如下要求,基片为晶体, 4u2_xbT
HR@1064+532nm, R>99.8@1064nm, R>97@532nm, HT@808nm, R<2%
iH>JR[A
[D?xd/G
C_[
d
HR@1064nm, R>99.8%, HT@532nm, R<2% Bd>ATc+580
fe6Op
#\ ="^z6
现在我的设备配置为南光1100,公自转,全自动带310晶控,请问各位大虾如上要求的膜 iRW5*-66f
能稳定的做出来吗?如果做不出,那最少要什么 %0815
5M
配置的设备才能做出来,谢谢