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半导体激光器的设计和工艺 xh7#\m_U8  
黄永箴 >*TFM[((Y)  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 T)IH4UO  
集成光电子国家重点实验室 =YPvh]][  
(6C%w)8'  
一. 半导体激光器的基本结构 J?ljqA}i  
1.半导体双异质结构 z0;+.E!  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) MZt~ Abt  
3. 侧模控制(基侧模) {+V1>6  
4.横模控制 3pSkk  
5. 动态单模半导体激光器 '_
z#}P<  
6. 波长可调谐半导体激光器 D`;Q?fC  
7.长波长VCSEL的进展 ^cYm.EHI  
8.微腔激光器和光子晶体 *"N756Cj  
9.半导体激光器材料的选择 OUY65K  
+U(m b  
二.半导体光波导 */B-%*#I.  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 JW!SrM xF  
2. 光限制因子和模式增益 MQR@(>TZy  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 O87Ptr8  
4. 半导体激光器镜面反射系数 fJ[(zjk  
5. DFB激光器的藕合模理论 &n% 3rC5{  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 kan?2x  
7. 等效折射率近似 ;cBFft}D  
8. 数值模拟 LbGyD;#_  
Q3SwW  
三.半导体中的光跃迁和增益 U>^u!1X  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Z8\c'xN  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Z8??+d=  
3.简约态密度及增益谱 Qh)QdW4  
4.模式的自发辐射速率 e[t+pnRh  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b469  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 lNSB "S  
7.增益谱峰值的近似表达式 hJ0)"OA5  
U?u0|Y+  
四. 速率方程和动态效应 \lVX~r4  
1．单模速率方程及基本物理量 M[ea!an  
2．稳态输出 u$c)B<.UR  
3. 共振频率和3dB带宽 #D"fCVIS  
4. 载流子输运效应对带宽影响 gB!K{ Io'  
5. 开启延迟时间 z.f~wAT@<  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 xF*C0B;QL  
7. 自发辐射引起的噪声 $x&\9CRM  
8. 相对强度噪声 g->cgExj  
9. 模式线宽 5b_[f(  
10. 多模速率方程 djVE x}  
oWVlHAPj  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 U@$Kp>X  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 j|f$:j  
3.激光器寿命 v4}kmH1  
4.激光器阈值电流的温度特性 3IqYpK(s  
CErkmod{}e  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。