晶柱切片后处理

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　　硅晶柱长成后，整个晶圆的制作才到了一半，接下必须将晶柱做裁切与检测，裁切掉头尾的晶棒将会进行外径研磨、切片等一连串的处理，最后才能成为一片片价值非凡的晶圆，以下将对晶柱的后处理制程做介绍。   ^oClf(  
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切片（Slicing）   UgZL<}  
　　长久以来经援切片都是采用内径锯，其锯片是一环状薄叶片，内径边缘镶有钻石颗粒，晶棒在切片前预先黏贴一石墨板，不仅有利于切片的夹持，更可以避免在最后切断阶段时锯片离开晶棒所造的破裂。   U8,pe;/ln`  
切片晶圆的厚度、弓形度（bow）及挠屈度（warp）等特性为制程管制要点。   (rq(y$N  
影响晶圆质量的因素除了切割机台本身的稳定度与设计外，锯片的张力状况及钻石锐利度的保持都有很大的影响。   mHH>qW{`  
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圆边（Edge Polishing）   .S* sGauM  
　　刚切好的晶圆，其边缘垂直于切割平面为锐利的直角，由于硅单晶硬脆的材料特性，此角极易崩裂，不但影响晶圆强度，更为制程中污染微粒的来源，且在后续的半导体制成中，未经处理的晶圆边缘也为影响光组与磊晶层之厚度，固须以计算机数值化机台自动修整切片晶圆的边缘形状与外径尺寸。   {.e^1qE  
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研磨（Lapping）   9kbczL^Y  
　　研磨的目的在于除去切割或轮磨所造成的锯痕或表面破坏层，同时使晶圆表面达到可进行抛光处理的平坦度。   +c__U Qx  
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蚀刻（Etching）   IlB*JJnl  
　　晶圆经前述加工制程后，表面因加工应力而形成一层损伤层（damaged layer），在抛光之前必须以化学蚀刻的方式予以去除，蚀刻液可分为酸性与碱性两种。   X!@ Y,  
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去疵（Gettering）   ,3!4 D^  
　　利用喷砂法将晶圆上的瑕疵与缺陷感到下半层，以利往后的IC制程。   (Ap?ixrR_  
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抛光（Polishing）   %7?Z|'\  
　　晶圆的抛光，依制程可区分为边缘抛光与表面抛光两种   Yvu?M8aK!  
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边缘抛光（Edge Polishing） d"Zyc(Jk  
　　边缘抛光的主要目的在于降低微粒（particle）附着于晶圆的可能性，并使晶圆具备较佳的机械强度，但需要的设备昂贵且技术层面较高，除非各户要求，否则不进行本制程。   *>xCX  
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表面抛光（Surface Polishing）   WF2t{<]^e  
　　表面抛光是晶圆加工处理的最后一道步骤，移除晶圆表面厚度约10-20微米，其目的在改善前述制程中遗留下的微缺陷，并取得局部平坦度的极佳化，以满足IC制程的要求。基本上本制程为化学－机械的反应机制，由研磨剂中的NaOH , KOH , NH4OH腐蚀晶圆的最表层，由机械摩擦作用提供腐蚀的动力来源。