晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 %3HF_DNOY=  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 (h@~0S
 
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： g6SZ4WV  
1、顶层设计 G [yI[7=d  
2、仿真 PP_ar{|7  
3、热设计及功耗 &,/-<y-S  
4、资源利用、速率与工艺 PEKXPFN  
5、覆盖率要求 mG*Yv  
6、 6TQ[2%X'  
四、具体到测试有哪些需要关注： 1[RI 07g7*  
1、可测试性设计 f.vJJa  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 #N97  
3、可靠性测试 7.yCs[Z  
4、故障与测试关系 =G 'c%  
5、 &y3;`A7,  
#V[Os!ns  
测试有效性保证； Fl==k  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ 1)-VlQK p  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 O`>u70  
=}+xD|T  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 1:I _;O_  
晶圆的工艺参数监测dice， '?mky,:HT  
芯片失效分析13488683602 cS#| _  
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7u%OYt D E  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 _#<7s`i  
4%jQHOZ  
_tnoq;X[  
g
e{%B~x  
w(odgD  
故障种类： 5*y6{7FLp  
缺陷种类： kh"APxQ79  
针对性测试： Sjmq\A88dc  
NQd0$q  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test :-+j,G9t  
OK:YnSk"  
(6)X Fp&  
q:,ck@-4  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； e
=",58  
仿真与误差， *.-qbwOg  
预研阶段 V:8{MO(C\  
顶层设计阶段 6.3qux9  
模块设计阶段 S<++eu  
模块实现阶段 )aX#RM? N  
子系统仿真阶段 6#2E {uy;R  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 Mbxrj~ue  
后端版面设计 B}d)e_uLj  
测试矢量准备 )5s-"o<  
后端仿真 "Qe2U(U
n  
生产 F:G Vysy  
硅片测试 ]ex2c{ G  
顶层设计： 6"o@d8>v  
书写功能需求说明 6[]O3Aa  
顶层结构必备项 v<]$,V]  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 G>+iisb%  
完成顶层结构设计说明 =#?=Lh  
确定关键的模块（尽早开始） IOH6h=  
确定需要的第三方IP模块 aN"dk-eK  
选择开发组成员 T'%Rkag>  
确定新的开发工具 ,@@FAL  
确定开发流程/路线 xbze{9n"  
讨论风险 t[bZg9;  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 n'<F'1SWv