半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 ^9cqT2:t
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一. 半导体激光器的基本结构 !ZSC"
•1.半导体双异质结构 e5veq!*C?
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) qDcl;{L
•3. 侧模控制(基侧模) P d*}0a~
•4.横模控制 3bE^[V8/
•5. 动态单模半导体激光器 <;v{`@\j{
•6. 波长可调谐半导体激光器 xu&
v(C9
•7.长波长VCSEL的进展 0qR;Z{k
•8.微腔激光器和光子晶体 l9P~,Ec4''
•9.半导体激光器材料的选择 !aLByMA
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二.半导体光波导 3 5|5|ma
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 xo^_;(;
•2. 光限制因子和模式增益 T3M 4r|
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 H3`%#wQ0j
•4. 半导体激光器镜面反射系数 W]6Y
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•5. DFB激光器的藕合模理论 tb0s+rb
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 .0\Wu+
•7. 等效折射率近似 k`\DC\0RG
•8. 数值模拟 9dKrE_zK:
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三.半导体中的光跃迁和增益 {wA@5+[
•1. 费米分布函数及跃迁速率 .lTGFeJqZ4
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 %o^'(L@z
•3.简约态密度及增益谱 Vfc9+T+
•4.模式的自发辐射速率 o Q{gh$6*
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ijyj}gpWha
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Y*J`Wf(w
•7.增益谱峰值的近似表达式 $9Z8P_^.0(
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四. 速率方程和动态效应 FA4bv9:hi
•1.单模速率方程及基本物理量 <7^_M*F9
•2.稳态输出 (VBoZP=W
•3. 共振频率和3dB带宽 \>,{)j q;
•4. 载流子输运效应对带宽影响 kFuaLEJi
•5. 开启延迟时间 H6'xXS
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 N'2u`br4KP
•7. 自发辐射引起的噪声 8a-[Q
•8. 相对强度噪声 ,`-6!|:
•9. 模式线宽 4(B,aU>y
•10. 多模速率方程 %li'j|
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 *h-nI=
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Y\ 9uR!0
3.激光器寿命 7NJ1cQ-}t
4.激光器阈值电流的温度特性 f}XUxIQ-<
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