晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 wJh|$Vn  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 .z+?b8Q\  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： R3F>"(P@tS  
1、顶层设计 8WV1OIL  
2、仿真 1Nx.
aji  
3、热设计及功耗 LU4\&fd  
4、资源利用、速率与工艺
eA&hiAP/  
5、覆盖率要求 m}0US;c#f  
6、 NAhV8  
四、具体到测试有哪些需要关注： "xZ]i)  
1、可测试性设计 c\U
VMyE  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 zfL$z,zgf  
3、可靠性测试 ?*E Y~'I  
4、故障与测试关系 ?GU/Rf!H#  
5、 #(
h~l> r  
!zL1XW)q  
测试有效性保证； 8YraW|H  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ oM-{)rvQd  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 ([UuO}m-  
W5(t+$L.  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 lDV8<  
晶圆的工艺参数监测dice， `|wH=  
芯片失效分析13488683602 mp0p#8txi  
JU:!lyd  
zB\g'F/  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 KgVit+4u/  
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I*@\pc}  
Y\BB;"x1  
VgZ<T,SuW  
故障种类： YS,kjL/  
缺陷种类： rB?u.jn0T  
针对性测试： hxx,E>k  
|8&AsQd  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test Km]N scq1  
)VJAs|  
5}9-)\8=z  
C!XI0d  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系；  ?1r@r  
仿真与误差， <qZXpQ#  
预研阶段 "%urT/Fv&  
顶层设计阶段 jM1_+Lm1  
模块设计阶段 YS?P A#  
模块实现阶段 H#k"[eZ  
子系统仿真阶段 FR0
zK=\  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 8Nxf2i5  
后端版面设计 51.F,uY  
测试矢量准备 R%aH{UhE`  
后端仿真 W)^:*z  
生产
/`hr)  
硅片测试 Q6,rY(b6  
顶层设计： 3k;U#H  
书写功能需求说明 NUH;GMj,,  
顶层结构必备项 Y:^ =jV7  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 _XXK1H x  
完成顶层结构设计说明 9Q]v#&1  
确定关键的模块（尽早开始） aen(Mcd3bg  
确定需要的第三方IP模块 %%c0UaV  
选择开发组成员 uA C:&  
确定新的开发工具 I.R3?+tZ  
确定开发流程/路线 5|m|R"I*Y  
讨论风险 qS&PMQ"$  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 .`Z{ptt>