[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 |/~ISB  
`W'S'?$  
一. 半导体激光器的基本结构 e6_`  
•1.半导体双异质结构 m" c6^)U  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) TQ25"bWi  
•3. 侧模控制(基侧模) :djbZ><  
•4.横模控制 -E-e!  
•5. 动态单模半导体激光器 ->5[C0: ]  
•6. 波长可调谐半导体激光器 +=#@1k~  
•7.长波长VCSEL的进展 )*Rr5l /l  
•8.微腔激光器和光子晶体 ?T_bjALW  
•9.半导体激光器材料的选择 Y(h(Z  
c[;=7-+  
二.半导体光波导 YAYwrKt  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 z?.XVk-  
•2. 光限制因子和模式增益 -\V;Gw8mD  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 p9j2jb,qy  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 x(y=.4Yf+  
•5. DFB激光器的藕合模理论 %QFeQ(b/(  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 DUyUA'*4n|  
•7. 等效折射率近似 gv/yfiA?  
•8. 数值模拟
N3@gvS  
!s47A"O&B  
三.半导体中的光跃迁和增益 z i3gE$7  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 la89>pF  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 C&&33L  
•3.简约态密度及增益谱 F{FSmUxzK  
•4.模式的自发辐射速率
xZ>@wBQ  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 qHC/)M#L  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 Tu-I".d+  
•7.增益谱峰值的近似表达式 ms/Q-  
\vp^[,SI  
四. 速率方程和动态效应 <gx"p#JbZ  
•1．单模速率方程及基本物理量 \\$wg   
•2．稳态输出 s^ K:cz  
•3. 共振频率和3dB带宽 Z]=9=S| .4  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 .oz(,$CS"  
•5. 开启延迟时间 1L<X+,]@  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 q]OgT4ly  
•7. 自发辐射引起的噪声  4B'-tV  
•8. 相对强度噪声 }Fb966 $  
•9. 模式线宽 I_On0@%T5b  
•10. 多模速率方程 Z~HLa  
R1C2d+L  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 jn#Ok@tZ  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 4L)Ox;6>  
3.激光器寿命 m
9Hdg^L  
4.激光器阈值电流的温度特性 A&=`?4>  
<(B: "wI  
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