[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 @M]uUL-ze  
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一. 半导体激光器的基本结构 <5Ye')+  
•1.半导体双异质结构 Yg @&@S]  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 96NZrT  
•3. 侧模控制(基侧模) oK-T@ &-  
•4.横模控制 WO}l&Q  
•5. 动态单模半导体激光器 ~RdD6V  
•6. 波长可调谐半导体激光器 UU7E+4O&  
•7.长波长VCSEL的进展 o+NPe36  
•8.微腔激光器和光子晶体 7m4gGkX#r  
•9.半导体激光器材料的选择 E1|>O  
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二.半导体光波导 R04%;p:k#  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 d65fkz==A)  
•2. 光限制因子和模式增益 }Q }&3m~g  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 bCV3h3<  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 ]q,5'[=~4h  
•5. DFB激光器的藕合模理论 J 8!D."'Q0  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 S1Z~-i*w  
•7. 等效折射率近似 gY],U4_:p  
•8. 数值模拟 ]"ZL<?3g
 
|JUb 1|gi  
三.半导体中的光跃迁和增益 uTWij4)a  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 U@;W^Mt  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 :,<G6"i  
•3.简约态密度及增益谱 FW~{io]n  
•4.模式的自发辐射速率 cWNZ +Q8Y  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 4qd =]i  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 tK $r_*  
•7.增益谱峰值的近似表达式 NWSm  
[N35.O6P6u  
四. 速率方程和动态效应 NmH1*w<A  
•1．单模速率方程及基本物理量 \n&l  
•2．稳态输出 b I%Sq+"}  
•3. 共振频率和3dB带宽 ;s^br17z~  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 4R c_C0O  
•5. 开启延迟时间 Czl4^STiC  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 IIn
sq  
•7. 自发辐射引起的噪声 FnZMW, P  
•8. 相对强度噪声 Hm>7|!  
•9. 模式线宽 Z(|@C(IL0\  
•10. 多模速率方程 +#B4Z'nT  
[Iwb7a0p  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 0h3-;%  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 tny^sG/'  
3.激光器寿命 hc2AGeZr  
4.激光器阈值电流的温度特性 $!'S7;*uW  
W[$GB_A)  
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