晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 oPC qv  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 ^|lG9z%Foy  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： GL'zNQP-  
1、顶层设计 ;1L7+.A  
2、仿真 N3o kN8d  
3、热设计及功耗 </33>Fu)  
4、资源利用、速率与工艺 &~sk7iGi  
5、覆盖率要求 y];@ M<<?e  
6、 V(<(k,8
=  
四、具体到测试有哪些需要关注： q\T}jF\t  
1、可测试性设计 p5 )+R/  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 w$FN(BfA  
3、可靠性测试 axL
O: Q,  
4、故障与测试关系 ]R6Z(^XT,E  
5、 )`-vN^1S-  
.8/W_iC92  
测试有效性保证； Ng+Ge5C9  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ XYHVw)  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 %a$Fsn  
} f+hB  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 q($fl7}Y  
晶圆的工艺参数监测dice， Nj|~3 *KO  
芯片失效分析13488683602 Wkc^?0p  
7kH GU  
>TddKR@C  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 hv8j$2m  
f f_| 3G  
\'Ewn8Qv8  
2Wq/_:  
kG|pM54:^  
故障种类： 77o&$l,A|  
缺陷种类： eKek~U&  
针对性测试： <nE|Y@S  
7T@"2WYat  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test AAld2"r  
,Z p9,nf  
X^ZUm  
} P/ x@N  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； :h)A/k_  
仿真与误差， 8@'Q=".J  
预研阶段 "f3KE=cUm  
顶层设计阶段 hV>@qOl '  
模块设计阶段 c0W4<(  
模块实现阶段 i=8){GX4  
子系统仿真阶段 P g1EE"N@  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 (y{nD~k  
后端版面设计 +)7Yqh#$  
测试矢量准备 o
=N_0.  
后端仿真 I6,sN9` K  
生产 Zfn390_  
硅片测试 .3*VkAs  
顶层设计： &+>)H$5  
书写功能需求说明 20p/p~<  
顶层结构必备项 [Q*aJLG  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 k7ODQ(*v  
完成顶层结构设计说明 ~TEKxgU  
确定关键的模块（尽早开始） O`W&`B(*k  
确定需要的第三方IP模块 ~ E|L4E  
选择开发组成员 Z,bvD'u  
确定新的开发工具 9XPQ1LSx  
确定开发流程/路线 %*wOJx  
讨论风险 zO07X*Bw  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 IRW%*W#