-+ 3. 侧模控制(基侧模) U \`H0' 4.横模控制 X?Z#k~JR 5. 动态单模半导体激光器 [iT#Pu5 6. 波长可调谐半导体激光器 2:D1<z6RQ 7.长波长VCSEL的进展 CsW*E,|xyP 8.微腔激光器和光子 晶体 3&vUR(10 9.半导体激光器材料的选择 'X1fb:8m8 , K[}Bz 二.半导体光波导 OA\
*)c+F 1. 平板波导的模式，TE和TM模 sXm,y$ \m 2. 光限制因子和模式增益 @qWes@ 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 4.0JgX 4. 半导体激光器镜面反射系数 > aV
Q 5. DFB激光器的藕合模理论 @&E{
L 6. DFB半导体激光器的一维模拟 X4}Lg2ts 7. 等效折射率近似 lhLE) B2a2 8. 数值模拟 T<=]Vg)^r" =_Y#uE$ 三.半导体中的光跃迁和增益 ~LuR)T=%es 1. 费米分布函数及跃迁速率 pCm |t!, 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 [MVG\6Up( 3.简约态密度及增益谱 ; \N${YIn 4.模式的自发辐射速率 X1{U''$
K 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ??.9`3CYo 6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Ib665H7w 7.增益谱峰值的近似表达式 `VxfA V?} WQT;k0;T] 四. 速率方程和动态效应 F D*w4U5 1．单模速率方程及基本物理量 "vnWq=E 2 2．稳态输出 ^@0-E@ {c
3. 共振频率和3dB带宽 0/Wo":R: 4. 载流子输运效应对带宽影响 /\&Wk;u3 5. 开启延迟时间 " O,TL *$ 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 _N-JRM m< 7. 自发辐射引起的噪声 09 >lx$ 8. 相对强度噪声 -8r9DS -/W 9. 模式线宽 q[w.[] 10. 多模速率方程 Q~p[jQ,4wZ |p7k2wzN 五.半导体激光器的基本工艺和特性 \.7O0 Q{ 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 < BNCo5* 3.激光器寿命 R^=)Ucj 4.激光器阈值电流的温度特性 /K./k!'z q:D!@+U 原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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