日本研发6G超高速芯片 采用InP化合物

近日，日本NTT集团旗下的设备技术实验室成功研发出一款6G超高速芯片，采用磷化锢(InP)化合物，并在300GHz超高频段进行了无线传输实验，使用16QAM调制时，获得了100Gbps的超高速度，相当于10万兆有线网络。 Y ,Iv<Hg  
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据悉，这一高速只使用了一个载波，如果再辅以多载波聚合，以及MIMO、OAM等空间复用技术，或者未来研发出新的相关技术，组合之下速度更是不可限量，预计至少能达到400Gpbs，也就是如今5G速度的至少40倍。