晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 B4 <_"0  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 X[Y#+z4  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： hAYQ6
g$A  
1、顶层设计 ~JT lPU'  
2、仿真 V?o&])?[  
3、热设计及功耗 5Wj5IS/  
4、资源利用、速率与工艺 /.f!  
5、覆盖率要求 5M]6'X6I  
6、 Q9nu"x %  
四、具体到测试有哪些需要关注： 2voNg
Y  
1、可测试性设计 W|FNDP0  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 *Y^5M"AB_  
3、可靠性测试 CVi<~7Am\  
4、故障与测试关系 MEDskvBG  
5、 ^S3A10f,  
KS8\F0q  
测试有效性保证； c '/2F0y  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ :r[W'h_%  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 r]xdhR5  
Y&~5k;>'_  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 &<m WA]cAL  
晶圆的工艺参数监测dice， v UJ sFR  
芯片失效分析13488683602 `<bCq\+`  
o(vZ*^\  
if\k[O 1T6  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 A/r;;S)%2  
cM|af#o  
Di]Iy  
ZD iW72&Q  
#{.pQi})  
故障种类： \0xzBs1!  
缺陷种类： ^S>!kt7io  
针对性测试： ?yda.<"g9Y  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test tVK?VNW  
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Yf%[6Y{  
k B$lkl\C  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； 0^_)OsFA  
仿真与误差， a2IV!0x  
预研阶段 h?M'7Lti  
顶层设计阶段 -uS7~Ww.a  
模块设计阶段 fte!Ll'  
模块实现阶段 >V77X+!  
子系统仿真阶段 rGP? E3  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 +X4tt
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后端版面设计 GZ-n! ^  
测试矢量准备 E}E7VQjM  
后端仿真 4c9-[KKCV  
生产 !^Qb[ev  
硅片测试 sP=2NqU3Q  
顶层设计： ,(5dQ`hA0  
书写功能需求说明 L.R\]+$U2  
顶层结构必备项 %t(, *;  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 c>%z)uY>/  
完成顶层结构设计说明 rYP8V >  
确定关键的模块（尽早开始） f^>lObvd  
确定需要的第三方IP模块 rmAP&Gw I  
选择开发组成员 '{1W)X  
确定新的开发工具 zYNM<W;  
确定开发流程/路线 (>kBmK1Aj  
讨论风险 Z\oAE<$  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 pU\xzLD