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半导体激光器的设计和工艺 ?IWLH-fkP  
黄永箴 CSC sJE#4
 
中国科学院半导体所，光电子研发中心 <ETR6r  
集成光电子国家重点实验室 GjmPpKIu\  
VX!UT=;  
一. 半导体激光器的基本结构 gW[(gf.oo  
1.半导体双异质结构 2th>+M~A  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) jC;^2e  
3. 侧模控制(基侧模) c%N8|!e  
4.横模控制 B`Q~p92  
5. 动态单模半导体激光器 ># {,(8\  
6. 波长可调谐半导体激光器 (H\)BS7#R  
7.长波长VCSEL的进展 n%M-L[n  
8.微腔激光器和光子晶体 Q>,EYb>wI  
9.半导体激光器材料的选择 TbY<(wrMZ  
_wC4n }J  
二.半导体光波导 Oc|`<^m  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 lBbUA)z6  
2. 光限制因子和模式增益 Z uh!{_x;  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 a2{nrGD  
4. 半导体激光器镜面反射系数 P2q'P
&  
5. DFB激光器的藕合模理论 ? ^EB"{  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 &K1\"  
7. 等效折射率近似 .fQ/a`As
U  
8. 数值模拟 &g{b5x{iD  
u;[*Z  
三.半导体中的光跃迁和增益 Zr&~gXmVS  
1. 费米分布函数及跃迁速率 )@X `B d  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 S-M| 6fv  
3.简约态密度及增益谱 7(q EHZEr  
4.模式的自发辐射速率 w4S0aR:yL  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 lO Rym:P  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 MS Ml  
7.增益谱峰值的近似表达式 8op,;Z7Y  
M:!Twz$  
四. 速率方程和动态效应 KNkVI K  
1．单模速率方程及基本物理量 ,r&:C48dI  
2．稳态输出 >O{[w'sWa  
3. 共振频率和3dB带宽 RY>BP[h  
4. 载流子输运效应对带宽影响 A@-A_=a,  
5. 开启延迟时间 &I&:  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 DPU%4te  
7. 自发辐射引起的噪声 bD&^-& G  
8. 相对强度噪声 Lq&;`)BJ  
9. 模式线宽 U_-9rkUa  
10. 多模速率方程 0X`sQNx  
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f7&6B  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 RjII(4Et  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 n^svRM]eQ  
3.激光器寿命 syEWc(5  
4.激光器阈值电流的温度特性 Kc
6p||<  
'w'PrM,:  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。