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半导体激光器的设计和工艺 \ @2R9,9E  
黄永箴 ~((O8@}J  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 KF:78C  
集成光电子国家重点实验室 l+0oS'`V*L  
7;@]t^d=$  
一. 半导体激光器的基本结构 4;2uW#dG"  
1.半导体双异质结构 NC6&x=!3  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) U8$27jq  
3. 侧模控制(基侧模) O*P.]d  
4.横模控制 19%imf  
5. 动态单模半导体激光器 ?(_08O  
6. 波长可调谐半导体激光器 8P\Zo8}v  
7.长波长VCSEL的进展 ysnx3(+|  
8.微腔激光器和光子晶体 *MW\^PR?  
9.半导体激光器材料的选择 kvu)y`  
>Y@H4LF;1x  
二.半导体光波导 h^P#{W!e\  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 {
(Es(Sb}c  
2. 光限制因子和模式增益 ^E>3|du]O  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 aV0"~5  
4. 半导体激光器镜面反射系数 B/Ws_Kv  
5. DFB激光器的藕合模理论 uHRsFlw  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 +k R4E23:  
7. 等效折射率近似 q{x8_E!L  
8. 数值模拟 ;*2Cm'8E  
l,aay-E  
三.半导体中的光跃迁和增益 *wjrR1#81x  
1. 费米分布函数及跃迁速率 -jmY)(\  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 +R7
5
v)  
3.简约态密度及增益谱 TIg3`Fon  
4.模式的自发辐射速率 sU^1wB Rj  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 M&M6;Ph  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 ]A_`0"m.U  
7.增益谱峰值的近似表达式 9H1rO8k  
lq7E4r  
四. 速率方程和动态效应 k4z
Z7H  
1．单模速率方程及基本物理量 {?7Uj  
2．稳态输出 b*lkBqs$  
3. 共振频率和3dB带宽 buHJB*?9  
4. 载流子输运效应对带宽影响 86a\+Kz%%L  
5. 开启延迟时间 KwVbbC3  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 es0hm2HT3  
7. 自发辐射引起的噪声
Ab;.5O$y  
8. 相对强度噪声 eS){1  
9. 模式线宽 Lu%b9Jk  
10. 多模速率方程 @IZnFHN  
m.0*NW  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 [mueZQyI?0  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ;-Aa|aT!  
3.激光器寿命  e]$s t?  
4.激光器阈值电流的温度特性 >=w)x,0yX  
fI|$K)K  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。