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半导体激光器的设计和工艺 r' Z3  
黄永箴 yV_wDeAz  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 /8'S1!zc  
集成光电子国家重点实验室 {R6HG{"IS6  
muON>^MbC  
一. 半导体激光器的基本结构 07v!Zj  
1.半导体双异质结构 s#9Ui#[=h  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) *iA4:EIP  
3. 侧模控制(基侧模) 8+L
lx  
4.横模控制  AnBJ(h  
5. 动态单模半导体激光器 iUk-'   
6. 波长可调谐半导体激光器 )RgGcHT@  
7.长波长VCSEL的进展 B=f,QU  
8.微腔激光器和光子晶体 rZXrT}Xh{W  
9.半导体激光器材料的选择 $g9**b@  
OPJ: XbG  
二.半导体光波导 -_OS%ARa  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 &C<yfRDu  
2. 光限制因子和模式增益 Fh|#u:n  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 . 5y"38e  
4. 半导体激光器镜面反射系数 w8Q<r.  
5. DFB激光器的藕合模理论 G.VuKsP]  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 uQ$^;Pr  
7. 等效折射率近似 CbBSFKM  
8. 数值模拟 .R*!aK  
PC$CYW5  
三.半导体中的光跃迁和增益 AI vXb\wL  
1. 费米分布函数及跃迁速率 :,12")N  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 h5_G4J{1  
3.简约态密度及增益谱 85:NFa@J  
4.模式的自发辐射速率 /PBaIoJE  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 #t8{R~y"gv  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 %_-zWVJ  
7.增益谱峰值的近似表达式 '+>fFM,*B  
1LJuCI=~  
四. 速率方程和动态效应 r~-.nb"P  
1．单模速率方程及基本物理量 XKA&XpF  
2．稳态输出 Jb)#fH$L  
3. 共振频率和3dB带宽 AUVgPXOwd  
4. 载流子输运效应对带宽影响 s`j~-P  
5. 开启延迟时间 nMfFH[I4  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 z{"2S="  
7. 自发辐射引起的噪声 1axQ)},o@p  
8. 相对强度噪声 /iNa'W5\  
9. 模式线宽 uJHu>M}~  
10. 多模速率方程 N..j{FE  
+x?#DH-  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 xqXDxJlns  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 {qW~"z*  
3.激光器寿命 .x`M<L#M(  
4.激光器阈值电流的温度特性 %<?0apO  
\~d";~Y`  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。