晶圆测试及芯片测试

一、需求目的：1、热达标；2、故障少 `DG6ollp{  
二、细化需求，怎么评估样品：1、设计方面；2、测试方面 :`:<JA3,  
三、具体到芯片设计有哪些需要关注： ?9H
7Twi+T  
1、顶层设计 7/PHg)&  
2、仿真 t<ftEJU"'w  
3、热设计及功耗 R:E6E@T  
4、资源利用、速率与工艺 -fL|e/  
5、覆盖率要求 C;dA?Es>R  
6、 v0"|J3  
四、具体到测试有哪些需要关注： P^rSpS9  
1、可测试性设计 n
\,TW&3  
2、常规测试：晶圆级、芯片级 ])m",8d&T  
3、可靠性测试 .7ahz8v  
4、故障与测试关系 kgr:85  
5、 n 8AND0a1C  
7 aDI6G  
测试有效性保证； Ct}"o  
设计保证？测试保证？筛选？可靠性？ K8|6r|x  
设计指标？来源工艺水平，模块水平，覆盖率 *n}9_V%  
j@GMZz<  
晶圆测试：接触测试、功耗测试、输入漏电测试、输出电平测试、全面的功能测试、全面的动态参数测试、   模拟信号参数测试。 1Y}gki^F  
晶圆的工艺参数监测dice， =!#DUfQf  
芯片失效分析13488683602  o<Y|N  
3C_g)5 _:  
|i|YlWQS  
芯片测试：ATE测试项目来源，边界扫描 ~gI%   
,J}lyvkd  
P2`ks[u+i  
<i]%T~\Af)  
/R|"/B0  
故障种类： 3qpkMu3  
缺陷种类： B{)Du :)  
针对性测试： mG?a)P  
=;Wkg4\5  
性能功能测试的依据，可测试性设计：扫描路径法scan path、内建自测法BIST-built in self-test ZmmuP/~2K  
HoRLy*nU  
+%U@  
oC4rL\d
{  
芯片资源、速率、功耗与特征尺寸的关系； U-WrZ|-  
仿真与误差， cLR8U1k'  
预研阶段 UwE^ij  
顶层设计阶段 uUc[s"\  
模块设计阶段 f{3FoN=z  
模块实现阶段 }PED#Uv  
子系统仿真阶段 a#uJzYB0  
系统仿真,综合和版面设计前门级仿真阶段 /23v]HEPy  
后端版面设计 m.V mS7_I  
测试矢量准备 ]nfS vPb  
后端仿真 ;H:qDBH  
生产 +S/8{2%?DG  
硅片测试 cst=m
s  
顶层设计： 'kx{0J?  
书写功能需求说明 fcw\`.
  
顶层结构必备项 ,(c="L4[  
分析必选项-需要考虑技术灵活性、资源需求及开发周期 kY_UY~E  
完成顶层结构设计说明 ][?GJ"O+U  
确定关键的模块（尽早开始）
3_33@MM  
确定需要的第三方IP模块 e;!<3b  
选择开发组成员 >`oO(d}n[0  
确定新的开发工具 Pyyx/u+?@  
确定开发流程/路线 57[O)5u.+  
讨论风险 JBoo7a1  
预计硅片面积、输入/输出引脚数  开销和功耗 )3G?5 OTS