[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 b!VaEK  
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一. 半导体激光器的基本结构 &d]%b`EXq  
•1.半导体双异质结构 (C/2shr 8  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) DYlu`j_ux  
•3. 侧模控制(基侧模) g1-^@&q  
•4.横模控制 H8j#rC#&pm  
•5. 动态单模半导体激光器 d*ch.((-  
•6. 波长可调谐半导体激光器 XiE  
•7.长波长VCSEL的进展 <^+~?KDZM  
•8.微腔激光器和光子晶体 VYj hU?I  
•9.半导体激光器材料的选择 } y@pAeS,  
]c,ttS_  
二.半导体光波导 L 1=HD  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 CqQ>"Y  
•2. 光限制因子和模式增益 uNe5Mv|}  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 ej
dYh $  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 D{YAEG   
•5. DFB激光器的藕合模理论 o|lEF+  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 s-]k7a2V  
•7. 等效折射率近似 {Lu-!}\NP  
•8. 数值模拟 JgXP2|Y!  
&U:bRzD  
三.半导体中的光跃迁和增益 !
9B| `  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 ]fz0E:x  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 }MAvEaUd  
•3.简约态密度及增益谱 y\&GPr  
•4.模式的自发辐射速率 MJS4^*B\1  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 Z_{`$nW  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 z+5l:f  
•7.增益谱峰值的近似表达式 jO\29(_  
FWqnlK#  
四. 速率方程和动态效应 7r,'a{Rcn  
•1．单模速率方程及基本物理量 8:hUj>qx  
•2．稳态输出 U^<\'`  
•3. 共振频率和3dB带宽 )3g7dtq}  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 N8.K[m  
•5. 开启延迟时间 txM R[o_  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 =)}m4,LA  
•7. 自发辐射引起的噪声 '3SS%W  
•8. 相对强度噪声 K8CjZpzq  
•9. 模式线宽 >&V?1!N"  
•10. 多模速率方程 g'G%BX  
6v7H?4  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 5&]|p'"W\  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 J9J[.6k8  
3.激光器寿命 d5$2*h{^v  
4.激光器阈值电流的温度特性 2Eg*Yb 1  
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