[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 IX+!+XC"U  
_"l2UDx  
一. 半导体激光器的基本结构 :#nfdvqm  
•1.半导体双异质结构 VcX89c4\  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) <DR$WsDG  
•3. 侧模控制(基侧模) Dm{9;Abs%  
•4.横模控制 QzLE9   
•5. 动态单模半导体激光器 p`qy57  
•6. 波长可调谐半导体激光器 1L;3e@G  
•7.长波长VCSEL的进展 nQ+$  
•8.微腔激光器和光子晶体 @js`$  
•9.半导体激光器材料的选择 dp}s]`x+  

)gVz?-u+D  
二.半导体光波导 #IvHxSo&  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 @6"+x  
•2. 光限制因子和模式增益 dkWV/DAm  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 K0A[xkX6  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 nPW=m`jG
 
•5. DFB激光器的藕合模理论 W\EvMV"  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 FFtB#  
•7. 等效折射率近似 Xk] uXx:TN  
•8. 数值模拟 ]y9u5H^  
{F=`IE3)w  
三.半导体中的光跃迁和增益 {%Rntb  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 f4;V7DJ  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 * ,Le--t  
•3.简约态密度及增益谱 s5\<D7  
•4.模式的自发辐射速率 r XT6u  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 v%muno,  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 <:>[24LJ{  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ;$vVYC  
|
R;`  
四. 速率方程和动态效应 :#OaE,  
•1．单模速率方程及基本物理量 14`S9SL{V  
•2．稳态输出 R$x(3eyx  
•3. 共振频率和3dB带宽 {
nMCU{*k  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 eIj2(q9  
•5. 开启延迟时间 yu}T><Wst  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 $}EI3a  
•7. 自发辐射引起的噪声 q*
!Vyk  
•8. 相对强度噪声 *7{{z%5Pu  
•9. 模式线宽 *SYuq)  
•10. 多模速率方程 uHuL9Q^  
*XI- nH  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 )TcD-Jr  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 V#+M lN  
3.激光器寿命 z(#CO<C.t  
4.激光器阈值电流的温度特性 Tdxc%'l  
m'KEN<)s  
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