半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 9=sMKc%!-
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一. 半导体激光器的基本结构 ^Ypb"Wx8
•1.半导体双异质结构 Rg!aKdDl$
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) V%Z[,C
u+
•3. 侧模控制(基侧模) %[31ZFYB
•4.横模控制 y0Q/ B|&[
•5. 动态单模半导体激光器 Yqj.z| }Nb
•6. 波长可调谐半导体激光器 }@t'r K[
•7.长波长VCSEL的进展 F'T=
Alf
•8.微腔激光器和光子晶体 N*c?Er@8U
•9.半导体激光器材料的选择 {mq$W
bl QzVp-
二.半导体光波导 m0q`A5!)
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ;#Bh_f
•2. 光限制因子和模式增益 0V>N#P]
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ^5iY/t~Q
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Ag hj) V
•5. DFB激光器的藕合模理论 \q)1 TTnHS
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 4F P~+
•7. 等效折射率近似 e#Zf>hlAz
•8. 数值模拟 ,1.([%z+r
3C5D~9v
三.半导体中的光跃迁和增益 u{dN>} {
•1. 费米分布函数及跃迁速率 =<27qj
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 APOU&Wd
•3.简约态密度及增益谱 7Q4Pjc D
•4.模式的自发辐射速率 mk3e^,[A
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Z6
|'k:R8
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果
qCFXaj
•7.增益谱峰值的近似表达式 d$C|hT
;),O*Z |"v
四. 速率方程和动态效应 0jx~_zq-j
•1．单模速率方程及基本物理量 OrqJo!FEg{
•2．稳态输出 8f`b=r(a>
•3. 共振频率和3dB带宽 %l$&_xV-
•4. 载流子输运效应对带宽影响 , $F0D
•5. 开启延迟时间 DWevg;_]$(
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 )* AA9
•7. 自发辐射引起的噪声 >[3,qP ]E
•8. 相对强度噪声 UHDI9>G~,
•9. 模式线宽 @nW(K F
•10. 多模速率方程 z4%F2Czai&
"a_D]D(d5
五.半导体激光器的基本工艺和特性 FT?1Q'
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ?9h o|
3.激光器寿命 o[+|n[aT)3
4.激光器阈值电流的温度特性 Nb, H8;
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