实用技术电镜SEM分析技术科普

发布:探针台 2020-02-06 12:22 阅读:2154
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0ZM#..3sI  
扫描电子显微镜SEM 43.Q);4  
北软检测芯片分析 ~Z`Cu~7  
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扫描电子显微镜SEM分析原理:用电子技术检测高能电子束与样品作用时产生二次电子、背散射电子、吸收电子、X射线等并放大成象 *Z8qd{.$q  
谱图的表示方法:背散射象、二次电子象、吸收电流象、元素的线分布和面分布等 gCV+amP  
提供的信息:断口形貌、表面显微结构薄膜内部的显微结构、微区元素分析与定量元素分析等 y g:&cIr,  
扫描电子显微镜SEM应用范围: 8AVtUU  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 gp+aUK~o  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 Ev Ye1Y-  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 4^Ke? ;v  
SEM测试项目 1K#%mV_  
      1、材料表面形貌分析,微区形貌观察 ZS<`.L6B3  
      2、各种材料形状、大小、表面、断面、粒径分布分析 J ?0P{{  
      3、各种薄膜样品表面形貌观察、薄膜粗糙度及膜厚分析 "T@9#7Obu  
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扫描电子显微镜样品制备比透射电镜样品制备简单,不需要包埋和切片。 y[{}124  
样品要求: CzDV^Iv;Q{  
样品必须是固体;满足无毒,无放射性,无污染,无磁,无水,成分稳定要求。 @?JFqwq!  
制备原则: O70#lvsM;  
表面受到污染的试样,要在不破坏试样表面结构的前提下进行适当清洗,然后烘干; !$NQF/Ol  
新断开的断口或断面,一般不需要进行处理,以免破坏断口或表面的结构状态; ;w7s>(ITZ  
要侵蚀的试样表面或断口应清洗干净并烘干; &g"`J`  
磁性样品预先去磁; }  fa  
试样大小要适合仪器专用样品座尺寸。 <2af&-EG s  
常用方法: W m&*  
块状样品 z3c7  
块状导电材料:无需制样,用导电胶把试样粘结在样品座上,直接观察。 R=2"5Hy=  
块状非导电(或导电性能差)材料:先使用镀膜法处理样品,以避免电荷累积,影响图像质量。 <v6W l\  
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图 块状样品制备示意图 JU#m?4g  
粉末样品 .?`8B9w  
直接分散法: 3#? 53s   
双面胶粘在铜片上,将被测样品颗粒借助于棉球直接散落在上面,用洗耳球轻吹试样,除去附着的和未牢固固定的颗粒。 ^[&,MQU{7  
把载有颗粒的玻璃片翻转过来,对准已备好的试样台,用小镊子或玻璃棒轻轻敲打,使细颗粒均匀落在试样台。 !k Heslvi  
超声分散法:将少量的颗粒置于烧杯中,加入适量的乙醇,超声震荡5分钟后,用滴管加到铜片上,自然干燥。 :K~sazs7J  
9m.MGJbQ_f  
镀膜法 &+0?Xip{Z  
真空镀膜 e3mFO+  
真空蒸发镀膜法(简称真空蒸镀)是在真空室中,加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料,使其原子或分子从表面气化逸出,形成蒸气流,入射到固体(称为衬 底或基片)表面,凝结形成固态薄膜的方法。 #-i#mbZ e  
离子溅射镀膜 6p9 { z42  
原理: 6 w'))Z  
离子溅射镀膜是在部分真空的溅射室中辉光放电,产生正的气体离子;在阴极(靶)和阳极(试样)间电压的加速作用下,荷正电的离子轰击阴极表面,使阴极表面材料原子化;形成的中性原子,从各个方向溅出,射落到试样的表面,于是在试样表面上形成一层均匀的薄膜。 LJ6L#es2  
特点: _T_6Yl&cf)  
对于任何待镀材料,只要能做成靶材,就可实现溅射(适合制备难蒸发材料,不易得到高纯度的化合物所对应的薄膜材料); /}/GK|tj  
溅射所获得的薄膜和基片结合较好; ejia4(Cd  
消耗贵金属少,每次仅约几毫克; Y2IMHN tH  
溅射工艺可重复性好,膜厚可控制,同时可以在大面积基片上获得厚度均匀的薄膜。 T`bUBrK6g`  
溅射方法:直流溅射、射频溅射、磁控溅射、反应溅射。 vb| d  
1.直流溅射 f/QwXO-U  
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图 直流溅射沉积装置示意图 gFd*\Dk  
8|(],NyEJ  
已很少用,因为沉积速率太低~0.1μm/min,基片升温,靶材必须导电,高的直流电压,较高的气压。 i;atYltEJ2  
优点:装置简单,容易控制,支模重复性好。 CZE!@1"<{  
缺点:工作气压高(10-2Torr),高真空泵不起作用; 5Bt~tt  
沉积速率低,基片升温高,只能用金属靶(绝缘靶导致正离子累积) UfIr"bU6  
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2.射频溅射 T^F83Py<  
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图  射频溅射工作示意图 t,n2N13  
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射频频率:13.56MHz q6ZewuV.  
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特点: qyAnq%B}  
电子作振荡运动,延长了路径,不再需要高压。 a`8]TD  
射频溅射可制备绝缘介质薄膜 ;%Px~g  
射频溅射的负偏压作用,使之类似直流溅射。 dz^b(q  
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3.磁控溅射 O c.fvP^ZD  
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原理:以磁场改变电子运动方向,并束缚和延长电子的运动轨迹,提高了电子对工作气体的电离几率,有效利用了电子的能量。从而使正离子对靶材轰击所引起的靶材溅射更加有效,可在较低的气压条件下进行溅射,同时受正交电磁场束缚的电子又约束在靶附近,只能在其能量耗尽时才能沉积的基片上。 B&7NF}CF2  
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图  磁控溅射原理示意图 d"@ /{O^1  
{kBsiSvsA;  
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特点:低温,高速,有效解决了直流溅射中基片温升高和溅射速率低两大难题。 `!spi=f  
缺点: VR .t  
靶材利用率低(10%-30%),靶表面不均匀溅射; 4AKr.a0q  
反应性磁控溅射中的电弧问题; as'yYn8  
薄膜不够均匀 R(*t 1R\  
溅射装置比较复杂 [Y~~C J  
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反应溅射 ^|=P9'4Th  
在溅射气体中加入少量的反应气体如氮气,氧气,烷类等,使反应气体与靶材原子一起在衬底上沉积,对一些不易找到块材制成靶材的材料,或溅射过程中薄膜成分容易偏离靶材原成分的,都可利用此方法。 &2U%/JqY  
反应气体:O2,N2,NH3,CH4,H2S等 )t@9!V  
*u:,@io7'G  
镀膜操作 G"m?2$^-A  
将制好的样品台放在样品托内,置于离子溅射仪中,盖好顶盖,拧紧螺丝,打开电源抽真空。待真空稳定后,约为5X10-1mmHg,按下"启动"按钮,通过调节针阀将电流调至6~8mA,开始镀金,镀金一分钟后自动停止,关闭电源,打开顶盖螺丝,放气,取出样品即可。
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