实用技术电镜SEM分析技术科普

发布:探针台 2020-02-06 12:22 阅读:2629
OON]E3yy  
U4$}8~o4  
扫描电子显微镜SEM V4["+Y  
北软检测芯片分析 b0(bL_,  
_nUvDdEs,  
扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 !t;B.[U *  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 /JqNiqvh  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 0uZL*4A+C  
扫描电子显微镜SEM应用范围: GbXa=* <-<  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 a)o-6  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 =<BPoGs5  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 _?}[7K!~d  
SEM测试项目 [=EmDP:@  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 w\K(kNd(  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 Qhc>,v)  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 IPVD^a ?  
G?,b51"  
扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 kd=|Iip;(  
样品要求: %&iY5A  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 Jan~R ran  
制备原则: a>o]garB+  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; JS!`eO/8  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; sZDxTP+  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; x:? EL)(  
磁性样品预先去磁; BO%aCK&  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 d#U~>wr  
常用方法: d69synEw>k  
块状样品 Gbwq rH+  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 />X"' G  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 xbNL <3"a  
2v\<MrL  
图 块状样品制备示意图 c}G\F$  
粉末样品 v.!e1ke8D*  
直接分散法: yEPkF0?  
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 ]kir@NMv>  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 8-s7s!j  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 QFg{.F?3q>  
2EC<8}CG  
镀膜法 6 =H]p1p~O  
真空镀膜 ..fbRt  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 'E)g )@^  
离子溅射镀膜 ec&K}+p@  
原理: QB<~+d W  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 VUUE2k;^  
特点: oU/{<gs  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); (7A-cC  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; 7?p>v34A  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; /=[hRn@)A  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 H$k2S5,,z  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 `9& ~fWu  
1.直流溅射 FT Ytf4t  
2I>`{#fV  
图 直流溅射沉积装置示意图 %hVI*p3  
W}P9I&3  
已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。  jAxrU  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 fo_*Uva_  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; +lhnc{;WJv  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) l&_PsnU  
A(D3wctdr  
2.射频溅射 H Xb_k1n  
6=p!`DOd  
图  射频溅射工作示意图 Jy P$'v~  
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射频频率:13.56MHz -J;;6aA  
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特点: B&"c:)1 C2  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 <AN5>:k[pM  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 V$g!#V  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 {.r #j|  
dYZB> OS  
3.磁控溅射 ?D+H2[n\a  
o]aMhSol  
原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 "J{A}g[  
jE2EoQ i,  
图  磁控溅射原理示意图 xm0(U0 >  
D77s3AyHK  
TGZr [  
特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 'DD~xCXE  
缺点: =}%Q}aPp  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; D22A)0+_  
反应性磁控溅射中的电弧问题; $msf~M*  
薄膜不够均匀 scPvuHzl  
溅射装置比较复杂 vlo!D9zsV3  
BFQ`Ab+  
反应溅射 XblZlWP#  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 %&!B2z}  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 Vo%DoZg  
.>NPgd I  
镀膜操作 km29]V=}  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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