晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 \-mz[<ep  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 j HT2|VGb*  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： J4 yT|  
1、顶层设计 ;J3az`  
2、仿真 x\vb@!BZ  
3、热设计及功耗 gB!K{ Io'  
4、资源利用、速率与工艺 z.f~wAT@<  
5、覆盖率要求 8=^o2&  
6、 &xF 2!t`  
四、具体到测试有哪些需要关注： A&i   
1、可测试性设计 * %p6+D-C  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 !=(~e':Gv  
3、可靠性测试 {0fQ"))"  
4、故障与测试关系 cGw*edgp6  
5、 pU`4bT(w%  
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测试有效性保证； Cc:m~e6r  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ZbJUOa?W
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设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 L3M
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 t 7D2k2x9  
晶圆的工艺参数监测dice， o6^^hc\  
芯片失效分析13488683602 fL7ym,?  
irNGURLm  
DiF=<} >x  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 'vO+,-  
%=J<WA6\  
%Uk]e5Hu  
XJ;kyEx3=O  
Pm]6E[zC  
故障种类： C%<[mM  
缺陷种类： p1p4t40<l  
针对性测试： I(r^q"  
K;2tY+I  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test O$B]#]L+  
rvRtR/*?j  
9V&%_.Z
 
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； >a98H4  
仿真与误差， I(E1ym  
预研阶段 <Tr_,Ya{9  
顶层设计阶段 TL(L[  
模块设计阶段 Au'[|Prr  
模块实现阶段 f<ABs4w  
子系统仿真阶段 ,D-VC{lj  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 fSdv%$;Hc  
后端版面设计 \HFh?3-g  
测试矢量准备 i*j[j~2>C;  
后端仿真 w/s{{X<bF  
生产 8cy#[{u`;  
硅片测试 )+[IR  
顶层设计： dX0A(6  
书写功能需求说明 [#H$@g|CT  
顶层结构必备项 zH8l-0I+$  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 9="i'nYp  
完成顶层结构设计说明 { hUbK+dKZ  
确定关键的模块（尽早开始）
"V:B-q  
确定需要的第三方IP模块 ]*-9zo0  
选择开发组成员 ulsr)Ik  
确定新的开发工具 eHG**@"X  
确定开发流程/路线 pDD0 QO  
讨论风险 4f~h
d-z  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 1tG,V%iCp