晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 3 vE;s"/  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ;1F3.ibE  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： d)q{s(<;  
1、顶层设计 \d v9:X$  
2、仿真 TNiFl hq  
3、热设计及功耗 ^8We}bs-c  
4、资源利用、速率与工艺 b/<n:*$   
5、覆盖率要求 GKm)wOb(*S  
6、 hX[hR  
四、具体到测试有哪些需要关注： >5XE*
9  
1、可测试性设计 od-N7lp#  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 q?\3m3GM  
3、可靠性测试 v`nodI  
4、故障与测试关系
=SLJkw&w6  
5、 u QCQ$  
="Dmfy7  
测试有效性保证； -KOE2f  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ucB<  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率  E#ti  
|-Y,:sY:  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Q2iu}~  
晶圆的工艺参数监测dice， M|76,2u   
芯片失效分析13488683602 G?YKm1:w  
D(L%fK`+  
.K:>`~<)  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 8<IOX  
_%"/I96'  
?$8OVq.w,  
{fk'g(E8([  
cojuU=i  
故障种类： @u$4{sjgf\  
缺陷种类： Z?1.Y7Npr  
针对性测试： X@jml$;$  
T2^@x9  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 'rU5VrK  
WM*7p
;t@)  
2sWM(SN  
"4i(5|whp?  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； B ljZ&wZW  
仿真与误差， 3X%>xUI  
预研阶段 q[**i[+%  
顶层设计阶段 M(SH3~  
模块设计阶段 +
*F ;l\R  
模块实现阶段 eX$u  
子系统仿真阶段 \$GlB+ iCx  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 '6[0NuB  
后端版面设计 \vojF\  
测试矢量准备 :C>slxY  
后端仿真 mWCY%o@  
生产 bi[vs|  
硅片测试 Z*x Q"+
\  
顶层设计： A"i40 @+  
书写功能需求说明 T[&1cth  
顶层结构必备项 O,XVA  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 YzsHec  
完成顶层结构设计说明 zTm&m#){3A  
确定关键的模块（尽早开始） 2VtiL^;5  
确定需要的第三方IP模块 s$|GVv1B  
选择开发组成员 %A:<rO85o  
确定新的开发工具 MhWmY[  
确定开发流程/路线 (4x`/  
讨论风险 oTT/;~I  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 CGny#Vh