晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 eLt Cxe  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 PTI'N%W  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： *]>OCGsr  
1、顶层设计 qed!C  
2、仿真 zhR_qW+  
3、热设计及功耗
>ihe|WN  
4、资源利用、速率与工艺 UQji7K }  
5、覆盖率要求 m|Q&Lphb8  
6、 |$|nV^y  
四、具体到测试有哪些需要关注： D)/XP  
1、可测试性设计 z5o9\.y({  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 (PT?h>|St  
3、可靠性测试 ("P mB?20  
4、故障与测试关系 L/ICFa.G  
5、 n4r( Vg1GS  
BorfEv} SN  
测试有效性保证； u7y7  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ w3?t})PB&  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 @=zBF'<.9  
Kj<<&_B.H  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 E*T84Jh6  
晶圆的工艺参数监测dice， c&I,eds  
芯片失效分析13488683602 d8BK
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`w+9j-  
$qyM X[  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 <hF~L k ,  
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5-SlQu  
I3E8vi%B.  
T=p}By3a  
CK`3   
故障种类： ``YL] <<  
缺陷种类： G'}_ZUy#  
针对性测试： )i6U$,]  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test [q+39  
CR<pB)F?a  
TI7Ty+s  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； Mp@(/  
仿真与误差， 3v3Va~fm`  
预研阶段 `zsk*W1GA  
顶层设计阶段 3L!&~'.Ro  
模块设计阶段 d<cbp[3F  
模块实现阶段 W2.1xNWO  
子系统仿真阶段 ! {o+B^^  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Ug'nr  
后端版面设计 LAVt/TcZS|  
测试矢量准备 "s6_lhu=E7  
后端仿真 u(G;57ms  
生产 ;51!aC  
硅片测试 7u3b aM  
顶层设计： czsoD)N  
书写功能需求说明 vFvu8*0  
顶层结构必备项 Hr,gV2n  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ]}Hv,a   
完成顶层结构设计说明 Pg8=  
确定关键的模块（尽早开始） T^H) lC#R  
确定需要的第三方IP模块 mS;Q8Crh  
选择开发组成员 2uR4~XjF  
确定新的开发工具 nz?BLO=  
确定开发流程/路线 cz~11j#  
讨论风险 <W|{)U?p  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗
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