晶圆测试及芯片测试

发布:探针台 2019-09-10 13:59 阅读:3130
一、需求目的:1、热达标;2、故障少 =jg#fdM -  
二、细化需求,怎么评估样品:1、设计方面;2、测试方面 n S_Ta  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注: FAQr~G}  
1、顶层设计 b]!9eV$  
2、仿真 S  ~@r  
3、热设计及功耗 Ds%9cp*6  
4、资源利用、速率与工艺 ;{<aA 5  
5、覆盖率要求 r4O|()  
6、 403[oOj  
四、具体到测试有哪些需要关注: 0 HGlf  
1、可测试性设计 +hE',i.  
2、常规测试:晶圆级、芯片级 j$3rJA%rN  
3、可靠性测试 FJP< bREQ  
4、故障与测试关系 @ Ii-NmOr  
5、 21r= = H$  
63W{U/*aao  
测试有效性保证; s|Z:}W?{  
设计保证?测试保证?筛选?可靠性? 8zhBA9Y#~  
设计指标?来源工艺水平,模块水平,覆盖率 nz4<pvC,*  
0cHfxy3  
晶圆测试:接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 1HMUHZT  
晶圆的工艺参数监测dice, `/#f?Hk=  
芯片失效分析13488683602 '.?^uM  
f}^I=pS&  
` ^DjEdUN  
芯片测试:ATE测试项目来源,边界扫描 Q,{^S,s<   
^:`oP"%-T  
QE|`&~sme  
!c%  
9YB2 e84j  
故障种类: 9B /s  
缺陷种类: qu_)`wB  
针对性测试: cv}aS_`f  
tR kF   
性能功能测试的依据,可测试性设计:扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test 8{dEpV*  
!O|ql6^;  
XAe\s`  
KU-'+k2s;p  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系; j&5G\6:  
仿真与误差, iOXZ ]Xj5  
预研阶段 74+A+SK[  
顶层设计阶段 ?WQNIX4  
模块设计阶段 hk%k(^ekU]  
模块实现阶段 %SAw;ZtQ:  
系统仿真阶段 4o<*PPA1  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 |( G2K'Ab  
后端版面设计 MaO"#{i  
测试矢量准备 ',7a E@PJ  
后端仿真 yub{8f;v  
生产 mzWP8Hlw  
硅片测试 }Dn^d}?s||  
顶层设计: Y25^]ON*\^  
书写功能需求说明 Us,)]W.S  
顶层结构必备项 `\bT'~P  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 \q "N/$5{f  
完成顶层结构设计说明 ciudRK63M  
确定关键的模块(尽早开始) 4:7mK/Z  
确定需要的第三方IP模块 gY(1,+0-  
选择开发组成员 R_^/,^1  
确定新的开发工具 Ytao"R/  
确定开发流程/路线 t V03+&jF  
讨论风险 /.Fj.6U5  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 v!9i"@<!  
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