晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 _QUu'zJ  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ;6 6_G Sjz  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ^O Xr: P  
1、顶层设计 wp*&&0O!  
2、仿真 To{G#QEgG  
3、热设计及功耗 "q>I?UcZ  
4、资源利用、速率与工艺 pMZf!&tM  
5、覆盖率要求 :Z]hI
+7  
6、 3/IWO4?_  
四、具体到测试有哪些需要关注： })Mv9~&S  
1、可测试性设计 {G1aAM\Hz  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 &G|jzXE  
3、可靠性测试 xnuv4Z}]t  
4、故障与测试关系 p2c=;5|/Q  
5、 ecqz@*d&  
O-!fOdX8_k  
测试有效性保证； XvkI+c  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ;n7|.O]*  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 |]!Ky[P  
Pzm!`F^r}  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 5
az 4NT  
晶圆的工艺参数监测dice， Re,$<9V  
芯片失效分析13488683602 ZR-s{2sl  
{F6dSF`  
MLD>"W  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 s@)"IdSA(  
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0.BUfuuh  
BUA6(  
Sd<@X@iU8D  
故障种类： yK%GsCJd:  
缺陷种类： _`X#c-J  
针对性测试： ^'u;e(AaE  
Y:"v=EhB  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test K)Xs L  
'K@{vB  
C=dx4U~   
,8xP8T~Kmv  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； SC $`  
仿真与误差， [#>$k 6F*  
预研阶段 oLqbR?  
顶层设计阶段 $uFh$f  
模块设计阶段 EB29vHAt~  
模块实现阶段 n:bB$Ai2  
子系统仿真阶段 ^`jZKh8)h  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 C>:/(O  
后端版面设计 }rY?=I  
测试矢量准备 wSJ]3gJM`  
后端仿真 >NH4A_  
生产 C7jc6(>m  
硅片测试 aZawBU.:  
顶层设计： e\A(#l@g  
书写功能需求说明 ^0`<k
 
顶层结构必备项 s=nVoc{Yt  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 uFm+Y]h  
完成顶层结构设计说明 g
* \P6  
确定关键的模块（尽早开始） M)`HK .  
确定需要的第三方IP模块 %7NsBR!y  
选择开发组成员 |YE,) kiF  
确定新的开发工具 J~iOP  
确定开发流程/路线 Y[iDX#  
讨论风险 C?w<$DU  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 TDAWI_83-