晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 0eY$K7 U  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 O@jW&-;  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： L*tn>AO  
1、顶层设计 T_CYSS|fX  
2、仿真 ]qCAog  
3、热设计及功耗 is`Eqcj`dr  
4、资源利用、速率与工艺 |,F/_   
5、覆盖率要求 rt] @Z`w  
6、 L-[<C/`;t  
四、具体到测试有哪些需要关注： kKnz F  
1、可测试性设计 E<;C@B  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 >IO}}USm  
3、可靠性测试 9,y*kC  
4、故障与测试关系 F,^Q'$!  
5、 HXF5fs  
) 'x4#5]  
测试有效性保证； ^+cf  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ETe,RY  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 3X,9K23T  
IGs!SXclCs  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 S/pTFlptCa  
晶圆的工艺参数监测dice， |S#)[83*3  
芯片失效分析13488683602 N?0T3-/K  
P X?!R4S  
GbG!vo  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 0hK)/!Y  
%76N$`{u  
l=%v  
ipfiarT~)  
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j 8J4  
故障种类： hH8:7i  
缺陷种类： -8&M^-  
针对性测试： vsg"!y@v  
RP&H9>  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test p;Kw$fQ?  
g&;:[&%T]  
MnUal}MO  
Hw[u Sv8  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； x]6OE]]8L  
仿真与误差， nE)?P*$3Z  
预研阶段 lCg'K(|"  
顶层设计阶段 j.X3SQb4G  
模块设计阶段 rmutw~nHD  
模块实现阶段 W>036  
子系统仿真阶段 4)ez0[i$X  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 %{s<h6{R  
后端版面设计 k_.%(ZE  
测试矢量准备 n\&[^Q#b|  
后端仿真 .0;Z:x_3  
生产 '"Q;54S**  
硅片测试 &^^zm9{  
顶层设计： Js[dT|>.  
书写功能需求说明 jI!}}K)d  
顶层结构必备项 )x
Ik
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分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 <zH24[  
完成顶层结构设计说明 J<BBM.^]  
确定关键的模块（尽早开始） hrPm$`  
确定需要的第三方IP模块 !\.x7N<)0  
选择开发组成员 ax&,  
确定新的开发工具 
.p&4]6  
确定开发流程/路线 Qc-jOl  
讨论风险 n#,|C`2
r  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 w=I8f}(