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半导体激光器的设计和工艺 )ANmIwmC#  
黄永箴 E!#WnSpnK  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 ^H'\"9;7  
集成光电子国家重点实验室 h}EPnC}  
)WoxMmz  
一. 半导体激光器的基本结构 +{UcspqM  
1.半导体双异质结构 {_Gs*<.  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) hzRYec(  
3. 侧模控制(基侧模) 7=DdrG<  
4.横模控制 IMfqiH)  
5. 动态单模半导体激光器
m_l[MG\  
6. 波长可调谐半导体激光器 5Dl/aHb  
7.长波长VCSEL的进展 ;'Nd~:-]  
8.微腔激光器和光子晶体 <o= 8FO  
9.半导体激光器材料的选择 H4JTGt1"  
pD74+/DD  
二.半导体光波导 ]cN1c}  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 N"1B/u  
2. 光限制因子和模式增益 B+0hzkPY  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 3Hm/(C  
4. 半导体激光器镜面反射系数 6_ow%Rx~F  
5. DFB激光器的藕合模理论 !L8#@BjU  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 |a%Tp3Q~  
7. 等效折射率近似 2"S}bfrX  
8. 数值模拟 i@BtM9:  
p6WX9\qS(  
三.半导体中的光跃迁和增益 Ydy9  
1. 费米分布函数及跃迁速率 XGMiW0j0B  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *|E[L^  
3.简约态密度及增益谱 t.'!`5G  
4.模式的自发辐射速率 2T TdH)  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 rc>6.sM %  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 *~H Sy8s  
7.增益谱峰值的近似表达式 *cnNuT  
0P(!j_
2m  
四. 速率方程和动态效应 Yir [!{  
1．单模速率方程及基本物理量 W8!Qv8rf  
2．稳态输出 Lu0x (/  
3. 共振频率和3dB带宽 S/I/-Bp~  
4. 载流子输运效应对带宽影响 ^<-+
@v*  
5. 开启延迟时间 7`hP?a=  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ,i@:5X/t  
7. 自发辐射引起的噪声 ff1c/c/  
8. 相对强度噪声 D#/Bx[  
9. 模式线宽 a+PzI x2  
10. 多模速率方程 O<;3M'y\  
3 SGDy]  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 1
3=.H5  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性  bnLPlf  
3.激光器寿命 u=_mvN  
4.激光器阈值电流的温度特性 :$9tF>  
1~QPG\cdIX  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。