晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 %Nj #0YF]  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 tE[H8  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： x5oOF7#5  
1、顶层设计 W
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2、仿真 #>=8w9]  
3、热设计及功耗
Mal<iNN  
4、资源利用、速率与工艺 u+m4!`  
5、覆盖率要求 PkTfJQP8  
6、 'qjX$]H  
四、具体到测试有哪些需要关注：  @@Q6TB  
1、可测试性设计 wtSvJI~o)  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 %4,xx'`  
3、可靠性测试 U2bzUxK  
4、故障与测试关系 f27)v(EJ  
5、 \^
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测试有效性保证； T'.[F  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ _5b0wdB  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 '@bJlJB9>  
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晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 vs+QbI6>-  
晶圆的工艺参数监测dice， j9:/RJS  
芯片失效分析13488683602 bG(x:Py&  
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芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 b0 &  
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Ad/($v5+  
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故障种类： tw<P)V\h  
缺陷种类： =2%VZE7Vm  
针对性测试： 7Lg7ei2mN7  
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性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ? Vp%=E  
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芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； ?ok)>P  
仿真与误差， BqB|Fo  
预研阶段 &tj0M.-  
顶层设计阶段 &RW`W)
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模块设计阶段 W pN.]x  
模块实现阶段 _{$fA6C  
子系统仿真阶段 >F[GVmC  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 2JZdw  
后端版面设计 qnJ50 VVW  
测试矢量准备 |@RpWp>2  
后端仿真 1`JB)9P  
生产 ^I`a;  
硅片测试 1k[GuG%/K  
顶层设计： *~2cG;B"e  
书写功能需求说明 jXp. qK\"  
顶层结构必备项 Y5Z!og  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 ;iU%Kt  
完成顶层结构设计说明 m[:K"lZ ]2  
确定关键的模块（尽早开始） ` 1+%}}!$u  
确定需要的第三方IP模块 u,o1{%O  
选择开发组成员 I9&lO/c0  
确定新的开发工具 f*m[|0qI<X  
确定开发流程/路线 _TUm$#@Y`  
讨论风险 Y:psZ  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 _ym"m,,7?