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半导体激光器的设计和工艺 cvf@B_iN9  
黄永箴 #\Q{?F!4  
中国科学院半导体所，光电子研发中心 7H1 ii   
集成光电子国家重点实验室
KvFGwq"X  
;U +;NsCH  
一. 半导体激光器的基本结构 ]G0`W6;$]  
1.半导体双异质结构 OYWW<N+R2  
2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) | Q Y_ci  
3. 侧模控制(基侧模) V ifQ@  
4.横模控制 l>Nz]Ul%{  
5. 动态单模半导体激光器 #b~wIOR)Z  
6. 波长可调谐半导体激光器 ^Ms)T3dM  
7.长波长VCSEL的进展 d" "GG/  
8.微腔激光器和光子晶体 :uAW  
9.半导体激光器材料的选择 9Yh0' <Z  
k{fCU%  
二.半导体光波导 ?ah<Qf]  
1. 平板波导的模式，TE和TM模 SX{shM2  
2. 光限制因子和模式增益 {|}tp<:2  
3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 _L6WbRu|  
4. 半导体激光器镜面反射系数 H$:Z`CQt<  
5. DFB激光器的藕合模理论 8-N8v *0  
6. DFB半导体激光器的一维模拟 nt/+?Sj  
7. 等效折射率近似 >bf29tr  
8. 数值模拟 YHVJg?H3  
6AZJ,Q\E@  
三.半导体中的光跃迁和增益 ZWC-<QO"<  
1. 费米分布函数及跃迁速率 Fh XR!x^  
2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Y* #'Gh,  
3.简约态密度及增益谱 Pez 7HKW:  
4.模式的自发辐射速率 C-
;y#a)  
5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 TJ:B_F*bSk  
6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 >H@ zP8  
7.增益谱峰值的近似表达式 (c/H$'  
dbkkx1{>Y  
四. 速率方程和动态效应 FuOP+r!H  
1．单模速率方程及基本物理量 @j
%r6N  
2．稳态输出 `"0#lZ`n  
3. 共振频率和3dB带宽 dOm#NSJVd  
4. 载流子输运效应对带宽影响 5Rv6+d  
5. 开启延迟时间 +Xi#y}%  
6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 }+[H~8)5  
7. 自发辐射引起的噪声 4:\s.Z{!3  
8. 相对强度噪声 8oSndfV  
9. 模式线宽 +\FTR  
10. 多模速率方程 w_po5[]R  
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afo  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ti:qOSIDTA  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ."R,j|o6  
3.激光器寿命 ,}!OJyT  
4.激光器阈值电流的温度特性 mPNT*pAO  
sXzxEhp  
原来重复了，大家去：http://www.opticsky.cn/read-htm-tid-8472.html下载。