如下要求,基片为晶体, HE<1v@jW
HR@1064+532nm, R>99.8@1064nm, R>97@532nm, HT@808nm, R<2% "l={)=R
|}){}or
1>Q{Gs^
HR@1064nm, R>99.8%, HT@532nm, R<2% |%~+2m
yBLK$@9
kF7(f|*
现在我的设备配置为南光1100,公自转,全自动带310晶控,请问各位大虾如上要求的膜 tU"raP^=
能稳定的做出来吗?如果做不出,那最少要什么 n6F/Ac:
配置的设备才能做出来,谢谢