晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 @aBZ|8
 
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 "IB)=Hc  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： qk<tLvD_'  
1、顶层设计 iT IW;Cv  
2、仿真 l=kgRh  
3、热设计及功耗 3``$yWWg  
4、资源利用、速率与工艺 +-xA/nU.c  
5、覆盖率要求 B
Eu9gu  
6、 CK
.Z-_M  
四、具体到测试有哪些需要关注： Km-lWreTH  
1、可测试性设计 2W|j K  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 h/PWi<R i  
3、可靠性测试 5$N4<Lo7  
4、故障与测试关系 -O-_F6p'D  
5、 #B>Hq~ vrC  
v!40>[?|p  
测试有效性保证； O4( Z%YBe  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ ?^k-)V  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 5>/,25 99  
{Uu7@1@n  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 Qx$Yj  
晶圆的工艺参数监测dice， ~/ "aD  
芯片失效分析13488683602 3\6jzD  
fz,8 <  
[|uAfp5R  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 :m-HHWMN  
?6~RGg  
Le#bitp  
t3G%}d?  
.wYx_  
故障种类： 5AQ $xm4  
缺陷种类： nwW`Q>+#U  
针对性测试： hm?-QVRPV  
]vhh*  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test F5&4x"c  
R (4 :_ xc  
c5^i5de  
AVHn7olG  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； )%WS(S>8  
仿真与误差， #^#N%_8  
预研阶段 CEZ*a 0}=  
顶层设计阶段 5U%uS^%DP  
模块设计阶段 hA)3Ah*  
模块实现阶段 eH79,!=2  
子系统仿真阶段 [WC-EDO2lb  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 \)`\F
$CF  
后端版面设计 SIzW3y[  
测试矢量准备 #%B1,.A  
后端仿真 }fL8<HM\'c  
生产 A10/"Ec<u  
硅片测试 N!r@M."  
顶层设计： KZ;U6TBiB  
书写功能需求说明  X1y1  
顶层结构必备项 0;r+E*`DA  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 0 UjT<t^F  
完成顶层结构设计说明 prhFA3 rW.  
确定关键的模块（尽早开始） A]ciox$AjW  
确定需要的第三方IP模块 ]D%D:>9|/  
选择开发组成员 Y KeOH  
确定新的开发工具 \O72PC+  
确定开发流程/路线 y}
nM'$p  
讨论风险 Kl\A&O*{  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 6^}GXfJAc