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半导体激光器的设计和工艺 pb}QP  
黄永箴 D>~z{H
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中国科学院半导体所，光电子研发中心 Tw`^  
集成光电子国家重点实验室 <y\>[7Y  
uOs 8|pj,  
一. 半导体激光器的基本结构 :^1 Xfc"  
1.半导体双异质结构 E*.D_F  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) F%lP<4Vx  
3. 侧模控制(基侧模) PR{?l  
4.横模控制 tV@!jaj\  
5. 动态单模半导体激光器 jw5Bbyk  
6. 波长可调谐半导体激光器 2ME3=C  
7.长波长VCSEL的进展 :u
`  
8.微腔激光器和光子晶体 /{d7%Et6
 
9.半导体激光器材料的选择 F.?^ko9d  
b(I-0<  
二.半导体光波导 c@~\ FUr  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 n4Ry)O[.  
2. 光限制因子和模式增益 pqBd#  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 7\rz*  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ?^Q!=W<7  
5. DFB激光器的藕合模理论 4EJ  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 D^]7/w:$-  
7. 等效折射率近似 Nqk*3Q"f  
8. 数值模拟 cc*A/lD  
4H]Go~<  
三.半导体中的光跃迁和增益 *ELbz}Q  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ,sn ?V~)  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ~M3`mO+^U  
3.简约态密度及增益谱 D1;H,  
4.模式的自发辐射速率 t`o-HWfS.  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 *@S:f"i  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ,H2[["1DH
 
7.增益谱峰值的近似表达式 R^<li;Km  
G}&B{Ir  
四. 速率方程和动态效应 4)!aYvaER  
1．单模速率方程及基本物理量 0g,;Yzm  
2．稳态输出 [DC8X P5<  
3. 共振频率和3dB带宽 HbX>::J8  
4. 载流子输运效应对带宽影响 yJ c#y   
5. 开启延迟时间 t Q385en  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 1\=)b< y  
7. 自发辐射引起的噪声 B?`Gs^Y{z  
8. 相对强度噪声 A7 qyv0F  
9. 模式线宽 IKMkpX!]  
10. 多模速率方程 9i*t3W71]  
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 L%}k.)yev  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 GF*8(2h2  
3.激光器寿命 |,
cQJ  
4.激光器阈值电流的温度特性 szu!*wc9  
Wl/oun~o  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。