[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 !?nu?  
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一. 半导体激光器的基本结构 &Y1`?1;nw  
•1.半导体双异质结构 Kax#OYLpg  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) &hayR_F9  
•3. 侧模控制(基侧模) 0G5'Y;8  
•4.横模控制 y%4 Gp  
•5. 动态单模半导体激光器 |olNA*4  
•6. 波长可调谐半导体激光器 '61i2\[lZQ  
•7.长波长VCSEL的进展 |rMq;Rgu?  
•8.微腔激光器和光子晶体 S'o ]=&  
•9.半导体激光器材料的选择 q7,^E`5EgU  
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二.半导体光波导 ga-{!$b*  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 :zlpfm2  
•2. 光限制因子和模式增益 Ikj=`,a2B  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 `<^*jB@P  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 $A`xhh[  
•5. DFB激光器的藕合模理论 i\Yl  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 &<Mt=(qY1  
•7. 等效折射率近似 c3] C:t+  
•8. 数值模拟 XA1f' Kk  
zPVd(V~(T  
三.半导体中的光跃迁和增益 'M8aW!~  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 WSLy}@`Vx  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 1}!L][(  
•3.简约态密度及增益谱 Z:@6Lv?CN  
•4.模式的自发辐射速率 MiJ6n[iv
 
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 -es"0wS<u  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 DLi?'K3t  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ?*H9-2W@  
'T7x@a`b)  
四. 速率方程和动态效应 >,"sHm}l%  
•1．单模速率方程及基本物理量 ;i\C]*  
•2．稳态输出 "Sjr_!u  
•3. 共振频率和3dB带宽 V^n0GJNo  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 }c% pH{HI  
•5. 开启延迟时间 ,r=re!QI7  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ',ZF5T5z@  
•7. 自发辐射引起的噪声 WPo:^BD   
•8. 相对强度噪声 bLbR IY"l  
•9. 模式线宽 :p>hW!~  
•10. 多模速率方程 \dcdw*v@  
A59gIp*>  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ewnfeg1  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 d~@q%-`lA  
3.激光器寿命 r`6:Q&&  
4.激光器阈值电流的温度特性 :l,OalO  
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