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半导体激光器的设计和工艺 C!5A,|DX  
黄永箴 b]4dmc*N+  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 sh$-}1 ;  
集成光电子国家重点实验室 I1E9E$m5\<  
uPz+*4+  
一. 半导体激光器的基本结构 }~I!'J#)  
1.半导体双异质结构 %vJHr!x  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) }%jF!d  
3. 侧模控制(基侧模) :jl*Y-mM  
4.横模控制 
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5. 动态单模半导体激光器 J;0;oXwJ<  
6. 波长可调谐半导体激光器 ccuGM WG*  
7.长波长VCSEL的进展 x"12$79=  
8.微腔激光器和光子晶体 `Y?VQ~ci
>  
9.半导体激光器材料的选择 >q:%?mi  
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二.半导体光波导 P9cx&Hk9  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 r<+C,h;aww  
2. 光限制因子和模式增益 (gBKC]zvz3  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 'cs(gc0  
4. 半导体激光器镜面反射系数 !LN8=u.  
5. DFB激光器的藕合模理论 ii)#(b:V  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 hC:'L9Y  
7. 等效折射率近似 QQ3<)i  
8. 数值模拟 Ap dXsL  
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'@U<  
三.半导体中的光跃迁和增益 At(88(y-W  
1. 费米分布函数及跃迁速率 qk(Eyp  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 C& +MRP  
3.简约态密度及增益谱 uYU
Fxm  
4.模式的自发辐射速率 ~`OX}h/Z  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 +94)BxrY  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 9jkz83/+<  
7.增益谱峰值的近似表达式 ~R!1{8HP  
DK4yAR,g  
四. 速率方程和动态效应 Hy.u6Jt*/  
1．单模速率方程及基本物理量 Dl;hOHvKk  
2．稳态输出 P>7Xbm,VP  
3. 共振频率和3dB带宽 n1f8jS+'}  
4. 载流子输运效应对带宽影响 !Z!)$3bB  
5. 开启延迟时间 Ww]$zd-bo  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 pp"X0  
7. 自发辐射引起的噪声
4era
5=  
8. 相对强度噪声 5p0~AN)  
9. 模式线宽 RaJTya^  
10. 多模速率方程 "Oxr}^% i  
')uYI;h9  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 >;fVuy  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 uwNJM  
3.激光器寿命 ]&*POri&  
4.激光器阈值电流的温度特性 Ds`e-X)O;\  
-H-U8/WC  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。