[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Uu_g_b:z  
vR"?XqgZ  
一. 半导体激光器的基本结构 Dx)>`yJk$;  
•1.半导体双异质结构 GGM|B}U p  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) <K g=?wb  
•3. 侧模控制(基侧模) Fb2,2Px  
•4.横模控制 PL/g@a^tY  
•5. 动态单模半导体激光器 Oy}^|MFfA  
•6. 波长可调谐半导体激光器  W8blHw"  
•7.长波长VCSEL的进展 8k( zU>^  
•8.微腔激光器和光子晶体 8+f{ /  
•9.半导体激光器材料的选择 }nEa9h  
`Wl_yC_*G;  
二.半导体光波导 G_m$?0\  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 0Cg}yyOz  
•2. 光限制因子和模式增益 }4uHT.)  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 C33BP}c]  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 x5w5xw  
•5. DFB激光器的藕合模理论 lr*p\vH  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 vU,V[1^a  
•7. 等效折射率近似 ~mF^t7n]  
•8. 数值模拟 F_U9;*f]  
^l:~r2  
三.半导体中的光跃迁和增益 [X9T$7q#  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 {})d}dEC  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9T\uOaC"  
•3.简约态密度及增益谱 d/8p?Km  
•4.模式的自发辐射速率 'iM#iA8  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 %nS(>X<B  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 JpRn)e'Z  
•7.增益谱峰值的近似表达式 m/e*P*\=  
AZ9;6Df  
四. 速率方程和动态效应 QkFB\v  
•1．单模速率方程及基本物理量 ~hZr1hT6L  
•2．稳态输出 70GwTK.{~  
•3. 共振频率和3dB带宽 3 <A?  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 "u.
'JE;j  
•5. 开启延迟时间 sSLVR^  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 !V'~<&   
•7. 自发辐射引起的噪声 K/YXLR
+  
•8. 相对强度噪声 #0"Pd8@  
•9. 模式线宽 :@RX}rKG  
•10. 多模速率方程 b FMBIA|  
&wX568o  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 %A3ci[$g  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ynZp|'b?<  
3.激光器寿命 p uZY4}b_  
4.激光器阈值电流的温度特性 qEvbKy}  
+=`*`eP:U  
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件，下载以后大家记得回复支持！

正需要这方面的东西，谢谢楼主！

正在找这个东东！楼主真是太好了

不支持说不过去，不错的资料！

thank you !楼主真是太好了

解压不了啊

thank you !楼主真是太好了

thank you!!!!!!

好！！！！！！！！！！！！！！！！！！！！

顶~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~