晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 }6@E3z]AMO  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 c,xdkiy3  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： [(heE  
1、顶层设计 !+%gJiu:  
2、仿真 
u]Ku96!  
3、热设计及功耗 uQIPnd(V  
4、资源利用、速率与工艺 >$JE!.p%o  
5、覆盖率要求 )2Ei<  
6、 hSm?Z!+  
四、具体到测试有哪些需要关注： w$:\!FImx  
1、可测试性设计 C2}y#AI  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 +})QTFV  
3、可靠性测试 J'}+0mln  
4、故障与测试关系 [)Nt;|U  
5、 _y~6b{T  
s<zN`&t  
测试有效性保证； ?6CLUu|7n  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ pi?/]}:  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 },8|9z#pyB  
h9QM nH'  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ~6f/jCluR%  
晶圆的工艺参数监测dice， _d]{[& p4t  
芯片失效分析13488683602 -TF},V~  
ESCN/ocV  
gy}3ZA*F  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 juR>4SH  
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27.  
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d_25]B(  
v6 U!(x  
故障种类： a51(ySC}<s  
缺陷种类： \6wltTW]#  
针对性测试： Ak?9a_f  
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L]  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test epsRv&LfC  
=FzmifTc  
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?+ )ox  
T \/^4N`  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； p%$r\G-x  
仿真与误差， GJB+]b-  
预研阶段 !0l|[c4 e>  
顶层设计阶段 16AlmegDk  
模块设计阶段 +S~ u,=  
模块实现阶段 <.ZIhDiEl  
子系统仿真阶段 w5i*pOG)Z  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 @ym:@<D  
后端版面设计  vc: kY  
测试矢量准备 8XH;<z<oJ  
后端仿真 jA,y.(mR  
生产 e8`d<U  
硅片测试 wrkw,H  
顶层设计： D+!T5)>(  
书写功能需求说明 &>c=/]Lop  
顶层结构必备项 ;-1KPDIp`  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 +O8[4zn&k  
完成顶层结构设计说明 (Mfqz
y  
确定关键的模块（尽早开始） (Iv@SiZf(  
确定需要的第三方IP模块 I;XM4a  
选择开发组成员 Kh3i.gm7g  
确定新的开发工具 s>DFAu!  
确定开发流程/路线 r3Ol?p  
讨论风险 <2(X?,N5BD  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 i|h{<X7[