[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 KE"6I  
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一. 半导体激光器的基本结构 ?xv."I%  
•1.半导体双异质结构 b||usv[or  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) hNh!H<}|m8  
•3. 侧模控制(基侧模) PP$2s]{  
•4.横模控制 ./;uhj  
•5. 动态单模半导体激光器 wi+Qlf  
•6. 波长可调谐半导体激光器 O^CBa$  
•7.长波长VCSEL的进展 ByP<-Deh  
•8.微腔激光器和光子晶体 Mm*V;ADF  
•9.半导体激光器材料的选择 U -OD  
y'`7zJ  
二.半导体光波导 n.c0G`  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 Wap4:wT  
•2. 光限制因子和模式增益 eY#^vB  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ``<#F3  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 3'x>$5W  
•5. DFB激光器的藕合模理论 40MKf/9  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 '.z7)n  
•7. 等效折射率近似 %XN;S29d5W  
•8. 数值模拟 R98YGW_ dT  
[;IEZ/ZX  
三.半导体中的光跃迁和增益 vdn)+fZ;   
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ;/
kd.Q  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 V0{#q/q  
•3.简约态密度及增益谱 ZKrK>X  
•4.模式的自发辐射速率 M2ex 3
m  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 0qNmao4E_  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 T8\@CV!  
•7.增益谱峰值的近似表达式 l(rm0_  
;"IWm<]h;-  
四. 速率方程和动态效应 _Jg#T~  
•1．单模速率方程及基本物理量 QyL]-zNg  
•2．稳态输出 7#+Ih-&EQ  
•3. 共振频率和3dB带宽 ][l5S*CC_  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 W=A0+t%XC  
•5. 开启延迟时间 Q8Ek}O\MC  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 r3?8nQ$  
•7. 自发辐射引起的噪声 XdDQ$'*X  
•8. 相对强度噪声 Zs/-/C|  
•9. 模式线宽 N[O .p]8  
•10. 多模速率方程 Trh t2Iv  
1J1Jp|j.  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 7Z:3xb&>   
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 M:OZW
YQ  
3.激光器寿命 ?;](;n#lU  
4.激光器阈值电流的温度特性 t)8crX}P  
Tx&H1  
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