晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 9*4 .  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 vwVVBG;t  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： -^yXLa;D  
1、顶层设计 <x0)7xX  
2、仿真 os[ZIHph  
3、热设计及功耗 d]8_l1O  
4、资源利用、速率与工艺 I6+2>CUGo  
5、覆盖率要求 3S5^`Ag#  
6、 qB:AkMd&  
四、具体到测试有哪些需要关注： md?b*  
1、可测试性设计 [cDbaq,T  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 'fIHUw|  
3、可靠性测试 cQX:%Ix=  
4、故障与测试关系 :V-k'hm &  
5、 W@^J6sH  
S`=n&'  
测试有效性保证； ^00{Hd6  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ h}h^L+4  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 BBxc*alG0  
_5b0wdB  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 L x.jrF|&  
晶圆的工艺参数监测dice， FqwIJ|ct  
芯片失效分析13488683602 vs+QbI6>-  
j9:/RJS  
bG(x:Py&  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 za T_d/?J  
I+|uUg5  
je,c7ZFO  
Yrxk Kw#  
09d9S`cS\  
故障种类： DVh)w}v  
缺陷种类： Nt~x&s  
针对性测试： mZ7B<F[qV  
F}'wH-qp  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ePEe?o4;  
GF'f[F6oI  
MU1E_"Z)  
T`\]!>eb  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； s)ky/ce  
仿真与误差， H@D;e  
预研阶段 h=6xZuA\  
顶层设计阶段 > H BJk:  
模块设计阶段 \lEkfcc  
模块实现阶段 ,hWcytzEw  
子系统仿真阶段 r+S;B[Vd  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 {E51Kv&_  
后端版面设计 w{`Acu  
测试矢量准备 < bFy(+  
后端仿真 tuxRVV8l  
生产 BSgTde|3y  
硅片测试 vd (?$  
顶层设计： ?YBaO,G9o  
书写功能需求说明 X?/Lz;,&  
顶层结构必备项 Z5B/|{  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 uw33:G  
完成顶层结构设计说明 @?Zf-.  
确定关键的模块（尽早开始） ETfF5i}  
确定需要的第三方IP模块 (.?ZKL  
选择开发组成员 _Yq@FOu  
确定新的开发工具 NYB "jKMk  
确定开发流程/路线 %(<(Y  
讨论风险 dJi|D  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 E'EcP4eL