半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 _hi8m o
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一. 半导体激光器的基本结构 }&LL o
•1.半导体双异质结构 2~QN#u|UC3
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ,5P
tB]8&3
•3. 侧模控制(基侧模)
~ P!%i9e_
•4.横模控制 b!z kQ?h
•5. 动态单模半导体激光器 B S+=* 3J
•6. 波长可调谐半导体激光器 rY]QTS">o
•7.长波长VCSEL的进展 o7v, :e:
•8.微腔激光器和光子晶体 N
m@UM*D
•9.半导体激光器材料的选择 h3P ^W(=&
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二.半导体光波导 z460a[Wl
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 l6< bV#_qe
•2. 光限制因子和模式增益 zl@hg<n
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 '%[r 9 w
•4. 半导体激光器镜面反射系数 g5~wdhpb
•5. DFB激光器的藕合模理论 WXCZ
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•6. DFB半导体激光器的一维模拟 VU \{<j{
•7. 等效折射率近似 Ll0"<G2t
•8. 数值模拟 swG!O}29OX
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三.半导体中的光跃迁和增益 #>O>=#Q
•1. 费米分布函数及跃迁速率 i3o;G"IcD
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 vXeI)vFK
•3.简约态密度及增益谱 +cC$4t0$^A
•4.模式的自发辐射速率 9M1 UkS$`@
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ,2lH*=m;
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 obSLy
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•7.增益谱峰值的近似表达式 nx@ h
T#-U\C~o
四. 速率方程和动态效应 5ii:93Hlj
•1．单模速率方程及基本物理量 ?a'P;&@7
•2．稳态输出 OQh4 MN#$
•3. 共振频率和3dB带宽 CL<m+dW%*
•4. 载流子输运效应对带宽影响 *&~wl(+O=
•5. 开启延迟时间 ' +E\-X
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾
03a<Cd/S
•7. 自发辐射引起的噪声 BHJS. o*j~
•8. 相对强度噪声 */A ~lR|
•9. 模式线宽 ) (l=_[1Z5
•10. 多模速率方程 _?a.S8LxJZ
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 w4j,t
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 x aW9Sj0ZM
3.激光器寿命 e~NF} 9#A
4.激光器阈值电流的温度特性 \Ea (f**2B
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