11.1 定义材料要定义材料,请执行以下步骤。 c!,&]*h"k 步骤 执行 U`{'-L. 1) 从“文件”菜单中,选择“新建”。出现“初始属性”对话框(参见图2) m8Wv46% >Yr-aDV
图2.初始属性对话框 N?Wx-pK
使用“初始属性”对话框指定基本参数。 这些参数可以稍后在会话框中进行更改,因为希望这些参数较少地改变,因此在项目创建开始时对其进行设置。 例如,预期诸如折射率之类的属性在设计会话中将比设计中的其他属性(例如系统几何形状)更少地改变。 轮廓是用来确定横向平面中波导几何形状的规格。通道波导包含多层结构,光纤具有圆形横截面,扩散波导具有渐变折射率指数。 这些定义在设计会话中比几何体布局更改地更少。 +ZuT\P&kR5 aT9+]
Ig 2) 单击“轮廓”和“材料”。将出现“轮廓设计器”窗口(参见图3)。 Y}db<Cz
X ,`4chD 图3.轮廓设计器窗口 .Vohd@s9l
OptiBPM Designer1是我们正在使用的项目的临时名称。 保存项目时,可以给它一个更有意义的名称。 r>!$eqX_ />wM#)o2 3) 在OptiBPM_Designer1的目录下,在“材料”文件夹下,右键单击“电介质”文件夹。 zWN/>~}U\ 出现一个右键菜单。 HC%tJ:G
bfjC: "!H 4) 选择新建。 X@ zw;Se 出现Dielectric1对话框(参见图4)。 [
" n+2; TH;kJ{[} 图4.介质对话框
)@vhqVv? 5) 键入以下信息: =[N=mC 名称:Core VnZRsFY<^ 折射率(Re :):1.46 & XS2q0-x 6) 单击各向异性选项卡并键入折射率Re的实部: 1.46 =r w60B 7) 要保存材料,请单击“存储”。 % oPt],> 名称Core出现在目录中的Dielectric文件夹和对话框标题栏中。 bOEO2v'cQ 注意:您可以打开对话框,或关闭对话框以防止“轮廓设计器”窗口变得混乱。 dC&OjBQ /G{;?R 折射率有两种定义,因为在2D计算中,折射率通常不是物理指标,而是有效的指标。 2D标签是保存有效折射率的地方; 当有效折射率放置在2D选项卡中时,仅在执行2D模拟时才使用。 3D BPM和模式解算器将使用其他选项卡中的定义。 {6_M$"e. 8) 单击各向异性选项卡 GJu[af 在项目中的某个时刻,可能会使用其他BPM模拟器,可以接受各向异性材料。 各向异性材料的特征在于介电常数张量(见图5)。 材料Core可以在这种环境中使用(尽管它本身不是各向异性的),因此默认情况下,OptiBPM会自动设置适当的对角线介电常数张量,即主对角线中的n2。 如果需要指定各向异性材料,请取消选中默认复选框并输入相应的常数(参见图5)。 ^M:Y$9r_s Dd: TFZo 图5.3D各向异性标签
RA%=_wPD
+ 9) 重复步骤3)至6),并键入以下信息(参见图6) (-<s[VnXP 名字:Clad Q9i&]V[` 折射率(Re :):1.44 k-:wM`C 10) 要保存信息,请单击“存储”。 3MmpB9l#H Clad出现在目录和对话框标题栏中的Dielectric文件夹中。 I_/E0qSJI fwkklg^ 图6 包层定义 Aof)WKo
11.2 定义2D和3D通道轮廓 a Uy!(Y 要提供2D和3D轮廓的定义,请执行以下步骤。 qjcPJ 步骤 操作 1g{-DIOmn 1) 在OptiBPM_Designer1下的“Profiles”文件夹下的目录下,右键单击“Channel”文件夹。 uW%(ySbq 出现一个右键菜单。 KF4D)NM| 2) 选择新建。 H^VNw1. 出现“通道”对话框。 ab}Kt($ 注意:要确保您可以查看所有场,请最大化ChannelPro对话框。 F
K7cDaI 3) 输入轮廓文件名称:BuriedWg KQf=t0Z=Ce 4) 提供2D配置轮廓定义: s%&/Zt • 在2D轮廓定义下,在“材料”组合框列表中,单击新定义的材质“Core”。 EZ"n3#/ 通过选择Core,如果2D模拟器被调用,与配置文件名称BuriedWg相关联的波导内的任何点将具有Core的2D规范中定义的折射率。 +jEtu[ ; "jUM}@q5 图7 2D轮廓定义 yb-1zF|
