在完成教程1、2和3后，你已熟悉利用OptiBPM创建项目的基本程序： c2i^dNp_
• 生成材料 KSexG:Xb
• 插入波导和输入平面 %>s y`c
• 编辑波导和输入平面的参数 r9QNE>UG
• 运行仿真 D4S>Pkv
• 选择输出数据文件 \ ;sUJr"$
• 运行仿真 xOt|j4
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果和各种数值工具 m/{rmtA4
|5W u0T
教程4和之后的教程在你已掌握的操作的基础上，对仿真过程进行了简化描述。如果需要更多细节信息，可参阅之前课程中提供的操作。 c~Ha68
>Qi2;t~G
本课程描述了如何创建一个MMI星型耦合器。该星型耦合器是对简单MMI耦合器(教程2：创建一个简单多模干涉星型（下文简称为MMI）耦合器)的进一步改进。它是由一个输入波导、一个MMI耦合器以及四个输出波导组成。步骤如下： 'Kq%t M26!
• 定义MMI星型耦合器的材料 {:" bX~<^
• 定义布局设置 sQ_{zOUPh
• 创建MMI星形耦合器 Nc7YMxk' H
• 运行模拟 S2Wxf>b t2
• 查看最大值 U_!6pqFc
• 绘制输出波导 w</kGK[O
• 为输出波导分配路径 !W6] +
• 在OptiBPM_Analyzer中查看仿真结果 >Rr]e`3wG
• 添加输出波导并查看新的仿真结果 ge E7<"m %
• 在OptiBPM_Analyzer中查看新的仿真结果 j#Y8h5r
1. 定义MMI星型耦合器的材料 /2YI!U@A
要定义单向弯曲器件的材料，请执行以下步骤。 eQNYfWR
步骤 操作 8L&# <Ol
1) 创建一个介电材料： EJRwyF5 LK
名称：guide FkRrW^?5G
相对折射率(Re)：3.3 {!<zk+h$
2) 创建第二个介电材料 (l$bA_F \
名称： cladding 2AdV=n6Z
相对折射率(Re)：3.27 ;Neld #%J
3) 点击保存来存储材料 ('>!dXA$
4) 创建以下通道： yDHH05Yl
名称：channel l.& 6|
二维剖面定义材料: guide "d{ |_Cf
5 点击保存来存储材料。 U/TF,JUI
QYg2'`(
2. 定义布局设置 p^^<Bj kQ
要定义布局设置，请执行以下步骤。 Xp%JPI {
步骤 操作 X)'uTf0
1) 键入以下设置。 tQ*5[F,fm
a. Waveguide属性： ) K%AbKn
宽度：2.8 }PoB`H'K5
配置文件：channel -`A6K!W&~p
b. Wafer尺寸： &6!x;RB
长度：1420 p6sXftk
宽度：60 \`x$@s?
c. 2D晶圆属性： rFGbp8(2
材质：cladding XC~|{d
2) 点击OK，将此设置应用到布局中。 g#:?Ay-m
0b4QcfB1[
3. 创建一个MMI星型耦合器 -MeGJX:^I
由于MMI星形耦合器中有四个输出通道，因此需要找到在教程2(教程2：创建一个简单的MMI耦合器)中的简单MMI耦合器所产生的四个最大强度的位置。 如教程2中所述，这个位置在MMI耦合器中的第二个波导大约1180-1210μm的地方。 X62GEqff
要创建MMI星型耦合器并找到所需耦合的相关耦合器长度，请执行以下步骤。 qL] !/}
步骤 操作 /SjA;c! .
1) 绘制和编辑第一个波导 }+,;wj~
a. 起始偏移量： qA5tMZ^w
水平：0 eAPGy-
垂直：0 '(~+
\
b. 终止偏移： s:6H^DQ"C
水平：100 @/7tN3O
垂直：0 $(G.P!/
2) 绘制和编辑第二个波导 6>zO"9
a. 起始偏移量： oS, %L
水平：100 4OC ^IS
垂直：0 N<9C V!_
b. 终止偏移： +Y6=;*j$
水平：1420 TU^UR}=lP
垂直：0 A-qdTJP
c. 宽：48 ' 4ftclzL
3) 单击OK，应用这些设置。 yd'>Mw
