半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 {(!j6 |jK
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一. 半导体激光器的基本结构 1]vrpJw
•1.半导体双异质结构 X(ZouyD<
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) mOvwdRKn
•3. 侧模控制(基侧模) Iz<}>J B
•4.横模控制 _e3kO6X
•5. 动态单模半导体激光器 ' | >
•6. 波长可调谐半导体激光器 i0-zGEMB.
•7.长波长VCSEL的进展 -hIDL'5u-I
•8.微腔激光器和光子晶体 Ju "*>66
•9.半导体激光器材料的选择 NbtNu $%t
h&}XG\ioNA
二.半导体光波导 %XieKL
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 @4N@cM0
•2. 光限制因子和模式增益 p%v +\T2r
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 U^$o< 2
•4. 半导体激光器镜面反射系数 P9aG Dm a
•5. DFB激光器的藕合模理论 GCTf/V\#
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 v& GBu
•7. 等效折射率近似 |tU4( hC
•8. 数值模拟 HXTZ`'Rv
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三.半导体中的光跃迁和增益 0 oFRcU
•1. 费米分布函数及跃迁速率 |?Z; t AF!
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 D20n'>ddg
•3.简约态密度及增益谱 j7|r ^
•4.模式的自发辐射速率 C 4 & 1M
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ;-1yG@KG
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 )wROPA\uA
•7.增益谱峰值的近似表达式 cDS6RO?
x;cjl6Acm
四. 速率方程和动态效应 Ol9'ZB|R
•1．单模速率方程及基本物理量 MDCK@?\
•2．稳态输出 QDg\GA8|
•3. 共振频率和3dB带宽 |3?q L
•4. 载流子输运效应对带宽影响 SqhG\qE{Qj
•5. 开启延迟时间 N!}r (Dd*
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 TrHz(no
•7. 自发辐射引起的噪声 n3t0Qc
•8. 相对强度噪声 b[3K:ot+
•9. 模式线宽 jMvWS71
•10. 多模速率方程 bF'^eR
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 }l/ !thzC
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4{d!}R
3.激光器寿命 2 V0gj
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4.激光器阈值电流的温度特性 4A_}:nU
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