一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路技术
近日,瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)教授Tobias Kippenberg团队开发出一种采用氮化硅衬底制造集成光子电路(光子芯片)技术,得到了创纪录的低光学损耗,且芯片尺寸小。相关研究在《自然—通讯》上发表。 光子芯片奋起直追,也许能帮助人们突破摩尔定律开辟新的“赛道”。 低光学损耗新纪录 光子芯片通常由硅制成,硅在地壳中含量丰富且具有良好的光学特性,但难以满足集成光子芯片所需的一切条件,因此出现了诸多新材料平台,如氮化硅、二氧化硅、氮化铝、铌酸锂、碳化硅等。 Tobias Kippenberg团队用一种氮化硅光子大马士革工艺(光子镶嵌工艺)技术。大马士革工艺是一种非常古老的工艺,最早可以追溯到阿拉伯人对他们的武器和装饰上面做颜色的镶嵌和绘图。这个工艺要先做出图形轮廓,然后把颜色材料镶嵌到轮廓中再进行抛光,这样就得一个色彩艳丽的图案。 |








