[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 @yTu/U  
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一. 半导体激光器的基本结构 j7P49{  
•1.半导体双异质结构 uX7L1~s-  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) Oc)n,D)0  
•3. 侧模控制(基侧模) #}~tTL  
•4.横模控制 (PpY*jKR  
•5. 动态单模半导体激光器  Q6 *n'6  
•6. 波长可调谐半导体激光器 ().C
  
•7.长波长VCSEL的进展 -h8mJ D%Oi  
•8.微腔激光器和光子晶体 maapX/J  
•9.半导体激光器材料的选择 >{^_]phlb  
cj>@Jx}]M  
二.半导体光波导 Sm/8VSY  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 X_PzK'#m  
•2. 光限制因子和模式增益 |r@;ulO  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 x.1=QF{!  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 f}c;s  
•5. DFB激光器的藕合模理论 Ec7xwPk  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 UN?tn}`!  
•7. 等效折射率近似 JQ+Mg&&Q  
•8. 数值模拟 G]B0LUT6c  
r'i99~  
三.半导体中的光跃迁和增益 ?c.\\2>|F  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 sX?arI=_U  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 |6AR!  
•3.简约态密度及增益谱 br\3}  
•4.模式的自发辐射速率 i}T*| P  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 )=)N9CRy  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 LsR<r1KDJ  
•7.增益谱峰值的近似表达式 v8-szW).  
m]DP{-s4  
四. 速率方程和动态效应 uz8eS'8  
•1．单模速率方程及基本物理量 u/tJ])~@  
•2．稳态输出 RrLiH>  
•3. 共振频率和3dB带宽 :$Cm]RZ  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 i%yKyfD  
•5. 开启延迟时间 <@7j37,R7V  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Wi$?k{C  
•7. 自发辐射引起的噪声 $I5|rB/4?  
•8. 相对强度噪声 .3EEi3z
6z  
•9. 模式线宽 WGV]O|  
•10. 多模速率方程 `
_ ^I 2  
[CHN3&l-5S  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 z{R Mb  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 @Hj]yb5  
3.激光器寿命 !UzE&CirV  
4.激光器阈值电流的温度特性 y1`%3\  
T:j41`g%s  
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