[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 f O,5 u;  
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一. 半导体激光器的基本结构 ~EtwX YkRZ  
•1.半导体双异质结构 jIi:tO9G^,  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) 2xK v;  
•3. 侧模控制(基侧模) +FJ+,|i  
•4.横模控制 7]H
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•5. 动态单模半导体激光器 dTZ$92<  
•6. 波长可调谐半导体激光器 IRyZ0$r:e\  
•7.长波长VCSEL的进展
cPy/}A  
•8.微腔激光器和光子晶体 Mqv[7.|  
•9.半导体激光器材料的选择 B-UsMO  
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0ei(%H  
二.半导体光波导 *WaqNMD[%  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 qsWy <yL+  
•2. 光限制因子和模式增益 LY;FjbyU  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ->L>`<7(  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 e2qSU[  
•5. DFB激光器的藕合模理论 +h08uo5c  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 a'Yi^;2+\  
•7. 等效折射率近似 Q>(a JF  
•8. 数值模拟 =}zSj64
  
.F},Z[a&  
三.半导体中的光跃迁和增益 /V GI@"^v  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 F.),|t$\  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 pZz\o  
•3.简约态密度及增益谱 4-m6e$p;  
•4.模式的自发辐射速率 {B-*w%}HU  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ,&.$r/x|?  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 LwYWgT
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•7.增益谱峰值的近似表达式 ! k 1 Ge+  
$b(CN+#  
四. 速率方程和动态效应 y*%uGG5  
•1．单模速率方程及基本物理量 5]xSK'6W  
•2．稳态输出 h0$Y;=YA  
•3. 共振频率和3dB带宽 %Ai' 6  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 EF6h>"']/  
•5. 开启延迟时间 vUCmm<y  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 :gO5#HIm  
•7. 自发辐射引起的噪声 BP}@E$  
•8. 相对强度噪声 tI)|y?q  
•9. 模式线宽 >x>/
}`  
•10. 多模速率方程 +PS jBO4!  
B"8jEYT5  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 k%BU&%?1  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 >,[@SF%  
3.激光器寿命 PV:J>!]  
4.激光器阈值电流的温度特性 P ^ 4 @  
Z?xRSi2~7  
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