半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 !yu-MpeG
I&>5b7Uf
一. 半导体激光器的基本结构 / vAA]n8
•1.半导体双异质结构 q(Zu;ecBN
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 9&Ny;oy#6
•3. 侧模控制(基侧模) NT<}-^
•4.横模控制 3yu,qb'"&
•5. 动态单模半导体激光器 @!::_E+F]
•6. 波长可调谐半导体激光器 Kgb<uXk
•7.长波长VCSEL的进展 B+lnxr0t
•8.微腔激光器和光子晶体 85ND 3F6q4
•9.半导体激光器材料的选择 [cT7Iqip
$o^N_`l
二.半导体光波导 +?+iVLr!l}
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 < ^" 0A
•2. 光限制因子和模式增益 /OeOL3Y
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 SOeRQb'
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Q#} c5TjVr
•5. DFB激光器的藕合模理论 \=
Wrh3
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ,S-zY\XB
•7. 等效折射率近似 Vm%0436wOY
•8. 数值模拟 crU]P $a
%i@ Jw
三.半导体中的光跃迁和增益 A2"$B\j1
•1. 费米分布函数及跃迁速率 j,v2(e5:
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 g&O!w!T
•3.简约态密度及增益谱 ;c |G
•4.模式的自发辐射速率 v f?m-wh
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 yOE N*^6
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 M][Zu[\*
•7.增益谱峰值的近似表达式 H#B97IGT
V#\ iO
四. 速率方程和动态效应 xcC^9BAj
•1．单模速率方程及基本物理量 6Lz:J:Q)
•2．稳态输出 e`;U9Z
•3. 共振频率和3dB带宽 e!
0Y`lQ
•4. 载流子输运效应对带宽影响 'Ug-64f>
•5. 开启延迟时间 -_fh=}.n+"
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 kX W$[R
•7. 自发辐射引起的噪声 9`5qVM1O{
•8. 相对强度噪声 <26Jif:
•9. 模式线宽 c'Zs2s7$
•10. 多模速率方程 h;t5v6["
UE
K$
五.半导体激光器的基本工艺和特性 >?ckBU9
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ? #VkzT
3.激光器寿命 5j#XNc)"
4.激光器阈值电流的温度特性 7_ao?}g
YHI@ Cj
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！
