晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 9#6ilF:F  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 s:cS 9A8  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： wR/i+,K  
1、顶层设计 mcDW&jwQ  
2、仿真 Z#;ieI\  
3、热设计及功耗 uW[s?  
4、资源利用、速率与工艺 &H5 6mL{  
5、覆盖率要求 N &p=4  
6、 Z/uRz]Hi  
四、具体到测试有哪些需要关注： 5 |C;]pq  
1、可测试性设计 =OO_TPEZ  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 _zm<[0(  
3、可靠性测试 8N-~.p  
4、故障与测试关系 ,bmTBZV  
5、 *vsOL4I%  
W.:kE|a.g  
测试有效性保证； cX.v^9kuX  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ -3_kS/  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 J(/ eR,ak  
fBd +gT\S  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ;{Z2i%  
晶圆的工艺参数监测dice， GJy,)EO6{  
芯片失效分析13488683602 #^#)OQq]  
Z*]n]eS  
cB<0~&  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 [
EGE|  
J;q3 fa  
(%+DE4?  
JBUJc  
4N` MY8',  
故障种类： 5-mJj&0:!  
缺陷种类： *%)L?*  
针对性测试： [sNn^x  
sCRBKCR?  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ={L:q8v)  
6lWO8j^BN  
X?7$JV-:  
ir,Zc\C  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ,$;CII v  
仿真与误差， cF v
GpZ  
预研阶段 Vj?.'(  
顶层设计阶段 DD3J2J  
模块设计阶段 {8B\-LUR  
模块实现阶段 Ha+FH8rZ  
子系统仿真阶段 ^jmnE.8R  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 b0t];Gc%b  
后端版面设计 < m9O0  
测试矢量准备 HZK0Ldf  
后端仿真 P^h2w%6'  
生产 8v]{ 5  
硅片测试 SV\x2^Ea0  
顶层设计： \GvVs  
书写功能需求说明 zw5~|<  
顶层结构必备项 }=GyBnXu  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 }lxvXVc{I  
完成顶层结构设计说明 )E[5lD61  
确定关键的模块（尽早开始） aF;&#TsB  
确定需要的第三方IP模块 {YGz=5^  
选择开发组成员 -I_lCZ{Nbi  
确定新的开发工具 nO|S+S_9  
确定开发流程/路线 +qz)KtJS  
讨论风险 q90S>c,  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 TM^1{0;r5