晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 IS9}@5`'  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 lmjoSINy  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： @cz\'v6E  
1、顶层设计 *6b$l.Vs  
2、仿真 u(92y]3,  
3、热设计及功耗 eYD|`)-f<^  
4、资源利用、速率与工艺 +_h1JE_}D  
5、覆盖率要求 Y Cbt(nmr  
6、 0-!K@#$>=  
四、具体到测试有哪些需要关注： /Q8glLnM  
1、可测试性设计 >lg-j-pV  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *#
n?6KqZ  
3、可靠性测试 XKEd~2h<y  
4、故障与测试关系 @=kDaPme92  
5、 ,b/qcu_|-  
A,4|UA?-  
测试有效性保证； E)h&<{%  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 6JYVC>i  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 b9(_bsc  
G6?+Qzr  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 $%ts#56*  
晶圆的工艺参数监测dice， Vs0T*4C=
n  
芯片失效分析13488683602 j>KJgSs]&\  
?k7z5ow  
Hi{1C"%  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 J4Tc q  
(g8<"< N?  

1dgy-$H~  
,( ?q  
t"]+}
]O  
故障种类： i Sm .E  
缺陷种类： m!qbQMXn  
针对性测试： ;_HG 5}i  
/:YM{,]  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ~ryB*eZH  
4DYa~ =w  
R0l5"l*@+  
'nrXRDb  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； N}j]S{j}'  
仿真与误差， su/!
<y  
预研阶段 vSOO[.=  
顶层设计阶段 5-3.7CO$  
模块设计阶段 bI_6';hq!  
模块实现阶段 zXop@"(e  
子系统仿真阶段 (SEE(G35  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 ?nLlZpZ2v  
后端版面设计 _:B
/XZ  
测试矢量准备 Vw^2TRU  
后端仿真 V+A9.KoI  
生产 JBYmy_Su  
硅片测试 /f5*KRM  
顶层设计： bp>-{Nv  
书写功能需求说明 ;77#$H8)  
顶层结构必备项 rF3QmR?l  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期  rkF>c  
完成顶层结构设计说明 YT*_ vmJV  
确定关键的模块（尽早开始） 5Hli@:B2s  
确定需要的第三方IP模块 ]f3[I3;K  
选择开发组成员 R 2{kS  
确定新的开发工具 p>g5WebBN  
确定开发流程/路线 BrHw02G  
讨论风险 H'Oy._,]t  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 e={X{5z0