[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 Qx&7Ceu"  
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一. 半导体激光器的基本结构 U|
aEyMU  
•1.半导体双异质结构 S|?P#.=GX  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) l< HnPR/  
•3. 侧模控制(基侧模) *\*]:BIe&v  
•4.横模控制 bD?gwhAKA  
•5. 动态单模半导体激光器 8Nx fYA  
•6. 波长可调谐半导体激光器 |hX\ep  
•7.长波长VCSEL的进展 . HAFKB;  
•8.微腔激光器和光子晶体 Ml/K
~H tN  
•9.半导体激光器材料的选择
]ZH6 .@|  
->Fsmb+R  
二.半导体光波导 M~)iiKw~MY  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 \\{78WDA  
•2. 光限制因子和模式增益 EJNHZ<  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 i8%Z(@_`  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 yZb})4.  
•5. DFB激光器的藕合模理论 *%%n9T  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 Swgvj(y;!A  
•7. 等效折射率近似 JURg=r]LI  
•8. 数值模拟 uE>m3Y(aP  
bAUYJPRpy  
三.半导体中的光跃迁和增益 g!i45]6[Nw  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 !uA'0U?ky  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 BM5)SgK  
•3.简约态密度及增益谱 =6N=5JePB  
•4.模式的自发辐射速率 q(BRJ(  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 ,+x\NY2d
 
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 h7S; 4]  
•7.增益谱峰值的近似表达式 w9Nk8OsL  
s !II}'Je  
四. 速率方程和动态效应 -CALUX  
•1．单模速率方程及基本物理量 I<"UQ\)  
•2．稳态输出 WGo ryvEx  
•3. 共振频率和3dB带宽 2o7o~r  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 "$q"Kilj%  
•5. 开启延迟时间 `W7;-  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 qat'Vj,  
•7. 自发辐射引起的噪声 ebLt:gGo  
•8. 相对强度噪声 B)dd6R>8  
•9. 模式线宽 Xd.y or
 
•10. 多模速率方程 .5tXwxad"  
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o=R\C  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]SN5&S  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 `:2n
p{  
3.激光器寿命 mXu";?2  
4.激光器阈值电流的温度特性 iztgk/(+G  
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