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半导体激光器的设计和工艺 f!\lg
 
黄永箴 YLqGRE`W  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1C<uz29  
集成光电子国家重点实验室 "@%7-nu  
+]*zlE\N`  
一. 半导体激光器的基本结构 F~T]u2qt  
1.半导体双异质结构 ?u{~>  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) v25R_""~  
3. 侧模控制(基侧模) iP =V8g?L  
4.横模控制 ockTe5U  
5. 动态单模半导体激光器 N >FKy'.gk  
6. 波长可调谐半导体激光器 j/R[<47  
7.长波长VCSEL的进展 <Wfx+F  
8.微腔激光器和光子晶体 JLnH&(O  
9.半导体激光器材料的选择 r
[2ILe  
CnpV:>V=  
二.半导体光波导 )Q1"\\2j0  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 n"c)m%yZ  
2. 光限制因子和模式增益 T=iJGRctB  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 DnC{YK  
4. 半导体激光器镜面反射系数 =Q+;=-1  
5. DFB激光器的藕合模理论 YM1'L\^  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 D&od?3}E  
7. 等效折射率近似 igkYX!0#8O  
8. 数值模拟 &|Bc7+/P  
Kf>A\l^X7  
三.半导体中的光跃迁和增益 g l^<Q  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Cbg!:Cws  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~<O7$~  
3.简约态密度及增益谱 a6D &/8  
4.模式的自发辐射速率 wLi4G@jJ  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 V}J)\VZ2#  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 }T; P~aG  
7.增益谱峰值的近似表达式 kW*f.!  
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1 ?IYD  
四. 速率方程和动态效应 GC?ON0g5s  
1．单模速率方程及基本物理量 y`\@N"Cf  
2．稳态输出 ~k!j+>yT  
3. 共振频率和3dB带宽 419x+3>}  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ]Y%Vio  
5. 开启延迟时间 !j:9`XD|  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 "Om=
N@?  
7. 自发辐射引起的噪声 6N",-c  
8. 相对强度噪声 c#|raXGT  
9. 模式线宽 >hPQRd  
10. 多模速率方程 u])b,9&En  
brW :C?}  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 19HM])Zw\  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 2[Z,J%:0  
3.激光器寿命 Hw7;;HK 7  
4.激光器阈值电流的温度特性 7({]x*o*%  
VXYK?Qc'  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。