半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 }$!bD
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一. 半导体激光器的基本结构 <9 lZ%j;
•1.半导体双异质结构 5%"${ywI
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) -NtT@ +AE
•3. 侧模控制(基侧模) LuY`mi
•4.横模控制 s,m+q)
•5. 动态单模半导体激光器 biG=4?Xl
•6. 波长可调谐半导体激光器 s|rlpd4y
•7.长波长VCSEL的进展 e`zEsLs@
•8.微腔激光器和光子晶体 }1]/dCv
•9.半导体激光器材料的选择 !|_b}/
.w/#S-at
二.半导体光波导 fL.;-
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 r?Jxl<
•2. 光限制因子和模式增益 [tsi8r=T
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 #&0)kr66
•4. 半导体激光器镜面反射系数 '$pT:4EuGq
•5. DFB激光器的藕合模理论 `l@[8H%aw
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 3{RuR+yi
•7. 等效折射率近似 m6^Ua
•8. 数值模拟 I"Y d6M%
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三.半导体中的光跃迁和增益 yi<&'L;
•1. 费米分布函数及跃迁速率 Uo v%12
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 ?g%5 d
•3.简约态密度及增益谱 /]"&E"X"
•4.模式的自发辐射速率 :,"dno7OQ
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 t+Kxww58
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 9 tkj:8_
•7.增益谱峰值的近似表达式 LSb3w/3M
=BQM(mal
四. 速率方程和动态效应 3Yf%M66t
•1.单模速率方程及基本物理量 T:o!H
Xdj^
•2.稳态输出 <q
hNX$t
•3. 共振频率和3dB带宽 8(3'YNC
•4. 载流子输运效应对带宽影响 CN8GeZ-G
•5. 开启延迟时间 'c5#M,G~
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 Ze~$by|9f
•7. 自发辐射引起的噪声 L,!?'.*/]
•8. 相对强度噪声 -q' n p0H
•9. 模式线宽 Ol H{!
•10. 多模速率方程 NCYN .@J
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 2A|^6#XN'
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 (q`Jef
3.激光器寿命 ~r;da 9
4.激光器阈值电流的温度特性 {dvrj<?
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