半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 9 ' 2 =
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一. 半导体激光器的基本结构 xK$} QZ)
•1.半导体双异质结构 {iA^rv|
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) r #LnDseW
•3. 侧模控制(基侧模) e{,!|LhpQ
•4.横模控制 $z= 0[%L
•5. 动态单模半导体激光器 @4;HC=~
•6. 波长可调谐半导体激光器 ^Vag1 (hdq
•7.长波长VCSEL的进展 |.1qy,|!X
•8.微腔激光器和光子晶体 E9^(0\Z
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•9.半导体激光器材料的选择 n`P`yb\f$
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二.半导体光波导 VVs{l\$=ZV
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 vGXWwQ.1Tp
•2. 光限制因子和模式增益 @Ppo &>
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 KuA>"X
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `k oOp
•5. DFB激光器的藕合模理论 ;!'qtw"CB
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 a*V9_Px$&
•7. 等效折射率近似 BRe{1i 6
•8. 数值模拟 GA.BI"l
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三.半导体中的光跃迁和增益 5!<o-{J[(=
•1. 费米分布函数及跃迁速率
ir]Mn.(Y
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 F#6cF=};@
•3.简约态密度及增益谱 uii7b 7[w
•4.模式的自发辐射速率 =KV@&Y^x4
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ; vMn/
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 8fnR1 mWG
•7.增益谱峰值的近似表达式 ]K7`-p ~T
(/'h4KS@
四. 速率方程和动态效应 :JR<SFjm
•1．单模速率方程及基本物理量 FS8S68
•2．稳态输出 @\ }sb]
•3. 共振频率和3dB带宽 j M*AL
X
•4. 载流子输运效应对带宽影响 7k `_#
•5. 开启延迟时间 T e+^J 8
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ?gLAW z
•7. 自发辐射引起的噪声 *MI)] S
•8. 相对强度噪声 [ 6_"^jgH
•9. 模式线宽 `Z:3` 7c
•10. 多模速率方程 )i @1X H"D
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 eO'xkm
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 J2'K?|,m
3.激光器寿命 tR<L`?4
4.激光器阈值电流的温度特性 b7!UZu]IEv
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