半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 pO10L` |
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一. 半导体激光器的基本结构 v5/2-<6x
•1.半导体双异质结构 {'^!S" 9x
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 5LF#w_x
•3. 侧模控制(基侧模) \nKpJ9!
•4.横模控制 hE9UWa.Q>
•5. 动态单模半导体激光器 Mqk [+n
•6. 波长可调谐半导体激光器 x c& &UKd
•7.长波长VCSEL的进展 gE}+`w /X
•8.微腔激光器和光子晶体 M In6p
•9.半导体激光器材料的选择 ^(:Z*+X~>
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二.半导体光波导 #K4lnC2qz
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 T 8.
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•2. 光限制因子和模式增益 .Jvy0B} B
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 5TB==Fj ?
•4. 半导体激光器镜面反射系数 -!s?d5k")
•5. DFB激光器的藕合模理论 /ll2lyS+
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 UD+r{s/%
•7. 等效折射率近似 $ .g)%#h:
•8. 数值模拟 sT ;:V
T l%n|pc
三.半导体中的光跃迁和增益 h=7eOK]
•1. 费米分布函数及跃迁速率 H*H=a
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ;Q}pmBkqB
•3.简约态密度及增益谱 KsG>,#
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•4.模式的自发辐射速率 E979qKl
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 8YLS/dN0 w
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 8K;wX%_,
•7.增益谱峰值的近似表达式 &UV=<Az {
`SN?4 ;N0
四. 速率方程和动态效应 8A,="YIt
•1．单模速率方程及基本物理量 AgU 7U/yk
•2．稳态输出 J=OWXL!<a
•3. 共振频率和3dB带宽 -|/kg7IO\
•4. 载流子输运效应对带宽影响 -g zY ~a
•5. 开启延迟时间 |E7)s;}D
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 d=$1Z. ]
•7. 自发辐射引起的噪声 @ 9}SHS
•8. 相对强度噪声 by{ * R
•9. 模式线宽 OM1pyt
•10. 多模速率方程 .%3qzOrN
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 (F.vVldBy
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 E~| XY9U36
3.激光器寿命 28jm *C l8
4.激光器阈值电流的温度特性 OpT0V]k^"9
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