半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 `:&{/|uP7
bhRpYP%x
一. 半导体激光器的基本结构 ~[{| s')
•1.半导体双异质结构 p#w,+)1!d
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) ]cD!~nJ
•3. 侧模控制(基侧模) x0]*'^aA
•4.横模控制 IM+PjYJ
•5. 动态单模半导体激光器 7gkHKdJoMA
•6. 波长可调谐半导体激光器 -Y6JU
•7.长波长VCSEL的进展 _cB~?c
•8.微腔激光器和光子晶体 \a#2Wm
•9.半导体激光器材料的选择 &}oDSD
H^,
`^/Q"zH
二.半导体光波导 q)/4i9
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 PSE![whK
•2. 光限制因子和模式增益 MB)xL-j O
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 &1&*(oi]X
•4. 半导体激光器镜面反射系数 Je'$V%{E
•5. DFB激光器的藕合模理论 8`D_"3j3g\
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Z7Kc`9.0|
•7. 等效折射率近似 anbr3L[!
•8. 数值模拟 q^s$4 q
_>*"6
三.半导体中的光跃迁和增益 L\UYt\ks
•1. 费米分布函数及跃迁速率 lyyi?/W%
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 Je/R'QP^8
•3.简约态密度及增益谱 A[oRi}=
•4.模式的自发辐射速率 IpWl;i`__
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 b#b#r
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 j<c_*^/'9
•7.增益谱峰值的近似表达式 QxK%ZaFZA
B`vV[w?
四. 速率方程和动态效应 sG3%~
•1.单模速率方程及基本物理量 |qBo*OcO
•2.稳态输出 p(v.sP4w
•3. 共振频率和3dB带宽 lr1i DwZV
•4. 载流子输运效应对带宽影响 uJ[dO}
•5. 开启延迟时间 Ne=D$o
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 -6?5|\
•7. 自发辐射引起的噪声 oyUf/Sl
•8. 相对强度噪声 M*x_1h5n
•9. 模式线宽 nPKj%g3h
•10. 多模速率方程 76
y}1aa
-kJ`gdS
五.半导体激光器的基本工艺和特性 NTV0DkX
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 az w8BK
3.激光器寿命 A >e%rx
4.激光器阈值电流的温度特性 ]8RcZn
?vXy7y&4
《半导体激光器的设计和工艺》全部内容pdf文档件附件,下载以后大家记得回复支持!