切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 213阅读
    • 0回复

    [广告]芯片失效分析常用方式 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线探针台
     
    发帖
    171
    光币
    60
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 08-13
    芯片失效分析常用方式FIB X光probe;RIE;EMMI;decap;IV t2.]v><  
    1.OM 显微镜观测,外观分析 * e,8o2C$  
    2.C-SAM(超声波扫描显微镜) }236{)DuN  
    (1)材料内部的晶格结构,杂质颗粒,夹杂物,沉淀物, UG}"OBg/  
    (2) 内部裂纹。 (3)分层缺陷。(4)空洞,气泡,空隙等。 "el3mloR 8  
    3. X-Ray 检测IC封装中的各种缺陷如层剥离、爆裂、空洞以及打线的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如对齐不良或桥接,开路、短路或不正常连接的缺陷,封装中的锡球完整性。(这几种是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段) sV~|9/r  
    4.SEM扫描电镜/EDX能量弥散X光仪(材料结构分析/缺陷观察,元素组成常规微区分析,精确测量元器件尺寸) %I)*5M6  
    5.取die,开封 使用激光开封机和自动酸开封机将被检样品(不适用于陶瓷和金属封装)的封装外壳部分去除,使被检样品内部结构暴露。 S|RUc}(  
    6. EMMI微光显微镜/OBIRCH镭射光束诱发阻抗值变化测试/LC 液晶热点侦测(这三者属于常用漏电流路径分析手段,寻找发热点,LC要借助探针台,示波器) Hn)^C{RN*{  
    7.切割制样:使用切割制样模块将小样品进行固定,以方便后续实验进行 B$97"$#u  
    8.去层:使用等离子刻蚀机(RIE)去除芯片内部的钝化层,使被检样品下层金属暴露,如需去除金属层观察下层结构,可利用研磨机进行研磨去层。 `$;%%/tx  
    9. FIB做一些电路修改,切点观察 J(,gLl  
    10. Probe Station 探针台/Probing Test 探针测试。 'OYnLz`"6  
    11. ESD/Latch-up静电放电/闩锁效用测试(有些客户是在芯片流入客户端之前就进行这两项可靠度测试,有些客户是失效发生后才想到要筛取良片送验)这些已经提到了多数常用手段。 [9CBTS r  
    除了常用手段之外还有其他一些失效分析手段,原子力显微镜AFM ,二次离子质谱 SIMS,飞行时间质谱TOF - SIMS ,透射电镜TEM , 场发射电镜,场发射扫描俄歇探针, X 光电子能谱XPS ,L-I-V测试系统,能量损失 X 光微区分析系统等很多手段,不过这些项目不是很常用。
     
    分享到
    快速回复
    限100 字节
    1.发帖,回帖请文明用语;2.切勿灌水,切忌多版面重复发贴;3.打击非法内容,病毒,虚假广告.
     
    上一个 下一个