晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 7@|(z:uw  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 x^
9W<  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： Xy=|qu  
1、顶层设计 n"d~UV^Uw  
2、仿真 [m!$01=  
3、热设计及功耗 a'XCT@B  
4、资源利用、速率与工艺 Y |n_Ro^~  
5、覆盖率要求 x>p=1(L  
6、 J1P82=$,  
四、具体到测试有哪些需要关注： *+lnAxRa?  
1、可测试性设计 ] QtGgWtC  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 +TA(crD  
3、可靠性测试 a{el1_DIGK  
4、故障与测试关系 rh/3N8[6  
5、 OJQ7nChMm  
A&)P_B1|  
测试有效性保证； 1m|1eAGS{  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ Q(E$;@   
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 Su6ZO'[)  
QWxCNt:^?  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 @N1ta-D#  
晶圆的工艺参数监测dice， R~[ u|EC}  
芯片失效分析13488683602 Y=/HsG\W]  
"n:L<F,g  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 D?
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UFC.!t-Z  
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JrYpZ.Nh  
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故障种类： &h8+-  
缺陷种类： =KMd! $J\  
针对性测试： |`E\$|\p  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 0 l G\QT  
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K;gm^  
DTAEfs!ZW  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Xj?j1R>GB  
仿真与误差， ,dK%[  
预研阶段 GDZe6*  
顶层设计阶段 Bn}@w
O  
模块设计阶段 jFbz:aUF  
模块实现阶段 =HYMX"s  
子系统仿真阶段 Op\l  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 5-5qm[.;  
后端版面设计 FV!  
测试矢量准备 ([`-*Hy  
后端仿真 ?Ju=L|  
生产 wa@X^]D8  
硅片测试
oC>^V5  
顶层设计： w9H%u0V?  
书写功能需求说明 \Vr(P>  
顶层结构必备项 2pxl!  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 >c;qIP)Z  
完成顶层结构设计说明 +q
1 @8  
确定关键的模块（尽早开始） ) l0=jb  
确定需要的第三方IP模块 F~)xZN3=  
选择开发组成员 )TVyRYZ1  
确定新的开发工具 >eWHPO  
确定开发流程/路线 SI8mr`gJ  
讨论风险 ]C}z3hhk  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 \7jcZ~FBX%