半导体漏电定位技术emmi

发布:探针台 2019-12-27 08:32 阅读:2301
EMMI(微光显微镜 |IH-a"  
?`\<t$M  
对于失效分析而言,微光显微镜是一种相当有用,且效率极高的分析工具,主要侦测IC内部所放出光子。在IC原件中,EHP Recombination会放出光子,例如:在PN Junction加偏压,此时N的电子很容易扩散到P, 而P的空穴也容易扩散至N,然后与P端的空穴做EHP Recombination。 xm~ff+(&@S  
侦测到亮点之情况 60~{sk~E  
会产生亮点的缺陷:1.漏电结;2.解除毛刺;3.热电子效应;4闩锁效应; 5氧化层漏电;6多晶硅须;7衬底损失;8.物理损伤等。 QfU 0*W?r  
   yhQo1e>  
侦测不到亮点之情况   wias ]u|  
Ym& _IOx  
不会出现亮点之故障:1.亮点位置被挡到或遮蔽的情形(埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置);2.欧姆接触;3.金属互联短路;4.表面反型层;5.硅导电通路等。 4,FkA_k  
zo@>~G3$9  
点被遮蔽之情况:埋入式的接面及大面积金属线底下的漏电位置,这种情况可采用Backside模式,但是只能探测近红外波段的发光,且需要减薄及抛光处理。 w[PW-m^`  
   / c/!13|  
~,R_  
z^~uq:  
测试范围: {>QrI4*A  
lqqY5l6j  
故障点定位、寻找近红外波段发光点 QEUg=*3W=  
0g]ABzTn  
测试内容: L4.yrA-]C%  
Js^ADUy  
1.P-N接面漏电;P-N接面崩溃 5[I> l  
2.饱和区晶体管的热电子 t]eB3)FX  
3.氧化层漏电流产生的光子激发 a<!g*UVL0M  
4.Latch up、Gate Oxide Defect、Junction Leakage、Hot Carriers Effect、ESD等问题 /CKkT.Le  
   iv#9{T  
北软检测失效分析实验室,能够依据国际、国内和行业标准实施检测工作,开展从底层芯片到实际产品,从物理到逻辑全面的检测工作,提供芯片预处理、侧信道攻击、光攻击、侵入式攻击、环境、电压毛刺攻击、电磁注入、放射线注入、物理安全、逻辑安全、功能、兼容性和多点激光注入等安全检测服务,同时可开展模拟重现智能产品失效的现象,找出失效原因的失效分析检测服务,主要包括点针工作站(Probe Station)、反应离子刻蚀(RIE)、微漏电侦测系统(EMMI)、X-Ray检测,缺陷切割观察系统(FIB系统)等检测试验。实现对智能产品质量的评估及分析,为智能装备产品的芯片、嵌入式软件以及应用提供质量保证。
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