半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 Es<& 6
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一. 半导体激光器的基本结构 G&Fe2&5!w
•1.半导体双异质结构 Bnp\G h
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) B4@1WZn<8
•3. 侧模控制(基侧模) +Y?)?
•4.横模控制 ^F)t>K$0m
•5. 动态单模半导体激光器 M^ZEAZi
•6. 波长可调谐半导体激光器 o5B]? ekpq
•7.长波长VCSEL的进展 v6U Gr4
•8.微腔激光器和光子晶体 ~3&*>H^U
•9.半导体激光器材料的选择 k"3@G?JY
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二.半导体光波导 ?K\r-J!Y
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 t|urvoz
•2. 光限制因子和模式增益 )\KU:_l
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 E3LEeXcLS
•4. 半导体激光器镜面反射系数 2P/ Sq
•5. DFB激光器的藕合模理论 mzRH:HgN?
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 )%q!XM
•7. 等效折射率近似 23d*;ri5
•8. 数值模拟 IayF<y,8
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三.半导体中的光跃迁和增益 r>#4Sr
•1. 费米分布函数及跃迁速率 IG.!M@_
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 *Sg6VGP
•3.简约态密度及增益谱 .wV-g:2
•4.模式的自发辐射速率 L\hid/NL
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 6&+}Hhe
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 *ESi~7;#
•7.增益谱峰值的近似表达式 wpWZn[j
K=!
C\T"I%
四. 速率方程和动态效应 NR,R.N^[
•1.单模速率方程及基本物理量 tkYPfUvTE
•2.稳态输出 D GL=\
•3. 共振频率和3dB带宽 !hFzIp
•4. 载流子输运效应对带宽影响 pocXQEg$]
•5. 开启延迟时间 \_(|$Dhq
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 .6!cHL3ln
•7. 自发辐射引起的噪声 B)*1[Jf{4
•8. 相对强度噪声 }uwZS=pw
•9. 模式线宽 ;qO3m-(d
•10. 多模速率方程 Mp QsM-iW
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]VR79l
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 "574%\#4z
3.激光器寿命 ^-LnO%h?
4.激光器阈值电流的温度特性 wV\7
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