晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2789
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 HNyDWD)_  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 iiDkk  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: Gqc6).tn  
1、顶层设计 `.-k%2?/  
2、仿真 |]3);^0  
3、热设计及功耗 tU2;Wb!Y  
4、资源利用、速率与工艺 y#0Z[[I0  
5、覆盖率要求 @I.O T  
6、 aC]l({-0  
四、具体到测试有哪些需要关注: qtwmTT)  
1、可测试性设计 R[-:-8  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 &rWJg6/  
3、可靠性测试 eQIi}\`  
4、故障与测试关系 !VTS $nJ4  
5、 s H[34gCh;  
E1v<-UPbA  
测试有效性保证; Ntrn("!  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 0x/V1?gm  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 )_.H #|r  
zO]dQ$r\Z  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 ;mxT >|z  
晶圆的工艺参数监测dice, a~EEow;A  
芯片失效分析13488683602 z2zp c^i  
Lcb5 9Cs6e  
*,*5sV  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 M8Lj*JN  
L%s""nP  
"G)?  E|  
sb5kexGxkc  
mW9b~G3k  
故障种类: U}Fk%Jj  
缺陷种类: <Y6>L};  
针对性测试: 8+|Lph`/?  
Z|wDM^Lf  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test =#fvdj  
MT gEq  
%LW~oI.  
.lS6KBf@  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; R:<AR.)K  
仿真与误差, 9:~^KQ{?  
预研阶段 _erH]E| [  
顶层设计阶段 {IwYoRaXa  
模块设计阶段 qT%E[qDS  
模块实现阶段 k_`S[  
系统仿真阶段 '|r !yAO6  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 \MPy"uC  
后端版面设计 svgi!=  
测试矢量准备 w]XBq~KO  
后端仿真 <O&s 'A[  
生产 { ,srj['RS  
硅片测试 PrxXL/6  
顶层设计: G;+ 0V0K  
书写功能需求说明 %"V,V3kw4  
顶层结构必备项 a$A S?`L  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 XA%?35v~  
完成顶层结构设计说明 "0mR*{nF  
确定关键的模块(尽早开始) b,`N;*  
确定需要的第三方IP模块 >cLZP#^\2E  
选择开发组成员 J],BO\ECH  
确定新的开发工具 0\A[a4crj  
确定开发流程/路线 #2iA-5  
讨论风险 >MLqOUr#  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 \t3i9#Q  
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