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半导体激光器的设计和工艺 vW@=<aS Z  
黄永箴 ?:9"X$XR  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 sV*H`N')S  
集成光电子国家重点实验室 $<[79al#  
 C9)@jK%  
一. 半导体激光器的基本结构 _DEjF)S  
1.半导体双异质结构 ~pky@O#b  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) <(!:$  
3. 侧模控制(基侧模)
YuwI&)l  
4.横模控制 %J-GKpo/S  
5. 动态单模半导体激光器 1G`Pmh@  
6. 波长可调谐半导体激光器 ~)M~EX&pK  
7.长波长VCSEL的进展 :[d9tm  
8.微腔激光器和光子晶体 bW+:C5'  
9.半导体激光器材料的选择 %!#azI  
a?oI>8*  
二.半导体光波导 )=(kBWM  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 *qpSXmOz  
2. 光限制因子和模式增益 RPbZ(.  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 AQ^u  
4. 半导体激光器镜面反射系数  0
5^h"  
5. DFB激光器的藕合模理论 xD=csJ'(  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 )QJUUn#  
7. 等效折射率近似 dDGQ`+H9  
8. 数值模拟 b7ZSPXV  
?gXp*>Kg[  
三.半导体中的光跃迁和增益 g0E'g  
1. 费米分布函数及跃迁速率 DVeE1Q  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 .fs3
>@T"#  
3.简约态密度及增益谱 e+=K d+:k  
4.模式的自发辐射速率 !bP@n  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8RHUeRX  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 HK%7g  
7.增益谱峰值的近似表达式 z0Z%m@  
MWh6]gGs  
四. 速率方程和动态效应 l}P=/#</T  
1．单模速率方程及基本物理量 tT._VK]o&R  
2．稳态输出 =i3n42M#  
3. 共振频率和3dB带宽 EiaW1Cs  
4. 载流子输运效应对带宽影响 6wg^FD_Q  
5. 开启延迟时间 bhs _9ivw  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 J9 I:Q<;  
7. 自发辐射引起的噪声 (w zQ2Dk  
8. 相对强度噪声 )YI(/*+]  
9. 模式线宽 DW3G
 
10. 多模速率方程 '0,^6'VWOV  
x|29L7i  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 [PbOfxxgA  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 |&4/n6;P$0  
3.激光器寿命 .eC1qWZJpd  
4.激光器阈值电流的温度特性 fd9k?,zM  
J,6yYIq  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。