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半导体激光器的设计和工艺 4)=\5wJDg1  
黄永箴 =2yg:D  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 -U/m  
集成光电子国家重点实验室 56R)631]p  
;'x\L<b/)  
一. 半导体激光器的基本结构
j,c8_;X!  
1.半导体双异质结构 t!"XQ$g'  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) h#iFp9N  
3. 侧模控制(基侧模) Z>#MTxU(  
4.横模控制 CH/*MA  
5. 动态单模半导体激光器 &\0V*5tI  
6. 波长可调谐半导体激光器 C3 m#v[+  
7.长波长VCSEL的进展 v<qiu>sbz}  
8.微腔激光器和光子晶体 5%E.UjC  
9.半导体激光器材料的选择 `*nK@:  
p&%M=SzN  
二.半导体光波导 w/(hEF '  
1. 平板波导的模式，TE和TM模
Py)'%e  
2. 光限制因子和模式增益 N<54_(|X  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ;f8$vW];  
4. 半导体激光器镜面反射系数 '<YVDB&-d,  
5. DFB激光器的藕合模理论 )FG<|G(  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 iVKX *kqc  
7. 等效折射率近似 4l~0LdYXKm  
8. 数值模拟 'r5[tK}  
;|e6Qc9  
三.半导体中的光跃迁和增益 ;uC +5g`  
1. 费米分布函数及跃迁速率 ;i2N`t2  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 lTh}0t  
3.简约态密度及增益谱 {|jG_  
4.模式的自发辐射速率 mj{/'  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 n?QpVROo\  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 : Jh  
7.增益谱峰值的近似表达式 f V|Zh  
AF qut  
四. 速率方程和动态效应 Ti@X<C  
1．单模速率方程及基本物理量 G([!(8&2Y  
2．稳态输出 Wkk=x&  
3. 共振频率和3dB带宽 U 6y ;V  
4. 载流子输运效应对带宽影响 VS#i>nlT  
5. 开启延迟时间 Us]Uy|j  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 bD[6) ITg  
7. 自发辐射引起的噪声 4K@`>Y5g*  
8. 相对强度噪声 hal3J  
9. 模式线宽 @'Er&[P  
10. 多模速率方程 S;"7d  
o6$Q>g`]  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 BW>f@;egg  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 l/BE~gdl  
3.激光器寿命 FshQ OFW  
4.激光器阈值电流的温度特性 Z' 0Gd@/  
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原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。