半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 >U Lp !
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一. 半导体激光器的基本结构 UAZ&*{MM^
•1.半导体双异质结构 CaBS0 '
n
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) RzQS@^u*F0
•3. 侧模控制(基侧模)
YPnJldVn
•4.横模控制 5FI>T=QF
•5. 动态单模半导体激光器 w.p'Dpw
•6. 波长可调谐半导体激光器 T P ::y
•7.长波长VCSEL的进展 P*Sip?tdE
•8.微腔激光器和光子晶体 ^6>|!
•9.半导体激光器材料的选择 v!A|n3B]p
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二.半导体光波导 [uQZD1<q
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 t}*!UixE
•2. 光限制因子和模式增益 )fc"])&8
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 0K0=Ob^(e
•4. 半导体激光器镜面反射系数 /ASI 0h
•5. DFB激光器的藕合模理论
Tpx,41(k
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 b] ?; R
•7. 等效折射率近似 8T
)ELhTj
•8. 数值模拟 %W;Gf9.w
hP8&n9o
三.半导体中的光跃迁和增益 `+c9m^
•1. 费米分布函数及跃迁速率 e ~]e9-L>I
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 g8A{aH b1}
•3.简约态密度及增益谱 >[4|6k|\x
•4.模式的自发辐射速率 l>Ja[`X@
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 4^_Au^8R(
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 eh4"_t
•7.增益谱峰值的近似表达式 WV"QY/e3
^) ^|;C\`
四. 速率方程和动态效应 O \8G~V
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•1．单模速率方程及基本物理量 y7EX&
•2．稳态输出 yc=#Jn?S
•3. 共振频率和3dB带宽 @ ]we m
•4. 载流子输运效应对带宽影响 ?9@Af{b t2
•5. 开启延迟时间 c G!2Iy~lA
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 4 ~YQ\4h=
•7. 自发辐射引起的噪声 KVpAV$|e
•8. 相对强度噪声 -G#@BtB2+
•9. 模式线宽 i }F;fWZ`
•10. 多模速率方程 lY9M<8g
wf< `J/7u
五.半导体激光器的基本工艺和特性 fUKdC \WL
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 } %CbZ/7&
3.激光器寿命 [3sxzU!t~
4.激光器阈值电流的温度特性 A<X :K
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