[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 ' ?3e1  
Q$NT>d6Q  
一. 半导体激光器的基本结构 [h>RO55e  
•1.半导体双异质结构 l H@hV  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) }&Gt&Hm>K  
•3. 侧模控制(基侧模) B=mk@gX,G  
•4.横模控制 WxB}Uh  
•5. 动态单模半导体激光器 ',o ,o%n  
•6. 波长可调谐半导体激光器 +O 2H":$  
•7.长波长VCSEL的进展 2aef[T
Y  
•8.微腔激光器和光子晶体 u/5^N^@^  
•9.半导体激光器材料的选择 [J'O5"T  
mT@8(  
二.半导体光波导 Gm0&
y  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 vKv!{>,v9Z  
•2. 光限制因子和模式增益 T(UPWsj  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 w^e5"og]  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 aXAV`%b  
•5. DFB激光器的藕合模理论 [ &cCE   
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 1Y2]jz4  
•7. 等效折射率近似 rq;Xcc  
•8. 数值模拟 &Ff#E?Y4|  
x]~{#pH@<  
三.半导体中的光跃迁和增益 W+v7OSd92  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 E;Akm':  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 KCE5Z?k  
•3.简约态密度及增益谱 X,)`< >=O  
•4.模式的自发辐射速率 (%&HufT  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 S?ypka"L  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 PBXRey7>D  
•7.增益谱峰值的近似表达式 k,p:!S(bl  
?<YQ %qaW7  
四. 速率方程和动态效应 F/91Es  
•1．单模速率方程及基本物理量 P;.j5P^j`  
•2．稳态输出 ;'E1yzX^  
•3. 共振频率和3dB带宽 6:Fb>|]*PY  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 q%g!TFMg  
•5. 开启延迟时间 U3R;'80 f  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 3}:(.K  
•7. 自发辐射引起的噪声 qL;OE.?oA  
•8. 相对强度噪声
`7v"(  
•9. 模式线宽 )Z.v
fc  
•10. 多模速率方程 2P`Z>_  
(KHO'QNMt^  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 ]Alv5?E60  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 ku8C#%.m3  
3.激光器寿命 &7K 4tL  
4.激光器阈值电流的温度特性 T?4pV#  
E79'<;K,zs  
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