[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 T#6']D  
5u T 9ssC  
一. 半导体激光器的基本结构 wXPNfV<(2  
•1.半导体双异质结构 #QXv[%k  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) /|t vGC.#  
•3. 侧模控制(基侧模) >"jV8%!sM  
•4.横模控制 gn1`ZYg  
•5. 动态单模半导体激光器 @ \J RxJ  
•6. 波长可调谐半导体激光器 _s><>LH~  
•7.长波长VCSEL的进展 V9-pY/v9  
•8.微腔激光器和光子晶体 #pBAGm3  
•9.半导体激光器材料的选择 +P/"bwv0  
<*0MD6$5  
二.半导体光波导 =rl/l8|P  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 -}%'I]R=  
•2. 光限制因子和模式增益 -b~MQ/,2  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 jV\M`=4IC  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 d8<Lk9H9R  
•5. DFB激光器的藕合模理论 B}X
 C  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 2_
vE  
•7. 等效折射率近似 Ictc '#y  
•8. 数值模拟 $Rv}L'L  
WLiY:X(+|  
三.半导体中的光跃迁和增益 c=I!?a"  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Z{+h~?63  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 {.bLh0  
•3.简约态密度及增益谱 l~Kn-S{  
•4.模式的自发辐射速率 4U<'3~RN  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 :>nk63
V (  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 B h@R9O<  
•7.增益谱峰值的近似表达式 Ox?LVRvxI  
'&Q_5\Tn  
四. 速率方程和动态效应 ~^lQ[x  
•1．单模速率方程及基本物理量 v|VY5vN  
•2．稳态输出 vF;6Y(h>  
•3. 共振频率和3dB带宽 M~I M;my  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 XtT;UBE  
•5. 开启延迟时间 /4#.qq0\{c  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 UYW%%5p?  
•7. 自发辐射引起的噪声 [ w  
•8. 相对强度噪声 7 tF1g=\  
•9. 模式线宽 _S8]W !c  
•10. 多模速率方程 reM%GU  
Y((z9-`  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 DG8$zl5  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 6ecr]=Cv  
3.激光器寿命 _8\Uukm  
4.激光器阈值电流的温度特性 n]ar\f  
-2v|d]3qG  
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