[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 `:&{/|uP7  
bhRpYP%x  
一. 半导体激光器的基本结构 ~[{| s')  
•1.半导体双异质结构 p#w,+)1!d  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ]cD!~nJ  
•3. 侧模控制(基侧模) x0]*'^aA  
•4.横模控制 IM+PjYJ  
•5. 动态单模半导体激光器 7gkHKdJoMA  
•6. 波长可调谐半导体激光器 -Y6J
U  
•7.长波长VCSEL的进展 _cB~?c  
•8.微腔激光器和光子晶体 \
a#2Wm  
•9.半导体激光器材料的选择 &}oDSD H^,  
`^/Q"zH  
二.半导体光波导 q)/4i9  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 PSE![whK  
•2. 光限制因子和模式增益 MB)xL-jO  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &1&*(oi]X  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Je'$V%{E  
•5. DFB激光器的藕合模理论 8`D_"3j3g\  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Z7Kc`9.0|  
•7. 等效折射率近似 anbr3L[!  
•8. 数值模拟 q^s$4q  
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三.半导体中的光跃迁和增益 L\UYt\ks  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 lyyi?/W%  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Je/R'QP^8  
•3.简约态密度及增益谱 A[oRi}=  
•4.模式的自发辐射速率 IpWl;i`__  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b#b#r  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 j<c_*^/'9  
•7.增益谱峰值的近似表达式 QxK%ZaFZA  
B`vV[w?  
四. 速率方程和动态效应 sG3%~  
•1．单模速率方程及基本物理量 |qBo*OcO  
•2．稳态输出 p(v.sP4w  
•3. 共振频率和3dB带宽 lr1i DwZV  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 uJ[
dO}  
•5. 开启延迟时间 Ne=D$o  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 -6?5|\  
•7. 自发辐射引起的噪声 oyUf/Sl  
•8. 相对强度噪声 M*x_1h5n  
•9. 模式线宽 nPKj%g3h  
•10. 多模速率方程 76 y}1aa  
-
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 NTV0DkX  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 az w8BK  
3.激光器寿命 A >e%rx  
4.激光器阈值电流的温度特性 ]8RcZn  
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