晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 [xb'73  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 5w~ 0Q  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： 'Sgz\=K  
1、顶层设计 uMm`j?Y23q  
2、仿真 3xRn  
3、热设计及功耗 Ik,N/[  
4、资源利用、速率与工艺 *Cp:
<Mnd  
5、覆盖率要求 =oq=``%  
6、 PB*G#2W  
四、具体到测试有哪些需要关注： J
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R1  
1、可测试性设计 Wcm'E3c,  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 <3ep5`1   
3、可靠性测试 uwi.Sg11  
4、故障与测试关系 ;P}007;  
5、 yW*,Llb5  
^Nds@MR{8'  
测试有效性保证； UCj<FN `  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ru/{s3  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 M@G\b^"  
z[vu-f9  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 JbitRV@a  
晶圆的工艺参数监测dice， x1Z'_Qw  
芯片失效分析13488683602 s^.tj41Gx}  
;*+H&  
:)4c_51 `  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 _V8;dv8  
\R-'<kN.*  
"E4CQL'U  
0k_3]Li=(  
~PAI0+*"q  
故障种类： pVzr]WFx  
缺陷种类： p<mBC2!%  
针对性测试： eA``fpr  
?I+$KjE+  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test C%ZPWOc_8  
']sjW'~  
+BhJske  
 JJs*2y  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； B\aVE|~PB  
仿真与误差， ?|Z~mE  
预研阶段 cdGBo4  
顶层设计阶段 M$!-B,1BX  
模块设计阶段 tnBCO%uG  
模块实现阶段 7hLh}  
子系统仿真阶段 .!+7|us8l\  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 k}qCkm27  
后端版面设计 ~>_UTI  
测试矢量准备 zK_P3rLsS  
后端仿真 py%~Qz%  
生产 C1l'<  
硅片测试 "j_cI-@6  
顶层设计： 1D!MXYgm1b  
书写功能需求说明 WWOt>C~
zV  
顶层结构必备项 i6P$>8jBQ-  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 Wl+spWqW  
完成顶层结构设计说明 )%kiM<})  
确定关键的模块（尽早开始） \hEIQjfi  
确定需要的第三方IP模块 #_K<-m%9  
选择开发组成员 eJ ^I+?h  
确定新的开发工具 2AMb-&po&f  
确定开发流程/路线 H4T~Kv  
讨论风险 z;/8R7L&  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 1_
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