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半导体激光器的设计和工艺 E%3WJ%A  
黄永箴 ub{<m^|)  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 Od^y&$|_%`  
集成光电子国家重点实验室 X"y rA;,o  
>72j,0=e  
一. 半导体激光器的基本结构 >VE,/?71@  
1.半导体双异质结构 u#\=g:  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) j S')!Wcu  
3. 侧模控制(基侧模) Dvo.yn|kB  
4.横模控制 R8c1~'  
5. 动态单模半导体激光器 +su>0'a  
6. 波长可调谐半导体激光器 IW Lv$bPZ/  
7.长波长VCSEL的进展 'vhgR2/  
8.微腔激光器和光子晶体 l-XiQ#-{  
9.半导体激光器材料的选择 n9050&_S  
E&#AX:  
二.半导体光波导 {|^9y]VFu  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 {Lk~O)E  
2. 光限制因子和模式增益 0 4x[@f`  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 *["9;_KD  
4. 半导体激光器镜面反射系数 .2C}8GGC'  
5. DFB激光器的藕合模理论 AJiEyAC!)5  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 G>M# BuU  
7. 等效折射率近似 *,%H1)Tj}  
8. 数值模拟 KCe =$  
B$ +YK%I  
三.半导体中的光跃迁和增益 F8Rd#^9PD  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ;jfjRcU  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ^a[7qX_B  
3.简约态密度及增益谱 ?>1AT==wI  
4.模式的自发辐射速率 SWz+.W{KQ"  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果  PQa{5"  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 '8 1M%KO  
7.增益谱峰值的近似表达式 fYuJf,I[f  
XK`>#*"V  
四. 速率方程和动态效应 1C{n!l  
1．单模速率方程及基本物理量 D}SRr,4v  
2．稳态输出 0F1 a  
3. 共振频率和3dB带宽 6A
Lf`:  
4. 载流子输运效应对带宽影响 `5r*4N<  
5. 开启延迟时间 )xiic3F  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 IU{~{(
p"  
7. 自发辐射引起的噪声 2ELw}9  
8. 相对强度噪声 7Z0 )k9*  
9. 模式线宽 38L8AJqD  
10. 多模速率方程 <?yAIhgN*  
ua/A &XQx  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 N0O8to}V  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 -n?|,cO  
3.激光器寿命 `4'v)!?  
4.激光器阈值电流的温度特性 _UT>,c;h  
(Q o  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。