[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ;$zvm`|:  
,$/Ld76U  
一. 半导体激光器的基本结构 B }euIQB  
•1.半导体双异质结构 ,
cS#  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 9x!kvB6  
•3. 侧模控制(基侧模) CEkUXsp  
•4.横模控制 mz%
l4w?'  
•5. 动态单模半导体激光器 iY$iL<  
•6. 波长可调谐半导体激光器 qpjZ-[UC  
•7.长波长VCSEL的进展 j3;W-c`5  
•8.微腔激光器和光子晶体 ut\X{.r7  
•9.半导体激光器材料的选择 EjFpQ|-L|  
>AX_"Q~  
二.半导体光波导 LEPTL#WT1  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 ><D2of|  
•2. 光限制因子和模式增益 9v`sSTlSd  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 YcX"Z~O6j=  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 \ui'~n_t]  
•5. DFB激光器的藕合模理论 0Zwx3[bq6K  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟  c`\/]  
•7. 等效折射率近似 G.<0^q,  
•8. 数值模拟 ,
(Zxd4?y  
BXU0f%"8U  
三.半导体中的光跃迁和增益 u9KT_` )  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 iYvzZ7 8f  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 EC8Z. Uu  
•3.简约态密度及增益谱 -O?HfQ  
•4.模式的自发辐射速率 Qx,#Hj  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 (>A#|N1U  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 [ !#Dba#  
•7.增益谱峰值的近似表达式 u28$V]
 
PkyX,mr#1  
四. 速率方程和动态效应 ~Yg)
8  
•1．单模速率方程及基本物理量 9#P~cW?  
•2．稳态输出 >'q]ypA1  
•3. 共振频率和3dB带宽 ?2da6v,t  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 R|8L'H+1x  
•5. 开启延迟时间 ~K#
92  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 *9r(lmrfj  
•7. 自发辐射引起的噪声 X)hpbHa  
•8. 相对强度噪声  <a$!S  
•9. 模式线宽 !Whx^B:  
•10. 多模速率方程 2;"vF9WMm  
+`gU{e,p  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ZT*}KJm  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 }JST(d&  
3.激光器寿命 CKZEX*mPC  
4.激光器阈值电流的温度特性 ~!mY0odH  
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