晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:2804
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 x97L>>|  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 ATV|M[B  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: cw_B^f8^  
1、顶层设计 &pv* TL8  
2、仿真 u0ZMrIJ  
3、热设计及功耗 ,RAP_I!_x  
4、资源利用、速率与工艺 Ty;^3  
5、覆盖率要求 95/;II  
6、 J0t_wM Ja  
四、具体到测试有哪些需要关注: ]4FAbY2'h  
1、可测试性设计 +R 8dy  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 <c,iu{:  
3、可靠性测试 {X nBj}C  
4、故障与测试关系 }Os7[4 RW  
5、 (r1"!~d@  
\ ~C/  
测试有效性保证; G2=d q  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? {s2eOL5I|%  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 90=gP  
g6][N{xW0  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 lI9|"^n7F  
晶圆的工艺参数监测dice, BY$L[U;@T  
芯片失效分析13488683602 y8v0>V0)  
7G Jhc  
 ftV~!r  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 k/Q8:qA  
<yw=+hz[u  
H<*n5r(c  
MiMDEe%f%  
ndvt $*  
故障种类: 8K\S]SZ  
缺陷种类: _akpW  
针对性测试: ^>y|{;`  
"2"2qZ*h}  
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test @~i : 8  
Ou|kb61zg  
!]8QOn7=  
,jy9\n*<t9  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; hXc:y0 0  
仿真与误差, h,MaF<~  
预研阶段 z;&J9r $`  
顶层设计阶段 <II>io ;  
模块设计阶段 <CS,v)4,nH  
模块实现阶段 :;&3"-  
系统仿真阶段 U@}P]'`'f  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 {CgF{7`  
后端版面设计 }%3i8e  
测试矢量准备 ztC,[   
后端仿真 Z3dI B`@  
生产 (w%9?y4Q  
硅片测试 ;F /w&u.n  
顶层设计: 0.^67'  
书写功能需求说明 7K24sHw;%  
顶层结构必备项 i~{0>"9  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 |O*?[|`H  
完成顶层结构设计说明 G~f|Sx  
确定关键的模块(尽早开始) #*"I?B/fd8  
确定需要的第三方IP模块 X/D% cQ6  
选择开发组成员 {YIVi:4q  
确定新的开发工具 EB p(^r j  
确定开发流程/路线 H<l0]-S{  
讨论风险 K6nNrd}p:  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 h- %RSei5  
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