漏电定位EMMI

主要用途 {$N\@q@v~  
a?Om;-i2`S  
当氧化层崩溃、静电放电破坏、闩锁效应时，产生了过量的电子和空穴结合并产生跃迁光子，由探测器通过显微镜收集这些光子并精确地定位出其位置，通常这个位置就是存在异常的缺陷位置。 w+rw<,u%  
NHZMH!=4:n  
BfCib]V9C  
性能参数 6Hc25NuQZ  
~(m6dPm$}m  
a)InGaAs检测器，分辨率：320*256 像素； h%:wIkZ/  
N+SA$wG  
b)侦测波长范围900nm - 1700nm P
9\y~W  
:xq^T  
c)像素尺寸：30um x 30um Bptt"  
fo}@B&=4  
d)曝光时间 20ms - 400s DvEII'-h  
j,,#B4b  
e)放大倍率：25x, 50x, 200x ,1000x j+<!4 0#  
>VjtKSN  
f)Back side EMMI \^F6)COy  
)P1NX"A  
qyyLU@hd  
应用范围 0wBr_b!  
yPbOiA*lHz  
　1.P-N接面漏电 |q o3 E  
2b {Y1*  
　2.饱和区晶体管的热电子 ^<yM0'0t  
p*P0<01Z  
　3.P-N接面崩溃 K6<1&  
IsL=DV/  
　4.闩锁效应 kGq<Zmy|  
Fo"'[`  
　5.氧化层漏电流产生的光子激发