[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 LpN_s#  
wA$ JDf)Vg  
一. 半导体激光器的基本结构 )i|0Ubn[|  
•1.半导体双异质结构 h0ml#A`h  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) vM5yiHI(jb  
•3. 侧模控制(基侧模) +J[<zxh\  
•4.横模控制 *ETSx{)8  
•5. 动态单模半导体激光器 {^(h*zxn  
•6. 波长可调谐半导体激光器 3}hJ`xQ  
•7.长波长VCSEL的进展 xw2dNJL  
•8.微腔激光器和光子晶体 U4s)3jDw  
•9.半导体激光器材料的选择 }3HN$Fwo  
T%q@jv{c  
二.半导体光波导 Y-YlQ^  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 gZ!q  
•2. 光限制因子和模式增益 9:
9gam  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布
}%)]b*3  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 5TynAiSD_>  
•5. DFB激光器的藕合模理论 <b>g^ `}?D  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 >8;EeRvI  
•7. 等效折射率近似 ?cur}`  
•8. 数值模拟 4J5 RtK  
ks19e>'5Q  
三.半导体中的光跃迁和增益 nF1}?  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 (ay((|)  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 BZP{{  
•3.简约态密度及增益谱 [Fk|%;B/~  
•4.模式的自发辐射速率 y?P4EVknM3  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 )`5=6i  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 i K,^|Q8  
•7.增益谱峰值的近似表达式 SX1w5+p$C  
O= 84ZP%  
四. 速率方程和动态效应 .o(S60iH!(  
•1．单模速率方程及基本物理量 ;Z6ngS  
•2．稳态输出 XlJA}^e  
•3. 共振频率和3dB带宽 FKWL{"y  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 a8}!9kL  
•5. 开启延迟时间 q=x1:^rVH  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 AFdBf6/"i  
•7. 自发辐射引起的噪声 4{6XZ_J1  
•8. 相对强度噪声 9.>he+  
•9. 模式线宽 H:
 rrY  
•10. 多模速率方程 $+WMKv@<  
}rA _4%  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 Lq#$q>!K  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 \f4JIsZ-&  
3.激光器寿命 }.t8Cy9G  
4.激光器阈值电流的温度特性 }AGdWt@  
 ovsI2  
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