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半导体激光器的设计和工艺 E%3WJ%A 黄永箴 ub{<m^|) 中国科学院半导体所, 光电子研发中心 Od^y&$|_%` 集成光电子国家重点实验室 X"y rA;,o >72j,0=e 一. 半导体 激光器的基本结构 >VE,/?71@ 1.半导体双异质结构 u#\=g: 2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) j S')!Wcu 3. 侧模控制(基侧模) Dvo.yn|kB 4.横模控制 R8c1~' 5. 动态单模半导体激光器 +su>0'a 6. 波长可调谐半导体激光器 IW
Lv$bPZ/ 7.长波长VCSEL的进展 'vhgR2/ 8.微腔激光器和光子 晶体 l-XiQ#-{ 9.半导体激光器材料的选择 n9050&_S E&#AX: 二.半导体光波导 {|^9y]VFu 1. 平板波导的模式,TE和TM模 {Lk~O)E 2. 光限制因子和模式增益 0 4x[@f` 3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 *["9;_KD 4. 半导体激光器镜面反射系数 .2C}8GGC' 5. DFB激光器的藕合模理论 AJiEyAC!)5 6. DFB半导体激光器的一维模拟 G>M#
BuU 7. 等效折射率近似 *,%H1)Tj} 8. 数值模拟 KCe =$ B$ +YK%I 三.半导体中的光跃迁和增益 F8Rd#^9PD 1. 费米分布函数及跃迁速率 ;jfjRcU 2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ^a[7qX_B 3.简约态密度及增益谱 ?>1AT==wI 4.模式的自发辐射速率 SWz+.W{KQ" 5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果
PQa{5" 6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 '8 1M%KO 7.增益谱峰值的近似表达式 fYuJf,I[f XK`>#*"V 四. 速率方程和动态效应 1C{n!l 1.单模速率方程及基本物理量 D}SRr,4v 2.稳态输出 0F1 a 3. 共振频率和3dB带宽 6ALf`: 4. 载流子输运效应对带宽影响 `5r*4N< 5. 开启延迟时间 )xiic3F 6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 IU{~{(p" 7. 自发辐射引起的噪声 2ELw}9 8. 相对强度噪声 7Z0
)k9* 9. 模式线宽 38L8AJqD 10. 多模速率方程 <?yAIhgN* ua/A &XQx 五.半导体激光器的基本工艺和特性 N0O8to}V 1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 -n?|,cO 3.激光器寿命 `4'v)!? 4.激光器阈值电流的温度特性 _UT>,c;h (Q o 原来重复了,大家去:http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。
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