半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 M j?`j_X
]G= L=D^cK
一. 半导体激光器的基本结构 omu|yCK
•1.半导体双异质结构 V-2(?auZd
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Bz-c$me1
•3. 侧模控制(基侧模) gH Eu/8E
•4.横模控制 cJ
n=
•5. 动态单模半导体激光器 Y>T-af49
•6. 波长可调谐半导体激光器 o.g V4%
•7.长波长VCSEL的进展 L>NL:68yN
•8.微腔激光器和光子晶体 ~&_z2|UXp
•9.半导体激光器材料的选择 vHc%z$-d
PfD.:amN7
二.半导体光波导 D~iz+{Q4
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 9@:2wR |
•2. 光限制因子和模式增益 7~% ?#
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 (ejvF):|
•4. 半导体激光器镜面反射系数 xY8$I6
•5. DFB激光器的藕合模理论 vY}g<*
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 w"|L:8
•7. 等效折射率近似 :$|HNeDO
•8. 数值模拟 z`}qkbvi
o ]_dJB
三.半导体中的光跃迁和增益 t%FwXaO#
•1. 费米分布函数及跃迁速率 TR`U-= jH,
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Xp% v.M
•3.简约态密度及增益谱 @6sq Mw}
•4.模式的自发辐射速率 P [ck84F/
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 f:w?pE
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 9(7-{,c
•7.增益谱峰值的近似表达式 B eo@K|3GN
J#(LlCs?@c
四. 速率方程和动态效应 mh #a#<
•1．单模速率方程及基本物理量 mb3 "U"ohs
•2．稳态输出 c )g\ /
•3. 共振频率和3dB带宽 )
7@ `ut
•4. 载流子输运效应对带宽影响 l0 m-$ /
•5. 开启延迟时间 D|p9qe5%
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 M `M5'f
•7. 自发辐射引起的噪声 1{. |+S Z!
•8. 相对强度噪声 Y%^w:|f^
•9. 模式线宽 ,HV(l+k {|
•10. 多模速率方程 ]
vsz,
0
At>DjKx]O
五.半导体激光器的基本工艺和特性 T/~f~Z z
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 j0aXyLNX
3.激光器寿命 djG*YM\B
4.激光器阈值电流的温度特性 {9pZ)tB
!hy-L_wL]
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！
