晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 dos$d3B4  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ,bJZs-P0  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： o.Q|%&1  
1、顶层设计 xNq&_oY7  
2、仿真 <7)Vj*VxC  
3、热设计及功耗 #sNa}292"  
4、资源利用、速率与工艺 (lEWnf=2h  
5、覆盖率要求 QD /| zi  
6、 ("H:T?4Qs  
四、具体到测试有哪些需要关注： Kw925@W  
1、可测试性设计 PO |p53  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 oPre$YT}h  
3、可靠性测试 Ep?a1&b  
4、故障与测试关系 S/7D}hJ  
5、 u5T\_0  
6>bKlYl&9  
测试有效性保证； (Rs<'1+>  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？
jd(=? !_  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 G7zfyw}W  
"FG6R'  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 a>""MC2  
晶圆的工艺参数监测dice， PjRKYa_U  
芯片失效分析13488683602 LH<--#K  
-41L^Di\  
r1F5&?{q  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 1v,4[;{  
9$#2+G!J  
SM0
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0/-[k  
?uh7m2l0D  
故障种类： H(n_g QAX  
缺陷种类： {N7,=(-2=  
针对性测试： &=_YL  
,uDB]  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test QN*'MA"M  
2+y4Gd 7  
Q.vtU%T  
dR $@vDm  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ~#) DJ  
仿真与误差， p/SJt0  
预研阶段 !aII

jWz]  
顶层设计阶段 #?8'Z/1)  
模块设计阶段 Pm" ,7  
模块实现阶段 X*d,z~k%*d  
子系统仿真阶段 GT#iY*  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 7j._3'M=Kc  
后端版面设计 .5_w^4`b  
测试矢量准备 ]FsPlxk6  
后端仿真 97<Y. 0  
生产 2/(gf[elX  
硅片测试 W 4 )^8/  
顶层设计： l_QpPo!a  
书写功能需求说明 FnL~8otPF'  
顶层结构必备项 mezP"N=L~  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 s}/YcU
K  
完成顶层结构设计说明 /Xn
I>  
确定关键的模块（尽早开始） cBc6*%ZD  
确定需要的第三方IP模块 iOzw)<  
选择开发组成员 U
 .G*C  
确定新的开发工具 d]w*fn  
确定开发流程/路线 u3"F7 lJ  
讨论风险 u9k##a4.E  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 U4^dDj