[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ?h|w7/9  
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一. 半导体激光器的基本结构 H=>;Mj  
•1.半导体双异质结构 9]*hP](  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Zd[6-/-:  
•3. 侧模控制(基侧模) aQ.mvuMa7'  
•4.横模控制 aEC&#Q(]q  
•5. 动态单模半导体激光器 *bTR0U  
•6. 波长可调谐半导体激光器 mM;p 7 sJ  
•7.长波长VCSEL的进展 x[eho,6)  
•8.微腔激光器和光子晶体 a*KJjl?k  
•9.半导体激光器材料的选择 )
{,v&[  
PLDp=T%  
二.半导体光波导 gye'_AR?k  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 |H@1g=q  
•2. 光限制因子和模式增益 -JB~yO?0  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 @m(ja@YC  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 |a[Id  
•5. DFB激光器的藕合模理论 uMM?s?q  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 !TdbD56  
•7. 等效折射率近似 xO` O$ie  
•8. 数值模拟 {qjw  S1v  
bG[)r  
三.半导体中的光跃迁和增益 *u`[2xmuYf  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 vB T]a  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 m%G:|`f7  
•3.简约态密度及增益谱 BF(.^oh"n0  
•4.模式的自发辐射速率 0 P-eC|0  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ]W>kbHImz  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Ju 0  
•7.增益谱峰值的近似表达式 (}NKW  
CYWL@<p,  
四. 速率方程和动态效应 n{v[mqm^  
•1．单模速率方程及基本物理量 xHY#"
 
•2．稳态输出 ,Z6\%:/  
•3. 共振频率和3dB带宽 G^=C#9c.m  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 {Kkut?5  
•5. 开启延迟时间 .q7|z3@,  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 :")iS?l  
•7. 自发辐射引起的噪声
fu6Ir,  
•8. 相对强度噪声 9Jhc5G  
•9. 模式线宽 aR}L- -m  
•10. 多模速率方程 idh5neyL  
gx)!0n;  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ^;]Q,*Q  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 j)neVPf%v  
3.激光器寿命 :#=XT9  
4.激光器阈值电流的温度特性 ekx~svcC&A  
/kKF|Hg`c  
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