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半导体激光器的设计和工艺 VI{!ZD]  
黄永箴 MGt[zLF9  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 u@V|13p<  
集成光电子国家重点实验室 8|5ttdZ  
I{e[Y_  
一. 半导体激光器的基本结构 CK<Wba  
1.半导体双异质结构 /i'dhiG  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) fwe4f  
3. 侧模控制(基侧模) pX5#!)
 
4.横模控制 4'Svio  
5. 动态单模半导体激光器 T1\LS*~!  
6. 波长可调谐半导体激光器 eXB'>#&s  
7.长波长VCSEL的进展 _"b[UT}m  
8.微腔激光器和光子晶体 q%g!TFMg  
9.半导体激光器材料的选择 :gD=F&V  
fl8~*\;Xu  
二.半导体光波导 TuF;>{~}  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 9/?@2  
2. 光限制因子和模式增益 m?Tv8-1  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 
wZ&l6J4L  
4. 半导体激光器镜面反射系数 ?Xdb%.   
5. DFB激光器的藕合模理论 (gdi2  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 2P`Z>_  
7. 等效折射率近似 <'{*6f@n  
8. 数值模拟 7gX#^YkE+k  
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SgW  
三.半导体中的光跃迁和增益 eflmD$]SW  
1. 费米分布函数及跃迁速率 qK_jgj=w  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 zv~dW4'  
3.简约态密度及增益谱 i?{cB!7  
4.模式的自发辐射速率 z(00"ei  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 F(!9;O5J]  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 /0.m|Th'm  
7.增益谱峰值的近似表达式 {WYJQKs8  
cdBD.sg  
四. 速率方程和动态效应

ZGa;'  
1．单模速率方程及基本物理量 fJiY~mQ  
2．稳态输出 HLlp+;CF><  
3. 共振频率和3dB带宽 `>i8$q%  
4. 载流子输运效应对带宽影响 Kc3BVZ71  
5. 开启延迟时间 8@$`'h^6  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 z CS.P.$  
7. 自发辐射引起的噪声 #N?VbDK9_  
8. 相对强度噪声 E.Vlz^B  
9. 模式线宽 jpGZ&L7i&  
10. 多模速率方程 *n"{]tj^>  
0*=[1tdWY  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 5$58z  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 '<Fr}Cn  
3.激光器寿命 Em<B9S  
4.激光器阈值电流的温度特性 IBT1If3  
u~]O #v  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。