晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2795
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 4*Uzomb?q  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 #z6[ 8B  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: ?qC6p|H  
1、顶层设计 nSy{ {d  
2、仿真 >^:*x_a9  
3、热设计及功耗 L!;"73,&(8  
4、资源利用、速率与工艺 {&dbxj-'  
5、覆盖率要求 f4 k  
6、 H2kib4^i  
四、具体到测试有哪些需要关注: P K+rr.k]  
1、可测试性设计 a_Sp}s<J  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 /aTW X  
3、可靠性测试 Q HU|aC{r  
4、故障与测试关系 Nwwn #+  
5、 MpK3+4UMa  
~ECIL7,  
测试有效性保证; 8NnGN(a*D  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? O:E0htdWr  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 OI^??joQ  
^/~ZP?%]  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 b1TIVK3m  
晶圆的工艺参数监测dice, ;NMv>1fI  
芯片失效分析13488683602 9epMw-)k  
ej,)< *  
mO=A50_&,Q  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 q@Aw]Kh  
\E(^<Af  
TUBpRABH  
CZ 33|w  
]z#+3DaH  
故障种类: CM%Rz-c  
缺陷种类: d88Dyzz  
针对性测试: n1U!od  
6& (bL<8b  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test &HQ_e$1  
R 7h^ @  
m#Ydq(0+  
jj&mRF0gCb  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; bey:Qj??  
仿真与误差, -aq3Lqi  
预研阶段 nR]*RIp5  
顶层设计阶段 J`]9 n>G  
模块设计阶段 1=Kt.tuf  
模块实现阶段 \ 5.nr*5  
系统仿真阶段 h2-v.Tjf  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 9a2[_Wy  
后端版面设计 S zNZY&8 f  
测试矢量准备 ExhK\J  
后端仿真 }a !ny  
生产 %4wEAi$I  
硅片测试 0q28Ulv9  
顶层设计: q`'m:{8  
书写功能需求说明 Gf +>Aj U'  
顶层结构必备项 Y\Z6u)  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 CcTdLq  
完成顶层结构设计说明 3$?nzKTW\  
确定关键的模块(尽早开始) -%Rw2@vU  
确定需要的第三方IP模块 6B|OKwL  
选择开发组成员 o~<jayqU  
确定新的开发工具 IL`LI J:O  
确定开发流程/路线 znB+RiV8  
讨论风险 \gu8 ~zK  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 7}I';>QH  
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