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半导体激光器的设计和工艺 *EU1`q*  
黄永箴 =m;cy0))  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 1<]?@[l<  
集成光电子国家重点实验室 >'3nsR  
3cH^ ,F  
一. 半导体激光器的基本结构 6m9\0)R  
1.半导体双异质结构 1LmbXH]%  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) P$__c{1\  
3. 侧模控制(基侧模) lo7>
$`Q  
4.横模控制 =4/K#cQ  
5. 动态单模半导体激光器 ~:b5UIAk  
6. 波长可调谐半导体激光器 JWQd6JQ_~V  
7.长波长VCSEL的进展 =EHKu|rX~  
8.微腔激光器和光子晶体 ypvz&SzIh  
9.半导体激光器材料的选择 )C#>@W
  
bM,%+9oz;  
二.半导体光波导 >b*}Td~J  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 L3S29-T  
2. 光限制因子和模式增益 UE/iq\a>  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7U)w\A;~  
4. 半导体激光器镜面反射系数 fHF*#  
5. DFB激光器的藕合模理论 @ &GA0;q0t  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 cS",Bw\  
7. 等效折射率近似 . N5$s2t  
8. 数值模拟 1mv8[^pF  
'V4B{n7h  
三.半导体中的光跃迁和增益 S8e?-rC  
1. 费米分布函数及跃迁速率
dsZ-|C  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ]%(X}]}  
3.简约态密度及增益谱 pQCW6X  
4.模式的自发辐射速率 iT~ gt/K  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 %G,d&%f  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ~kZ?e1H  
7.增益谱峰值的近似表达式 d`xDv$QZ  
J)^Kls\>t  
四. 速率方程和动态效应 F,xFeq$/{  
1．单模速率方程及基本物理量 kznm$2 b  
2．稳态输出 _lw:lZM?  
3. 共振频率和3dB带宽  LII4sf]  
4. 载流子输运效应对带宽影响 KhNE_. Z  
5. 开启延迟时间 )tx!BJiZ[  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 %hA0  
7. 自发辐射引起的噪声 i7O8f^|  
8. 相对强度噪声 FQB6`
M  
9. 模式线宽 :
D  
10. 多模速率方程 m>^
#:JK  
!h+VbZ  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 -pN'r/$3V  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 o[k,{`M0  
3.激光器寿命 7;ddzxR4  
4.激光器阈值电流的温度特性 NvJ}|w,Z  
u:}yE^8@  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。