[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 or ;f&![w  
t6N*6ld2b  
一. 半导体激光器的基本结构 o;F" {RZ  
•1.半导体双异质结构 bJr[I  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) u?+bW-D'd  
•3. 侧模控制(基侧模) pe0x""K  
•4.横模控制 XhU@W}}  
•5. 动态单模半导体激光器 7iC *Pr  
•6. 波长可调谐半导体激光器 [V#r7a  
•7.长波长VCSEL的进展 9|'
B9C  
•8.微腔激光器和光子晶体 =H7xD"'%R  
•9.半导体激光器材料的选择 .~lKBkS`!  
De *7OC  
二.半导体光波导 `RQ#.   
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Nw J:!  
•2. 光限制因子和模式增益 DdV'c@rq+  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ,0$)yZ3*3,  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 l":c  
•5. DFB激光器的藕合模理论 8Q`WB0E<|  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 ]J1S#Q5'  
•7. 等效折射率近似 2R-A@UE2  
•8. 数值模拟 \~rl
gxd  
dmrps+L  
三.半导体中的光跃迁和增益 rWtZj}A  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 $*[{J+t_  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 CCijf]+  
•3.简约态密度及增益谱 Sywu=b  
•4.模式的自发辐射速率 >PKBo  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 &Jc_Fc(M  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 pI`?(5iK6|  
•7.增益谱峰值的近似表达式 &UHPX?x  
$ls[|N:y0l  
四. 速率方程和动态效应 tEd.'D8 s  
•1．单模速率方程及基本物理量 "pxzntY|  
•2．稳态输出 x90*yaw>h  
•3. 共振频率和3dB带宽 [ Mg8/Oy  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 lkIn%=Z  
•5. 开启延迟时间 b}ODWdJ1  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 qKS;x@  
•7. 自发辐射引起的噪声 D,l,`jv*  
•8. 相对强度噪声 ]6Ug>>x5  
•9. 模式线宽 ^yviV Y  
•10. 多模速率方程 FwKj+f"  
5}ie]/[|  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 #4LFG\s  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 9Vuq,dv  
3.激光器寿命 aAvsb$  
4.激光器阈值电流的温度特性 0x2!<z  
G%p~m%zIK  
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