通道轮廓文件由外延方向的层和这些在3D轮廓面板中被定义层组成。 c\Z.V*o 5) 要指定3D轮廓定义: 6YHQ/#'G~ a. 在3D轮廓定义下,键入以下信息: 3}7`?$5 层名称:Channel1(通道1) 3P.v#TEst 宽度:1.0 @QN(ouq Q 厚度:2 ~E8L,h~ 偏移量:0 #`HY"-7m_ b. 在材料清单中,选择Core。 &'V1p4' c. 单击添加。 5LF &C0v 您输入的信息显示在3D配置文件定义窗口中。 <Jf[N= 6) 要保存通道轮廓文件,请单击“存储”。 wHR# -g' BuriedWg出现在目录中的Channel文件夹中,在Profile Designer标题栏和设计底部的选项卡上(参见图8)。 CE|iu!-4 图8 定义通道轮廓
7) 要返回OptiBPM布局设计器窗口,请最小化“轮廓设计器”窗口。 M+L8~BD@ 出现OptiBPM GUI和初始属性对话框。 {^T_m)|n /q^\g4J 11.3定义布局设置 u_Wftb?9 要定义布局设置,请执行以下步骤: %tE#%;Z 步骤 操作 ppP0W`p 1) 在“初始属性”对话框中,单击“默认波导”标签。 N^TE
;BM 2) 键入以下值: 6CV9ewr 宽度:4.0 Y'{F^VxA/ 注意:所有波导将使用该值作为默认宽度。 H{BP7!t[V 3) 在轮廓列表中,单击新定义的BuriedWg(参见图9)。 J#*%r) 注意:可以随时更改默认的或者相关联的任意单个波导(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“默认波导”)。 iW9o-W
a xXRlQ|84 图9初始属性对话框 - 默认波导选项卡 1iJa j
要在平面视图中指定分析区域的大小: FK+`K< 4) 单击“晶圆尺寸”选项卡。 Q1'4xWu 键入以下值(参见图10)。 }T~}W8H 长度:800 Xl %ax!/ 宽度:40 qRcY(mb
JQ%D6b 图10初始属性对话框 - “晶圆尺寸”选项卡
指定任意点的材料并不包含波导内部(对于2D计算): ?r'2GR2Sk4 5) 单击“2D晶圆属性”选项卡 k0v&U@+-J 6) 在晶圆折射率中,在“材质”列表中,单击“包层”。 cuoZ:Wh I^l\<1"] 在3D计算的情况下,需要提供更多的信息,因为通常用于基底的材料与用于包层的材料不同。 另外,需要规定层的厚度。 在这种情况下,我们在掩埋波导中以相同的材料来定义基底和包层。 注意,这不是基底或包层的实际厚度。 相反,这些数字指定计算窗口的边界。 基底的理想厚度将是足够大以容纳被分析的波导模式,但又不能太厚以避免网格的精度受损。 在实际工作中,随着波导设计经验的增加,这些尺寸将需要在后期进行优化。 但是,可以稍后更改这些尺寸(在“波导布局设计器”中,选择“编辑”>“晶圆属性”)。 K(3_1*e 要指定与任何不在任何波导内的点相关联的材料进行3D计算: @OGHS}-\ 7) 单击“3D晶片属性”选项卡。 :pCv!g2 8) 在“包层”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:17。 0,]m.)ws 9) 在“基底”面板中,选择“材料:包层”,然后键入“厚度”:15 T^DJ/uhd
[e`e bn[C 图11初始属性对话框 - “3D晶圆属性”选项卡
10) 要将设置应用于布局,请单击“确定”。 _'0C70 将显示项目布局窗口。 0}3Xry,{ 注意:最大化项目布局窗口并调整放大倍率(+ - 按钮),使布局在屏幕上显示为适当的大小。 KK';ho,W 将项目保存为GettingStarted.bpd,以恢复目前已完成。 如果要保留记录此项目中间步骤的文件,请使用SaveAs功能。 保存文件后,轮廓设计器中树的名称为“GettingStarted”,保存的名称将替换临时名称“OptiBPMDesigner 1”(见图7)。 同样,如果您在OptiBPM中打开其他项目,则将在轮廓设计器中创建与新打开的项目名称相同的新分支。 o JX4+uJ
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未完待续