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半导体激光器的设计和工艺 SN{z)q  
黄永箴 8{ zX=  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 y<)TYr  
集成光电子国家重点实验室 nm'l}/Ug  
JF~i.+{h  
一. 半导体激光器的基本结构 Up9{aX  
1.半导体双异质结构 u v%Q5O4  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) $( hT{C,K  
3. 侧模控制(基侧模) *Gsj pNr-  
4.横模控制 Q&9
yrx.  
5. 动态单模半导体激光器 $a(-r-_Fi]  
6. 波长可调谐半导体激光器 BZR{}Aj4pa  
7.长波长VCSEL的进展 .3!Wr*o  
8.微腔激光器和光子晶体 @^{Hq6_`  
9.半导体激光器材料的选择 rfXxg^  
Fq9YhR  
二.半导体光波导 h Yu6PWK  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 1{}p_"s>  
2. 光限制因子和模式增益 Jt~Ivn,  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ZsmOn#`=^}  
4. 半导体激光器镜面反射系数 +v~xgUs  
5. DFB激光器的藕合模理论 q=1 N&#RG  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 )rc!irac]  
7. 等效折射率近似 y^.66
BH  
8. 数值模拟 Epzg|
L1)  
"wUIsuG/p  
三.半导体中的光跃迁和增益 GES}o9?#  
1. 费米分布函数及跃迁速率 T j$'B[cv  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 d{z[46>  
3.简约态密度及增益谱 MKK ^-T  
4.模式的自发辐射速率 @s5=6z]=H  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 '&>"`q  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 1.hWgWDP  
7.增益谱峰值的近似表达式 @gUp9ZwtH  
m</m9h8  
四. 速率方程和动态效应 {U4!sJSl1  
1．单模速率方程及基本物理量 b3(*/KgK  
2．稳态输出 )"?4d[ 5  
3. 共振频率和3dB带宽 X/_I2X  
4. 载流子输运效应对带宽影响 xR7ZqTcw  
5. 开启延迟时间 [W[{ 4 Xu  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 KK|w30\f  
7. 自发辐射引起的噪声 w5FIHYl6B  
8. 相对强度噪声 A5l Cc b  
9. 模式线宽 4GYi'  
10. 多模速率方程 |vI*S5kn6A  
]a3$hAcj6"  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 |IxHtg3>6{  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 @"w4R6l+*  
3.激光器寿命 JWVV?~1  
4.激光器阈值电流的温度特性 s!6lZ mPM  
X>(1fra4  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。